JP5726583B2 - Esd保護回路 - Google Patents
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Description
しかし、昨今の半導体デバイスの微細化や高電圧化に伴い、スナップバック素子の動作電圧と、保護されるべきデバイスの耐圧との間にマージンがなくなってきている。
このような問題に対して、近年、ESDパルスの印加を検出して回路動作的にその電流を逃がす手法が提案されている(例えば特許文献2を参照。)。
ここで、ドライバ117は、少なくともESDパルスが印加されている間はオンしている必要があるので、検出回路109のCR時定数はある程度大きくされる必要がある。
一般的には、ESDパルスの一種であるHBM(Human Body Model)パルスで数百ns(ナノ秒)程度はあるので、ドライバ117のオン時間が1μs(マイクロ秒)以上になるように検出回路109の時定数が定められることが好ましい。
図6は従来のESD保護回路を説明するための回路図である。
このESD保護回路は、電源端子101とGND端子103の間に配置された、検出回路119、遅延回路121及びESD保護ドライバ117を備えている。検出回路119は、抵抗素子123と容量素子125とPMOSFET(P-channel MOSFET)127で構成されている。遅延回路121は抵抗素子129と容量素子131で構成されている。
検出回路119によって電源端子101の電圧に引き上げられたドライバ117のゲートの電荷は、検出回路119のPMOSFET127がオフした後、遅延回路121によって徐々にGND電圧に放電される。そしてドライバ117はオフする。
例えばスイッチングレギュレーター等のパワー系の半導体デバイスでは、その動作時において、内部回路や出力負荷のスイッチング等に同期して、電源ラインに100MHz(メガヘルツ)程度のスパイクノイズが発生する。図6に示したESD保護回路で、スパイクノイズに起因して電源端子101にプラス方向の電圧変化が生じた場合、検出回路119のPMOSFET127のゲート133は電源端子101よりもわずかに遅れて立ち上がる。このため、PMOSFET127が短時間オンする現象が起こる。PMOSFET127が短時間でもオンすると、ESD保護ドライバ117のゲート電圧が上昇するとともに、遅延回路121の容量素子131に電荷が充電される。容量素子131に充電された電荷は、PMOSFET127がオフした後、抵抗素子129を介してGNG端子103に放電される。遅延回路121のCRの時定数はESDイベント期間よりも長くするために大きく設定されている。すなわち、抵抗素子129の抵抗値及び容量素子131の静電容量は大きく設定されているので、容量素子131に充電された電荷の放電にはある程度の長い時間が必要とされる。
また、ドライバ117はドレイン領域とゲート領域との重なり部分に寄生容量をもつ。スパイクノイズに起因して電源端子101の電圧に急激な立ち上がりがあると、ドライバ117のゲート電圧が引き上げられることがある。この場合も、上記の場合と同様に、遅延回路121の影響によってドライバ117のゲートの電荷の放電が遅れる。
これらの問題は、パワーデバイスのように低電圧から30V(ボルト)以上の高電圧まで広い動作範囲をもつデバイスにおいて特に顕著に現れる。
上記ESD保護ドライバは、電源端子に印加されたESDパルスをGND端子に放電させるためのMOSFETで構成される。
上記第1検出回路は、上記電源端子に接続される電源の立ち上がり時間に比べて高速な立ち上がり時間をもつESDパルスを検出し、上記電源端子へのESDパルスの印加開始時から第1所定時間だけ第1ESDパルス検出信号を出力する。
上記第2検出回路は、上記第1検出回路が上記第1ESDパルス検出信号を出力しており、かつ上記電源端子へのESDパルスの印加が第2所定時間だけ持続したときに、第3所定時間だけ第2ESDパルス検出信号を出力する。
上記ドライバゲートクランプ回路は、上記第1検出回路及び上記第2検出回路がともに上記ESDパルス検出信号を出力していないときは上記ESD保護ドライバのゲートを上記GND端子に接続し、上記第1検出回路及び上記第2検出回路の少なくとも一方が上記ESDパルス検出信号を出力しているときは上記ESD保護ドライバのゲートを上記GND端子とは絶縁する。
