JP2011505685A - 粒子ビーム補助による薄膜材料の改良 - Google Patents
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Abstract
Description
薄い非晶質層を最も急速に結晶化するメカニズムは、固相エピタキシャル再成長(SPER)である。SPERにおいて、非晶質Siは、下層の予め存在する広域の結晶層を拡張することによって、結晶性Siに変化することができる。一般的に、この状況は、イオン注入によって非晶質化された後の、結晶性Siウェハの表面層のアニーリング中に遭遇する。本発明は、広域の予め存在する格子が存在せず、かつ結晶の成長前に結晶核形成を経て相変態が発生する、非晶質基板の処理に関連するものである。図1によれば、広域の予め存在する格子のない材料が、非晶相から結晶相に変態することができる種々のメカニズムのブロック図が示される。当技術分野で周知のように、結晶相は、多結晶相または単結晶相に分類されることができる。多結晶相は、時々、結晶サイズによって(例えば多結晶、微結晶、ナノ結晶等のような)異なる種類にさらに再分割されることができる。しかしながら、そのような区別はこの開示の文脈において重要ではないので、図1を説明するのに必要ではない。したがって、ここで、これらの相はまとめて結晶相と称するものとすることができる。
本発明において、粒子は、基板に導入されて相変態を引き起こすことができる。相変態は、非結晶相から、多結晶相および/または単結晶相の一つとすることができる。加えて、相変態は、結晶の核形成と成長を経て生じることができる。変態を引き起こすように、粒子は、基板の上面、基板の下面または基板の上面と基板の下面との間の領域、またはそれらの組み合わせの近くに導入されることができる。基板が2以上の異なる材料を含む場合、粒子は、異なる材料の界面の近くの領域に導入されることができる。
粒子の多くの種類は、相変態を引き起こすために導入されることができる。例えば、基板に対して化学的におよび/または電気的に不活発である粒子を用いることができる。しかしながら、化学的におよび/または電気的に活性な材料を用いることもできる。上述したとおり、粒子は、荷電または中性の亜原子、原子の粒子もしくは分子の粒子またはこれらの組み合わせとすることができる。いくつかの実施形態においては、分子の粒子を用いるのが好ましい。他の実施形態においては、クラスタ粒子を用いるのが好ましい。分子の粒子およびクラスタ粒子は、非常に高い線量およびエネルギーで基板に導入されることができるため好ましい。特に、基板に導入された分子およびクラスタの粒子は、衝突で分解することができ、粒子の運動エネルギーは、原子の粒子の原子量に比例して分けられることができる。重複衝突カスケードは、非常に高い線量率で、原子の粒子の導入と同様の結果を達成することができる。それらのより大きい質量のため、分子の粒子は、非常に高いエネルギーで基板に導入されることもできる。注入機、PLAD、およびPIIIにおいて、原子および分子の種類の生成は、当業者によく知られている。クラスタ粒子の生成の詳細な説明は、米国特許番号5,459,326で見つけることができ、これは、参照することによって完全に組み込まれる。
粒子が基板に導入されるとき、粒子の運動エネルギーは基板に移動する。移動された運動エネルギーの大きさは、粒子のサイズ、質量およびエネルギーに依存する。例えば、基板に導入された重いイオンは、より軽いイオンよりも核阻止を経験することができる。粒子が核阻止メカニズムを経てそれらの運動エネルギーを失うとき、メカニズムは、例えばダングリングボンド、空孔または複空孔のような、結晶化プロセスを強化できる欠陥を形成する傾向がある。同時に、電子阻止を経て基板に移動された運動エネルギーは、結晶化を生じさせることができる。
エネルギーに加えて、粒子の空間的および時間的なプロファイルは制御されることができる。例えば、粒子は粒子ビームとして導入されることができ、ビームは、一定または変化するビーム電流密度(すなわち、所定時間で予定地点にある粒子の数)を有することができる。この電流密度は、粒子電流および/またはビームサイズと、ビームおよび/また基板の走査速度および/またパルス長を制御することによるビームの滞留時間と、ビームのデューティサイクル(例えば、ビームパルス間の時間、または、ビームおよび/または基板の再実行時間が走査される)を変化させることによって調整されることができる。
粒子補助相変態は、結晶成長および/または結晶形を定位させるのに、いくつか利点を有する。本発明において、粒子は、様々な角度で基板に導入されることができる。様々な角度での粒子の導入は、ビームに対して基板を傾けること、および/または、基板に対してビームを傾けることによって達成される。
粒子のパラメータに加え、基板の条件も、粒子導入の前、中、後に調整することができる。例えば、基板の温度を調整することができる。一の実施形態において、基板は、粒子導入の前または中に、約500℃で加熱されることができる。基板を加熱することにより、粒子ビームによって生じた熱衝撃を和らげることができる。加えて、基板を加熱することにより、大きな結晶の形成を誘導することができる。例えば、基板を加熱することによって、粒子が導入された領域を、(この領域は、伝導を通じて、基板にそのエネルギーの大部分を逃がすことができるため、)より遅い速度で冷却されるようにできる。
図3は、本発明の一実施形態に従う、基板を処理するための典型的なシステム300を示すブロック図である。システム300は、ビームライン粒子システム300とすることができる。システム300は、イオン源302、取出システム304、加速システム306、任意のビーム操作部品308および中和システム310を具えることができる。加えて、システム300は、中和システム310と通信するエンドステーション312を具えることができる。エンドステーション312は、ウインドウ314および1以上のロードロック316、318具えることができる。エンドステーション312内には、基板322を支持するプラテンを配置してもよい。加えて、エンドステーション312内には、1以上の、基板移動、冷却および/または加熱サブシステム324を配置することができる。
上記の構成部に加え、例示的システム300〜500は任意で1つ以上のマスクを粒子源(例えばイオン源またはプラズマ)と基板の間に備えることができる。マスクを備える場合、マスクは炭素(C)系材料、Si系材料(例えばSiC)、もしくはWまたはTa等の耐火金属を含む材料であることが好ましい。しかし、他の材料を用いることも可能である。このようなマスクは、基板上の入射ビームの形状を制御するために逆V字型を含む様々な形状をした1つ以上の開口を有する。
以下、粒子誘起相変態のいくつかの適用について説明する。上述の通り、粒子は薄膜基板のSi層に導入され、非晶質相から結晶相へ相変態を誘起する。明確性を持たせるため、粒子誘起相変態の比較はELA処理により行う。
本開示で説明する粒子誘起相変態は、薄膜太陽電池の製造に適用されることもできる。当技術分野で周知のように、非晶質Siは直接バンドギャップ材料であり、間接バンドギャップ材料である結晶Siよりも光を効果的に吸収する。さらに、非晶質Siは結晶Siよりも多く、可視スペクトルの光を吸収する。しかしながら、非晶質Siの導電率は低い。従って、非晶質Siが入射光を電流に変換し、結晶Sがは生成された電流を転送するのが望ましい。従って、本実施形態によると、太陽電池は好ましくは結晶Si層の上に非晶質Si層を有することが望ましい。可視波長の入射光は非晶質Si内で効果的に光電流に変換される。非晶質層で変換されなかった光(赤外線を含む)は、結晶Si内で光電流に変換される。
Claims (29)
- 基板を処理する方法であって、該方法は、
複数の粒子を含む連続粒子ビームを発生させること、および
