JP2009111309A - 配線基板及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ベースフィルム14の一方の面及び他方の面にそれぞれ設けられた第1配線層9及び第2配線層10、カバーレイ13から構成されたベース基板50と、リジッド基板12a,12bと、を少なくとも有する配線基板35を用いる。そして、第1信号配線群と第2信号配線群とがそれぞれ第1配線層9と第2配線層10に同方向にストライプ状に設けられ、第1信号配線群の各信号配線は第2信号配線群の各信号配線と差動ペアを形成し、第1信号配線群及び第2信号配線群がベースフィルム14の水平方向にずらして配置されるとともに、作動ペアが、リジッド基板12a,12bに挟まれていないベース基板50の領域からリジッド基板12a,12bに挟まれているベース基板50の領域まで連続的に形成される構造を有する。
【選択図】図5
Description
図1は、参考例1のベース基板の模式的な断面図である。同図に示されるベース基板30はフレキシブル基板の一例である。
図3は、参考例2のベース基板の模式的な断面図である。同図に示されるベース基板40はフレキシブル基板の一例である。
参考例3においては、図1に示すベース基板30のベースフィルム3の基板材料にリジッドなFR4基板を用いたこと以外は、参考例1と同様のベース基板を用いた。具体的には、図1のベース基板30において、ベースフィルム3として厚さ100μm、誘電率4.9のFR4を用い、カバーレイ4として厚さ25μm、誘電率3.2のソルダーレジストを用いる。そして、第1信号配線群5a1,5a2,5a3、第2信号配線群5b1,5b2,5b3、第1グラウンド線6a1,6a2,6a3、及び第2グラウンド線6b1,6b2,6b3の配線幅Lをそれぞれ100μm、配線間隔Sを100μmとして、ずらし量Dを変化させた時の差動特性インピーダンスZdiffを計算した。
図5は、実施例1の配線基板の一例の模式的な断面図である。図6は、図5のC−C’面での模式的な断面図である。図7は、図5のE−E’面での模式的な断面図である。図6は、ベース基板がリジッド基板で挟まれた領域(リジッド部)における模式的な断面を示すものである。図7は、ベース基板がリジッド基板で挟まれていない領域(フレキシブル部)における模式的な断面を示すものである。
図10は、ずらし量Dを変化させて差動特性インピーダンスZdiffを計算した結果を示すグラフである。同図に示した計算結果は、実施例1の図5〜7の配線基板35と同様の構造を有しつつもパラメータを変化させることにより得られたものである。具体的には、ベース基板には実施例1と同様の構造のフレキシブル基板を用い、リジッド基板には比誘電率4.7、厚さ250μmのFR4基板を用いて、配線幅Lf,Lrを100μm、配線間隔Sf,Srを100μm又は200μmとした場合に、ずらし量D(Df,Dr)を変化させて差動特性インピーダンスZdiffを計算したものである。なお、図10中において「フレキシブル部:(L,S)=(100,200)」とある場合、リジッド基板に挟まれないベース基板部分(フレキシブル部)におけて、配線幅Lf=100μm、配線間隔Sf=200μmとしたという意味である。同様に、「リジッド部:(L,S)=(100,200)」とある場合、リジッド基板に挟まれたベース基板部分(リジッド部)において、配線幅Lr=100μm、配線間隔Sf=200μmとしたという意味である。他のプロット例についても同様である。
実施例3においては、リジッド部(リジッド基板)の断面構造を異なるものとした以外は、基本的には実施例1の配線基板と同様のものを用いた。具体的には、配線基板は、実施例1と同様にして図5に示す配線基板35と同様のものを用いた。また、フレキシブル部における断面構造も実施例1と同じく図7の構造を有するものを用いた。
実施例4の配線基板は、基本的には実施例1の図5に示す配線基板35を同様のものであるが、リジッド部とフレキシブル部の断面構造を変化させている。図12は、実施例4の配線基板のリジッド部の模式的な断面図である。また、図13は、実施例4の配線基板のフレキシブル部の模式的な断面図である。
