JPH09205727A - 短絡保護を有するパワートランジスタ - Google Patents
短絡保護を有するパワートランジスタInfo
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- JPH09205727A JPH09205727A JP8249830A JP24983096A JPH09205727A JP H09205727 A JPH09205727 A JP H09205727A JP 8249830 A JP8249830 A JP 8249830A JP 24983096 A JP24983096 A JP 24983096A JP H09205727 A JPH09205727 A JP H09205727A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
Abstract
(57)【要約】
【課題】オン状態において、負荷回路の短絡によるＭＯ
ＳＦＥＴ及びＩＧＢＴ等のパワートランジスタの破壊を
防止する。 【解決手段】短絡電流が発生した場合には、電流センサ
装置１０を用いた電流帰還制御によりトランジスタ９が
オンされて、パワートランジスタ１がオフされる。しか
し、この電流帰還制御が急激に行われた場合、パワート
ランジスタ１が過電圧によって損傷される恐れがある。
この損傷を防止するために、パワートランジスタ１の負
荷区間の電圧変化を検出するための電圧センサ装置１
１，１２，１３が設けられている。この電圧センサ装置
は、短絡によりパワートランジスタの出力電圧が上昇し
た場合、トランジスタ９の制御端子Ｇの電位を減少させ
るように動作する。
ＳＦＥＴ及びＩＧＢＴ等のパワートランジスタの破壊を
防止する。 【解決手段】短絡電流が発生した場合には、電流センサ
装置１０を用いた電流帰還制御によりトランジスタ９が
オンされて、パワートランジスタ１がオフされる。しか
し、この電流帰還制御が急激に行われた場合、パワート
ランジスタ１が過電圧によって損傷される恐れがある。
この損傷を防止するために、パワートランジスタ１の負
荷区間の電圧変化を検出するための電圧センサ装置１
１，１２，１３が設けられている。この電圧センサ装置
は、短絡によりパワートランジスタの出力電圧が上昇し
た場合、トランジスタ９の制御端子Ｇの電位を減少させ
るように動作する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、短絡保護を有する
パワートランジスタに関し、詳しくは、パワートランジ
スタの短絡保護機能が向上された回路装置に関する。
パワートランジスタに関し、詳しくは、パワートランジ
スタの短絡保護機能が向上された回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】パワートランジスタにおける現在の問題
は、短絡の場合における電流制限である。特に、例えば
ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのパワートランジスタを有
する回路装置は、オンにされている状態において負荷電
流回路に発生する短絡に対して保護されていなければな
らない。その理由は、短絡した場合には、パワートラン
ジスタを流れる電流は急激に定格電流の何倍にも上昇し
て、それによってパワートランジスタが危険にさらさ
れ、さらには破壊される場合もあるからである。
は、短絡の場合における電流制限である。特に、例えば
ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのパワートランジスタを有
する回路装置は、オンにされている状態において負荷電
流回路に発生する短絡に対して保護されていなければな
らない。その理由は、短絡した場合には、パワートラン
ジスタを流れる電流は急激に定格電流の何倍にも上昇し
て、それによってパワートランジスタが危険にさらさ
れ、さらには破壊される場合もあるからである。
【０００３】電流上昇速度は、短絡の場合には負荷回路
内に存在する供給導線の洩れインダクタンスに関係す
る。パワートランジスタの破壊を防止するために、従来
では短絡した場合に、パワートランジスタを迅速にオフ
にし、あるいは短絡電流を危険でない値に迅速に制限す
ることが提案されている。
内に存在する供給導線の洩れインダクタンスに関係す
る。パワートランジスタの破壊を防止するために、従来
では短絡した場合に、パワートランジスタを迅速にオフ
にし、あるいは短絡電流を危険でない値に迅速に制限す
ることが提案されている。
【０００４】短絡保護を有するパワートランジスタは、
例えば１９９４年５月３１日から６月２日にスイスのダ
ボスで行われた「第６回パワーセミコンダクター素子と
ＩＣの国際シンポジウム（6th Internat. Symposium on
Power Semiconductor Devices & IC's）」の公開議事
録の第３１ページから第３５ページ並びに第３５ページ
から第４１ページに記載されている。
例えば１９９４年５月３１日から６月２日にスイスのダ
ボスで行われた「第６回パワーセミコンダクター素子と
ＩＣの国際シンポジウム（6th Internat. Symposium on
Power Semiconductor Devices & IC's）」の公開議事
録の第３１ページから第３５ページ並びに第３５ページ
から第４１ページに記載されている。
【０００５】パワートランジスタ、すなわちＩＧＢＴに
は、抵抗とトランジスタの直列回路からなる電流センサ
回路が並列に接続されている。トランジスタと抵抗との
間の接続点は、ＭＯＳＦＥＴの制御端子と接続されてい
る。そのＭＯＳＦＥＴの負荷区間は、パワートランジス
タのゲート−ソース容量に対して並列に接続されてい
る。電流センサ回路の抵抗によって降下する電圧降下
が、パワートランジスタを流れる電流の尺度となる。
は、抵抗とトランジスタの直列回路からなる電流センサ
回路が並列に接続されている。トランジスタと抵抗との
間の接続点は、ＭＯＳＦＥＴの制御端子と接続されてい
る。そのＭＯＳＦＥＴの負荷区間は、パワートランジス
タのゲート−ソース容量に対して並列に接続されてい
る。電流センサ回路の抵抗によって降下する電圧降下
が、パワートランジスタを流れる電流の尺度となる。
【０００６】パワートランジスタを流れる電流が所定の
臨界値を超えるとすぐに、電流センサの抵抗による電圧
降下が大きくなって、ＭＯＳＦＥＴがオンにされる。こ
のオン動作により、パワートランジスタのゲート電位が
低下して、パワートランジスタを流れる電流が減少す
る。このように電流センサ回路とＭＯＳＦＥＴによっ
て、パワートランジスタの制御端子の電位をそのパワー
トランジスタが完全にオフになるまで低下させることが