該連続粒子ビームを非晶相である基板の領域に導入して、該領域を非晶相から結晶相に変えること
を具え、前記連続粒子ビームは、5×1014個/cm2・秒以上の電流密度を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記連続粒子ビームは、集束粒子ビームである請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームは、その第1断面端から第2断面端へ減少する密度プロファイルを有する請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1断面端は先端であり、かつ前記第2断面端は、前記先端に追随する後端であり、前記先端は、前記後端に先立って前記領域に導入される請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームを前記基板の領域に導入する間に、前記連続粒子ビームのエネルギーを調整することをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームのエネルギーを調整することは、前記連続粒子ビームのエネルギーを線形的に調整することを含む請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームのエネルギーを調整することは、前記連続粒子ビームのエネルギーを順々に調整することを含む請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記第1領域を非晶相から結晶相に変える前に、前記第1領域の少なくとも一部を融解させることをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記領域の少なくとも一部を融解させることなく、前記領域を非晶相から結晶相に変えることをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記粒子は、分子イオンを含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記粒子は、粒子集団を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記粒子は、陽子または重陽子を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記粒子は、He、Ne、Ar、Kr、XeおよびRnからなるグループから選ばれる一種類以上を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記粒子の種類がGaである請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームが導入された領域を応力領域に変換するため、前記領域はSiを含み、かつ前記粒子は、CおよびGeからなるグループから選ばれる一種類以上を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記領域の電気特性を変化させるために、前記領域は、IV族元素から選択された材料を含み、かつ前記粒子は、B、Ga、In、P、As、SbおよびBiから成るグループから選ばれる一種類以上を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記領域のバンドギャップ特性を変化させるために、前記領域は、IV族元素から選択された材料を含み、かつ前記粒子は、Yb、Ti、Zr、Hf、Pd、PtおよびAlから成るグループから選ばれる一種類以上を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記領域の電気特性の変化を防止するために、前記領域は、IV族元素から選択された材料を含み、かつ前記粒子は、C含有粒子、Si含有粒子、Ge含有粒子、F含有粒子、N含有粒子、H含有粒子、He含有粒子、Sn含有粒子及び、Pb含有粒子からなるグループから選ばれる一種類以上を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記領域を非晶相から結晶相に変え速度を高めるために、前記領域は、IV族元素から選択される材料を含み、かつ前記粒子は、金属粒子を含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記金属粒子は、Ni粒子を含む請求項19に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームを前記基板の前記領域に導入する前に、前記基板の温度を変化させることをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記温度を変化させることは、温度を低減させることを含む請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記粒子を前記基板の前記領域の一部に導入するよう、前記複数の粒子を生成するイオン源と前記基板との間に少なくとも一つの開口部を含むマスクを配置することをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームが前記領域に到達することを断続的に防止するために、前記連続粒子ビームを前記領域に導入することは、前記基板と前記連続粒子ビームとの相対的位置を周期的に変化させることを含む請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記基板と前記連続粒子ビームとの相対的位置を周期的に変化させることは、固定された前記基板に対する前記連続粒子ビームの位置を変化させることによって達成される請求項24に記載の基板処理方法。
- 前記基板と前記連続粒子ビームとの相対的位置を周期的に変化させることは、固定された前記連続粒子ビームに対する前記基板の位置を変化させることによって達成される請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームは、前記基板の上面と直角な角度で前記領域に導入される請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームは、前記基板の上面と直角である角度を除いた角度で前記領域に導入される請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記連続粒子ビームの複数の粒子が、前記領域の外側の前記基板の一部に進むことを防止することをさらに具える請求項1に記載の基板処理方法。
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---|---|---|---|---|
JP2011524639A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-09-01 | インテバック・インコーポレイテッド | 太陽電池装置及び太陽電池素子形成方法 |
US20100053817A1 (en) * | 2008-09-04 | 2010-03-04 | Robert Glenn Biskeborn | Coated magnetic head and methods for fabrication thereof |
WO2010121309A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Petar Branko Atanackovic | Optoelectronic device with lateral pin or pin junction |
