JP2011249824A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本電界効果トランジスタ30は、GaN系エピタキシャル基板32の電子走行層上に、ゲート電極38を挟んで配置されたソース電極34及びドレイン電極36を備え、ゲート電極38の上部に、ドレイン電極36側及びソース電極34側に庇状に突き出したフィールドプレート40が形成され、基板32の表面層とフィールドプレート40との間に誘電体膜46が形成され、誘電体膜46は、フィールドプレート40のドレイン電極36側及びソース電極34側の終端面と面一状態となるように切れ込み、ドレイン電極36側の下端からドレイン電極36に接続するようにドレイン電極36に向かって延びており、且つ、ソース電極34側の下端からソース電極34に接続するようにソース電極34に向かって延びている。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の構成を簡略化して示す図である。
図4は本発明の第2の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の構成を簡略化して示す図である。
図7は本発明の第3の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の構成を簡略化して示す断面図である。
図11は本発明の第4の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の構成を簡略化して示す図である。
図15は本発明の第5の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の構成を簡略化して示す断面図である。
図19は本発明に関連する発明の実施の形態に係る電界効果トランジスタ30の平面図、図20は図19のX−X線に沿う断面図である。
32 GaN系エピタキシャル基板
34 ソース電極
36 ドレイン電極
38 ゲート電極
40,170 フィールドプレート
46 誘電体膜
50,176 切れ込み
80,130 リセス
100 第1の誘電体膜
102 第2の誘電体膜
Claims (4)
- GaN系エピタキシャル基板の電子走行層上に、ゲート電極を挟んで所定の間隔を隔てて配置されたソース電極及びドレイン電極を備えている電界効果トランジスタであって、
前記ゲート電極の上部に、前記ドレイン電極側及び前記ソース電極側に庇状に突き出したフィールドプレートが形成され、
前記GaN系エピタキシャル基板の表面層と前記フィールドプレートとの間に誘電体膜が形成され、
前記誘電体膜は、
前記フィールドプレートの直下領域において当該フィールドプレートの前記ドレイン電極側の終端面と面一状態となるように切れ込み且つ当該切れ込みの下端から前記ドレイン電極に接続するように当該ドレイン電極に向かって延びており、且つ、
前記フィールドプレートの直下領域において当該フィールドプレートの前記ソース電極側の終端面と面一状態となるように切れ込み且つ当該切れ込みの下端から前記ソース電極に接続するように当該ソース電極に向かって延びていることを、特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記フィールドプレートにおける前記ドレイン電極側に庇状に突き出した部分である第1の庇部の突出長さは、前記フィールドプレートにおける前記ソース電極側に庇状に突き出した部分である第2の庇部の突出長さよりも長いことを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ドレイン電極側及び前記ソース電極側の前記誘電体膜の切れ込みの深さは、前記フィールドプレート直下の誘電体膜の膜厚の1/4より大きく且つ3/4より小さい範囲に設定されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ドレイン電極側の前記誘電体膜の切れ込みは、前記ソース電極に対する印加電圧を接地電位として前記ゲート電極に所定のゲート電圧を印加すると共に前記ドレイン電極に所定のドレイン電圧を印加したときの、前記フィールドプレートの前記ドレイン電極側の終端との境界をなす上端部での電界強度と下端部での電界強度とが等しくなるように、その深さ寸法が設定されており、
前記ソース電極側の前記誘電体膜の切れ込みは、前記ソース電極に対する印加電圧を接地電位として前記ゲート電極に所定のゲート電圧を印加すると共に前記ドレイン電極に所定のドレイン電圧を印加したときの、前記フィールドプレートの前記ソース電極側の終端との境界をなす上端部での電界強度と下端部での電界強度とが等しくなるように、その深さ寸法が設定されていることを特徴とする請求項3に記載の電界効果トランジスタ。
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