できる。
臨界値を超えるとすぐに、電流センサの抵抗による電圧
降下が大きくなって、ＭＯＳＦＥＴがオンにされる。こ
のオン動作により、パワートランジスタのゲート電位が
低下して、パワートランジスタを流れる電流が減少す
る。このように電流センサ回路とＭＯＳＦＥＴによっ
て、パワートランジスタの制御端子の電位をそのパワー
トランジスタが完全にオフになるまで低下させることが
できる。
【０００７】パワートランジスタは、このような公知の
電流帰還制御または電流遮断を行なっているにもかかわ
らず短絡した場合に、損傷される場合がある。すなわ
ち、電流帰還制御または電流遮断が極めて急速に行われ
た場合、パワートランジスタにおいて許容できない大き
な値の過電圧が降下するからである。
電流帰還制御または電流遮断を行なっているにもかかわ
らず短絡した場合に、損傷される場合がある。すなわ
ち、電流帰還制御または電流遮断が極めて急速に行われ
た場合、パワートランジスタにおいて許容できない大き
な値の過電圧が降下するからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであって、その目的は、
短絡保護機能が向上されたパワートランジスタを提供す
ることにある。
を解決するためになされたものであって、その目的は、
短絡保護機能が向上されたパワートランジスタを提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、ａ）パワー
トランジスタの負荷区間が第１と第２の端子の間に接続
され、そのパワートランジスタの制御端子が第３の端子
に接続され、 ｂ）トランジスタの負荷区間が第２の端子と第３の端子
との間に接続され、 ｃ）パワートランジスタを流れる電流を検出する電流セ
ンサ装置が設けられ、 ｄ）電流センサ装置の出力側にトランジスタの制御端子
が接続されることによって、パワートランジスタを流れ
る電流が所定の臨界値を超えた場合に、トランジスタを
オンすることが可能な短絡保護を有するパワートランジ
スタの回路装置において、次に示す特徴によって解決さ
れる。
トランジスタの負荷区間が第１と第２の端子の間に接続
され、そのパワートランジスタの制御端子が第３の端子
に接続され、 ｂ）トランジスタの負荷区間が第２の端子と第３の端子
との間に接続され、 ｃ）パワートランジスタを流れる電流を検出する電流セ
ンサ装置が設けられ、 ｄ）電流センサ装置の出力側にトランジスタの制御端子
が接続されることによって、パワートランジスタを流れ
る電流が所定の臨界値を超えた場合に、トランジスタを
オンすることが可能な短絡保護を有するパワートランジ
スタの回路装置において、次に示す特徴によって解決さ
れる。
【００１０】ｅ）電圧センサ装置が、パワートランジス
タの負荷区間の電圧変化を検出するために設けられ、 ｆ）電圧センサ装置の出力側が、トランジスタの制御端
子から取り出し可能な電位を検出された電圧変化に従っ
て減少させるために、トランジスタの制御端子と接続さ
れている。
タの負荷区間の電圧変化を検出するために設けられ、 ｆ）電圧センサ装置の出力側が、トランジスタの制御端
子から取り出し可能な電位を検出された電圧変化に従っ
て減少させるために、トランジスタの制御端子と接続さ
れている。
【００１１】本発明は、電流センサ装置に加えて電圧セ
ンサ装置を設け、その電圧センサによって短絡した場合
のパワートランジスタの負荷区間における電圧変化を検
出できるようにしたことに基づいている。好ましくは、
パワートランジスタを流れる短絡電流の一価関数を示す
電圧センサ装置の出力側は、第２の端子と第３の端子の
間に接続されたトランジスタの制御端子と接続されてい
る。この構成によって、トランジスタの制御端子から取
り出し可能な電位を電圧変化に応じて減少させることが
できる。
ンサ装置を設け、その電圧センサによって短絡した場合
のパワートランジスタの負荷区間における電圧変化を検
出できるようにしたことに基づいている。好ましくは、
パワートランジスタを流れる短絡電流の一価関数を示す
電圧センサ装置の出力側は、第２の端子と第３の端子の
間に接続されたトランジスタの制御端子と接続されてい
る。この構成によって、トランジスタの制御端子から取
り出し可能な電位を電圧変化に応じて減少させることが
できる。
【００１２】従って、本発明によれば、パワートランジ
スタを流れる電流が、例えば短絡の場合などに、高すぎ
る値を取った場合に、電流センサ装置によってトランジ
スタのゲート電位が帰還制御される。しかし、パワート
ランジスタの負荷区間の出力電圧が上昇した場合には、
トランジスタの制御端子の電位が下げられる。トランジ
スタの制御端子の電位のこのような動的な制御によっ
て、短絡した場合には電流制御とパワートランジスタの
出力の負荷電圧の上昇速度の制限が行われる。
スタを流れる電流が、例えば短絡の場合などに、高すぎ
る値を取った場合に、電流センサ装置によってトランジ
スタのゲート電位が帰還制御される。しかし、パワート
ランジスタの負荷区間の出力電圧が上昇した場合には、
トランジスタの制御端子の電位が下げられる。トランジ
スタの制御端子の電位のこのような動的な制御によっ
て、短絡した場合には電流制御とパワートランジスタの
出力の負荷電圧の上昇速度の制限が行われる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図１
〜図３に従って詳細に説明する。以下の図面において
は、異なる記載がない限りにおいて、同一の参照符号
は、同一の意味を有する同一の部分を示している。以下
の実施の形態においては、パワートランジスタとしてパ
ワーＭＯＳＦＥＴが使用されているが、本発明はこの種
のパワーＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。パワ
ーＭＯＳＦＥＴの代わりに、例えばいわゆるＩＧＢＴま
たはＦＥＴを使用することも可能である。
〜図３に従って詳細に説明する。以下の図面において
は、異なる記載がない限りにおいて、同一の参照符号
は、同一の意味を有する同一の部分を示している。以下
の実施の形態においては、パワートランジスタとしてパ
ワーＭＯＳＦＥＴが使用されているが、本発明はこの種
のパワーＭＯＳＦＥＴに限定されるものではない。パワ
ーＭＯＳＦＥＴの代わりに、例えばいわゆるＩＧＢＴま
たはＦＥＴを使用することも可能である。
【００１４】図１には、改良された短絡保護を有するパ
ワーＭＯＳＦＥＴが示されている。パワーＭＯＳＦＥＴ
１のドレイン端子Ｄは第１の端子２に接続され、ソース
端子Ｓは第２の端子３に接続されている。第２の端子
は、基準電位と接続されている。パワーＭＯＳＦＥＴ１
のゲート端子Ｇは、第３の端子４に接続されている。こ
