JP2014072293A - 裏面電極型太陽電池、及び裏面電極型太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高い初期出力を維持したまま、高温多湿などの過酷環境下においても、出力劣化の極めて少ない太陽電池モジュールを作製するための裏面電極型太陽電池及び該太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板4の受光面とは反対側の面に、n型用電極及2びp型用電極3を有する裏面電極型太陽電池1において、シリコン基板4の受光面側に形成された受光面拡散層6、受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション13膜、及び受光面パッシベーション膜13上に形成された反射防止膜12を有し、受光面拡散層6は、シリコン基板4と同じ導電型で不純物濃度がシリコン基板よりも高い濃度であり、反射防止膜12は、チタン酸化物からなり、導電性固体材料及びシリコン基板と同じ導電型の不純物を含む。
【選択図】図2
【解決手段】シリコン基板4の受光面とは反対側の面に、n型用電極及2びp型用電極3を有する裏面電極型太陽電池1において、シリコン基板4の受光面側に形成された受光面拡散層6、受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション13膜、及び受光面パッシベーション膜13上に形成された反射防止膜12を有し、受光面拡散層6は、シリコン基板4と同じ導電型で不純物濃度がシリコン基板よりも高い濃度であり、反射防止膜12は、チタン酸化物からなり、導電性固体材料及びシリコン基板と同じ導電型の不純物を含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、裏面電極型太陽電池、及び裏面電極型太陽電池の製造方法に関する。
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類があるが、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
現在、多く製造及び販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面である受光面と、受光面の反対側の面である裏面とに電極が形成された構造のものであるが、受光面に電極を形成した場合、その面積分だけ入射する太陽光が減少するので、裏面にのみ電極を形成した裏面電極型太陽電池が開発されている。
図4は、特許文献1に記載の裏面電極型太陽電池を示す断面図である。裏面電極型太陽電池101は、単結晶シリコン基板であるn型シリコン基板104の受光面側にテクスチャ構造である凹凸形状105が形成されている。受光面側全面には受光面拡散層106であるn−層がFSF(Front Surface Field)層として形成され、受光面拡散層106の受光面側には受光面パッシベーション膜103が形成されている。さらに、受光面側には反射防止膜102が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜103は酸化シリコン膜で、反射防止膜102はシリコン基板と同じ導電型の不純物を含むチタン酸化物膜である。
一般に、太陽電池モジュールは、屋外にて長期間使用されるため、高温多湿などのあらゆる屋外環境において、長期信頼性が要求される。従来、太陽電池自体には比較的長寿命が期待できると考えられていたことから、モジュールを構成する周辺機器および周辺部品の耐候性の向上を中心に、長期信頼性の改善が行なわれてきた。しかし、昨今、太陽電池モジュールの普及と使用態様の多様化が進む中で、比較的使用期間が短いにも関わらず、太陽電池の出力が大幅に低下する現象が観測され、原因の究明と改善策の早期確立が、強く望まれている。
上記のような出力低下現象は、Potential Induced Degradation現象(以下、PID現象とも記す)とも呼ばれており、現時点では詳細な原因は不明であるが、高温多湿条件によって、その発生頻度が高まり、かつ出力劣化の進行が加速されることが確認されている。そして、特許文献1の裏面電極型太陽電池を用いて作製された太陽電池モジュールでも同様の現象が起こるという問題が有った。
本発明は、高い初期出力を維持したまま、高温多湿などの過酷環境下においても、出力劣化の極めて少ない太陽電池モジュールを作製するための裏面電極型太陽電池及び該太陽電池の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、裏面電極型太陽電池及び該太陽電池を用いた太陽電池モジュールの構成、構成部材の物性などについて鋭意研究を重ねたところ、本来、光の反射を防止し、より多くの光を半導体基板に導くために設けられる反射防止膜が、上記したPID現象と密接に関連していることを新たに見出した。そして、さらには、反射防止膜が導電体固体材料及びシリコン基板と同じ導電型の不純物を含むことにより、PID現象の発生を極めて有効に防止出来ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明に係る裏面電極型太陽電池は、シリコン基板の受光面とは反対側の面に、n型用電極及びp型用電極を有する裏面電極型太陽電池において、シリコン基板の受光面側に形成された受光面拡散層、受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション膜、及び受光面パッシベーション膜上に形成された反射防止膜を有し、受光面拡散層は、シリコン基板と同じ導電型で不純物濃度がシリコン基板よりも高い濃度であり、反射防止膜は、チタン酸化物からなり、導電性固体材料及びシリコン基板と同じ導電型の不純物を含むことを特徴とする。
