JP2011239040A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】LVDSなどの低振幅の差動伝送方式を採用した場合でも、実装面積の増加や、基板の大型化を防止する。
【解決手段】第1のコネクタは、第1の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、第1の差動信号パターンは第1のコネクタの複数の端子のうち、撮像素子が実装されていない側の近傍に位置する端子に接続される。第2のコネクタは、第2の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、第2の差動信号パターンは第2のコネクタの複数の端子のうち、画像処理回路が実装される側の近傍に位置する端子に接続される。
【選択図】図6
【解決手段】第1のコネクタは、第1の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、第1の差動信号パターンは第1のコネクタの複数の端子のうち、撮像素子が実装されていない側の近傍に位置する端子に接続される。第2のコネクタは、第2の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、第2の差動信号パターンは第2のコネクタの複数の端子のうち、画像処理回路が実装される側の近傍に位置する端子に接続される。
【選択図】図6
Description
本発明は撮像装置に関し、特に撮像素子が実装される撮像基板と画像処理回路が実装される画像処理基板とを備える撮像装置に関するものである。
撮像素子が実装される撮像基板と画像処理回路が実装される画像処理基板とを備え、撮像基板と画像処理基板とをコネクタによって接続することが知られている。(特許文献1参照)
また、撮像素子における駆動周波数の高速化や、撮像素子の高画素化が進んでいる。そのため、信号線の低減、低消費電力、ノイズ耐性、高速化が求められており、Low Voltage Differential Signaling(以下、LVDSと省略する)などの低振幅の差動伝送方式を採用することが増えている。
また、撮像素子における駆動周波数の高速化や、撮像素子の高画素化が進んでいる。そのため、信号線の低減、低消費電力、ノイズ耐性、高速化が求められており、Low Voltage Differential Signaling(以下、LVDSと省略する)などの低振幅の差動伝送方式を採用することが増えている。
LVDSなどの低振幅の差動伝送方式を採用すると、差動伝送パターンのインピーダンスを管理しなければならないので、管理しなければならないインピーダンスによって差動伝送パターンの幅と周囲のパターンとのクリアランスが決定される。したがって、同一層内では、管理しなければならないインピーダンスによって、周囲の信号線とのクリアランスを大きくしなければならない。また、隣接層では差動伝送パターンの表裏をグランドパターンで覆わなければならない。このようなことから、低振幅の差動伝送方式を採用する場合には実装面積が増加して、基板が大型化するという課題がある。
このような課題に鑑みて、本発明は、LVDSなどの低振幅の差動伝送方式を採用したとしても、基板を大型化することがない撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の撮像装置は、撮像素子と第1のコネクタが実装され、前記撮像素子から出力される差動信号を前記第1のコネクタに伝送する第1の差動信号パターンが形成される撮像基板と、画像処理回路と第2のコネクタが実装され、前記第2のコネクタに入力される差動信号を前記画像処理回路に伝送する第2の差動信号パターンが形成される画像処理基板とを備え、前記第1のコネクタと前記第2のコネクタとが接続されることで、前記撮像素子から出力される信号を前記画像処理回路に入力する撮像装置であって、前記第1のコネクタは、前記第1の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、前記第1の差動信号パターンは前記第1のコネクタの前記複数の端子のうち、前記撮像素子が実装されていない側の近傍に位置する端子に接続されるとともに、前記第2のコネクタは、前記第2の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、前記第2の差動信号パターンは前記第2のコネクタの前記複数の端子のうち、前記画像処理回路が実装される側の近傍に位置する端子に接続されることを特徴とする。
本発明によれば、LVDSなどの低振幅の差動伝送方式を採用したとしても、基板を大型化することがない撮像装置を提供することができる。
(実施例1)
図1は、本発明を実施した電子機器の一例であるデジタルカメラ1の分解斜視図である。
図1はデジタルカメラ1からフロントカバー2、リアカバー3、トップカバー4、ボトムカバー5、サイドカバー6、ジャックカバー8、及びストラップ取付部材9を取り外した状態を示す分解斜視図である。図1に示す状態では、電池蓋ユニット7は本体ユニットHに取り付けられている。