の第３の端子４と他の端子７との間には抵抗６が接続さ
れており、この他の端子７にパワーＭＯＳＦＥＴ１をオ
ンオフするための制御信号を印加することができる。
図１の実施の形態においては、第１の端子２に負荷１５
の一方の端子が接続されており、この負荷１５の他方の
端子は他の端子５に接続されている。この端子５に、例
えば＋１５Ｖの電源電圧ＶＤを印加することができる。
負荷１５は、図１の実施の形態においては、誘導性の負
荷１５として示されている。誘導性の負荷というのは、
少なくとも第１の端子２と第２の端子３へ通じる供給導
線内に洩れインダクタンスが存在するからである。
ワーＭＯＳＦＥＴが示されている。パワーＭＯＳＦＥＴ
１のドレイン端子Ｄは第１の端子２に接続され、ソース
端子Ｓは第２の端子３に接続されている。第２の端子
は、基準電位と接続されている。パワーＭＯＳＦＥＴ１
のゲート端子Ｇは、第３の端子４に接続されている。こ
の第３の端子４と他の端子７との間には抵抗６が接続さ
れており、この他の端子７にパワーＭＯＳＦＥＴ１をオ
ンオフするための制御信号を印加することができる。
図１の実施の形態においては、第１の端子２に負荷１５
の一方の端子が接続されており、この負荷１５の他方の
端子は他の端子５に接続されている。この端子５に、例
えば＋１５Ｖの電源電圧ＶＤを印加することができる。
負荷１５は、図１の実施の形態においては、誘導性の負
荷１５として示されている。誘導性の負荷というのは、
少なくとも第１の端子２と第２の端子３へ通じる供給導
線内に洩れインダクタンスが存在するからである。
【００１５】パワーＭＯＳＦＥＴ１を短絡保護するため
に、図１に示す回路装置は、電流センサ装置と電圧セン
サ装置とを有する。電流センサ装置は、図１においては
参照符号１０で示されている。この電流センサ装置１０
の入力側は、ドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとの間、す
なわち、第１の端子２と第３の端子３との間に接続され
ている。電流センサ装置１０は、例えば、その出力端子
１７に２つの可能な出力信号を有する比較回路である。
出力端子１７の出力信号は、例えば電圧Ｕ１であって、
２つの値をとることができる。出力端子１７は、好まし
くは抵抗８を介してトランジスタ９の制御端子に接続さ
れている。このトランジスタ９は図１の実施の形態にお
いてはエンハンスメントＭＯＳＦＥＴ９であって、その
ドレイン端子Ｄが第３の端子４に接続され、ソース端子
Ｓは第２の端子３に接続されている。このＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇは、抵抗８に接続されている。
に、図１に示す回路装置は、電流センサ装置と電圧セン
サ装置とを有する。電流センサ装置は、図１においては
参照符号１０で示されている。この電流センサ装置１０
の入力側は、ドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとの間、す
なわち、第１の端子２と第３の端子３との間に接続され
ている。電流センサ装置１０は、例えば、その出力端子
１７に２つの可能な出力信号を有する比較回路である。
出力端子１７の出力信号は、例えば電圧Ｕ１であって、
２つの値をとることができる。出力端子１７は、好まし
くは抵抗８を介してトランジスタ９の制御端子に接続さ
れている。このトランジスタ９は図１の実施の形態にお
いてはエンハンスメントＭＯＳＦＥＴ９であって、その
ドレイン端子Ｄが第３の端子４に接続され、ソース端子
Ｓは第２の端子３に接続されている。このＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇは、抵抗８に接続されている。
【００１６】比較回路として形成された電流センサ回路
１０の出力端子１７と第２の端子３との間の出力電圧Ｕ
１は、２つの値をとることができる。パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１を通る電流Ｉが所定の臨界的なしきい値よりも低い
場合、この出力電圧Ｕ１のうち、ＭＯＳＦＥＴ９のスレ
ッショールド電圧よりも小さい第１の値が出力端子１７
から常に出力される。パワーＭＯＳＦＥＴ１のしきい値
は、発生する短絡電流よりも低くなるように設定されて
いる。更に、定格駆動においてパワーＭＯＳＦＥＴ１を
流れる電流Ｉは、このしきい値よりも低い。
１０の出力端子１７と第２の端子３との間の出力電圧Ｕ
１は、２つの値をとることができる。パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１を通る電流Ｉが所定の臨界的なしきい値よりも低い
場合、この出力電圧Ｕ１のうち、ＭＯＳＦＥＴ９のスレ
ッショールド電圧よりも小さい第１の値が出力端子１７
から常に出力される。パワーＭＯＳＦＥＴ１のしきい値
は、発生する短絡電流よりも低くなるように設定されて
いる。更に、定格駆動においてパワーＭＯＳＦＥＴ１を
流れる電流Ｉは、このしきい値よりも低い。
【００１７】電流センサ回路１０の出力端子１７の出力
電圧Ｕ１は、ＭＯＳＦＥＴ（９）のスレッショールド電
圧よりも大きい第２の値をとることができる。すなわ
ち、パワーＭＯＳＦＥＴ１を流れる電流Ｉが所定の臨界
的なしきい値よりも高い場合、第２の値が電流センサ回
路１０の出力端子１７から常に出力される。その結果、
短絡した場合に、ＭＯＳＦＥＴ９がオンされ、あるいは
より強く導通して、パワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子
Ｇの電位が低下する。
電圧Ｕ１は、ＭＯＳＦＥＴ（９）のスレッショールド電
圧よりも大きい第２の値をとることができる。すなわ
ち、パワーＭＯＳＦＥＴ１を流れる電流Ｉが所定の臨界
的なしきい値よりも高い場合、第２の値が電流センサ回
路１０の出力端子１７から常に出力される。その結果、
短絡した場合に、ＭＯＳＦＥＴ９がオンされ、あるいは
より強く導通して、パワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子
Ｇの電位が低下する。
【００１８】例えば、ＭＯＳＦＥＴ９のスレッショール
ド電圧が＋２Ｖであって、パワーＭＯＳＦＥＴ１を流れ
る電流の所定の臨界的なしきい値が＋５０Ａである場合
に、電流センサ回路１０は５Ａの負荷電流Ｉが発生した
場合（定格駆動）、出力電圧Ｕ１が０Ｖとなるように設
定する。それに対して、負荷電流Ｉが１００Ａに上昇し
た場合（短絡した場合）、電流センサ回路１０の出力端
子１７の出力電圧Ｕ１は、例えば＋１０Ｖに上昇する。