上記ドライバゲートプルアップ回路は、上記第2検出回路が上記第2ESDパルス検出信号を出力しているときは上記ESD保護ドライバのゲートを上記電源端子に接続し、上記第2検出回路が上記第2ESDパルス検出信号を出力していないときは上記ESD保護ドライバのゲートを上記電源端子とは絶縁する。
上記第1所定時間は上記電源の立ち上がり時間よりも短く設定されている。
上記第2所定時間は上記第1所定時間よりも短く、かつ上記電源端子に印加されるスパイクノイズの印加時間よりも長く設定されている。
上記第3所定時間は上記電源端子へのESDパルスの印加時間よりも長く設定されている。
ここで、充電用素子の最大電流値とは、充電用素子が流すことができる最大の電流値を意味する。定電流素子の最大電流値とは、定電流素子が流すことができる最大の電流値を意味する。
さらに、第2所定時間は電源端子に印加されるスパイクノイズの印加時間よりも長く設定されているので、スパイクノイズに起因してESD保護ドライバがオンするのを防止できる。
この実施例のESD保護回路は、電源端子1とGND端子3の間に並列に接続されたESD保護ドライバ5、第1検出回路7、第2検出回路9、ドライバゲートクランプ回路11及びドライバゲートプルアップ回路13を備えている。
抵抗素子17と第1容量素子19は直列に接続されている。抵抗素子17と第1容量素子19の直列回路、第1インバータ21及び第2インバータ23は電源端子1とGND端子3の間に並列に接続されている。抵抗素子17と第1容量素子19の間の端子25は第1インバータ21の入力端子を構成する。
第2インバータ23はPMOSFET23pとNMOSFET23nを備えている。第2インバータ23の出力端子は第1検出回路の出力端子29を構成する。
充電用素子31はPMOSFETによって構成されている。充電用素子31のゲートは第1検出回路の出力端子29に接続されている。
定電流素子33はデプレッション形のNMOSFETによって構成されている。定電流素子33のゲートはGND端子3に接続されている。
充電用素子31と定電流素子33は電源端子1とGND端子3の間に直列に接続されている。
第3インバータ37はPMOSFET37pとNMOSFET37nを備えている。第3インバータ37の出力端子は第2検出回路の出力端子41を構成する。
この実施例のESD保護回路は、ESD保護ドライバ5のゲート端子47とGND端子3の間に接続された抵抗素子51も備えている。
なお、立ち上がり時間が100ns以下のESDパルスを検出するには、第1検出回路7のロウレベル出力期間(第1所定時間)は20〜30ns程度に設定すればよい。ただし、第1所定時間はこれに限定されず、第1所定時間は電源端子1に接続される電源の立ち上がり時間よりも短ければよい。
第2検出回路9は、第1検出回路7の出力がロウレベルであるのを受け、PMOSFETからなる充電用素子31をオンし、第2容量素子35に電荷を充電して、第3インバータ37の入力端子39を電源端子1と同じ電圧にする。充電用素子31を構成するPMOSFETのチャネル幅とチャネル長の比(W/L)を適切な値に調整することによって、電源端子1へのESDパルスの印加開始から第2所定時間が経過するまでは、入力端子39の電圧が第3インバータの反転電圧を越えないようにされている。これにより、電源端子1へのESDパルスの印加開始から第2所定時間が経過するまでは、第3インバータ37の入力がロウレベルになり、第3インバータ37の出力(第2検出回路9の出力端子41の電圧)は電源端子1と同じ電圧(ハイレベル)になる。第2所定時間は第1所定時間(例えば20〜30ns)よりも短く、かつ電源端子1に印加されるスパイクノイズの印加時間(例えば5ns程度)よりも長く設定されている。例えば、第2所定時間はスパイクノイズの印加時間(5ns程度)に対してマージンをとって10ns程度に設定される。
スパイクノイズ印加時のように、第2所定時間よりも短い印加時間で電圧パルスが電源端子1に印加されたときは、第3インバータ37の入力端子39の電圧が第3インバータ37の反転電圧を超えないので、第2検出回路9の出力端子41の電圧はハイレベルから変わらず、さらに第2所定時間経過時にはスパイクノイズの印加は終了しているので、第2検出回路9の出力端子41の電圧はハイレベルのままである。
