JP2011233656A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の一表面に第1拡散層と第2拡散層とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の一表面に第1拡散層を形成する工程と、シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、シリコン基板の一表面の第1拡散層が形成されている領域と第1拡散層が形成されていない領域との酸化シリコン膜厚差によるマスク効果を利用して、第2拡散層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン基板の一表面に第1拡散層と第2拡散層とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の一表面に第1拡散層を形成する工程と、シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、シリコン基板の一表面の第1拡散層が形成されている領域と第1拡散層が形成されていない領域との酸化シリコン膜厚差によるマスク効果を利用して、第2拡散層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面(受光面)と、受光面の反対側である面(裏面)とに電極が形成された構造のものである。
受光面に電極を形成した場合、電極における光の反射、吸収があることから、形成された電極の面積分だけ入射する太陽光が減少するので、裏面にのみ電極を形成した裏面電極型太陽電池が開発されている。
特許文献1に裏面にのみ電極を形成した従来の太陽電池、および従来の太陽電池の製造方法が開示されている。図8、図9は、特許文献1に開示されている従来の太陽電池を表す図である。
図8は、太陽電池101の受光面とは反対側の面である裏面側から見た図であり、太陽電池101の裏面には、n電極102およびp電極103がそれぞれ帯状に交互に形成されている。
図9は、図8で示したb−b′の断面を表す図である。n型シリコン基板104の受光面側にはテクスチャ構造105が形成されている。テクスチャ構造105の受光面側には窒化シリコン膜からなる反射防止膜107が形成されている。
また、n型シリコン基板104の裏面には、パッシベーション膜として酸化シリコン膜108が形成されている。n型シリコン基板104の裏面側にはn+層109とp+層110とが間隔(10μm〜200μm)をあけ交互に形成されており、n+層109にはn電極102が形成され、p+層110にはp電極103が形成されている。
以下に、特許文献1に開示されている従来の太陽電池の製造方法を示す。
図10は、図8、および図9に示す従来の太陽電池の製造方法の一例である。図10に示すように模式的断面図を参照して説明する。
まず、図10(a)に示すように、n型シリコン基板104の裏面となる面(n型シリコン基板の裏面)に酸化シリコン膜等のテクスチャマスク121を形成する。その後、図10(b)に示すように、n型シリコン基板104の受光面となる面(n型シリコン基板の受光面)にテクスチャ構造105を形成する。
次に、図10(c)を用いて次工程を説明する。図10(c)は、n型シリコン基板104の裏面側が上となっている。図10(c)に示すように、n型シリコン基板104の裏面に形成したテクスチャマスク121を除去後、n型シリコン基板104の受光面および裏面に酸化シリコン膜等の第1拡散マスク122を形成する。その後、n型シリコン基板104の裏面側のp+層110を形成しようとする箇所に対応する第1拡散マスク122上に、第1エッチングペースト123をスクリーン印刷等で塗布する。この第1エッチングペースト123は、第1拡散マスク122をエッチングする成分、水、有機溶媒、増粘剤等を含む。
次に、図10(d)に示すように、加熱処理することにより、n型シリコン基板104の裏面の第1拡散マスク122のうち第1エッチングペースト123が塗布された部分をエッチングして除去する。次に、パターニング処理を行った第1エッチングペースト123を除去する。その後、BBr3を用いた気相拡散によってn型シリコン基板104の露出した裏面にp型不純物であるボロンが拡散してp+層110が形成される。
次に、図10(e)に示すように、n型シリコン基板104の第1拡散マスク122、および第1拡散マスク122にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、n型シリコン基板104の受光面および裏面に酸化シリコン膜等の第2拡散マスク124を形成する。その後、n型シリコン基板104の裏面側のn+層109を形成しようとする箇所に対応する第2拡散マスク124上に、第2エッチングペースト125をスクリーン印刷等で塗布する。この第2エッチングペースト125は、第2拡散マスク124をエッチングする成分、水、有機溶媒、増粘剤等を含む。
次に、図10(f)に示すように、加熱処理することにより、n型シリコン基板104の裏面の第2拡散マスク124のうち第2エッチングペースト125が塗布された部分をエッチングして除去する。次に、パターニング処理を行った第2エッチングペースト125を除去する。その後、POCl3を用いた気相拡散によってn型シリコン基板104の露出した裏面にn型不純物であるリンが拡散してn+層109が形成される。
次に、図10(g)を用いて次工程を説明する。図10(g)は、n型シリコン基板104の受光面側が上となっている。図10(g)に示すように、n型シリコン基板104の第2拡散マスク124、および第2拡散マスク124にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、n型シリコン基板104の裏面にパッシベーション膜として酸素等による熱酸化で酸化シリコン膜108を形成する。