図14(a)は、比較例1に用いたベース基板(フレキシブル基板)の模式的な断面図である。同図のベース基板1hは、特開2003−224408号公報(特許文献3)の図1に示される高周波用配線基板の断面図と同様の構造を用いている。
図14(b)は、比較例2に用いたベース基板(フレキシブル基板)の模式的な断面図である。同図のベース基板1ahは、特開2003−224408号公報(特許文献3)の図3に示される高周波用配線基板の断面図と同様の構造を用いている。
図17は、比較例3の配線基板(リジッドフレキ基板)の模式的な断面図である。図18は、図17のA−A’面での模式的な断面図である。図19は、図17のB−B’面での模式的な断面図である。比較例3の配線基板では、信号配線層R3に各信号配線を配置し、図19に示す点線で囲まれる2つの信号配線が差動ペアを構成する。
2,10 第2配線層
3,14,2h,R7 ベースフィルム
4,13,R6 カバーレイ
5,16,3h,4h,3ah,4ah 信号配線(第1信号配線群、第2信号配線群)
6,7,17,5h,5ah,6ah,7h グラウンド線(第1グラウンド線、第2グラウンド線)
8 第3配線層
11 第4配線層
12,R5 リジッド基板
15 半導体装置
18,6h グランドプレーン
19,22 制御信号線
20,21,23,24 電源プレーン
25 層間接続用ビア
31 一方の面
32 他方の面
33 層間接続用貫通スルーホール
30,40,50,1h,1ah ベース基板
35,45 配線基板
R1,R4 配線層
R2,R3 信号配線層
Claims (9)
- ベースフィルム、該ベースフィルムの一方の面及び他方の面にそれぞれ設けられた第1配線層及び第2配線層、及び該第1配線層と該第2配線層との上にそれぞれ設けられたカバーレイから構成されたベース基板と、該ベース基板の一部を挟むようにして設けられた2つのリジッド基板と、を少なくとも有する配線基板であって、
第1信号配線群と第2信号配線群とがそれぞれ前記第1配線層と前記第2配線層に同方向にストライプ状に設けられ、前記第1信号配線群の各信号配線は前記第2信号配線群の各信号配線と差動ペアを形成し、前記第1信号配線群及び前記第2信号配線群が前記ベースフィルムの水平方向にずらして配置されるとともに、前記作動ペアが、前記2つのリジッド基板に挟まれていない前記ベース基板の領域から前記2つのリジッド基板に挟まれている前記ベース基板の領域まで連続的に形成される構造を有する、
ことを特徴とする配線基板。 - 前記第1信号配線群の隣り合う信号配線同士の間に第1グラウンド線が設けられ、前記第2信号配線群の隣り合う信号配線同士の間に第2グラウンド線が設けられる、請求項1に記載の配線基板。
- 前記ベースフィルムを介して最も近くに位置する第1グラウンド線と第2グラウンド線とが、それぞれ前記第1信号配線群及び前記第2信号配線群と同方向にずらして配置されている、請求項2に記載の配線基板。
- 前記リジッド基板における、前記ベース基板と接する面とは反対側の面にグラウンドプレーンが形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記グラウンドプレーンと前記第1信号配線群及び/又は前記第2信号配線群との距離が、前記ベースフィルムの厚さの2倍以上である、請求項4に記載の配線基板。
- 前記グラウンドプレーンと前記第1グラウンド線及び/又は前記第2グラウンド線とが、層間接続ビアによって接続されている、請求項4に記載の配線基板。
- 前記グラウンドプレーンと前記第1信号配線群及び/又は前記第2信号配線群との距離が、前記ベースフィルムの厚さの2倍以下である、請求項6に記載の配線基板。
- 前記ベース基板がフレキシブル基板である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の配線基板。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の配線基板のリジッド基板に半導体装置又は半導体パッケージを搭載する、ことを特徴とする半導体装置。
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