このように、第2検出回路9は、スパイクノイズを検出せずに、ESDパルスのみを検出することができる。
この実施例は、図1を参照して説明した実施例と比較して、電源端子電圧検出回路53及びスイッチ素子(第1スイッチ素子)55をさらに備えている。
電源端子電圧検出回路53は、電源端子1の電圧が電源端子1に接続される電源の電圧(通常動作時の電圧)以上になっているかどうかを検出するものである。電源端子電圧検出回路53は例えばツェナーダイオードと抵抗素子等によって形成される。電源端子1の電圧が通常動作時の電圧以上になったとき、電源端子電圧検出回路53はスイッチ素子55をオンさせて電源端子1とドライバゲートプルアップ回路13を導通させる。
このように、電源端子1の電圧が通常動作時の電圧以上のときだけESD保護機能を有効にすることにより、外来ノイズに対する対ノイズ性を向上させることができる。
この実施例は、図3を参照して説明した実施例と比較して、スイッチ素子(第2スイッチ素子)57をさらに備えている。
スイッチ素子55は、例えばPMOSFETで構成され、電源端子1と、第2検出回路9の充電用素子31との間に直列に配置されている。
このように、2つのスイッチ素子55,57を用いて、電源端子1の電圧が通常動作時の電圧以上のときだけESD保護機能を有効にすることにより、外来ノイズに対する対ノイズ性をさらに向上させることができる。
3 GND端子
5 ESD保護ドライバ
7 第1検出回路
9 第2検出回路
11 ドライバゲートクランプ回路
13 ドライバゲートプルアップ回路
17 抵抗素子
19 第1容量素子
21 第1インバータ
23 第2インバータ
31 充電用素子
33 定電流素子
35 第2容量素子
37 第3インバータ
53 電源端子電圧検出回路
55 第1スイッチ素子
57 第2スイッチ素子
Claims (6)
- 電源端子に印加されたESDパルスをGND端子に放電させるためのMOSFETであるESD保護ドライバと、
前記電源端子に接続される電源の立ち上がり時間に比べて高速な立ち上がり時間をもつESDパルスを検出し、前記電源端子へのESDパルスの印加開始時から第1所定時間だけ第1ESDパルス検出信号を出力する第1検出回路と、
前記第1検出回路が前記第1ESDパルス検出信号を出力しており、かつ前記電源端子へのESDパルスの印加が第2所定時間だけ持続したときに、第3所定時間だけ第2ESDパルス検出信号を出力する第2検出回路と、
前記第1検出回路及び前記第2検出回路がともに前記ESDパルス検出信号を出力していないときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記GND端子に接続し、前記第1検出回路及び前記第2検出回路の少なくとも一方が前記ESDパルス検出信号を出力しているときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記GND端子とは絶縁するドライバゲートクランプ回路と、
前記第2検出回路が前記第2ESDパルス検出信号を出力しているときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記電源端子に接続し、前記第2検出回路が前記第2ESDパルス検出信号を出力していないときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記電源端子とは絶縁するドライバゲートプルアップ回路と、を備え、
前記第1所定時間は前記電源の立ち上がり時間よりも短く設定され、
前記第2所定時間は前記第1所定時間よりも短く、かつ前記電源端子に印加されるスパイクノイズの印加時間よりも長く設定され、
前記第3所定時間は前記電源端子へのESDパルスの印加時間よりも長く設定されており、
前記第2検出回路は、充電用素子、定電流素子、第2容量素子及び第3インバータを備え、
前記充電用素子と前記定電流素子は前記電源端子と前記GND端子の間に直列に配置され、
前記充電用素子と前記定電流素子の間の端子と前記GND端子の間に前記第2容量素子が配置され、
