JP6812221B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電子機器に関し、特に、電子機器におけるフレキシブル配線基板の配線に関する。

近年、電子機器の機能向上に伴って、高速にデジタルデータの伝送を行うことが求められている。そして、デジタルデータの伝送には、例えば、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）又はＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）規格などが用いられる。

ＬＶＤＳは、回路およびプロトコルを比較的自由に設計可能な高速（数百ＭＢＰＳ）の伝送規格である。このＬＶＤＳは、例えば、デジタルカメラ及び携帯電話などの撮像部および液晶表示装置における信号伝送に広く用いられている。ＬＶＤＳは対となる２本の信号を用いる差動信号システムであって、差動信号の特性インピーダンスを規格によって定められた値によって均一にする必要がある。

ところで、デジタルカメラには、ＣＭＯＳセンサー、ＡＥセンサー、ＴＦＴ、電子ビューファインダー（以下ＥＶＦという）などのモジュールと制御基板との間で画像信号などを伝送するため複数のフレキシブル配線基板が用いられている。そして、画像信号などの伝送に当たっては高速にデータ伝送を行う必要であり、特性インピーダンスを所定の値に制御する必要がある。

なお、これら画像信号などに導電部材が近接すると、特性インピーダンスに影響を与えるので、導電部材が近接する場合には所望の特性インピーダンスが得られるように、信号配線およびフレキシブル配線基板を工夫する必要がある。

従来、所望の特性インピーダンスを得るため、フレキシブル配線基板の表面に銀シールドを貼り合わせることによって、導電部材の近接に起因する特性インピーダンスに対する影響を低減させている。

一方、所定の特性インピーダンスとすべき差動信号と隣接する導体層の信号とが交差する際に、交差による特性インピーダンスに対する影響を考慮して、差動信号が伝送される配線の線幅を一部変化させるようにしたものがある（特許文献１参照）。これによって、特許文献１では、導電部材が近接することに起因する特性インピーダンスに対する影響を低減して所望の特性インピーダンスを確保するようにしている。

特開２０１４−１１６５７４号公報

しかしながら、上述の特許文献１においては、フレキシブル配線基板の組み付け際には、組立状態で屈曲させる場合が多い。このため、線幅が細くなった箇所で断線する恐れがある。さらには、銀シールドなどを貼り付けた場合には、フレキシブル配線基板の所謂コシが強くなってしまい、接続部品に対してコシによる負荷が掛かるばかりでなく、所望の屈曲状態で組立できない恐れがある。

そこで、本発明の目的は、フレキシブル配線基板と導電部材とが近接する場合であっても、信号線断線の懸念が少なく、かつ簡単な構成で所望の特性インピーダンスを確保することができる電子機器を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明による電子機器は、フレキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に近接して配置された導電部材と、前記フレキシブル配線基板の第１の信号線に信号を出力する第１のセンサーと、を有する電子機器であって、前記フレキシブル配線基板は、当該フレキシブル配線基板の一主面に形成された第１の導体層と前記一主面と対向する他主面に形成された第２の導体層とを備え、前記第１の導体層には所定のインピーダンスで前記第１の信号線が配線され、前記第２の導体層には第２の信号線が配線されており、前記フレキシブル配線基板に対して前記導電部材を投影した投影領域において、前記第２の信号線の配線密度は、前記投影領域を除く領域の配線密度よりも低く、前記第２の信号線は、前記投影領域から前記投影領域を除く領域に向って配線密度が変化する配線密度変化領域を備えており、前記配線密度変化領域において、前記第２の信号線と前記投影領域における端辺とは交差し、前記第１のセンサーは、前記電子機器の筐体にその位置が調整可能に取り付けられており、前記配線密度変化領域の幅は、前記第１のセンサーの位置を調整する際の調整量よりも大きいことを特徴とする。

本発明によれば、フレキシブル配線基板と導電部材とが近接する場合であっても、信号線断線の懸念を少なくして、かつ簡単な構成で所望の特性インピーダンスを確保することができる。

本発明の実施の形態による電子機器の一例である撮像装置の外観を示す斜視図である。 図１に示すカメラの主要な内部構成を説明するための斜視図である。 図１に示すカメラの制御系の一例を説明するためのブロック図である。 図２に示す撮像フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。 図２に示す撮像フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。 図２に示す測光フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。 図２に示す測光フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。 図２に示す液晶フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。 図２に示す液晶フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。

以下に、本発明の実施の形態による電子機器の一例について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施の形態による電子機器の一例である撮像装置の外観を示す斜視図である。そして、図１（ａ）は撮像装置をレンズユニットを外して正面側から示す斜視図であり、図１（ｂ）は撮像装置を背面側から示す斜視図である。

図示の撮像装置は、例えば、デジタル一眼レフカメラ（以下単にカメラと呼ぶ）であり、カメラ本体１を有している。カメラ本体（つまり、カメラ筐体）１の背面には、後述する撮像センサーで得られた撮影画像および各種設定画面などを表示する液晶表示装置（以下ＴＦＴと呼ぶ）２が配設されている。そして、カメラ本体１の背面上部には光学系を介して被写体像を確認するためのファインダー接眼窓３が配設されている。