図1は、本発明を実施した電子機器の一例であるデジタルカメラ1の分解斜視図である。
図1はデジタルカメラ1からフロントカバー2、リアカバー3、トップカバー4、ボトムカバー5、サイドカバー6、ジャックカバー8、及びストラップ取付部材9を取り外した状態を示す分解斜視図である。図1に示す状態では、電池蓋ユニット7は本体ユニットHに取り付けられている。
図2は、本体ユニットHをさらに分解した斜視図である。
シャーシ部材としてのシャーシ10に電池収納部11、電池蓋ユニット7、三脚ネジ部材12を結合してシャーシユニット13を形成している。そして、シャーシユニット13に、デジタルカメラの前面側からレンズユニット14、ストロボユニット15、画像処理基板16、放熱板17を取り付ける。
シャーシ部材としてのシャーシ10に電池収納部11、電池蓋ユニット7、三脚ネジ部材12を結合してシャーシユニット13を形成している。そして、シャーシユニット13に、デジタルカメラの前面側からレンズユニット14、ストロボユニット15、画像処理基板16、放熱板17を取り付ける。
一方、デジタルカメラの背面側から、シャーシユニット13に液晶表示ユニット18と操作部材19を取り付ける。さらに、デジタルカメラの上面側からフレキシブル配線板20を取り付けている。
図3は、レンズユニット14と画像処理基板16の接続状態を説明する分解斜視図である。
図3(a)は、互いに接続されるレンズユニット14と画像処理基板16をデジタルカメラ1の正面側から見た図である。画像処理基板16には画像処理回路としての画像処理IC30が実装されている。図3(b)は、互いに接続されるレンズユニット14と画像処理基板16をデジタルカメラ1の背面側から見た図である。
図3(b)に示すように、レンズユニット14の背面側には、撮像素子であるCMOSセンサ22が実装される撮像基板21が取り付けられている。撮像基板21はレンズユニット14と画像処理基板16との間を通って、デジタルカメラ1の正面側に引き出される。撮像基板21のデジタルカメラ1の正面側に引き出される領域には、第1のコネクタとしての第1の基板間コネクタ23が実装され、画像処理基板16に実装された第2のコネクタとしての第2の基板間コネクタ24と接続される。
図3(a)は、互いに接続されるレンズユニット14と画像処理基板16をデジタルカメラ1の正面側から見た図である。画像処理基板16には画像処理回路としての画像処理IC30が実装されている。図3(b)は、互いに接続されるレンズユニット14と画像処理基板16をデジタルカメラ1の背面側から見た図である。
図3(b)に示すように、レンズユニット14の背面側には、撮像素子であるCMOSセンサ22が実装される撮像基板21が取り付けられている。撮像基板21はレンズユニット14と画像処理基板16との間を通って、デジタルカメラ1の正面側に引き出される。撮像基板21のデジタルカメラ1の正面側に引き出される領域には、第1のコネクタとしての第1の基板間コネクタ23が実装され、画像処理基板16に実装された第2のコネクタとしての第2の基板間コネクタ24と接続される。
図4は撮像基板21の外観を説明する図である。
図4(a)は、CMOSセンサ22が実装される面側から撮像基板21を見た図である。図4(b)は、第1の基板間コネクタ23が実装される面側から撮像基板21を見た図である。図4(a)、(b)に示すように、撮像基板21の一方面にCMOSセンサ22が実装され、撮像基板21の他方面に第1の基板間コネクタ23が実装される。
図4(a)は、CMOSセンサ22が実装される面側から撮像基板21を見た図である。図4(b)は、第1の基板間コネクタ23が実装される面側から撮像基板21を見た図である。図4(a)、(b)に示すように、撮像基板21の一方面にCMOSセンサ22が実装され、撮像基板21の他方面に第1の基板間コネクタ23が実装される。
図5は、撮像基板21の各層の構造を説明する図である。図5に示すように、撮像基板21は4層構造のフレキシブル配線板である。図5(a)は撮像基板21の第1の層21aの配線パターンを示している。図5(b)は撮像基板21の第2の層21bの配線パターンを示している。図5(c)は撮像基板21の第3の層21cの配線パターンを示している。図5(d)は撮像基板21の第4の層21dの配線パターンを示している。