前記第2容量素子の電圧が前記第3インバータに入力され、
前記第3インバータの出力が前記第2検出回路の出力を構成し、
前記充電用素子は前記第1検出回路から前記第1ESDパルス検出信号を受けることによって前記第2容量素子を前記電源端子に接続し、
前記充電用素子の最大電流値及び前記第2容量素子の静電容量によって前記第2所定時間が設定され、
前記第2容量素子の静電容量及び前記定電流素子の最大電流値によって前記第3所定時間が設定されているESD保護回路。 - 前記電源端子の電圧を検出するための電源端子電圧検出回路と、前記電源端子と前記ドライバゲートプルアップ回路の間に直列に配置された第1スイッチ素子を備え、
前記電源端子電圧検出回路は前記電源端子の電圧が前記電源の電圧以上になったときに前記第1スイッチ素子をオンにして前記電源端子と前記ドライバゲートプルアップ回路を接続する請求項1に記載のESD保護回路。 - 電源端子に印加されたESDパルスをGND端子に放電させるためのMOSFETであるESD保護ドライバと、
前記電源端子に接続される電源の立ち上がり時間に比べて高速な立ち上がり時間をもつESDパルスを検出し、前記電源端子へのESDパルスの印加開始時から第1所定時間だけ第1ESDパルス検出信号を出力する第1検出回路と、
前記第1検出回路が前記第1ESDパルス検出信号を出力しており、かつ前記電源端子へのESDパルスの印加が第2所定時間だけ持続したときに、第3所定時間だけ第2ESDパルス検出信号を出力する第2検出回路と、
前記第1検出回路及び前記第2検出回路がともに前記ESDパルス検出信号を出力していないときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記GND端子に接続し、前記第1検出回路及び前記第2検出回路の少なくとも一方が前記ESDパルス検出信号を出力しているときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記GND端子とは絶縁するドライバゲートクランプ回路と、
前記第2検出回路が前記第2ESDパルス検出信号を出力しているときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記電源端子に接続し、前記第2検出回路が前記第2ESDパルス検出信号を出力していないときは前記ESD保護ドライバのゲートを前記電源端子とは絶縁するドライバゲートプルアップ回路と、を備え、
前記第1所定時間は前記電源の立ち上がり時間よりも短く設定され、
前記第2所定時間は前記第1所定時間よりも短く、かつ前記電源端子に印加されるスパイクノイズの印加時間よりも長く設定され、
前記第3所定時間は前記電源端子へのESDパルスの印加時間よりも長く設定されており、
前記電源端子の電圧を検出するための電源端子電圧検出回路と、前記電源端子と前記ドライバゲートプルアップ回路の間に直列に配置された第1スイッチ素子を備え、
前記電源端子電圧検出回路は前記電源端子の電圧が前記電源の電圧以上になったときに前記第1スイッチ素子をオンにして前記電源端子と前記ドライバゲートプルアップ回路を接続するESD保護回路。 - 前記電源端子と前記第2検出回路の間に直列に接続された第2スイッチ素子をさらに備え、
前記電源端子電圧検出回路は前記電源端子の電圧が前記電源の電圧以上になったときに前記第2スイッチ素子をオンにして前記電源端子と前記第2検出回路を接続する請求項2又は3に記載のESD保護回路。 - 前記第1検出回路は、抵抗素子、第1容量素子、第1インバータ及び第2インバータを備え、
前記抵抗素子と前記第1容量素子は前記電源端子と前記GND端子の間に直列に配置され、
前記抵抗素子と前記第1容量素子の間の電圧が前記第1インバータに入力され、
前記第1インバータの出力が前記第2インバータに入力され、
前記第2インバータの出力が前記第1検出回路の出力を構成し、
前記抵抗素子と前記第1容量素子の時定数によって前記第1所定時間が設定されている請求項1から4のいずれか一項に記載のESD保護回路。 - 前記第1所定時間は20〜30ナノ秒に設定されている請求項5に記載のESD保護回路。
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