ここで、本発明に係る裏面電極型太陽電池は、導電性固体材料は、銀であることが好ましい。
本発明に係る裏面電極型太陽電池の製造方法は、シリコン基板の受光面と反対側の面に、n型用電極及びp型用電極を有する裏面電極型太陽電池の製造方法において、シリコン基板の受光面に混合液を塗布し、窒素雰囲気で熱処理することにより受光面拡散層及び導電性を有する反射防止膜を形成する工程であって、混合液は、シリコン基板と同じ導電型になる不純物を含む化合物、チタンアルコキシド及び導電性固体材料を少なくとも含む、工程、並びに、シリコン基板の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する工程、を有することを特徴とする。 ここで、本発明に係る裏面電極型太陽電池の製造方法は、導電性固体材料は、銀であることが好ましい。
また、本発明に係る裏面電極型太陽電池の製造方法は、混合液は、前記導電性固体材料の重量パーセント濃度が0.05%〜0.5%であることが好ましい。
本発明により、高い初期出力を維持したまま、高温多湿などの過酷環境下においても、出力劣化の極めて少ない太陽電池モジュールを作製するための裏面電極型太陽電池及び該太陽電池の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態に係る裏面電極型太陽電池について説明する。本発明の実施形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。本発明の実施形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
図1、図2は、本発明に係る裏面電極型太陽電池の一例を示した模式的な図である。
図1は、本発明に係る裏面電極型太陽電池の一例を裏面側から見た図である。裏面電極型太陽電池1の裏面には、n型用電極2及びp型用電極3がそれぞれ帯状に交互に形成されている。
図2は、図1で示したA−A′の断面を表す図である。単結晶シリコン基板であるn型シリコン基板4の受光面側にはテクスチャ構造である凹凸形状5が形成されている。この凹凸は数μm〜数十μmオーダーである。また、n型シリコン基板4の受光面側には受光面拡散層6であるn−層がFSF(Front Surface Field)層として形成されている。受光面拡散層6は、n型シリコン基板4と同じ導電型で、n型シリコン基板4の不純物濃度よりも濃い不純物濃度を有している。また、受光面拡散層6の受光面側には受光面パッシベーション膜13が形成されている。さらに、受光面側には反射防止膜12が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜13は酸化シリコン膜で、その膜厚は5nm〜200nmであり、好ましくは5nm〜60nmである。また、反射防止膜12はチタン酸化物膜であり、膜厚は10nm〜400nmである。さらに、反射防止膜12にはリンが含まれており、その重量パーセント濃度はリン酸化物として15%〜35%含有する。さらに、反射防止膜12には導電性固体材料15が含まれている。導電性固体材料15は、例えば、成分が銀であり、形状が直径20nm〜200nmの粒子状、または直径が70nm〜110nmで長さが20μm〜60μmの繊維状である。そして、反射防止膜12中に含まれている導電性固体材料15が、テクスチャ凹部に集まり接触することにより、反射防止膜12は導電性を有する。これにより、本発明に係る裏面電極型太陽電池1は、高い初期出力を維持したまま、高温多湿などの過酷環境下においても、出力劣化の極めて少ない太陽電池モジュールを作製することが可能となる。
また、n型シリコン基板4の裏面には、n型シリコン基板4側から、第2裏面パッシベーション膜8、第1裏面パッシベーション膜11の2層からなる裏面パッシベーション膜14が形成されている。n型シリコン基板4の裏面側にはn型半導体領域であるn+領域9とp型半導体領域であるp+領域10とが交互に隣接して形成されており、n型シリコン基板4の裏面のn+領域9の表面は、n型シリコン基板4の裏面のn+領域9以外の表面よりも凹状になっている。ここで、図2に示す凹状の深さdは数十nmである。さらに、n+領域9にはn型用電極2が形成され、p+領域10にはp型用電極3が形成されている。n型シリコン基板4の裏面の最も外側には、電極が形成されていない、すなわち、電極に接触していない半導体領域であるp+領域71が形成されている。また、n+領域9上の裏面パッシベーション膜14とp+領域10上の裏面パッシベーション膜14とに膜厚差があり、n+領域9上の裏面パッシベーション膜14の方が厚くなっている。ここで、n+領域9とp+領域10とが交互に隣接して形成されていることより、裏面電極型太陽電池1に逆方向のバイアスがかかったとき、部分的に電圧がかかることがなく、局所的なリーク電流による発熱をさけることができる。
以下に、本発明に係る裏面電極型太陽電池の製造方法の一例を示す。
図3は、本発明に係る裏面電極型太陽電池の製造方法の一例を示す模式的な断面図である。以降、図3(a)〜(j)に示す模式的な断面図を参照して説明する。
まず、図3(a)に示すように、100μm厚のn型シリコン基板4の受光面となる面(以下「n型シリコン基板の受光面」という。)の反対側の面である裏面(以下「n型シリコン基板の裏面」という。)に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク21をCVD法、またはスパッタ法等で形成する。