この結果、ＭＯＳＦＥＴ９が導通し、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のゲート端子Ｇの電位が低下して、そのパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１は遮断される。
ド電圧が＋２Ｖであって、パワーＭＯＳＦＥＴ１を流れ
る電流の所定の臨界的なしきい値が＋５０Ａである場合
に、電流センサ回路１０は５Ａの負荷電流Ｉが発生した
場合（定格駆動）、出力電圧Ｕ１が０Ｖとなるように設
定する。それに対して、負荷電流Ｉが１００Ａに上昇し
た場合（短絡した場合）、電流センサ回路１０の出力端
子１７の出力電圧Ｕ１は、例えば＋１０Ｖに上昇する。
この結果、ＭＯＳＦＥＴ９が導通し、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１のゲート端子Ｇの電位が低下して、そのパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１は遮断される。
【００１９】短絡した場合に上述の回路装置（電流セン
サ回路）の動作によって、パワーＭＯＳＦＥＴ１が急激
に遮断された場合、パワーＭＯＳＦＥＴ１の負荷区間に
危険な過電圧が発生することがある。この過電圧の発生
を防止するために、パワーＭＯＳＦＥＴ１の負荷区間に
おける電圧変化を検出するための電圧センサ装置が設け
られている。電圧センサ装置の出力側は、ＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇと接続されている。この構成によっ
て、ＭＯＳＦＥＴ９のゲート端子Ｇから取り出し可能な
電位を、検出された電圧変化に応じて減少させることが
できる。
サ回路）の動作によって、パワーＭＯＳＦＥＴ１が急激
に遮断された場合、パワーＭＯＳＦＥＴ１の負荷区間に
危険な過電圧が発生することがある。この過電圧の発生
を防止するために、パワーＭＯＳＦＥＴ１の負荷区間に
おける電圧変化を検出するための電圧センサ装置が設け
られている。電圧センサ装置の出力側は、ＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇと接続されている。この構成によっ
て、ＭＯＳＦＥＴ９のゲート端子Ｇから取り出し可能な
電位を、検出された電圧変化に応じて減少させることが
できる。
【００２０】詳細には、図１の実施の形態における電圧
センサ装置は、コンデンサ１３、抵抗１１及び他のエン
ハンスメントＭＯＳＦＥＴ１２から構成されている。コ
ンデンサ１３の一方の端子は第１の端子２に接続され、
他方の端子は抵抗１１の一方の端子に接続されている。
抵抗１１の他方の自由な端子は第２の端子３に接続され
ている。コンデンサ１３と抵抗１１との間の接続点は、
ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート端子Ｇと接続されている。こ
のＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子Ｄは、ＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇと接続され、ソース端子Ｓは第２の端
子３に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ９と１２は、それ
ぞれｎ−チャネル型である。
センサ装置は、コンデンサ１３、抵抗１１及び他のエン
ハンスメントＭＯＳＦＥＴ１２から構成されている。コ
ンデンサ１３の一方の端子は第１の端子２に接続され、
他方の端子は抵抗１１の一方の端子に接続されている。
抵抗１１の他方の自由な端子は第２の端子３に接続され
ている。コンデンサ１３と抵抗１１との間の接続点は、
ＭＯＳＦＥＴ１２のゲート端子Ｇと接続されている。こ
のＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン端子Ｄは、ＭＯＳＦＥＴ
９のゲート端子Ｇと接続され、ソース端子Ｓは第２の端
子３に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ９と１２は、それ
ぞれｎ−チャネル型である。
【００２１】回路要素としての抵抗１１、エンハンスメ
ントＭＯＳＦＥＴ１２及びコンデンサ１３から構成され
る電圧センサ回路は、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン
端子Ｄとソース端子Ｓとの間の電圧Ｕの上昇速度を検出
する。抵抗１１において降下する電圧Ｕ２がＭＯＳＦＥ
Ｔ１２の動作を制御する。この電圧Ｕ２がＭＯＳＦＥＴ
１２のスレッショールド電圧よりも小さい場合、ＭＯＳ
ＦＥＴ１２は遮断されたままとなり、ＭＯＳＦＥＴ９の
ゲート端子Ｇの電位は変化しない。それに対して、電圧
Ｕ２がＭＯＳＦＥＴ１２のスレッショールド電圧よりも
大きい場合、ＭＯＳＦＥＴ１２が導通し、それによって
ＭＯＳＦＥＴ９のゲートＧの電位が下がる。
ントＭＯＳＦＥＴ１２及びコンデンサ１３から構成され
る電圧センサ回路は、パワーＭＯＳＦＥＴ１のドレイン
端子Ｄとソース端子Ｓとの間の電圧Ｕの上昇速度を検出
する。抵抗１１において降下する電圧Ｕ２がＭＯＳＦＥ
Ｔ１２の動作を制御する。この電圧Ｕ２がＭＯＳＦＥＴ
１２のスレッショールド電圧よりも小さい場合、ＭＯＳ
ＦＥＴ１２は遮断されたままとなり、ＭＯＳＦＥＴ９の
ゲート端子Ｇの電位は変化しない。それに対して、電圧
Ｕ２がＭＯＳＦＥＴ１２のスレッショールド電圧よりも
大きい場合、ＭＯＳＦＥＴ１２が導通し、それによって
ＭＯＳＦＥＴ９のゲートＧの電位が下がる。
【００２２】抵抗１１、ＭＯＳＦＥＴ１２及びコンデン
サ１３から構成される電圧センサ回路は、電圧Ｕが極め
て急激に上昇した場合にＭＯＳＦＥＴ１２が導通して、
それによってＭＯＳＦＥＴ９のゲート端子Ｇの電位が下
がるように設定されている。その結果、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１のゲート端子Ｇの電位が上昇する。従って、短絡
した場合、図１に示す回路装置により電流の制限のみな
らず出力電圧Ｕの上昇速度の制限も保証される。全制御
工程は、短絡した場合にのみ行われる。その理由として
は、通常機能の場合、すなわち、定格電流の場合には電
流センサ装置１０の出力電圧Ｕ１は、ＭＯＳＦＥＴ９の
スレッショールド電圧よりも低いので、いずれにしろ、
このＭＯＳＦＥＴ９は遮断されているからである。
サ１３から構成される電圧センサ回路は、電圧Ｕが極め
て急激に上昇した場合にＭＯＳＦＥＴ１２が導通して、
それによってＭＯＳＦＥＴ９のゲート端子Ｇの電位が下
がるように設定されている。その結果、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１のゲート端子Ｇの電位が上昇する。従って、短絡