図１（ａ）において、カメラ本体１の左側には、ユーザーがカメラ本体１を保持（把持）するためのグリップ部４が規定されている。このグリップ部４はカメラ本体１を背面から見た場合、光軸中心よりも右側（一側）に設けられる。そして、グリップ部４は、ユーザーが握りやすいように被写体側（つまり、正面側）に突出する突形状に成形されている。

なお、以下の説明では、カメラ本体１を背面から見た場合、光軸中心よりも右側を右側と呼び、光軸中心よりも左側を左側と呼ぶ。

図２は、図１に示すカメラの主要な内部構成を説明するための斜視図である。そして、図２（ａ）はカメラの内部構成を示す斜視図であり、図２（ｂ）はカメラの内部構成を分解して示す斜視図である。

図示のカメラは、カメラの動作を制御するマイクロコンピュータ（以下ＭＰＵと呼ぶ）１０を備えている。当該ＭＰＵ（制御部）１０は制御基板５に実装されており、カメラ制御に係る信号（制御信号）は制御基板５に設けられた配線によってＭＰＵ１０に伝送される。

図示のように、制御基板５は略コ字形状であって、当該コ字形状の開口部に後述する撮像基板６が入れ子で配置される。これによって、カメラ本体１においてＺ方向におけるスペースを省スペース化している。

ＭＰＵ１０は、カメラの動作を制御するので、多数の制御信号などが集結する。このため、ＭＰＵ１０は制御基板６において基板面積が広い箇所に配置することが望ましい。図示の例では、グリップ部４によって比較的広い基板面積が確保可能な制御基板５の右側部分にＭＰＵ１０が配置される。なお、ＭＰＵ１０による制御については後述する。

撮像基板６には、撮像センサー（撮像素子）１１が実装されており、撮像センサー１１には、撮像レンズを介して光学像が結像し、撮像センサー１１は光学像に応じた撮像信号（出力信号）を出力する。さらに、撮像基板６には撮像系で用いられる各種電気回路（図示せず）が配線されている。そして、撮像基板６はプレート８に固定される。プレート８は、図中Ｚ方向にその位置が調整可能にビス１２ａ、１２ｂ、および１２ｃとバネ（図示せず）とによって、樹脂などで成形された本体２５に取り付けられている。プレート８の位置調整によって撮像センサー１１は所定のフランジバック位置に位置づけられる。

シールド板（シールド部材）９は、撮像基板６の周囲に位置する電気回路による撮像基板６に対するノイズの影響を低減させるために用いられ、撮像基板６上に配置される。シールド板９はステンレス鋼又はブリキなどの導電部材によって成形される。

撮像フレキシブル配線基板７は、撮像センサー１１によって得られた撮像信号が伝送される配線基板である。撮像フレキシブル配線基板７は、シールド板９に近接して配置されており、撮像基板６と制御基板５とを電気的に接続する。

なお、撮像フレキシブル配線基板７は、導体層を２層備える両面フレキシブル配線基板である。また、撮像センサー１１で得られた撮像信号は、撮像フレキシブル配線基板７が所定の特性インピーダンスを有するように、差動信号で伝送される。撮像フレキシブル配線基板７の配線経路および配線パターンについては後述する。

このように、撮像センサー１１で得られた撮像信号は、撮像基板６から撮像フレキシブル配線基板７を介して制御基板５に実装されたＭＰＵ１０に伝送される。

電源基板１３には、電源系の電気回路が配線されている。電源基板１３は電池（バッテリー）１４から電力を受けて、カメラ本体に備えられた基板およびユニットに電源を供給する。電池１４は、カメラ本体１を省スペース化するため、グリップ部４において突形状の部分に配置される。この結果。電源基板１３および電池１４は、グリップ部４が位置するカメラ本体１の右側に配置されることになる。

シールド板１５は、電源基板１３から当該電源基板１３の周囲に位置する電気回路に対するノイズの影響を低減するために用いられる。そして、シールド板１５は電源基板１３上に配置される。なお、シールド板１５は、ステンレス鋼又はブリキなどの導電部材によって成形される。

シールド板１５には、後述する測光フレキシブル配線基板１７を固定するためのツメ形状部１５ａおよび１５ｂが形成されている。また、電源基板１３は、制御基板５にコネクタ（図示せず）によって接続され、これによって、電源基板１３から制御基板５に電力が供給される。

測光センサー１６は、被写体の露光量を電気信号に変換するためのセンサーである。測光センサー１６は、例えば、縦横２００×３００の画素を有するＣＣＤセンサーである。測光センサー１６は複数の領域に分割され、当該領域毎にその輝度および色を検出する。