図5(a)に図示するように、第1の層21aには、CMOSセンサ22の複数の電極部に対応するセンサランド25が形成される。図5(b)に図示するように、第2の層21bには、CMOSセンサ22から出力される信号をLVDSにて伝送する3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cが形成されている。第1の層21aに形成されるセンサランド25と、第2の層21bに形成される3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cとはスルーホールによってそれぞれ接続されている。図5(c)に図示するように、第3の層21cには、3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cと重なる領域にグランドパターン27が形成される。図5(d)に図示するように、第4の層21dには、第1の基板間コネクタ23の複数の端子23a対応するコネクタランド28aおよび第1の基板間コネクタ23の複数の端子23bに対応するコネクタランド28bが形成される。第4の層21dに形成されるコネクタランド28aおよび28bと、第2の層21bに形成される3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cとはスルーホールによって接続されている。
図6は、第1の基板間コネクタ23が実装される領域を拡大した図である。第1の基板間コネクタ23はコネクタの両側に複数の端子23aおよび23bがそれぞれ形成されている。すなわち、第1の基板間コネクタ23の一方側に複数の端子23aが並んで形成され、第1の基板間コネクタ23の他方側に複数の端子23bが並んで形成されている。
図6は、第1の基板間コネクタ23と第2の層21bに形成される3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cとを重畳させて図示している。図6に図示するように、第1の基板間コネクタ23は、3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cが形成される方向に沿って、複数の端子23aおよび23bがそれぞれ並ぶように実装されている。
図6にて、第1の基板間コネクタ23の右側はCMOSセンサ22が実装される側となり、第1の基板間コネクタ23の左側はCMOSセンサ22が実装されていない側となる。図6に図示するように、1対の第1の差動信号パターン26aは複数の端子23aと複数の端子23bとの間となる領域の下層を通って、複数の端子23aのうち、CMOSセンサ22が実装されていない側の近傍の端子23a1に接続される。同様に、1対の第1の差動信号パターン26bは複数の端子23aと複数の端子23bとの間となる領域の下層を通って、複数の端子23bのうち、CMOSセンサ22が実装されていない側の近傍の端子23b1に接続される。そして、1対の第1の差動信号パターン26cは複数の端子23bが接続される領域の下層を通って、複数の端子23bのうち、CMOSセンサ22が実装されていない側の近傍の端子23b2に接続される。
本実施例では、複数の端子23aと複数の端子23bとの間となる領域に、3対ある第1の差動信号パターンのうち、2対の第1の差動信号パターンしか配置することができない。本実施例では第1の基板間コネクタ23の一方側に配置される端子23aに接続される1対の第1の差動信号パターン26aと第1の基板間コネクタ23の他方側に配置される端子23bに接続される1対の第1の差動信号パターン26bをこの領域に配置している。これによって、2対の第1の差動信号パターン26a、26bの配線長をほぼ同じにすることができる。第1の基板間コネクタ23の他方側に配置される端子23bに接続される2対の第1の差動信号パターン26b、26cを、複数の端子23aと複数の端子23bとの間となる領域に配置したと仮定する。2対の第1の差動信号パターン26b、26cはともに、他方側に配置される端子23bに接続されるので、2対の第1の差動信号パターン26b、26cの配線長は差が出てしまう。したがって、複数の端子23aと複数の端子23bとの間となる領域には、1対の第1の差動信号パターン26aと1対の第1の差動信号パターン26bとを配置することが効果的である。
また、第2の層21bにて、3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cは互いに隣接した状態で形成されている。これによって、第3の層21cに形成されるグランドパターン27は1つのパターンで、3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cの全て覆うことができる。したがって、第3の層21cでは、グランドパターン27以外の領域に、CMOSセンサ22の電源ラインなどの配線を行うことができ、実装効率が向上する。
このように、撮像基板21を構成することで、撮像基板21を大型化することなく、3対の第1の差動信号パターン26a、26b、26cを形成することができる。
図7は画像処理基板16の外観を説明する図であり、画像処理基板16をデジタルカメラ1の正面側から見た図である。画像処理基板16には、画像処理IC30、第2の基板間コネクタ24およびその他の電子部品が実装されている。
図8は、画像処理基板16の第2の基板間コネクタ24が実装される領域を拡大した図である。図8(a)は第2の基板間コネクタ24が実装された画像処理基板16の外観図である。図8(b)は図8(a)が図示する部分の画像処理基板16の第1の層に形成される配線パターンを示す図である。図8(c)は図8(a)の示す部分の画像処理基板16の第2の層に形成される配線パターンを示す図である。画像処理基板16は8層構造のリジッドなプリント基板であり、画像処理基板16の第3層から第8層は本発明とは直接関係がないので、説明を省略する。