した場合、図１に示す回路装置により電流の制限のみな
らず出力電圧Ｕの上昇速度の制限も保証される。全制御
工程は、短絡した場合にのみ行われる。その理由として
は、通常機能の場合、すなわち、定格電流の場合には電
流センサ装置１０の出力電圧Ｕ１は、ＭＯＳＦＥＴ９の
スレッショールド電圧よりも低いので、いずれにしろ、
このＭＯＳＦＥＴ９は遮断されているからである。
【００２３】図２には、図１に示す回路装置の別の実施
形態が示されている。抵抗６は、例えば図３に示される
ように、制御可能な抵抗装置として具体化されている。
この制御可能な抵抗装置６は、定常駆動においては、自
己の抵抗値が所定の大きさを有するように構成されてい
る。それに対して、短絡が発生した場合には、この回路
装置６の抵抗値が上昇する。このような動作を行なうた
めに、抵抗装置６の制御端子として用いられる端子６７
は、電流センサ装置１０の出力端子１７と接続されてい
る。入力側の端子６５はすでに説明した端子７と接続さ
れ、そして出力側の端子６６は第２の端子４と接続され
ている。
形態が示されている。抵抗６は、例えば図３に示される
ように、制御可能な抵抗装置として具体化されている。
この制御可能な抵抗装置６は、定常駆動においては、自
己の抵抗値が所定の大きさを有するように構成されてい
る。それに対して、短絡が発生した場合には、この回路
装置６の抵抗値が上昇する。このような動作を行なうた
めに、抵抗装置６の制御端子として用いられる端子６７
は、電流センサ装置１０の出力端子１７と接続されてい
る。入力側の端子６５はすでに説明した端子７と接続さ
れ、そして出力側の端子６６は第２の端子４と接続され
ている。
【００２４】図３には、制御可能な抵抗装置６の実施形
態が示されている。端子６５と６６との間には、抵抗６
０とデプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ６２の負荷区間との
直列回路が接続されている。このデプレション形ＭＯＳ
−ＦＥＴ６２のゲート端子は、他の抵抗６１を介して端
子６６に接続されている。デプレション形ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ６２のゲート端子は、エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ
６３の負荷区間を介して端子６８と接続されている。こ
の端子６８は基準電位と接続されるとともに、図１また
は図２の回路装置の端子３と接続される。デプレション
形ＭＯＳ−ＦＥＴ６２の基板も同様に、この端子６８に
接続されている。エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ６３の
ゲート端子Ｇは、制御入力として用いられる端子６７と
接続されている。
態が示されている。端子６５と６６との間には、抵抗６
０とデプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ６２の負荷区間との
直列回路が接続されている。このデプレション形ＭＯＳ
−ＦＥＴ６２のゲート端子は、他の抵抗６１を介して端
子６６に接続されている。デプレション形ＭＯＳ−ＦＥ
Ｔ６２のゲート端子は、エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ
６３の負荷区間を介して端子６８と接続されている。こ
の端子６８は基準電位と接続されるとともに、図１また
は図２の回路装置の端子３と接続される。デプレション
形ＭＯＳ−ＦＥＴ６２の基板も同様に、この端子６８に
接続されている。エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ６３の
ゲート端子Ｇは、制御入力として用いられる端子６７と
接続されている。
【００２５】図２に示す回路装置には、図１の回路装置
に加えてさらに、回路装置の過電圧保護のためのツェナ
ーダイオード２０とダイオード２１が設けられている。
ツェナーダイオード２０のカソード端子Ｋは第１の端子
２と接続され、アノード端子Ａはコンデンサ１３と抵抗
１１との間の接続点に接続されている。ダイオード２１
のカソード端子ＫはパワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子
Ｇと接続され、アノード端子Ａはツェナーダイオード２
０のアノード端子と接続されている。
に加えてさらに、回路装置の過電圧保護のためのツェナ
ーダイオード２０とダイオード２１が設けられている。
ツェナーダイオード２０のカソード端子Ｋは第１の端子
２と接続され、アノード端子Ａはコンデンサ１３と抵抗
１１との間の接続点に接続されている。ダイオード２１
のカソード端子ＫはパワーＭＯＳＦＥＴ１のゲート端子
Ｇと接続され、アノード端子Ａはツェナーダイオード２
０のアノード端子と接続されている。
【００２６】図１、２および３に示す回路装置は、それ
ぞれ別に形成されてもよく、半導体に内蔵して形成され
てもよい。半導体に内蔵する場合には、全体の抵抗８、
９、６０、６１をデプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴによっ
て形成することができる。ツェナーダイオード２０及び
ダイオード２１は、ＭＯＳＦＥＴによって具体化するこ
とができる。
ぞれ別に形成されてもよく、半導体に内蔵して形成され
てもよい。半導体に内蔵する場合には、全体の抵抗８、
９、６０、６１をデプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴによっ
て形成することができる。ツェナーダイオード２０及び
ダイオード２１は、ＭＯＳＦＥＴによって具体化するこ
とができる。
【００２７】図２との関連において注意すべきことは、
制御可能な抵抗装置６の端子６７に供給される制御信号
が、電流センサ装置１０からの出力信号Ｕ１と必ずしも
一致する必要がないことである。制御可能な抵抗装置６
の端子６７と電流センサ装置１０の出力端子１７との間
に、制御可能な抵抗装置６に適した制御信号を発生させ
る装置を設けてもよい。この装置は、電流センサ装置１
０の出力端子１７に短絡を示す出力信号が発生した場合
に、抵抗値を増大させるべく制御信号を生成する。
制御可能な抵抗装置６の端子６７に供給される制御信号
が、電流センサ装置１０からの出力信号Ｕ１と必ずしも
一致する必要がないことである。制御可能な抵抗装置６
の端子６７と電流センサ装置１０の出力端子１７との間
に、制御可能な抵抗装置６に適した制御信号を発生させ
る装置を設けてもよい。この装置は、電流センサ装置１
０の出力端子１７に短絡を示す出力信号が発生した場合
に、抵抗値を増大させるべく制御信号を生成する。