測光センサー１６は測光フレキシブル配線基板１７に実装されており、測光フレキシブル配線基板１７はファインダーユニット１８の上部に配置される。測光センサー１６は測光センサーホルダー１９によって保持される。この際、測光センサー１６を撮像センサー１１に対して適正な位置関係とするため、測光センサーホルダー２９は図中ＸおよびＺ方向にその位置が調整可能にファインダーユニット１８に取り付けられる。

測光フレキシブル配線基板１７は、ＭＰＵ１０が実装された制御基板５の右側に接続されて、ツメ形状部１５ａおよび１５ｂによってシールド板１５に固定される。測光フレキシブル配線基板１７は、導体層を２層備える両面フレキシブル配線基板であり、測光センサー１６によって得られた測光信号（出力信号）を伝送するための配線が備えられている。

測光センサー１６で得られた測光信号は、測光フレキシブル配線基板１７が所定の特性インピーダンスを有するように、差動信号で伝送される。測光フレキシブル配線基板１７の配線経路および配線パターンについては後述する。

液晶フレキシブル配線基板２０は、シールド板１５に近接して配置され、ファインダー内液晶（図３参照）と制御基板５を接続する。これによって、制御基板５から撮像素子１１によって得られた撮像信号に応じた画像信号がファインダー内液晶に送られて、ファインダー内液晶に画像が表示される。

なお、画像信号は、液晶フレキシブル配線基板２０が所定の特性インピーダンスを有するように差動信号で伝送される。液晶フレキシブル配線基板２０の配線経路および配線パターンについては後述する。

また、ファインダー内液晶は、カメラの撮影設定などをユーザーに対して表示する液晶表示装置である。図示のカメラには光学ファインダーが搭載されているので、ここでは、ファインダー内液晶２２には撮影設定などの表示のみが行われるが、カメラの構成によって、撮像センサー１１で得られた撮影画像をスルー画として表示するＥＶＦを備えるようにしてもよい。

図３は、図１に示すカメラの制御系の一例を説明するためのブロック図である。

カメラにはＭＰＵ１０が備えられており、ＭＰＵ１０はカメラ全体の制御を司る。ＭＰＵ１０は、例えば、撮像センサー１１の出力である撮像信号に対して所定の画像処理を行って画像信号を生成する。そして、ＭＰＵ１０は当該画像信号を表示制御部２１に送る。

表示制御部２１は、画像信号に応じた画像を表示部（ＴＦＴ）２に表示する。さらに、表示制御部２１は、ＭＰＵ１０の制御下でカメラにおける撮影設定などの情報をファインダー内液晶２２に表示する。さらに、ＭＰＵ１０は、測光センサー１６の出力である測光信号に対して所定の処理を行って、撮影の際の露出を決定する。

なお、ファインダー内液晶２２がＥＶＦである場合には、表示制御部２１は、ＭＰＵ１０の制御下で画像信号に応じた画像をスルー画としてファインダー内液晶２２に表示する。また、ＭＰＵ１０の駆動に必要な電源は電池１４から供給される。

図４は、図２に示す撮像フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。そして、図４（ａ）は撮像フレキシブル配線基板における導体層を示す斜視図であり、図４（ｂ）は撮像フレキシブル配線基板の第１導体層における配線の一例を示す図である。また、図４（ｃ）は撮像フレキシブル配線基板の第２導体層における配線の一例における配線を示す図であり、図４（ｄ）は撮像フレキシブル配線基板の第１導体層における配線の他の例を示す図である。さらに、図４（ｅ）は撮像フレキシブル配線基板の第２導体層における配線の他の例を示す図である。

図４（ａ）に示すように、撮像フレキシブル配線基板７は、ポリイミド等の絶縁体で成形されたベース材３５を有している。そして、ベース材３５の表裏（一主面および当該一主面に対向する他主面）には、それぞれ銅箔などの導体によって信号パターンが形成された第１導体層３０１および第２導体層３０２が備えられている。つまり、撮像フレキシブル配線基板７は両面フレキシブル配線基板である。

第１導体層３０１には撮像信号線３０が配線され、第２導体層３０２にはメッシュ状のＧＮＤ信号線３１が配線されている。図示の例では、撮像信号線３０のインピーダンスが１００Ωとなるように配線が設定される。

図４（ｂ）および図４（ｃ）に詳しく示すように、第１導体層３０１においては、線幅３０ａ、撮像信号線３０間のクリアランス３０ｂ、および周囲信号線３２とのクリアランス３０ｃを所定の値に設定する。さらに、メッシュ状のＧＮＤ信号線３１における残銅率を所定の率に設定して撮像信号線３０のインピーダンスを所定のインピーダンスとする。

ここでは、撮像信号線３０のインピーダンスが１００Ωとなるように、インピーダンスを決定する要素である導電体（撮像信号線３０、周囲信号線３２、およびＧＮＤ信号線３１）の形状および位置関係を規定する。