図8(a)に図示されるように、第2の基板間コネクタ24はコネクタの両側に複数の端子24aおよび24bがそれぞれ形成されている。すなわち、第2の基板間コネクタ24の一方側に複数の端子24aが並んで形成され、第2の基板間コネクタ24の他方側に複数の端子24bが並んで形成されている。第2の基板間コネクタ24に第1の基板間コネクタ23を接続すると、第2の基板間コネクタ24の複数の端子24aは第1の基板間コネクタ23の複数の端子23aと電気的に接続される。また、第2の基板間コネクタ24に第1の基板間コネクタ23を接続すると、第2の基板間コネクタ24の複数の端子24bは第1の基板間コネクタ23の複数の端子23bと電気的に接続される。
図8(b)に図示されるように、画像処理基板16の第1の層には、第2の基板間コネクタ24の複数の端子24a対応するコネクタランド31aおよび第2の基板間コネクタ24の複数の端子24bに対応するコネクタランド31bが形成される。また、画像処理基板16の第1の層には、画像処理IC30の複数の電極部に対応するICランド32が形成される。さらに、画像処理基板16の第1の層には、ICランド32とコネクタランド31a、31bを接続する3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成されている。
図8(b)に図示するように、第2の基板間コネクタ24は、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成される方向に沿って、複数の端子24aおよび24bがそれぞれ並ぶように実装されている。
図8(b)にて、第2の基板間コネクタ24の右側は画像処理IC30が実装されてない側となり、第2の基板間コネクタ24の左側は画像処理IC30が実装される側となる。図8(b)に図示するように、1対の第2の差動信号パターン33aは複数の端子24aと複数の端子24bとの間となる領域を通って、複数の端子24aのうち、画像処理IC30が実装される側の近傍に位置する端子24a1に接続される。同様に、1対の第2の差動信号パターン33bは複数の端子24aと複数の端子24bとの間となる領域を通って、複数の端子24bのうち、画像処理IC30が実装される側の近傍に位置する端子24b1に接続される。そして、1対の第2の差動信号パターン33cは第2の基板間コネクタ24が実装される領域の外側を通って、複数の端子24bのうち、画像処理IC30が実装される側の近傍に位置する端子24b2に接続される。
本実施例では、複数の端子24aと複数の端子24bとの間となる領域に、3対ある第2の差動信号パターンのうち、2対の第2の差動信号パターンしか配置することができない。本実施例では第2の基板間コネクタ24の一方側に配置される端子24aに接続される1対の第2の差動信号パターン33aと第2の基板間コネクタ24の他方側に配置される端子24bに接続される1対の第2の差動信号パターン33bをこの領域に配置している。これによって、2対の第2の差動信号パターン33a、33bの配線長をほぼ同じにすることができる。
すなわち、上述した第1の差動信号パターンと同様の理由で、複数の端子24aと複数の端子24bとの間となる領域には、1対の第2の差動信号パターン33aと1対の第2の差動信号パターン33bとを配置することが効果的である。
図8(c)にて、領域Aは、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成される領域の下層となる領域である。図8(c)に図示するように、領域Aには、グランドパターン34が形成されている。したがって、グランドパターン34は3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cを覆っている。画像処理基板16の第2の層には、グランドパターン34以外の配線パターンも形成されている。しかし、これらの配線パターンは3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成される領域を避けているので、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cに影響を与えることがない。また、画像処理基板16の第3の層にもさまざまな配線パターンが形成されているが、画像処理基板16の第2の層にグランドパターン34が形成されていることで、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cに影響を与えることがない。
