JP5710706B2 - 静電気放電保護回路 - Google Patents
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- 静電気放電(ESD)保護回路であって、
回路の第1電圧源ノードと第2電圧源ノードとの間に接続される第1電圧クランプであり、前記第1電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第1電圧を受け取るようになっており、前記第2電圧源ノードは、前記第1電圧より小さい第2電圧を受け取るように動作する、第1電圧クランプと、
回路の前記第2電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第2電圧クランプとを備え、
前記第1電圧クランプは、前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間のESDイベント中に、前記第1電圧源ノード上の前記第1電圧を第1の値にクランプするように動作し、前記第2電圧クランプは、前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間の前記ESDイベント中に、前記第2電圧源ノード上の前記第2電圧を第2の値にクランプするように、前記第1電圧クランプから独立に動作し、
前記第1電圧クランプは、少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスであって、金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスに関連する第1閾電圧を有する少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスを備え、前記第2電圧クランプは、少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスであって、MOSトランジスタ・デバイスに関連する第2閾電圧を有する少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスを備え、前記第1閾電圧は前記第2閾電圧より大きいESD保護回路。 - 前記第1電圧クランプは、
前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間で前記ESDイベントを検出し、かつ、前記ESDイベントを指示する第1制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるESD保護構造であり、前記第1制御信号に応答して前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ESD保護構造とを備える請求項1に記載のESD保護回路。 - 前記トリガー回路は、前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間でESD遷移を検出し、かつ、前記ESD遷移を検出した後に、ESD保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項2に記載のESD保護回路。
- 前記トリガー回路は、
前記タイミング回路に接続される入力を有する少なくとも第1インバータと、
前記第1インバータの出力に接続される入力および前記第1制御信号を発生する出力を有する出力段とをさらに備える請求項3に記載のESD保護回路。 - 前記ESD保護構造は、前記第1電圧源ノードに接続される第1ソース/ドレイン、前記第2電圧源ノードに接続される第2ソース/ドレインおよび前記第1制御信号を受け取るゲートを有するNMOSトランジスタ・デバイスを備える請求項2に記載のESD保護回路。
- 前記第2電圧クランプは、
前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間で前記ESDイベントを検出し、かつ、前記ESDイベントに応答して第2制御信号を発生するように動作するトリガー回路と、
前記トリガー回路に接続されるESD保護構造であって、前記第2制御信号に応答して前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間に電流放出経路を形成するように動作する、ESD保護構造とを備える請求項1に記載のESD保護回路。 - 前記トリガー回路は、前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間でESD遷移を検出し、かつ、前記ESD遷移を検出した後に、ESD保護回路がアクティブのままである時間量を制御するように動作するタイミング回路を備える請求項6に記載のESD保護回路。
- 静電気放電(ESD)から回路を保護する方法であって、前記回路は、
回路の第1電圧源ノードと、第2電圧源ノードと、電圧リターンと、を備え、前記第1電圧源ノードは、前記回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第1電圧を受け取るようになっており、前記第2電圧源ノードは、前記第1電圧より小さい第2電圧を受け取るように動作する、方法であって、
前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間のESDイベント中に、前記第1電圧源ノード上の前記第1電圧を第1の値にクランプするステップと、
前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間のESDイベント中に、前記第2電圧源ノード上の前記第2電圧を第2の値にクランプするステップとを含み、
前記第2電圧をクランプするステップは、前記第1電圧をクランプするステップから独立であり、
前記第1電圧をクランプするステップは、少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスであって、金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスに関連する第1閾電圧を有する少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスを提供し、前記第2電圧をクランプするステップは、少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスであって、MOSトランジスタ・デバイスに関連する第2閾電圧を有する少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスを提供し、前記第1閾電圧は前記第2閾電圧より大きい、方法。 - 少なくとも1つの静電気放電(ESD)保護回路を含む集積回路であって、前記少なくとも1つのESD保護回路は、
回路の第1電圧源ノードと第2電圧源ノードとの間に接続される第1電圧クランプであり、前記第1電圧源ノードは、回路の指定されたゲート酸化物信頼性電位より大きい第1電圧を受け取るようになっており、前記第2電圧源ノードは、前記第1電圧より小さい第2電圧を受け取るように動作する、第1電圧クランプと、
回路の前記第2電圧源ノードと電圧リターンとの間に接続される第2電圧クランプとを備え、
前記第1電圧クランプは、前記第1電圧源ノードと前記第2電圧源ノードとの間のESDイベント中に、前記第1電圧源ノード上の前記第1電圧を第1の値にクランプするように動作し、前記第2電圧クランプは、前記第2電圧源ノードと前記電圧リターンとの間のESDイベント中に、前記第2電圧源ノード上の前記第2電圧を第2の値にクランプするように、前記第1電圧クランプから独立に動作し、
前記第1電圧クランプは、少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスであって、金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスに関連する第1閾電圧を有する少なくとも1つの金属酸化物半導体(MOS)トランジスタ・デバイスを備え、前記第2電圧クランプは、少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスであって、MOSトランジスタ・デバイスに関連する第2閾電圧を有する少なくとも1つのMOSトランジスタ・デバイスを備え、前記第1閾電圧は前記第2閾電圧より大きい集積回路。
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