なお、残銅率とは、フレキシブル配線基板の面積に対して導体が占める面積の割合のことをいう。そして、ＧＮＤ信号線３１の残銅率は、メッシュ状の導体のスリット幅とスリット間隔とを調整することによって設定される。また、図示の例では、周囲信号線３２はＧＮＤ線であるが、ＧＮＤ線以外であってもよい。

さらには、ここでは、撮像信号線３０が隣り合うようにして配線して第１導体層を形成しているが、図４（ｄ）に示すように、撮像信号線３０の間に周囲信号線３２を配線するようにしてもよい。

また、ＧＮＤ信号線３１については、残銅率の調整が可能であれば、図４（ｅ）に示すように斜め方向に延びるスリットを有するメッシュ形状としてもよく、その他の形状であってもよい。このような配線の手法は、所定のインピーダンスを得るための一般的な差動信号の配線仕様である。

上述の配線仕様によってインピーダンスを管理するが、カメラに配置された導電部材が撮像信号線３０に近接すると、撮像信号線３０のインピーダンスが所定のインピーダンスよりも低い方に変動してしまう。つまり、撮像信号線３０のインピーダンスが１００Ωになるように配線したとしても、導電部材が近接すると、当該導電部材が撮像信号線３０のインピーダンスを決定する要素となる。そして、導電部材によって撮像信号線３０のインピーダンスが変動する。

なお、周囲導電体の配線容量が大きい程、撮像信号線３０に電流が流れ易くなるので、導電部材がインピーダンスを決定する要素として加わることによって、周囲導電体の配線容量は増えて、撮像信号線３０のインピーダンスが低下する。

図示の例では、撮像フレキシブル配線基板７は、シールド板９と近接しており、これによって、撮像信号線３０のインピーダンスが変動してしまう恐れがある。このため、シールド板９と接近する箇所については、シールド板９によるインピーダンスの影響を考慮して、撮像フレキシブル配線基板７の配線を変更して、所定のインピーダンスを得る。

図５は、図２に示す撮像フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。そして、図５（ａ）は撮像フレキシブル配線基板とシールド板との位置関係を示す図であり、図５（ｂ）は撮像フレキシブル配線基板の配線を示す図である。

図５（ａ）に示すように、撮像フレキシブル配線基板７はシールド板９と近接している。投影領域７ａ（斜線で示す領域）は撮像フレキシブル配線基板７に対してシールド板９を投影した領域であり、撮像信号線３０のインピーダンスに影響が生じる領域である。撮像信号線３０は差動信号線として配線されるので、対となる信号線のインピーダンスが異なると、適正な撮影画像を得ることができない。

そこで、撮像信号線３０を、シールド板９の端辺９ａおよび９ｂに対して略直角に交差させて、対となる２本の信号線がシールド板９から影響を受ける配線長３０ｄを一致させる。これによって、対となる２本の信号線のインピーダンスを揃えることが可能となって、適正な撮影画像を得ることができる。

なお、ここでは、撮像信号線３０をシールド板９の端辺９ａおよび９ｂに対して略直角に交差させる例について説明したが、対となる２本の信号線の配線長３０ｄが同等になるのであれば、略直角に交差しなくてもよい。

第２導体層３０２には、メッシュ形状のＧＮＤ信号線３１が配線されており、ＧＮＤ信号線３１の残銅率はシールド板９との位置関係に応じて変更される。図示のように、ＧＮＤ信号線３１には、第１の残銅率領域３１ａおよび第２の残銅率領域３１ｂが存在する。

ここでは、第２の残銅率領域３１ｂの残銅率は第１の残銅率領域３１ａの残銅率よりも低い。つまり、メッシュ形状において、第２の残銅率領域３１ｂは第１の残銅率領域３１ａよりも粗い。言い替えると、第２の残銅率領域３１ｂの配線密度は第１の残銅率領域３１ａの配線密度よりも低い。

残銅率変化領域（配線密度変化領域）３１ｃは、第１の残銅率領域３１ａの残銅率から第２の残銅率領域３１ｂの残銅率にその残銅率が徐々に変化する領域である。前述のように、残銅率を変更する際には、メッシュ状の導体の線幅とスリット間隔とを調整することによって残銅率を変更する。

上述の残銅率変化領域３１ｃを設けることによって、残銅率が急激に変化することに起因するインピーダンスの変動を低減させることができる。また、残銅率変化領域３１ｃに対応させてシールド板９の端辺９ａおよび９ｂを配置する。

これによって、シールド板９と撮像フレキシブル配線基板７との位置関係にばらつきが生じても、残銅率が緩やかに変化するので、位置関係のばらつきによるインピーダンスの影響を低減することができる。

第１の残銅率領域３１ａは、シールド板９が近接しない状態において撮像信号線３０のインピーダンスが１００Ωとなるようにその残銅率が設定されている。一方、第２の残銅率領域３１ｂはシールド投影領域７ａに配置される。

第２の残銅率領域３１ｂの残銅率はシールド板９が近接することによる撮像信号線３０のインピーダンスの低下を考慮してインピーダンスを高めるように第１の残銅率領域３１ａの残銅率よりも低くする。そして、残銅率変化領域３１ｃにシールド板９の端辺９ａおよび９ｂが配置される。