次に、図10(h)に示すように、テクスチャ構造105の受光面側に窒化シリコン膜からなる反射防止膜107を形成する。その後、エッチングペースト等を用いて、酸化シリコン膜108に電極を形成するためのパターニングを行う。
次に、図10(i)に示すように、n型シリコン基板104の裏面に銀ペーストをスクリーン印刷法等により塗布し、乾燥する。その後、焼成することにより、n+層109にはn電極102が形成され、p+層110にはp電極103が形成され、太陽電池101を作製した。
特許文献1に記載の太陽電池等の半導体装置の製造方法のように、一表面に複数の拡散層を形成する場合、パターニング工程を複数繰り返す必要がある。このため、工程数が多く、半導体装置を効率的に製造することができなかった。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、工程数を低減して、効率的に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は、シリコン基板の一表面に第1拡散層と第2拡散層とを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の一表面に第1拡散層を形成する工程と、シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、シリコン基板の一表面の第1拡散層が形成されている領域と第1拡散層が形成されていない領域との酸化シリコン膜厚差によるマスク効果を利用して、第2拡散層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法である。
ここで、本発明の半導体装置の製造方法において、第1拡散層は、n型拡散層であることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法において、第1拡散層が形成されている領域と第1拡散層が形成されていない領域との酸化シリコン膜厚差が、60nm以上であることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法において、第1拡散層を形成する工程で形成された第1拡散層の表面濃度が、5×1019/cm3以上であることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法において、半導体装置は太陽電池であることが好ましい。
本発明によれば、シリコン基板の一表面に第1拡散層を形成した後に、熱酸化を行うことで第1拡散層上の酸化シリコン膜を厚くし、第1拡散層が形成されていない領域との膜厚差を用いて、第2拡散層形成のためのパターニングを行うことができるから、別途、第2拡散層形成のためのパターニング工程を行う必要はないので、工程数を低減して、効率的に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
図1は、本発明の半導体装置の拡散層を形成する製造方法の一例である。図1に示すように模式的断面図を参照して説明する。
図1(a)に示すように、シリコン基板51の一表面において、第1拡散層52を形成しようとする箇所以外に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク71を形成する。また、拡散層が形成される面と反対側の面に酸化シリコン膜等の拡散マスク72を形成する。
次に、図1(b)に示すように、気相拡散等によって、シリコン基板51の露出した箇所に第1拡散層52が形成される。
次に、図1(c)に示すように、拡散マスク71、72をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い酸化シリコン膜73が形成される。この際、図1(c)に示すように、シリコン基板51の第1拡散層52上の酸化シリコン膜73が厚くなる。
例えば、第1拡散層52がn型拡散層であり900℃で水蒸気による熱酸化を行った場合、n型拡散層上以外の酸化シリコン膜の膜厚が70nm〜90nm、n型拡散層上の酸化シリコン膜の膜厚は250nm〜350nmになった。ここで、熱酸化前のn型拡散層のn型不純物の表面濃度は5×1019/cm3以上であった。
次に、図1(d)に示すように、エッチングにより、シリコン基板51の第1拡散層52上以外の酸化シリコン膜を除去する。その後、拡散層が形成される面と反対側の面に酸化シリコン膜等の拡散マスク74を形成する。
次に、図1(e)に示すように、気相拡散等によって、シリコン基板51の露出した箇所に第2拡散層53が形成される。この際、第1拡散層52上の酸化シリコン膜73は拡散マスクとして機能する。
ここで、第2拡散層53は、例えば、第1拡散層52と同じ導電型で第1拡散層52よりも濃度の低い拡散層や、第1拡散層52と異なった導電型の拡散層である。
次に、図1(f)に示すように、酸化シリコン膜73、拡散マスク74を除去する。この後、電極、パッシベーション膜等を形成することにより、半導体装置が形成される。
以上のことから、第1拡散層52形成後の熱酸化シリコン膜73の、第1拡散層52が形成されている領域と第1拡散層52が形成されていない領域との熱酸化シリコン膜の膜厚差を利用して、第2拡散層53を形成するためのパターニングができるので、第2拡散層53を形成するためのパターニング工程が必要ないことから、工程削減が可能となり、さらに、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。
