JP2011502350A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 静電気放電（ＥＳＤ）保護回路であって、
回路の第１電圧源ノードと第２電圧源ノードとの間に接続される第１電圧クランプであり、前記第１電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、第１電圧クランプと、
回路の前記第２電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第２電圧クランプとを備え、
前記第１電圧クランプは、ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするように動作し、前記第２電圧クランプは、前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするように動作するＥＳＤ保護回路。 - 前記第１電圧クランプは、
前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間で前記ＥＳＤイベントを検出し、かつ、前記ＥＳＤイベントを指示する第１制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるＥＳＤ保護構造であり、前記第１制御信号に応答して前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ＥＳＤ保護構造とを備える請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。 - 前記トリガー回路は、前記第１電圧源ノードと前記第２電圧源ノードとの間でＥＳＤ遷移を検出し、かつ、前記ＥＳＤ遷移を検出した後に、ＥＳＤ保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項２に記載のＥＳＤ保護回路。
- 前記トリガー回路は、
前記タイミング回路に接続される入力を有する少なくとも第１インバータと、
前記第１インバータの出力に接続される入力および前記第１制御信号を発生する出力を有する出力段とをさらに備える請求項３に記載のＥＳＤ保護回路。 - 前記ＥＳＤ保護構造は、前記第１電圧源ノードに接続される第１ソース／ドレイン、前記第２電圧源ノードに接続される第２ソース／ドレインおよび前記第１制御信号を受け取るゲートを有するＮＭＯＳトランジスタ・デバイスを備える請求項２に記載のＥＳＤ保護回路。
- 前記第１電圧クランプは、少なくとも１つの金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスであって、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスに関連する第１閾電圧を有する少なくとも１つの金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ・デバイスを備え、前記第２電圧クランプは、少なくとも１つのＭＯＳトランジスタ・デバイスであって、ＭＯＳトランジスタ・デバイスに関連する第２閾電圧を有する少なくとも１つのＭＯＳトランジスタ・デバイスを備え、前記第１閾電圧は前記第２閾電圧より大きい請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。
- 前記第２電圧クランプは、
前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間で前記ＥＳＤイベントを検出し、かつ、前記ＥＳＤイベントに応答して第２制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるＥＳＤ保護構造であって、前記第２制御信号に応答して前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ＥＳＤ保護構造とを備える請求項１に記載のＥＳＤ保護回路。 - 前記トリガー回路は、前記第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間でＥＳＤ遷移を検出し、かつ、前記ＥＳＤ遷移を検出した後に、ＥＳＤ保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項７に記載のＥＳＤ保護回路。
- 回路の第１電圧源ノードと電圧リターンとの間および前記回路の第２電圧源ノードと前記電圧リターンとの間の少なくとも一方における静電気放電（ＥＳＤ）イベントから前記回路を保護する方法において、前記第１電圧源ノードは、前記回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、方法であって、
前記ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするステップと、
前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするステップとを含む方法。 - 少なくとも１つの静電気放電（ＥＳＤ）保護回路を含む集積回路であって、前記少なくとも１つのＥＳＤ保護回路は、
回路の第１電圧源ノードと第２電圧源ノードとの間に接続される第１電圧クランプであり、前記第１電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第１電圧を受け取るようになっており、前記第２電圧源ノードは、前記第１電圧より小さい第２電圧を受け取るように動作する、第１電圧クランプと、
回路の前記第２電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第２電圧クランプとを備え、
前記第１電圧クランプは、ＥＳＤイベント中に、前記第１電圧源ノード上の前記第１電圧を第１の値にクランプするように動作し、前記第２電圧クランプは、前記ＥＳＤイベント中に、前記第２電圧源ノード上の前記第２電圧を第２の値にクランプするように動作する集積回路。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/US2007/082934 WO2009058128A1 (en) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | Electrostatic discharge protection circuit |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013156466A Division JP5710706B2 (ja) | 2013-07-29 | 2013-07-29 | 静電気放電保護回路 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011502350A JP2011502350A (ja) | 2011-01-20 |
| JP2011502350A5 true JP2011502350A5 (ja) | 2011-12-01 |
| JP5562246B2 JP5562246B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=40223741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010530980A Active JP5562246B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 静電気放電保護回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8089739B2 (ja) |
| EP (1) | EP2135282A1 (ja) |
| JP (1) | JP5562246B2 (ja) |
| KR (1) | KR101389234B1 (ja) |
| WO (1) | WO2009058128A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2307225A4 (en) * | 2008-07-23 | 2017-11-22 | Continental Automotive GmbH | Protection against load dump on multiple automobile interfaces |
| EP2246885A1 (fr) * | 2009-04-27 | 2010-11-03 | STmicroelectronics SA | Structure de protection d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques |
| JP2012253266A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Sony Corp | 半導体集積回路 |
| KR101885334B1 (ko) | 2012-01-18 | 2018-08-07 | 삼성전자 주식회사 | 정전기 방전 보호 회로 |