残銅率変化領域３１ｃの幅は、部品の寸法バラつきと撮像センサーの位置調整量との和よりも大きくする。これによって、シールド板９と撮像フレキシブル配線基板７との位置関係にばらつきが生じたとしても、シールド板９の端辺９ａおよび９ｂが常に残銅率変化領域３１ｃに収まる。その結果、撮像信号線３０のインピーダンスの変動を低減することができる。

上述の構成によって、撮像信号線３０にシールド板９が近接する場合においても、所定のインピーダンスを得ることが可能となる。さらには、撮像信号線３０の線幅３０ａは均一な幅で配線されているので、曲げなどによる信号線断線の恐れが少ない。

図６は、図２に示す測光フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。そして、図６（ａ）は測光フレキシブル配線基板における導体層を示す斜視図であり、図６（ｂ）は測光フレキシブル配線基板の第１導体層における配線の一例を示す図である。また、図６（ｃ）は測光フレキシブル配線基板の第２導体層における配線の一例における配線を示す図である。

図６（ａ）に示すように、測光フレキシブル配線基板１７は、ポリイミド等の絶縁体で成形されたベース材４５を有している。そして、ベース材４５の表裏面には、それぞれ銅箔などの導体によって信号パターンが形成された第１導体層４０１および第２導体層４０２が備えられている。つまり、撮像フレキシブル配線基板１７は両面フレキシブル配線基板である。

第１導体層４０１には測光信号線４０が配線され、第２導体層４０２にはメッシュ状のＧＮＤ信号線４１が配線されている。図示の例では、測光信号線４０のインピーダンスが１００Ωとなるように配線が設定される。

図６（ｂ）および図６（ｃ）に詳しく示すように、第１導体層４０１においては、線幅４０ａ、測光信号線４０間のクリアランス４０ｂ、および周囲信号線４２とのクリアランス４０ｃを所定の値に設定する。さらに、メッシュ状のＧＮＤ信号線４１における残銅率を所定の率に設定して測光信号線４０のインピーダンスを所定のインピーダンスとする。

ここでは、測光信号線４０のインピーダンスが１００Ωとなるように、インピーダンスを決定する要素である導電体（測光信号線４０、周囲信号線４２、およびＧＮＤ信号線４１）の形状および位置関係を規定する。

なお、ＧＮＤ信号線４１の残銅率は、メッシュ状の導体のスリット幅とスリット間隔とを調整することによって設定される。また、図示の例では、周囲信号線４２はＧＮＤ線であるが、ＧＮＤ線以外であってもよい。さらに、測光フレキシブル配線基板１７において、上述の配線仕様ではなく、例えば、図４（ｄ）および図４（ｅ）で説明した配線仕様を用いるようにしてもよい。

上述の配線仕様によって、測光フレキシブル配線基板１７におけるインピーダンスを管理するが、カメラに配置された導電部材が測光信号線４０に近接すると、測光信号線４０のインピーダンスが所定のインピーダンスよりも低い方に変動してしまう。つまり、測光信号線４０のインピーダンスが１００Ωになるように配線したとしても、導電部材が近接すると、当該導電部材が測光信号線４０のインピーダンスを決定する要素となる。そして、導電部材によって測光信号線４０のインピーダンスが変動する。

なお、周囲導電体の配線容量が大きい程、測光信号線４０に電流が流れ易くなるので、導電部材がインピーダンスを決定する要素として加わることによって、周囲導電体の配線容量は増えて、測光信号線４０のインピーダンスが低下する。

図示の例では、測光フレキシブル配線基板１７は、シールド板１５と近接しており、これによって、測光信号線４０のインピーダンスが変動してしまう恐れがある。このため、シールド板１５と接近する箇所については、シールド板１５によるインピーダンスの影響を考慮して、測光フレキシブル配線基板１７の配線を変更して、所定のインピーダンスを得る。

図７は、図２に示す測光フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。そして、図７（ａ）は測光フレキシブル配線基板とシールド板との位置関係を示す図であり、図７（ｂ）は測光フレキシブル配線基板の配線を示す図である。

図７（ａ）に示すように、測光フレキシブル配線基板１７はシールド板１５と近接している。投影領域１７ａ（斜線で示す領域）は測光フレキシブル配線基板１７に対してシールド板１５を投影した領域であり、測光信号線４０のインピーダンスに影響が生じる領域である。

測光フレキシブル配線基板１７は、投影領域１７ａにおいて測光信号線４０が配線されていない部分においてシールド板１５のツメ形状部１５ａおよび１５ｂによって、シールド板１５に固定される。

これによって、測光フレキシブル配線基板１７とシールド１５との位置のばらつきを低減させることができ、インピーダンスに対する影響のばらつきを低減することが可能となる。