また、この製造方法を用いれば、第1拡散層52と第2拡散層53の位置ずれを抑え、それぞれを形成することができる。
図2は、本発明の半導体装置の拡散層を形成する製造方法の他の一例である。図2に示すように模式的断面図を参照して説明する。
図2は、第2拡散層の形成時、第2拡散層が形成される領域にも酸化シリコン膜がある場合であり、酸化シリコン膜越しに拡散層が形成される例である。この第2拡散層が形成される領域の酸化シリコン膜は、第2拡散層の濃度調整に用いられる。
図2(a)から図2(c)までの製造方法は、図1(a)から図1(c)までの製造方法と同様である。よって、図2(d)から説明する。
図2(d)に示すように、第2拡散層53を形成する領域にも酸化シリコン膜73を残すようにエッチングする。この場合、第2拡散層53を形成する領域の酸化シリコン膜73は第2拡散層53を形成する際の濃度調整に用いる。その後、拡散層が形成される面と反対側に酸化シリコン膜等の拡散マスク74を形成する。
次に、図2(e)に示すように、気相拡散等によって、第1拡散層52以外の箇所に、第2拡散層53が形成される。この際、第1拡散層52上の酸化シリコン膜73は拡散マスクとして機能する。
ここで、第2拡散層53は、先述したように、例えば、第1拡散層52と同じ導電型で第1拡散層52よりも濃度の低い拡散層や、第1拡散層52と異なった導電型の拡散層である。
次に、図2(f)に示すように、酸化シリコン膜73、拡散マスク74を除去する。この後、電極、パッシベーション膜等を形成することにより、半導体装置が形成される。
図2の場合も図1の場合と同様に、第2拡散層53を形成するためのパターニング工程が必要ないことから、工程削減が可能となり、さらに、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。
また、この製造方法を用いても、第1拡散層52と第2拡散層53の位置ずれを抑え、それぞれを形成することができる。
上記に示した製造方法は、下記の実施例1、2に示すような半導体装置(太陽電池等)の製造方法に用いることができる。
図3、図4は、受光面とは反対側の面である裏面にのみ電極を形成した本発明の半導体装置である太陽電池を表す図である。図3は、太陽電池1の受光面とは反対側の面である裏面側から見た図であり、太陽電池1の裏面には、n型用電極2およびp型用電極3がそれぞれ帯状に交互に形成されている。
図4は、図3で示したa−a′の断面を表す図である。n型シリコン基板4の受光面側には凹凸形状5(テクスチャ構造)が形成されている。この凹凸はμmオーダーである。凹凸形状5の受光面側には受光面パッシベーション膜6が形成されている。さらに、受光面パッシベーション膜6の受光面側には反射防止膜7が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜6は窒化シリコン膜で、その膜厚は10nm以下であり、また、反射防止膜7も窒化シリコン膜で、その膜厚は50nm〜100nmである。反射防止膜7の窒化シリコン膜は、受光面パッシベーション膜6の窒化シリコン膜よりも窒素含有率が高い。また、受光面パッシベーション膜6の窒化シリコン膜は、反射防止膜7の窒化シリコン膜よりも屈折率が高い。なお、受光面パッシベーション膜6は酸化シリコン膜であってもよい。
また、n型シリコン基板4の裏面には、裏面パッシベーション膜8が形成されている。n型シリコン基板4の裏面側にはn+層(n型拡散層)9とp+層(p型拡散層)10とが交互に隣接して形成されており、n型シリコン基板4の裏面のn+層9領域の表面は、n型シリコン基板4の裏面のn+層9領域以外の表面よりも凹状になっている。ここで、図4に示す凹状の深さAは数十nmのオーダーである。さらに、n+層9にはn型用電極2が形成され、p+層10にはp型用電極3が形成されている。また、n+層9上の裏面パッシベーション膜8とp+層10上の裏面パッシベーション膜8とに膜厚差があり、n+層9上の裏面パッシベーション膜8の方が厚くなっている。
より高い短絡電流を得るために、シリコン基板の導電型であるn型と異なる導電型であるp+層10の合計面積のほうがn+層9の合計面積よりも大きい。この場合、隣接するn+層9は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、n+層9間はp+層10が形成されている。また、p+層10が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、p+層10間にn+層9が形成されている。
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す。
図5は、図3、および図4に示す本発明の半導体装置である太陽電池の製造方法の一例である。図5に示すように模式的断面図を参照して説明する。
まず、図5(a)に示すように、n型シリコン基板4の受光面となる面(n型シリコン基板の受光面)の反対側の面である裏面(n型シリコン基板の裏面)に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図5(b)に示すように、n型シリコン基板4の受光面に凹凸形状5からなるテクスチャ構造をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70℃以上80℃以下に加熱した溶液により行われる。