その後、図3(b)に示すように、n型シリコン基板4の受光面にテクスチャ構造である凹凸形状5をエッチングにより形成する。エッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、70℃以上80℃以下に加熱した溶液により行われる。
次に、図3(c)を用いて次工程を説明する。図3(c)は、n型シリコン基板4の裏面側が上となっている。図3(c)に示すように、n型シリコン基板4の裏面に形成したテクスチャマスク21を除去後、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク22を形成する。その後、n型シリコン基板4の裏面において、n+領域9を形成しようとする箇所以外に、例えば、溶剤、増粘剤及び酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク23を形成し、POCl3を用いた気相拡散によって、n型シリコン基板4の裏面の露出した箇所に、n型不純物であるリンが拡散してn+領域9が形成される。
次に、図3(d)に示すように、n型シリコン基板4に形成した拡散マスク22、23、及び拡散マスク22、23にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、酸化シリコン膜24を形成する。この際、図3(d)に示すように、n型シリコン基板4の裏面のn+領域9上の酸化シリコン膜24が厚くなる。900℃で水蒸気による熱酸化を行い、n+領域9上以外の酸化シリコン膜24の膜厚が70nm〜90nm、n+領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は250nm〜350nmになった。ここで、熱酸化前のn+領域9のリンの表面濃度は、5×1019/cm3以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、酸素による熱酸化で800℃〜1000℃、水蒸気による熱酸化で800℃〜950℃である。なお、酸化シリコン膜24を、p+領域形成時のn+領域の拡散マスクとして使用するには、n+領域9上とn+領域9上以外との酸化シリコン膜24の膜厚差は、60nm以上必要となる。また、熱酸化時に、シリコン基板に拡散される不純物の種類と濃度により、熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度が異なる。とくにn型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、n型シリコン基板4よりもn型不純物濃度が高いn+領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚の方がn型シリコン基板4上よりも厚くなる。酸化シリコン膜24は、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、n型シリコン基板4の裏面のn+領域9の表面は、n型シリコン基板4の裏面のn+領域9以外の領域の表面よりも凹状になる。
次に、図3(e)に示すように、n型シリコン基板4の受光面の酸化シリコン膜24及び裏面のn+領域9上以外の酸化シリコン膜24をエッチングにより除去する。裏面では、上記に示したように、酸化シリコン膜24がn+領域9上に厚く形成されているので、n+領域9上だけ酸化シリコン膜24が残る。n+領域9上の酸化シリコン膜24とn+領域9上以外の酸化シリコン膜24とのエッチングレートの差により、n+領域9上の酸化シリコン膜24は120nm程度の膜厚となる。例えば、900℃30分の水蒸気による熱酸化で酸化シリコン膜24を形成し、n+領域9上以外の酸化シリコン膜24を除去するためにフッ化水素酸処理をした場合、n+領域9上の酸化シリコン膜24の膜厚は120nm程度となる。先述したように60nm以上あればp+領域形成時の拡散マスクとして機能する。さらに、n型シリコン基板4の受光面に酸化シリコン膜等の拡散マスク25を形成し、その後、n型シリコン基板4の裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理によりn型シリコン基板4の裏面の露出した箇所にp型不純物であるボロンが拡散してp+領域が形成される。この際、p+領域10とp+領域71とが形成される。
次に、図3(f)を用いて次工程を説明する。図3(f)は、n型シリコン基板4の受光面側が上となっている。図3(f)に示すように、n型シリコン基板4に形成した酸化シリコン膜24、拡散マスク25、及び、酸化シリコン膜24、拡散マスク25にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。その後、n型シリコン基板4の裏面に酸化シリコン膜等の拡散マスクを兼ねた第1裏面パッシベーション膜11をCVD法、またはSOG(スピンオングラス)の塗布、焼成により形成する。その後、n型シリコン基板4の受光面に受光面拡散層6であるn−層及び反射防止膜12を形成するため、n型シリコン基板4の受光面にリン化合物、チタンアルコキシド及び導電性固体材料を少なくとも含む混合液27の塗布を行い、乾燥する。ここで、混合液27のリン化合物としては、五酸化リン、チタンアルコキシドとしてはテトライソプロピルチタネートを用いる。また、混合液27はアルコールを含み、アルコールとしてはイソプロピルアルコールを用いている。また、導電性固体材料の成分は導電性を有するものであれば良いが、なかでも、銀が好ましく、その濃度は混合液27における重量パーセント濃度で0.05%〜0.5%であることが好ましい。また、銀からなる導電性固体材料の形状は、直径が20nm〜200nmの形状の粒子状、または直径が70nm〜110nmで、長さが20μm〜60μmの繊維状であることが好ましい。このとき、テクスチャ上に塗布され混合液27はテクスチャ凹部に溜まるため,導電性固体材料がテクスチャ凹部に多く集まる。