測光信号線４０は差動信号線として配線されるので、対となる信号線のインピーダンスが異なると、適正な測光値を得ることができない。そこで、測光信号線４０を、シールド板１５の端辺１５ｃおよび１５ｄに対して略直角に交差させて、対となる２本の信号線がシールド板１５から影響を受ける配線長４０ｄを一致させる。

これによって、対となる２本の信号線のインピーダンスを揃えることが可能となって、適正な測光値を得ることができる。

なお、ここでは、測光信号線４０をシールド板１５の端辺１５ｃおよび１５ｄに対して略直角に交差させる例について説明したが、対となる２本の信号線の配線長４０ｄが同等になるのであれば、略直角に交差しなくてもよい。

第２導体層４０２には、メッシュ形状のＧＮＤ信号線４１が配線されており、ＧＮＤ信号線４１の残銅率はシールド板１５との位置関係に応じて変更される。図示のように、ＧＮＤ信号線４１には、第１の残銅率領域４１ａおよび第２の残銅率領域４１ｂが存在する。

ここでは、第２の残銅率領域４１ｂの残銅率は第１の残銅率領域４１ａの残銅率よりも低い。つまり、メッシュ形状において、第２の残銅率領域４１ｂは第１の残銅率領域４１ａよりも粗い。

残銅率変化領域４１ｃは、第１の残銅率領域４１ａの残銅率から第２の残銅率領域４１ｂの残銅率にその残銅率が徐々に変化する領域である。前述のように、残銅率を変更する際には、メッシュ状の導体の線幅とスリット間隔とを調整することによって残銅率を変更する。

上述の残銅率変化領域４３１ｃを設けることによって、残銅率が急激に変化することに起因するインピーダンスの変動を低減させることができる。また、残銅率変化領域４１ｃに対応させてシールド板１５の端辺１５ｃおよび１５ｄを配置する。

これによって、シールド板１５と測光フレキシブル配線基板１７との位置関係にばらつきが生じても、残銅率が緩やかに変化するので、位置関係のばらつきによるインピーダンスの影響を低減することができる。

第１の残銅率領域４１ａは、シールド板１５が近接しない状態において測光信号線４０のインピーダンスが１００Ωとなるようにその残銅率が設定されている。一方、第２の残銅率領域４１ｂはシールド投影領域１７ａに配置される。

第２の残銅率領域４１ｂの残銅率はシールド板１５が近接することによる測光信号線４０のインピーダンスの低下を考慮してインピーダンスを高めるように第１の残銅率領域４１ａの残銅率よりも低くする。そして、残銅率変化領域４１ｃにシールド板１５の端辺１５ｃおよび１５ｄが配置される。

残銅率変化領域４１ｃの幅は、部品の寸法バラつきと測光センサー１６の位置調整量との和よりも大きくする。

これによって、シールド板１５と測光フレキシブル配線基板１７との位置関係にばらつきが生じたとしても、シールド板１５の端辺１５ｃおよび１５ｄが常に残銅率変化領域４１ｃに収まる。その結果、測光信号線４０のインピーダンスの変動を低減することができる。

上述の構成によって、測光信号線４０にシールド板１５が近接する場合においても、所定のインピーダンスを得ることが可能となる。さらには、測光信号線４０の線幅４０ａは均一な幅で配線されているので、曲げなどによる信号線断線の恐れが少ない。

図８は、図２に示す液晶フレキシブル配線基板の構成を説明するための図である。そして、図８（ａ）は液晶フレキシブル配線基板における導体層を示す斜視図であり、図８（ｂ）は液晶フレキシブル配線基板の第１導体層における配線の一例を示す図である。また、図８（ｃ）は液晶フレキシブル配線基板の第２導体層における配線の一例における配線を示す図である。

図８（ａ）に示すように、液晶フレキシブル配線基板２０は、ポリイミド等の絶縁体で成形されたベース材５５を有している。そして、ベース材５５の表裏面には、それぞれ銅箔などの導体によって信号パターンが形成された第１導体層５０１および第２導体層５０２が備えられている。つまり、液晶フレキシブル配線基板２０は両面フレキシブル配線基板である。

第１導体層５０１には画像信号線５０が配線され、第２導体層５０２にはメッシュ状のＧＮＤ信号線５１が配線されている。図示の例では、画像信号線５０のインピーダンスが１００Ωとなるように配線が設定される。

図８（ｂ）および図８（ｃ）に詳しく示すように、第１導体層５０１においては、線幅５０ａ、画像信号線５０間のクリアランス５０ｂ、および周囲信号線５２とのクリアランス５０ｃを所定の値に設定する。さらに、メッシュ状のＧＮＤ信号線５１における残銅率を所定の率に設定して画像信号線５０のインピーダンスを所定のインピーダンスとする。

ここでは、画像信号線５０のインピーダンスが１００Ωとなるように、インピーダンスを決定する要素である導電体（画像信号線５０、周囲信号線５２、およびＧＮＤ信号線５１）の形状および位置関係を規定する。