FR2946335B1 (fr) * | 2009-06-05 | 2011-09-02 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu. |
US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
US20110039034A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | Helen Maynard | Pulsed deposition and recrystallization and tandem solar cell design utilizing crystallized/amorphous material |
TWI528418B (zh) * | 2009-11-30 | 2016-04-01 | 應用材料股份有限公司 | 在半導體應用上的結晶處理 |
CN103534791B (zh) * | 2011-05-13 | 2016-05-11 | 胜高股份有限公司 | 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片及固体摄像元件的制造方法 |
KR20120131753A (ko) * | 2011-05-26 | 2012-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
US8652974B2 (en) * | 2011-06-22 | 2014-02-18 | Ipg Photonics Corporation | Method and system for pre-heating of semiconductor material for laser annealing and gas immersion laser doping |
MY175007A (en) | 2011-11-08 | 2020-06-02 | Intevac Inc | Substrate processing system and method |
MY178951A (en) | 2012-12-19 | 2020-10-23 | Intevac Inc | Grid for plasma ion implant |
CN106898540B (zh) * | 2015-12-17 | 2020-01-31 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 半导体制造方法 |
DE102017119571B4 (de) * | 2017-08-25 | 2024-03-14 | Infineon Technologies Ag | Ionenimplantationsverfahren und ionenimplantationsvorrichtung |
JP6812962B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2021-01-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
CN111668353B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-17 | 錼创显示科技股份有限公司 | 发光半导体结构及半导体基板 |
TWI728846B (zh) | 2020-06-19 | 2021-05-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 發光半導體結構及發光半導體基板 |
TW202334705A (zh) * | 2020-10-30 | 2023-09-01 | 美商希瑪有限責任公司 | 用於深紫外線光源之光學組件 |
CN117374146A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-01-09 | 山东大学 | 半导体探测器及其能量自刻度、状态监测方法 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5758315A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor single crystal film |
JPS57148341A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Crystal growth of amorphous layer or polycrystalline layer on single crystal layer |
JPS6037719A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63253616A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法 |
JPH0319321A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶形成方法 |
JPH03155124A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体膜の製造方法 |
JPH04294523A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04354865A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Res Dev Corp Of Japan | 超低速クラスターイオンビームによる表面処理方法 |
JPH0529215A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ビームアニール方法 |
JPH06340500A (ja) * | 1991-11-15 | 1994-12-13 | Niyuuraru Syst:Kk | 中性粒子のビーム照射による再結晶化方法 |
JPH09153458A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-06-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
JPH10256153A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非晶質Si層の低温単結晶化法 |
JP2002093705A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003511822A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入のための高伝搬で,低エネルギーのビームラインのアーキテクチャー |
WO2006060124A2 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Optimization of beam utilization |
JP2006245326A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | A.S.K.株式会社 | 単結晶シリコン薄膜トランジスタ |
WO2007067552A2 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for preventing parasitic beamlets from affecting ion implantation |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4622093A (en) * | 1983-07-27 | 1986-11-11 | At&T Bell Laboratories | Method of selective area epitaxial growth using ion beams |
