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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099870A (zh) * 2008-06-11 2011-06-15 因特瓦克公司 用于在太阳能电池制作中使用的专用注入系统和方法
US20100053817A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Robert Glenn Biskeborn Coated magnetic head and methods for fabrication thereof
US8962376B2 (en) * 2009-04-21 2015-02-24 The Silanna Group Pty Ltd Optoelectronic device with lateral pin or pin junction
FR2946335B1 (fr) * 2009-06-05 2011-09-02 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
US20110039034A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Helen Maynard Pulsed deposition and recrystallization and tandem solar cell design utilizing crystallized/amorphous material
TWI459444B (zh) * 2009-11-30 2014-11-01 應用材料股份有限公司 在半導體應用上的結晶處理
DE112012002072B4 (de) * 2011-05-13 2023-11-16 Sumco Corp. Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumwafers, epitaktischer Siliciumwafer und Verfahren zur Herstellung einer Festkörperbildaufnahmevorrichtung
KR20120131753A (ko) * 2011-05-26 2012-12-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US8652974B2 (en) * 2011-06-22 2014-02-18 Ipg Photonics Corporation Method and system for pre-heating of semiconductor material for laser annealing and gas immersion laser doping
TWI506719B (zh) 2011-11-08 2015-11-01 因特瓦克公司 基板處理系統及方法
US9318332B2 (en) 2012-12-19 2016-04-19 Intevac, Inc. Grid for plasma ion implant
CN106898540B (zh) * 2015-12-17 2020-01-31 宸鸿光电科技股份有限公司 半导体制造方法
DE102017119571B4 (de) 2017-08-25 2024-03-14 Infineon Technologies Ag Ionenimplantationsverfahren und ionenimplantationsvorrichtung
JP6812962B2 (ja) * 2017-12-26 2021-01-13 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
CN111668353B (zh) * 2020-06-19 2021-12-17 錼创显示科技股份有限公司 发光半导体结构及半导体基板
TWI728846B (zh) 2020-06-19 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 發光半導體結構及發光半導體基板
US20230375934A1 (en) * 2020-10-30 2023-11-23 Cymer, Llc Optical component for deep ultraviolet light source
CN117374146B (zh) * 2023-12-06 2024-11-12 山东大学 半导体探测器及其能量自刻度、状态监测方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758315A (en) 1980-09-25 1982-04-08 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor single crystal film
JPS57148341A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Crystal growth of amorphous layer or polycrystalline layer on single crystal layer
US4622093A (en) * 1983-07-27 1986-11-11 At&T Bell Laboratories Method of selective area epitaxial growth using ion beams
JPS6037719A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2595525B2 (ja) * 1987-04-10 1997-04-02 ソニー株式会社 半導体薄膜の形成方法
JPH0319321A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Fujitsu Ltd 半導体結晶形成方法
JP2726118B2 (ja) * 1989-09-26 1998-03-11 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JP2662058B2 (ja) * 1989-11-14 1997-10-08 日本板硝子株式会社 半導体膜の製造方法
JPH04294523A (ja) * 1991-03-22 1992-10-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2662321B2 (ja) * 1991-05-31 1997-10-08 科学技術振興事業団 超低速クラスターイオンビームによる表面処理方法
JPH0529215A (ja) * 1991-07-22 1993-02-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ビームアニール方法
JP3194608B2 (ja) * 1991-11-15 2001-07-30 株式会社ニューラルシステムズ 中性粒子のビーム照射による再結晶化方法
US5350926A (en) * 1993-03-11 1994-09-27 Diamond Semiconductor Group, Inc. Compact high current broad beam ion implanter
JP3450376B2 (ja) * 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69430230T2 (de) * 1993-10-14 2002-10-31 Mega Chips Corp., Osaka Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films
US6884698B1 (en) * 1994-02-23 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon
JPH09153458A (ja) * 1995-09-26 1997-06-10 Fujitsu Ltd 薄膜半導体装置およびその製造方法
JP3841910B2 (ja) 1996-02-15 2006-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH10256153A (ja) 1997-03-17 1998-09-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 非晶質Ｓｉ層の低温単結晶化法
US6200631B1 (en) * 1997-10-27 2001-03-13 Praxair Technology, Inc. Method for producing corrosion resistant refractories
KR19990050318A (ko) 1997-12-17 1999-07-05 윤덕용 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법
US6130436A (en) * 1998-06-02 2000-10-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Acceleration and analysis architecture for ion implanter
US6635880B1 (en) * 1999-10-05 2003-10-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter
JP4869504B2 (ja) * 2000-06-27 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1288996B1 (en) 2001-09-04 2006-03-22 Advantest Corporation Particle beam apparatus
US6933507B2 (en) * 2002-07-17 2005-08-23 Kenneth H. Purser Controlling the characteristics of implanter ion-beams
TW569350B (en) 2002-10-31 2004-01-01 Au Optronics Corp Method for fabricating a polysilicon layer
WO2005021430A1 (ja) * 2003-08-27 2005-03-10 Nu Eco Engineering Co., Ltd. カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置
US20060113489A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Axcelis Technologies, Inc. Optimization of beam utilization
JP2006245326A (ja) 2005-03-03 2006-09-14 Ａ．Ｓ．Ｋ．株式会社 単結晶シリコン薄膜トランジスタ
US7482598B2 (en) * 2005-12-07 2009-01-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for preventing parasitic beamlets from affecting ion implantation

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