ＧＮＤ信号線５１の残銅率は、メッシュ状の導体のスリット幅とスリット間隔とを調整することによって設定される。また、図示の例では、周囲信号線５２はＧＮＤ線であるが、ＧＮＤ線以外であってもよい。さらに、液晶フレキシブル配線基板２０において、上述の配線仕様ではなく、例えば、図４（ｄ）および図４（ｅ）で説明した配線仕様を用いるようにしてもよい。

上述の配線仕様によってインピーダンスを管理するが、カメラに配置された導電部材が画像信号線５０に近接すると、画像信号線５０のインピーダンスが所定のインピーダンスよりも低い方に変動してしまう。つまり、画像信号線５０のインピーダンスが１００Ωになるように配線したとしても、導電部材が近接すると、当該導電部材が画像信号線５０のインピーダンスを決定する要素となる。そして、導電部材によって画像信号線５０のインピーダンスが変動する。

なお、周囲導電体の配線容量が大きい程、画像信号線５０に電流が流れ易くなるので、導電部材がインピーダンスを決定する要素として加わることによって、周囲導電体の配線容量は増えて、画像信号線５０のインピーダンスが低下する。

図示の例では、液晶フレキシブル配線基板２０は、シールド板１５と近接しており、これによって、画像信号線５０のインピーダンスが変動してしまう恐れがある。このため、シールド板１５と接近する箇所については、シールド板１５によるインピーダンスの影響を考慮して、液晶フレキシブル配線基板２０の配線を変更して、所定のインピーダンスを得る。

図９は、図２に示す液晶フレキシブル配線基板においてシールド板との近接部分の配線を説明するための図である。そして、図９（ａ）は液晶フレキシブル配線基板とシールド板との位置関係を示す図であり、図９（ｂ）は液晶フレキシブル配線基板の配線を示す図である。

図９（ａ）に示すように、液晶フレキシブル配線基板２０はシールド板１５と近接している。投影領域２０ａ（斜線で示す領域）は液晶フレキシブル配線基板２０に対してシールド板１５を投影した領域であり、画像信号線５０のインピーダンスに影響が生じる領域である。画像信号線５０は差動信号線として配線されるので、対となる信号線のインピーダンスが異なると、適正な表示画像を得ることができない。

そこで、画像信号線５０を、シールド板１５の端辺１５ｅａおよび１５ｆに対して略直角に交差させて、対となる２本の信号線がシールド板１５から影響を受ける配線長５０ｄを一致させる。これによって、対となる２本の信号線のインピーダンスを揃えることが可能となって、適正な表示画像を得ることができる。

なお、ここでは、画像信号線５０をシールド板１５の端辺１５ｅａおよび１５ｆに対して略直角に交差させる例について説明したが、対となる２本の信号線の配線長５０ｄが同等になるのであれば、略直角に交差しなくてもよい。

第２導体層５０２には、メッシュ形状のＧＮＤ信号線５１が配線されており、ＧＮＤ信号線５１の残銅率はシールド板１５との位置関係に応じて変更される。図示のように、ＧＮＤ信号線５１には、第１の残銅率領域５１ａおよび第２の残銅率領域５１ｂが存在する。ここでは、第２の残銅率領域５１ｂの残銅率は第１の残銅率領域５１ａの残銅率よりも低い。つまり、メッシュ形状において、第２の残銅率領域５１ｂは第１の残銅率領域５１ａよりも粗い。

残銅率変化領域５１ｃは、第１の残銅率領域５１ａの残銅率から第２の残銅率領域５１ｂの残銅率にその残銅率が徐々に変化する領域である。前述のように、残銅率を変更する際には、メッシュ状の導体の線幅とスリット間隔とを調整することによって残銅率を変更する。

上述の残銅率変化領域５１ｃを設けることによって、残銅率が急激に変化することに起因するインピーダンスの変動を低減させることができる。また、残銅率変化領域５１ｃに対応させてシールド板１５の端辺１５ｅおよび１５ｆを配置する。

これによって、シールド板１５と液晶フレキシブル配線基板２０との位置関係にばらつきが生じても、残銅率が緩やかに変化するので、位置関係のばらつきによるインピーダンスの影響を低減することができる。

第１の残銅率領域５１ａは、シールド板１５が近接しない状態において画像信号線５０のインピーダンスが１００Ωとなるようにその残銅率が設定されている。一方、第２の残銅率領域５１ｂはシールド投影領域２０ａに配置される。

第２の残銅率領域５１ｂの残銅率はシールド板１５が近接することによる画像信号線５０のインピーダンスの低下を考慮してインピーダンスを高めるように第１の残銅率領域５１ａの残銅率よりも低くする。そして、残銅率変化領域５１ｃにシールド板１５の端辺１５ｅおよび１５ｆが配置される。

残銅率変化領域５１ｃの幅は、部品の寸法バラつきよりも大きくする。これによって、シールド板１５と液晶フレキシブル配線基板２０との位置関係にばらつきが生じたとしても、シールド板１５の端辺１５ｅおよび１５ｆが常に残銅率変化領域５１ｃに収まる。その結果、画像信号線５０のインピーダンスの変動を低減することができる。