次に、図5(c)を用いて次工程を説明する。図5(c)は、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。図5(c)に示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。その後、n型シリコン基板4の裏面において、n+層9を形成しようとする箇所以外に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク23を形成し、POCl3を用いた気相拡散によって、n型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散してn+層9が形成される。
次に、図5(d)に示すように、n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22ならびに拡散マスク23、および拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜24が形成される。この際、図5(d)に示すように、n型シリコン基板4の裏面のn+層9上の酸化シリコン膜24が厚くなる。900℃で水蒸気による熱酸化を行い、n+層9上以外の酸化シリコン膜24の膜厚が70nm〜90nm、n+層9上の酸化シリコン膜24の膜厚は250nm〜350nmになった。ここで、熱酸化前のn+層9のリンの表面濃度は、5×1019/cm3以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、酸素による熱酸化で800℃〜1000℃、水蒸気による熱酸化で800℃〜950℃である。
ここで、p+層形成時のn+層の拡散マスクとしては、60nm以上必要であることから、酸化シリコン膜24を使用するには、n+層9上とn+層9上以外との酸化シリコン膜24の膜厚差は、60nm以上必要となる。
また、熱酸化時に、シリコン基板に拡散される不純物の種類と濃度により、熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度が異なる。とくにn型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、n型シリコン基板4よりもn型不純物濃度が高いn+層9上の酸化シリコン膜24の膜厚の方がn型シリコン基板4上よりも厚くなる。酸化シリコン膜24は、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、n型シリコン基板4の裏面のn+層9領域の表面は、n型シリコン基板4の裏面のn+層9領域以外であるp+層10領域の表面よりも凹状になる。
次に、図5(e)に示すように、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜24および裏面のn+層9上以外の酸化シリコン膜24をエッチングにより除去する。裏面では、上記に示したように、酸化シリコン膜24がn+層9上に厚く形成されているので、n+層9以外の酸化シリコン膜24を除去するまでエッチングすると、n+層9上だけ酸化シリコン膜24が残る。n+層9上以外の酸化シリコン膜24の膜厚が80nm、n+層9上の酸化シリコン膜24の膜厚が300nmの場合、酸化シリコン膜24を150nm程度除去するまでエッチングを行う。そうすると、n+層9上以外の酸化シリコン膜は除去されn+層9上の酸化シリコン膜は150nm程度の膜厚になる。先述したように60nm以上あればp+層形成時の拡散マスクとして機能する。
さらに、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク25を形成し、その後、n型シリコン基板4の裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理によりn型シリコン基板4の裏面の露出した箇所にp型不純物であるボロンが拡散してp+層10が形成される。
次に、図5(f)を用いて次工程を説明する。図5(f)は、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。図5(f)に示すように、n型シリコン基板4に形成した酸化シリコン膜24ならびに拡散マスク25、および酸化シリコン膜24、拡散マスク25にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。さらに、n型シリコン基板4の裏面に酸化シリコン膜による裏面パッシベーション膜8を形成するため、酸素または水蒸気による熱酸化を行う。ここで、n+層9上に形成された裏面パッシベーション膜8とp+層10上に形成された裏面パッシベーション膜8とには膜厚差があり、n+層9上の裏面パッシベーション膜8の方が厚くなる。この膜厚差は、図4に示すように、太陽電池1形成後まであらわれる。その後、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜を除去する。
次に、図5(g)に示すように、n型シリコン基板4の受光面に受光面パッシベーション膜6である窒化シリコン膜、および反射防止膜7である窒化シリコン膜をCVD法により形成する。この際、受光面パッシベーション膜6である窒化シリコン膜の方が反射防止膜7である窒化シリコン膜よりも窒素含有率が低く、屈折率が高い膜である。また、受光面パッシベーション膜6は酸化シリコン膜でもよく、図5(f)で示した酸化シリコン膜をそのまま使用してもよい。その後、n型シリコン基板4の裏面側に形成されたn+層9、p+層10に電極を形成するため、n型シリコン基板の裏面に形成された裏面パッシベーション膜8にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行われる。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。
次に、図5(h)に示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n+層9にはn型用電極2が形成され、p+層10にはp型用電極3が形成され、太陽電池1を作製した。