本実施例では、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが画像処理基板16の第1の層に形成されているので、画像処理基板16の第2の層にグランドパターンを形成するだけでよい。3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cを画像処理基板16の第2の層に形成した場合には、画像処理基板16の第1の層および第3の層にグランドパターンを形成しなければならない。したがって、本実施例は、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cを画像処理基板16の第1の層に形成することで、必要となるグランドパターンを削減することができ、画像処理基板を大型化することがない。
また、本実施例では、ICランド32とコネクタランド31aおよび31b、そして3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cがすべて画像処理基板16の第1の層に形成されている。したがって、第2の基板間コネクタ24に入力されるCMOSセンサ22の差動信号はスルーホールを介して他の層に伝達されることなく、第1の層のみで画像処理IC30まで伝達される。これによって、高い信号品質を保つことができる。
さらに、本実施例では、第2の基板間コネクタ24の画像処理IC30が実装される側の近傍に位置する端子24a1、24b1、24b2と3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cとをそれぞれ接続している。これによって、画像処理基板16の第1の層で、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成される面積を小さくすることができ、画像処理基板16の第1の層の配線効率が向上する。そして、3対の第2の差動信号パターン33a、33b、33cが形成される面積を小さくなることで、画像処理基板16の第2の層に形成されるグランドパターン34も小さくすることができる。これによって、画像処理基板16の第2の層の配線効率が向上する。したがって、LVDSなどの低振幅の差動伝送方式を採用したとしても、画像処理基板16を大型化することない。
16 画像処理基板
21 撮像基板
22 CMOSセンサ
23 第1の基板間コネクタ
24 第2の基板間コネクタ
26a、26b、26c 第1の差動信号パターン
27 グランドパターン
33a、33b、33c 第2の差動信号パターン
34 グランドパターン
21 撮像基板
22 CMOSセンサ
23 第1の基板間コネクタ
24 第2の基板間コネクタ
26a、26b、26c 第1の差動信号パターン
27 グランドパターン
33a、33b、33c 第2の差動信号パターン
34 グランドパターン
Claims (3)
- 撮像素子と第1のコネクタが実装され、前記撮像素子から出力される差動信号を前記第1のコネクタに伝送する第1の差動信号パターンが形成される撮像基板と、
画像処理回路と第2のコネクタが実装され、前記第2のコネクタに入力される差動信号を前記画像処理回路に伝送する第2の差動信号パターンが形成される画像処理基板とを備え、
前記第1のコネクタと前記第2のコネクタとが接続されることで、前記撮像素子から出力される信号を前記画像処理回路に入力する撮像装置であって、
前記第1のコネクタは、前記第1の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、前記第1の差動信号パターンは前記第1のコネクタの前記複数の端子のうち、前記撮像素子が実装されていない側の近傍に位置する端子に接続されるとともに、
前記第2のコネクタは、前記第2の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が形成され、前記第2の差動信号パターンは前記第2のコネクタの前記複数の端子のうち、前記画像処理回路が実装される側の近傍に位置する端子に接続されることを特徴とする撮像装置。 - 前記第1のコネクタは、前記第1の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が前記第1のコネクタの両側にそれぞれ形成され、前記第1の差動信号パターンは前記第1のコネクタの一方側に並ぶ複数の端子と、前記第1のコネクタの他方側に並ぶ複数の端子との間を通って、前記撮像素子が実装されていない側の近傍に位置する端子に接続されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記第2のコネクタは、前記第2の差動信号パターンが形成される方向に沿って並ぶ複数の端子が前記第2のコネクタの両側にそれぞれ形成され、前記第2の差動信号パターンは前記第2のコネクタの一方側に並ぶ複数の端子と、前記第2のコネクタの他方側に並ぶ複数の端子との間を通って、前記画像処理回路が実装される側の近傍に位置する端子に接続されることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
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