上述の構成によって、画像信号線５０にシールド板１５が近接する場合においても、所定のインピーダンスを得ることが可能となる。さらには、画像信号線５０の線幅５０ａは均一な幅で配線されているので、曲げなどによる信号線断線の恐れが少ない。

このように、本発明の実施の形態では、ＧＮＤ信号線の残銅率を導電部材による影響を考慮して調整する。これによって、信号線と導電部材とが近接する状態であっても、信号線の断線の懸念を核なくして、しかも簡単な構成で所定のインピーダンスを確保することができる。

なお、上述の実施の形態では、撮像フレキシブル配線基板７、測光フレキシブル配線基板１７、および液晶フレキシブル配線基板２０における配線について説明した。一方、所定のインピーダンスで配線を行う必要があるフレキシブル配線基板について同様にして適応することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

５ 制御基板
７ 撮像フレキシブル配線基板
９，１５ シールド板
１０ ＭＰＵ
１１ 撮像センサー
１６ 測光センサー
１７ 測光フレキシブル配線基板
２０ 液晶フレキシブル配線基板
３０ 撮像信号線
４０ 測光信号線
５０ 画像信号線

Claims (13)

1. フレキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に近接して配置された導電部材と、前記フレキシブル配線基板の第１の信号線に信号を出力する第１のセンサーと、を有する電子機器であって、
   前記フレキシブル配線基板は、当該フレキシブル配線基板の一主面に形成された第１の導体層と前記一主面と対向する他主面に形成された第２の導体層とを備え、
   前記第１の導体層には所定のインピーダンスで前記第１の信号線が配線され、
   前記第２の導体層には第２の信号線が配線されており、
   前記フレキシブル配線基板に対して前記導電部材を投影した投影領域において、前記第２の信号線の配線密度は、前記投影領域を除く領域の配線密度よりも低く、
   前記第２の信号線は、前記投影領域から前記投影領域を除く領域に向って配線密度が変化する配線密度変化領域を備えており、
   前記配線密度変化領域において、前記第２の信号線と前記投影領域における端辺とは交差し、
   前記第１のセンサーは、前記電子機器の筐体にその位置が調整可能に取り付けられており、
   前記配線密度変化領域の幅は、前記第１のセンサーの位置を調整する際の調整量よりも大きいことを特徴とする電子機器。
2. 前記導電部材は、前記フレキシブル配線基板の周囲に配置された電気回路によるノイズの影響を低減するシールド部材であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
3. 前記第１の信号線は、前記投影領域の端辺と略直角に交差する位置に配線されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
4. 前記フレキシブル配線基板によって第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されており、
   前記第１の基板に実装された前記第１のセンサーの出力信号を前記第１の信号線によって前記第２の基板に送ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器。
5. 前記第１のセンサーは、光学像が結像されて当該光学像に応じた撮像信号を出力する撮像素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子機器。
6. 前記フレキシブル配線基板に実装された第２のセンサーの出力信号を前記第１の信号線によって制御基板に送ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子機器。
7. 前記第２のセンサーは、撮像の際に被写体の露光量を検出して測光信号を出力する測光センサーであることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
8. 前記フレキシブル配線基板によって第１の基板と第２の基板とが電気的に接続されており、
   前記第２の基板には、光学像が結像される撮像素子の出力である撮像信号に対して所定の画像処理を行って画像信号を得る制御部が実装されており、
   前記フレキシブル配線基板は、表示装置に前記画像信号に応じた画像を表示するため前記画像信号を前記第１の信号線によって前記第１の基板に送ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器。
9. 光学像が結像されて当該光学像に応じた撮像信号を前記第１の信号線に出力する撮像素子を備え、
   前記撮像素子は前記電子機器の筐体にその位置が調整可能に取り付けられており、
   前記配線密度変化領域の幅は、前記撮像素子の位置を調整する際の調整量よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
10. 撮像の際に被写体の露光量を検出して測光信号を前記第１の信号線に出力する測光センサーを有し、
    前記測光センサーは前記電子機器の筐体にその位置が調整可能に取り付けられており、
    前記配線密度変化領域の幅は、前記測光センサーの位置を調整する際の調整量よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
11. 前記フレキシブル配線基板は、前記投影領域において前記第１の信号線が配線されていない部分で前記導電部材に固定されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子機器。
12. 前記第２の信号線は、ＧＮＤ線であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子機器。
13. 前記電子機器に電力を供給するバッテリーと、
    前記電子機器を制御する制御部が実装された制御基板と、を備え、
    前記電子機器の筐体には前記電子機器を把持するために用いられるグリップ部が規定され、
    前記グリップ部は、前記筐体の背面側から見た際、前記筐体の一側に位置し、前記バッテリーは前記グリップ部に配置され、
    前記制御部は、前記制御基板において前記筐体の一側に位置することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。