以上のように、上記の太陽電池の製造方法において、n+層9の形成後の熱酸化シリコン膜により、p+層10を形成するためのパターニングができるので、p+層10を形成するためのパターニング工程を必要としないことから、工程削減が可能であり、さらに、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。
また、この製造方法を用いれば、n+層9とp+層10の位置ずれを抑え、それぞれを形成することができる。
さらに、上記の本願の製造方法で太陽電池を形成すれば、n+層9の形成後の熱酸化シリコン膜によりp+層10を形成するためのパターニングを行うので、n型シリコン基板4の裏面側はn+層9またはp+層10になり、いずれかの拡散層が形成されることになる。
今回、n型シリコン基板について記載したが、p型シリコン基板を用いることも可能である。その際は、より高い短絡電流を得るために、シリコン基板の導電型であるp型と異なる導電型であるn+層の合計面積のほうがp+層の合計面積よりも大きい。この場合、隣接するp+層は長さ方向に対し垂直方向に分離されていてもよい。その際、p+層間はn+層が形成されている。また、n+層が長さ方向に対し垂直方向に分離されている場合は、n+層間にp+層が形成されている。
また、本発明の太陽電池の概念には、半導体基板の一方の表面(裏面)のみにp型用電極およびn型用電極の双方が形成された構成の太陽電池だけでなく、MWT(Metal Wrap Through)型(半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池)などの構成の太陽電池も含まれる。
図6は、本発明の半導体装置である太陽電池の他の一例である。図7は、図6の太陽電池の製造方法の一例である。
図6を用いて、太陽電池81の構造を示す。p型シリコン基板82の受光面側には凹凸形状83(テクスチャ構造)が形成されている。この凹凸はμmオーダーである。凹凸形状83の下にはn型拡散層である第1エミッタ層84と第2エミッタ層85が形成され、第1エミッタ層84のn型ドーパント濃度は第2エミッタ層85のn型ドーパント濃度よりも高い。p型シリコン基板82の受光面の第1エミッタ層84領域の表面は、p型シリコン基板82の受光面の第1エミッタ層84領域以外である第2エミッタ層85領域の表面よりも凹状になっている。図6に示す凹状の深さBは数十nmのオーダーである。また、凹凸形状83の受光面側には受光面パッシベーション膜86が形成されている。さらに、受光面パッシベーション膜86の受光面側には受光面電極87が形成されており、n型ドーパント濃度が高い第1エミッタ層84と接している。これは、接触抵抗を下げるためである。
また、p型シリコン基板82の受光面の反対側の面である裏面(p型シリコン基板82の裏面)には、裏面電極88が形成されている。裏面電極88はp型シリコン基板82と接している。
以下に、図7に示すように模式的断面図を参照して本発明の半導体装置である太陽電池の製造方法の他の一例を説明する。
まず、図7(a)に示すように、p型シリコン基板82の受光面となる面(p型シリコン基板82の受光面)の反対側の面である裏面(p型シリコン基板82の裏面)に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク91をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。その後、図7(b)に示すように、p型シリコン基板82の受光面に凹凸形状83からなるテクスチャ構造をエッチングにより形成する。たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70℃以上80℃以下に加熱した溶液により行われる。
次に、図7(c)に示すように、p型シリコン基板82の裏面に形成したテクスチャマスク91を除去後、p型シリコン基板82の裏面に酸化シリコン膜等の拡散マスク93を形成する。その後、p型シリコン基板82の受光面において、第1エミッタ層84を形成しようとする箇所以外に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク92を形成し、POCl3等を用いた気相拡散によって、p型シリコン基板82の受光面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散して第1エミッタ層84が形成される。ここで、第1エミッタ層84は、n型不純物化合物を含む混合液を塗布し熱処理することで形成、または、n型不純物を含むインクをインクジェット、グラビアオフセット印刷等で塗布し熱処理することで形成されてもよい。
次に、図7(d)に示すように、p型シリコン基板82に形成した拡散マスク92、拡散マスク93をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜94が形成される。この際、図7(d)に示すように、p型シリコン基板82の受光面の第1エミッタ層84上の酸化シリコン膜94が厚くなる。900℃で水蒸気による熱酸化を行い、第1エミッタ層84上以外の酸化シリコン膜94の膜厚が70nm〜90nm、第1エミッタ層84上の酸化シリコン膜94の膜厚は250nm〜350nmになった。ここで、熱酸化前の第1エミッタ層84のリンの表面濃度は、5×1019/cm3以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、酸素による熱酸化で800℃〜1000℃、水蒸気による熱酸化で800℃〜950℃である。