【００２８】
【発明の効果】請求項１〜１０に記載の発明によれば、
短絡保護機能が向上されたパワートランジスタを提供し
て、負荷回路が短絡した場合の電流の制限のみならず、
パワートランジスタの負荷区間に発生する電圧の上昇速
度の制限も保証することができるという効果を奏する。
短絡保護機能が向上されたパワートランジスタを提供し
て、負荷回路が短絡した場合の電流の制限のみならず、
パワートランジスタの負荷区間に発生する電圧の上昇速
度の制限も保証することができるという効果を奏する。
【図１】第１の実施形態の短絡保護を有するパワーＭＯ
ＳＦＥＴを示す回路図。
ＳＦＥＴを示す回路図。
【図２】第２の実施形態の短絡保護と制御可能な抵抗装
置とを有するパワーＭＯＳＦＥＴを示す回路図。
置とを有するパワーＭＯＳＦＥＴを示す回路図。
【図３】図２に示す制御可能な抵抗装置を示す回路図。
１…パワートランジスタ、２…第１の端子、３…第２の
端子、４…第３の端子、６…制御可能な抵抗装置、８…
抵抗、９…トランジスタ、１０…電流センサ装置、１１
…抵抗、１２…ＭＯＳＦＥＴ、１３…コンデンサ（１
１，１２，１３は、電圧センサ装置を形成する。）、２
０…ダイオード、２１…ダイオード、６０…抵抗、６１
…抵抗、６２…デプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ、６３…
エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ（６０，６１，６２，６
３は、制御可能な抵抗装置を形成する。）
端子、４…第３の端子、６…制御可能な抵抗装置、８…
抵抗、９…トランジスタ、１０…電流センサ装置、１１
…抵抗、１２…ＭＯＳＦＥＴ、１３…コンデンサ（１
１，１２，１３は、電圧センサ装置を形成する。）、２
０…ダイオード、２１…ダイオード、６０…抵抗、６１
…抵抗、６２…デプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ、６３…
エンハンスメントＭＯＳＦＥＴ（６０，６１，６２，６
３は、制御可能な抵抗装置を形成する。）
Claims (10)
- 【請求項１】 ａ）パワートランジスタ（１）の負荷区
間が第１の端子（２）と第２の端子（３）との間に接続
されるとともに、前記パワートランジスタの制御端子
（Ｇ）が第３の端子（４）に接続され、 ｂ）トランジスタ（９）の負荷区間が前記第２の端子
（３）と前記第３の端子（４）との間に接続され、 ｃ）前記パワートランジスタ（１）を流れる電流を検出
するために電流センサ装置（１０）が設けられ、 ｄ）前記電流センサ装置（１０）の出力側が前記トラン
ジスタ（９）の制御端子と接続されていることによっ
て、前記パワートランジスタ（１）を流れる電流（Ｉ）
が所定の臨界値を超えるとすぐに、前記トランジスタ
（９）をオンにすることが可能なパワートランジスタの
回路装置において、 ｅ）前記パワートランジスタ（１）の負荷区間における
電圧変化を検出するための電圧センサ装置（１１、１
２、１３）が設けられており、 ｆ）前記トランジスタ（９）の前記制御端子（Ｇ）から
取り出し可能な電位を、検出された電圧変化に従って減
少させるために、電圧センサ装置（１１、１２、１３）
の出力側がトランジスタ（９）の前記制御端子（Ｇ）と
接続されていることを特徴とする短絡保護を有するパワ
ートランジスタの回路装置。 - 【請求項２】 前記電流センサ装置（１０）は、２つの
可能な出力電圧（Ｕ１）有する比較回路を備え、前記ト
ランジスタ（９）のスレッショールド電圧よりも小さ
く、かつ、前記パワートランジスタ（１）を流れる電流
（Ｉ）が臨界値よりも低い場合、第１の出力信号が前記
比較回路（１０）の出力端子から常に出力され、前記ト
ランジスタ（９）のスレッショールド電圧よりも大き
く、かつ、前記パワートランジスタ（１）を流れる電流
（Ｉ）が所定の臨界値よりも高い場合、第２の出力信号
が前記比較回路（１０）の出力端子から常に出力される
ことを特徴とする請求項１に記載の回路装置。 - 【請求項３】 前記電圧センサ装置（１１、１２、１
３）には、前記第１の端子（２）と前記第２の端子
（３）との間に接続された、コンデンサ（１３）と抵抗
（１１）からなる直列回路が設けられ、前記コンデンサ
（１３）は、前記第１の端子（２）と接続され、前記抵
抗は前記第２の端子（３）と接続されているとともに、
他のトランジスタ（１２）の負荷区間が前記トランジス
タ（９）の前記制御端子（Ｇ）と前記第２の端子（３）
との間に接続され、前記他のトランジスタ（１２）の制
御端子（Ｇ）が前記コンデンサ（１３）と前記抵抗（１
１）との間の接続点に接続されていることを特徴とする
請求項１または２に記載の回路装置。 - 【請求項４】 前記コンデンサ（１３）に対してダイオ
ード（２０）が並列に接続され、前記ダイオードのカソ
ード端子（Ｋ）が前記第１の端子（２）に接続されると
ともに、前記ダイオードのアノード端子（Ａ）が前記コ
ンデンサ（１３）と前記抵抗（１１）との間の接続点に
接続されていることを特徴とする請求項３に記載の回路
装置。 - 【請求項５】 他のダイオード（２１）が設けられ、前
記他のダイオード（２１）のカソード端子（Ｋ）が前記
第３の端子（４）に接続され、前記他のダイオードのア
ノード端子（Ａ）が前記コンデンサ（１３）と前記抵抗
（１１）との間の接続点に接続されていることを特徴と
する請求項３または４に記載の回路装置。 - 【請求項６】 前記トランジスタ（９）の制御端子
（Ｇ）と前記電流センサ回路（１０）の出力との間に抵
抗（８）が直列に接続されていることを特徴とする請求
項１から５のいずれか１項に記載の回路装置。 - 【請求項７】 前記第３の端子（４）に制御可能な抵抗
装置（６）が接続され、当該抵抗装置（６）の制御入力
として設けられている端子（６７）が前記電流センサ装
置（１０）の出力と接続され、前記抵抗装置（６）は、
前記パワートランジスタ（１）を流れる電流（Ｉ）が所
定の臨界値を超えるとすぐに、自己の抵抗値が増大する
ように動作することを特徴とする請求項１から６のいず
れか１項に記載の回路装置。 - 【請求項８】 前記制御可能な抵抗装置（６）は、４つ
の端子（６５、６６、６７、６８）を有し、第１の端子
（６５）と第２の端子（６６）との間に抵抗（６０）の
直列回路とデプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ（６２）の負
荷区間が接続され、前記デプレション形ＭＯＳ−ＦＥＴ
（６２）の制御端子（Ｇ）と前記第２の端子（６６）と
の間に抵抗（６１）が接続され、前記デプレション形Ｍ
ＯＳ−ＦＥＴ（６２）の前記制御端子（Ｇ）と第４の制
御端子（６８）との間にエンハンスメントＭＯＳＦＥＴ
（６３）の負荷区間が接続され、前記エンハンスメント