次に、図3(g)に示すように、熱処理によりn型不純物であるリンが拡散して受光面側全面に、受光面拡散層6であるn−層、及び反射防止膜12となるチタン酸化物膜が形成される。チタン酸化物膜は、リン及び導電性固体材料15を含有しており、導電性固体材料15はテクスチャ凹部に集まり接触することで、反射防止膜12に導電性を付与している。この熱処理は、窒素雰囲気で行った。
次に、n型シリコン基板4の裏面に酸化シリコン膜からなる第2裏面パッシベーション膜8を形成するため、酸素または水蒸気による熱酸化を行う。この際、n型シリコン基板4の裏面に第2裏面パッシベーション膜8である酸化シリコン膜が形成されながら、図3(j)に示すように、n型シリコン基板4の受光面全面にも、酸化シリコン膜が形成される。この受光面全面に形成された酸化シリコン膜は、受光面拡散層6と反射防止膜12との間に形成され、受光面パッシベーション膜13となる。また、第2裏面パッシベーション膜8と受光面パッシベーション膜13の形成は、受光面拡散層6及び反射防止膜12を形成する熱処理に引き続き、ガスを切り替えて酸素または水蒸気による熱酸化を行うことによっても可能である。すなわち、受光面拡散層6であるn−層及び反射防止膜12を形成する熱処理と、受光面パッシベーション膜13形成する熱処理とを、一連の熱処理によって形成することできる。
次に、図3(h)に示すように、n型シリコン基板4の裏面側に形成されたn+領域9、p+領域10に電極を形成するため、n型シリコン基板の裏面に形成された裏面パッシベーション膜14にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行われる。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウム及びフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種を含み、水、有機溶媒及び増粘剤を含むものである。
次に、図3(i)に示すように、n型シリコン基板4の裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、n+領域9にはn型用電極2が形成され、p+領域10にはp型用電極3が形成され、裏面電極型太陽電池1を作製した。
上記製造方法により、本発明に係る裏面電極型太陽電池1が作製される。これにより、高い初期出力を維持したまま、高温多湿などの過酷環境下においても、出力劣化の極めて少ない太陽電池モジュールを作製ことが可能となる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多くの修正及び変更を加え得ることはもちろんである。
1 裏面電極型太陽電池、2 n型用電極、3 p型用電極、4 n型シリコン基板、5 凹凸形状、6 受光面拡散層、8 第2裏面パッシベーション膜、9 n+領域、10 p+領域、11 第1裏面パッシベーション膜、12 反射防止膜、13 受光面パッシベーション膜、14 裏面パッシベーション膜、15 導電性固体材料、21 テクスチャマスク、22 拡散マスク、23 拡散マスク、24 酸化シリコン膜、25 拡散マスク、27 混合液、71 p+領域
Claims (5)
- シリコン基板の受光面とは反対側の面に、n型用電極及びp型用電極を有する裏面電極型太陽電池において、
前記シリコン基板の受光面側に形成された受光面拡散層、前記受光面拡散層上に形成された受光面パッシベーション膜、及び前記受光面パッシベーション膜上に形成された反射防止膜を有し、
前記受光面拡散層は、前記シリコン基板と同じ導電型で不純物濃度が前記シリコン基板よりも高い濃度であり、
前記反射防止膜は、チタン酸化物からなり、導電性固体材料及び前記シリコン基板と同じ導電型の不純物を含む裏面電極型太陽電池。 - 前記導電性固体材料は、銀である請求項1に記載の裏面電極型太陽電池。
- シリコン基板の受光面と反対側の面に、n型用電極及びp型用電極を有する裏面電極型太陽電池の製造方法において、
前記シリコン基板の受光面に混合液を塗布し、窒素雰囲気で熱処理することにより受光面拡散層及び導電性を有する反射防止膜を形成する工程であって、前記混合液は、前記シリコン基板と同じ導電型になる不純物を含む化合物、チタンアルコキシド及び導電性固体材料を少なくとも含む、工程、並びに、
前記シリコン基板の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する工程、を有する裏面電極型太陽電池の製造方法。 - 前記導電性固体材料は、銀である請求項3に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
- 前記混合液は、前記導電性固体材料の重量パーセント濃度が0.05%〜0.5%である請求項4に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
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