ここで、第2エミッタ層85形成時の第1エミッタ層84の拡散マスクとしては、60nm以上必要であることから、酸化シリコン膜94を使用するには、第1エミッタ層84上と第1エミッタ層84上以外との酸化シリコン膜94の膜厚差は、60nm以上必要となる。
また、熱酸化により第1エミッタ層84上の酸化シリコン膜94の膜厚は厚くなる。酸化シリコン膜94は熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、p型シリコン基板82の受光面の第1エミッタ層84領域の表面は、p型シリコン基板82の受光面の第1エミッタ層84領域以外である第2エミッタ層85領域の表面よりも凹状になる。
次に、図7(e)に示すように、p型シリコン基板82の裏面の酸化シリコン膜94および受光面の第1エミッタ層84上以外の酸化シリコン膜94をエッチングにより除去する。受光面では、上記に示したように、酸化シリコン膜94が第1エミッタ層84上に厚く形成されているので、エッチング条件として、フッ化水素酸の濃度とエッチング時間を調整することにより、第1エミッタ層84上だけ酸化シリコン膜94を残すことができる。先述したように第1エミッタ層84上に酸化シリコン膜94の膜厚が60nm以上あれば、第2エミッタ層85形成時の拡散マスクとして機能する。
さらに、p型シリコン基板82の裏面に酸化シリコン膜等の拡散マスク95を形成し、その後、POCl3等を用いた気相拡散によって、p型シリコン基板82の受光面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散して第2エミッタ層85が形成される。ここで、第2エミッタ層85は、第1エミッタ層84のn型ドーパント濃度であるリン濃度よりも低くなるように、気相拡散条件を設定して形成する。第2エミッタ層85は、第1エミッタ層84形成時と同様、n型不純物化合物を含む混合液を塗布し熱処理することで形成、または、n型不純物を含むインクをインクジェット、グラビアオフセット印刷等で塗布し熱処理することで形成されてもよい。
次に、図7(f)に示すように、p型シリコン基板82に形成した酸化シリコン膜94ならびに拡散マスク95をフッ化水素酸処理により除去する。その後、p型シリコン基板82の受光面に受光面パッシベーション膜86である窒化シリコン膜をCVD法により形成する。受光面パッシベーション膜86は酸化シリコン膜でもよい。
次に、図7(g)に示すように、第1エミッタ層84上の受光面パッシベーション膜86をパターニングし、銀ペーストをスクリーン印刷等で塗布し乾燥する。また、p型シリコン基板82の裏面にアルミニウムペーストをスクリーン印刷等で塗布し乾燥する。その後、焼成することにより、受光面電極87、裏面電極88が形成され、太陽電池81を作製した。
以上のように、上記の半導体装置である太陽電池の製造方法において、第1エミッタ層84の形成後の熱酸化シリコン膜により、第2エミッタ層85を形成するためのパターニングができるので、第2エミッタ層85を形成するためのパターニング工程を必要としないことから、工程削減が可能であり、さらに、多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。
また、この製造方法を用いれば、第1エミッタ層84と第2エミッタ層85の位置ずれを抑え、それぞれを形成することができる。
さらに、上記の本願の製造方法で太陽電池を形成すれば、第1エミッタ層84の形成後の熱酸化シリコン膜により第2エミッタ層85を形成するためのパターニングを行うので、p型シリコン基板82の受光面側は第1エミッタ層84または第2エミッタ層85になり、いずれかの拡散層が形成されることになる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法全般に広く適用することができる。
1 太陽電池、2 n型用電極、3 p型用電極、4 n型シリコン基板、5 凹凸形状、6 受光面パッシベーション膜、7 反射防止膜、8 裏面パッシベーション膜、9 n+層、10 p+層、21 テクスチャマスク、22 拡散マスク、23 拡散マスク、24 酸化シリコン膜、25 拡散マスク、51 シリコン基板、52 第1拡散層、53 第2拡散層、71 拡散マスク、72 拡散マスク、73 酸化シリコン膜、74 拡散マスク、81 太陽電池、82 p型シリコン基板、83 凹凸形状、84 第1エミッタ層、85 第2エミッタ層、86 受光面パッシベーション膜、87 受光面電極、88 裏面電極、101 太陽電池、102 n電極、103 p電極、104 n型シリコン基板、105 テクスチャ構造、107 反射防止膜、108 酸化シリコン膜、109 n+層、110 p+層、121 テクスチャマスク、122 第1拡散マスク、123 第1エッチングペースト、124 第2拡散マスク、125 第2エッチングペースト。
Claims (5)
- シリコン基板の一表面に第1拡散層と第2拡散層とを有する半導体装置の製造方法であって
シリコン基板の一表面に第1拡散層を形成する工程と、