ＭＯＳＦＥＴ（６３）の制御端子（Ｇ）が第３の端子
（６７）と接続され、前記第２の端子（６６）と前記第
３の端子（４）とが互いに接続され、前記第３の端子
（６７）と前記電流センサ装置（１０）の出力とが互い
に接続され、更に、前記第４の端子（６８）と前記第２
の端子（３）とが互いに接続されていることを特徴とす
る請求項７に記載の回路装置。 - 【請求項９】 前記パワートランジスタ（１）がＭＯＳ
ＦＥＴであることを特徴とする請求項１から８のいずれ
か１項に記載の回路装置。 - 【請求項１０】 前記パワートランジスタ（１）がＩＧ
ＢＴであることを特徴とする請求項１から８のいずれか
１項に記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19535986-0 | 1995-09-27 | ||
| DE19535986 | 1995-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205727A true JPH09205727A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3100909B2 JP3100909B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=7773349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08249830A Expired - Lifetime JP3100909B2 (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-20 | 短絡保護を有するパワートランジスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5724218A (ja) |
| EP (1) | EP0766395A3 (ja) |
| JP (1) | JP3100909B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060449A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Yamaha Corp | 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路 |
| JP2009148043A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm Co Ltd | スイッチ出力回路 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2751489B1 (fr) * | 1996-07-16 | 1998-10-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Microdisjoncteur statique autoblocable |
| FI102993B (fi) * | 1997-06-10 | 1999-03-31 | Lexel Finland Ab Oy | Puolijohdekytkimen oikosulkusuoja |
| ES2144946B1 (es) * | 1998-03-10 | 2001-01-01 | Mecanismos Aux Es Ind S L | Unos perfeccionamientos en la proteccion de fets mediante pistas de pcb. |
| US6088206A (en) * | 1998-04-15 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Clamp circuit to limit overdrive of off chip driver |
| US6078488A (en) * | 1998-05-20 | 2000-06-20 | The Foxboro Company | Fault-tolerant analog output circuit |
| DE19842045B4 (de) * | 1998-09-14 | 2006-02-02 | Siemens Ag | Schutzverfahren für ein steuerbares nicht einrastendes Halbleiter-Schaltelement und hierzu korrespondierende Schutzschaltung |
| DE19918966A1 (de) * | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| JP2001274402A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | パワー半導体装置 |
| DE10035387B4 (de) * | 2000-07-20 | 2006-03-09 | Infineon Technologies Ag | Stromschaltanordnung |
| US6738239B2 (en) * | 2001-02-26 | 2004-05-18 | Woodward Governor Company | Active snubber circuit for electrical rotary actuator |
| DE10146581C1 (de) | 2001-09-21 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschalter und einer Schutzschaltung |
| GB0130754D0 (en) * | 2001-12-21 | 2002-02-06 | Lucas Industries Ltd | Switch control circuit |
| JP2003197913A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| US7489489B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-02-10 | Jm Electronics Ltd. Llc | Load current sensing technique |
| ITTO20030922A1 (it) * | 2003-11-20 | 2005-05-21 | Fiat Ricerche | Dispositivo di comando di elettroattuatori con protezione contro cortocircuiti verso massa o verso l'alimentazione dei terminali degli elettroattuatori. |
