JP5188017B2 - 半導体装置の静電気放電保護 - Google Patents
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- 回路に付随する、第1電圧供給ノードと第2電圧供給ノードの間に起きるESD現象から回路を保護するための静電気放電(ESD)保護回路であって、第1および第2電圧供給ノードは互いに電気的に絶縁され、ESD保護回路が、
ゲート端子と、第1ソース/ドレイン端子と、第2ソース/ドレイン端子とを含む金属酸化物半導体(MOS)装置において、第1ソース/ドレイン端子が第1電圧供給ノードに接続され、第2ソース/ドレイン端子が第2電圧供給ノードに接続されるMOS装置と、
前記MOS装置のゲート端子に結合したトリガ回路であり、前記トリガ回路が、ESD現象の少なくとも一部中に前記MOS装置を活性化するため、前記MOS装置のゲート端子に制御信号を発生するように構成され、前記トリガ回路の出力段内の少なくとも一つのMOS装置が浮動ウェル中に形成され、前記第1電圧供給ノードに印加される第1電圧と前記第2電圧供給ノードに印加される第2電圧のうちの高い方の電圧と実質的に等しい電圧に前記浮動ウェルがバイアスされるトリガ回路と、
前記第1電圧供給ノードに接続された第1入力と、前記第2電圧供給ノードに接続された第2入力と、トリガ回路と動作可能に結合された出力とを含むバイアス発生器を備え、
前記バイアス発生器が前記浮動ウェルをバイアスするための電圧を発生するように動作可能であることを特徴とするESD保護回路。 - 前記トリガ回路の出力段が制御信号を発生することを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。
- 前記バイアス発生器が、第1のPMOSトランジスタおよび第2のPMOSトランジスタを含み、前記第1及び第2のPMOSトランジスタの各々が、ソース端子と、ドレイン端子と、ゲート端子と、バルク端子とを有し、前記第1のPMOSトランジスタのソース端子が第1電圧供給ノードに接続され、前記第2のPMOSトランジスタのソース端子が第2電圧供給ノードに接続され、前記第1のPMOSトランジスタのゲート端子が第2のPMOSトランジスタのソース端子に接続され、前記第2のPMOSトランジスタのゲート端子が第1のPMOSトランジスタのソース端子に接続され、前記第1及び第2のPMOSトランジスタのバルクおよびドレイン端子が前記浮動ウェルをバイアスするための電圧を発生するために互いに接続されることを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。
- 前記第1及び第2のPMOSトランジスタが前記浮動ウェル中に形成されることを特徴とする請求項3に記載のESD保護回路。
- 前記トリガ回路が、
第1のタイミング回路に結合された入力を有し、出力を有する少なくとも第1のインバータと、
少なくとも第1インバータの出力に結合された入力を有し、制御電圧を発生するための出力を有する、前記浮動ウェル中に形成されたPMOSトランジスタを含む第1出力段と、
第2タイミング回路に結合された入力を有し、出力を有する少なくとも第2インバータと、
少なくとも第2インバータの出力に結合された入力を有し、制御電圧を発生するための出力を有する、前記浮動ウェル中に形成されたPMOSトランジスタを含む第2出力段とを含み、
前記少なくとも第1インバータおよび第1出力段が前記第1電圧供給ノードと基準ソース間に結合され、少なくとも第2インバータおよび第2出力段が前記第2電圧供給ノードと基準ソース間に結合されることを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。 - 前記トリガ回路が、
前記第1電圧供給ノードと基準ソースとの間に結合された第1の部分と、
前記第2電圧供給ノードと前記基準ソースとの間に結合された第2の部分とを備え、
前記第1及び第2の部分は、前記共通基準ソースに関して対称的に構成され、それによって、第1及び第2電圧供給ノードに電圧歪みを与えている正極性および負極性のESDの少なくとも一方を放電可能であることを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。 - 前記トリガ回路が、
前記第1電圧供給ノードと基準ソース間に結合された第1部分と、前記第2電圧供給ノードと基準ソースとの間に結合された第2部分とを含み、前記第1および第2部分の少なくとも所定の1個が、
入力と出力とを有する少なくとも第1インバータと、
前記第1インバータの出力に結合された入力を有し、制御電圧を発生するための出力を有する、浮動ウェル中に形成されたPMOSトランジスタを含む出力段と、
ESD現象発生の後、ESD保護回路が活性である時間量を選択的に制御するための第1インバータの入力に結合されたタイミング回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。 - 前記トリガ回路が、
前記第1電圧供給ノードに接続されたカソードと、基準ソースに接続されたアノードとを有する第1ダイオードと、
前記第2電圧供給ノードに接続されたカソードと基準ソースに接続されたアノードとを有する第2ダイオードとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のESD保護回路。 - 回路に付随する、第1電圧供給ノードと第2電圧供給ノードとの間に起きるESD現象から回路を保護するための少なくとも1つの静電気放電(ESD)保護回路を含む集積回路であって、第1および第2電圧供給ノードは互いに電気的に絶縁され、少なくとも1個の前記ESD保護回路が、
ゲート端子と、第1ソース/ドレイン端子と、第2ソース/ドレイン端子とを含む金属酸化物半導体(MOS)装置において、第1ソース/ドレイン端子が第1電圧供給ノードに接続され、第2ソース/ドレイン端子が第2電圧供給ノードに接続されるMOS装置と、
前記MOS装置のゲート端子に結合したトリガ回路であり、前記トリガ回路は、ESD現象の少なくとも一部中に前記MOS装置を活性化するため、前記MOS装置のゲート端子に制御信号を発生するように構成され、前記トリガ回路の出力段内の少なくとも一つのMOS装置が浮動ウェル中に形成され、前記第1電圧が第1電圧供給ノードに印加されるときの第1電圧、および前記第2電圧が第2電圧供給ノードに印加されるときの第2電圧のうちの高い方の電圧と実質的に等しい電圧に前記浮動ウェルがバイアスされるトリガ回路と、
前記第1電圧供給ノードに接続された第1入力と、前記第2電圧供給ノードに接続された第2入力と、トリガ回路と動作可能に結合された出力とを含むバイアス発生器を備え、
前記バイアス発生器が前記浮動ウェルをバイアスするための電圧を発生するように動作可能であることを特徴とする集積回路。
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