前記シリコン基板に熱酸化法により酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一表面の前記第1拡散層が形成されている領域と前記第1拡散層が形成されていない領域との前記酸化シリコン膜厚差によるマスク効果を利用して、前記第2拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1拡散層は、n型拡散層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1拡散層が形成されている領域と前記第1拡散層が形成されていない領域との前記酸化シリコン膜厚差が、60nm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1拡散層を形成する工程で形成された前記第1拡散層の表面濃度が、5×1019/cm3以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、太陽電池であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012235084A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池のドープ領域の形成方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP2013161818A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
EP2634815A1 (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Back-contact solar cell and fabrication method thereof |
JP2014086708A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-12 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池 |
WO2015114922A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | シャープ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
JP2016520996A (ja) * | 2013-03-20 | 2016-07-14 | イオン ビーム サービス | シリコンウェーハーのドーピング方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259538A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化膜の形成方法 |
JPH02105460A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2002026373A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Sony Corp | 半導体受光素子およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-04-27 JP JP2010101629A patent/JP2011233656A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01259538A (ja) * | 1988-04-11 | 1989-10-17 | Agency Of Ind Science & Technol | 酸化膜の形成方法 |
JPH02105460A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2002026373A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Sony Corp | 半導体受光素子およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012235084A (ja) * | 2011-04-29 | 2012-11-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 太陽電池のドープ領域の形成方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP2013161818A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
EP2634815A1 (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-04 | Samsung SDI Co., Ltd. | Back-contact solar cell and fabrication method thereof |
US9312405B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-04-12 | Intellectual Keystone Technology Llc | Thin film type solar cell and fabrication method thereof |
JP2014086708A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-12 | Sharp Corp | 裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池 |
JP2016520996A (ja) * | 2013-03-20 | 2016-07-14 | イオン ビーム サービス | シリコンウェーハーのドーピング方法 |
WO2015114922A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | シャープ株式会社 | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
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