| US9172244B1 (en) * | 2012-03-08 | 2015-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Self biased electro-static discharge clamp (ESD) for power rail |
| US8643988B1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-02-04 | Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Company Ltd. | ESD power clamp using a low-voltage transistor to clamp a high-voltage supply in a mixed-voltage chip |
| KR101990093B1 (ko) | 2013-04-29 | 2019-06-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 집적 회로 장치 |
| WO2015116187A1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Return path capacitor for connected devices |
| TWI499926B (zh) * | 2014-09-09 | 2015-09-11 | Nuvoton Technology Corp | 靜電放電保護元件的模擬等效電路及其模擬方法 |
| JP2016111186A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路 |
| JP6672908B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2020-03-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US10886729B2 (en) * | 2017-06-01 | 2021-01-05 | Richwave Technology Corp. | Electrostatic discharge protection device for high supply voltage operations |
| US20200075547A1 (en) | 2018-08-31 | 2020-03-05 | Qorvo Us, Inc. | Double-sided integrated circuit module having an exposed semiconductor die |
| US11201467B2 (en) * | 2019-08-22 | 2021-12-14 | Qorvo Us, Inc. | Reduced flyback ESD surge protection |
| US11418025B2 (en) * | 2020-11-03 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Device and method for electrostatic discharge protection |
| US11848554B2 (en) * | 2021-04-21 | 2023-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrostatic discharge circuit and method of operating same |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5524096A (en) * | 1995-06-29 | 1996-06-04 | Micron Quantum Devices, Inc. | Circuit for generating a delayed standby signal in response to an external standby command |
| US5946177A (en) | 1998-08-17 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Circuit for electrostatic discharge protection |
| US6118640A (en) * | 1999-02-17 | 2000-09-12 | Pericom Semiconductor Corp. | Actively-driven thin-oxide MOS transistor shunt for ESD protection of multiple independent supply busses in a mixed-signal chip |
| US6455902B1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | BiCMOS ESD circuit with subcollector/trench-isolated body mosfet for mixed signal analog/digital RF applications |
| TW511271B (en) * | 2001-10-19 | 2002-11-21 | Winbond Electronics Corp | Electrostatic discharge protection circuit with high electrostatic discharge tolerance capability |
| DE10349405A1 (de) * | 2003-10-21 | 2005-05-25 | Austriamicrosystems Ag | Aktive Schutzschaltungsanordnung |
| US7221551B2 (en) | 2004-06-11 | 2007-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cascaded gate-driven ESD clamp |
| US7529070B2 (en) | 2005-03-11 | 2009-05-05 | Agere Systems Inc. | Power pin to power pin electro-static discharge (ESD) clamp |
| JP2009500840A (ja) * | 2005-07-08 | 2009-01-08 | エヌエックスピー ビー ヴィ | 静電放電保護を有する集積回路 |
| US7593202B2 (en) * | 2005-11-01 | 2009-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electrostatic discharge (ESD) protection circuit for multiple power domain integrated circuit |
| WO2007082934A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Nokia Siemens Networks Gmbh & Co. Kg | Method for dynamically adapting the drx cycle length in a radio communications system |
| US7518845B2 (en) * | 2006-06-07 | 2009-04-14 | International Business Machines Corporation | RC-triggered power clamp suppressing negative mode electrostatic discharge stress |
-
2007
- 2007-10-30 US US12/438,460 patent/US8089739B2/en active Active
- 2007-10-30 WO PCT/US2007/082934 patent/WO2009058128A1/en active Application Filing
- 2007-10-30 KR KR1020097025962A patent/KR101389234B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-30 EP EP07844701A patent/EP2135282A1/en not_active Withdrawn
- 2007-10-30 JP JP2010530980A patent/JP5562246B2/ja active Active
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