JP2726118B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
US5350926A (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-27 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | Compact high current broad beam ion implanter |
JP3450376B2 (ja) | 1993-06-12 | 2003-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE69430230T2 (de) * | 1993-10-14 | 2002-10-31 | Neuralsystems Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films |
US6884698B1 (en) * | 1994-02-23 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon |
JP3841910B2 (ja) | 1996-02-15 | 2006-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6200631B1 (en) * | 1997-10-27 | 2001-03-13 | Praxair Technology, Inc. | Method for producing corrosion resistant refractories |
KR19990050318A (ko) | 1997-12-17 | 1999-07-05 | 윤덕용 | 저온공정에 의한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 |
US6130436A (en) * | 1998-06-02 | 2000-10-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Acceleration and analysis architecture for ion implanter |
EP1288996B1 (en) | 2001-09-04 | 2006-03-22 | Advantest Corporation | Particle beam apparatus |
US6933507B2 (en) * | 2002-07-17 | 2005-08-23 | Kenneth H. Purser | Controlling the characteristics of implanter ion-beams |
TW569350B (en) * | 2002-10-31 | 2004-01-01 | Au Optronics Corp | Method for fabricating a polysilicon layer |
US20070184190A1 (en) * | 2003-08-27 | 2007-08-09 | Mineo Hiramatsu | Method for producing carbon nanowalls, carbon nanowall, and apparatus for producing carbon nanowalls |
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5758315A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-08 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor single crystal film |
JPS57148341A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Crystal growth of amorphous layer or polycrystalline layer on single crystal layer |
JPS6037719A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63253616A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Sony Corp | 半導体薄膜の形成方法 |
JPH0319321A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶形成方法 |
JPH03155124A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体膜の製造方法 |
JPH04294523A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04354865A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Res Dev Corp Of Japan | 超低速クラスターイオンビームによる表面処理方法 |
JPH0529215A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ビームアニール方法 |
JPH06340500A (ja) * | 1991-11-15 | 1994-12-13 | Niyuuraru Syst:Kk | 中性粒子のビーム照射による再結晶化方法 |
JPH09153458A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-06-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
JPH10256153A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非晶質Si層の低温単結晶化法 |
JP2003511822A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入のための高伝搬で,低エネルギーのビームラインのアーキテクチャー |
JP2002093705A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2006060124A2 (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Optimization of beam utilization |
JP2006245326A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | A.S.K.株式会社 | 単結晶シリコン薄膜トランジスタ |
WO2007067552A2 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for preventing parasitic beamlets from affecting ion implantation |
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