| US20070127180A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Yingjie Lin | Short circuit protection for vehicle driver circuit |
| DE102007063687B4 (de) | 2006-03-22 | 2013-03-14 | Denso Corporation | Schaltkreis mit einem Transistor |
| US7821755B2 (en) * | 2008-03-11 | 2010-10-26 | Universal Scientific Industrial (Shanghai) Co., Ltd. | Resettable short-circuit protection configuration |
| TWI378621B (en) * | 2009-06-19 | 2012-12-01 | Richtek Technology Corp | Overstress protection apparatus and method |
| CN101931204B (zh) * | 2009-06-24 | 2015-01-07 | 立锜科技股份有限公司 | 过载保护装置及方法 |
| TW201230579A (en) | 2011-01-07 | 2012-07-16 | Advanced Connectek Inc | Current limited circuit with short circuit output protection |
| DE102015202087A1 (de) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Dialog Semiconductor (UK) Ltd | Kurzschlussschutz für einen Leistungsschalter |
| CN107908217A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-13 | 绵阳双甘科技有限公司 | 一种可截止保护的游戏机用电源 |
| US20230253398A1 (en) * | 2022-02-10 | 2023-08-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3366617D1 (en) * | 1982-10-12 | 1986-11-06 | Nissan Motor | A semiconductor switching circuit with an overcurrent protection |
| DE3334833A1 (de) * | 1983-09-27 | 1985-04-04 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Ansteuerschaltung fuer einen leistungstransistor |
| DE3703838A1 (de) * | 1987-02-07 | 1988-08-25 | Hanning Elektro Werke | Ansteuerverfahren zum schutz von mos-leistungstransistoren an induktiven lasten |
| US4924344A (en) * | 1989-02-27 | 1990-05-08 | Teledyne Industries, Inc. | Circuitry for protection against electromotively-induced voltage transients in solid state relay circuits |
| JPH0479758A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電流センスｉｇｂｔの駆動回路 |
| FR2671241B1 (fr) * | 1990-12-27 | 1997-04-30 | Peugeot | Circuit de commande d'un transistor de puissance utilise en commutation forcee. |
| US5157351A (en) * | 1991-08-28 | 1992-10-20 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Insulated gate enhancement mode field effect transistor with slew-rate control on drain output |
| JPH07183781A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置とその駆動装置 |
-
1996
- 1996-08-13 EP EP96113012A patent/EP0766395A3/de not_active Withdrawn
- 1996-09-20 JP JP08249830A patent/JP3100909B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-26 US US08/721,565 patent/US5724218A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060449A (ja) * | 2001-08-13 | 2003-02-28 | Yamaha Corp | 電流検出方法、電流検出回路及び過電流保護回路 |
| JP2009148043A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm Co Ltd | スイッチ出力回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3100909B2 (ja) | 2000-10-23 |
| EP0766395A2 (de) | 1997-04-02 |
| US5724218A (en) | 1998-03-03 |
| EP0766395A3 (de) | 1999-04-21 |
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