JP2011198808A - アバランシェフォトダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11側から順に、電流信号を増幅する増倍層13、増倍層13内部の電界を緩和する電界緩和層14、上層のエッチングの際に電界緩和層14がエッチングされないようにするエッチングストップ層16、光信号を電流信号に変換する光吸収層17が積層し、光吸収層17は、エッチングストップ層16上にてメサ状に形成され、少なくとも光吸収層17の側壁面は、半導体よりなる半導体保護膜111で覆われ、エッチングストップ層16は、第1導電型半導体ないしノンドープ半導体よりなり、電界緩和層14は、第1導電型半導体とは逆導電型の第2導電型半導体よりなる。
【選択図】図1
Description
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にある。
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にある。
『n≦1.3×1017cm−3』であれば、上記範囲を満たす。
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にある場合、電界緩和層14とエッチングストップ層16との間のpn接合部では、ビルトインポテンシャル(p型半導体とn型半導体の間の電位差)により空乏化するため、導電型にのみ着目すると光吸収層17乃至増倍層13の間は『p/n−/p/n−』のサイリスタ的配置であるが、実際の動作においてはサイリスタ的I−V特性を示さず、通常のダイオード的I−V特性を示す。このため、動作電圧が上昇するというような問題が発生しない。
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にある。
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にある。
12、22、32 バッファ層(第1導電型半導体)
13、23、33 増倍層(第1導電型、ノンドープ半導体)
14、24、34 電界緩和層(第2導電型半導体)
16、26、36 エッチングストップ層(第1導電型半導体)
17、27、37 光吸収層(第2導電型半導体)
18、28、38 キャップ層(第2導電型半導体)
19、29、39 コンタクト層(第2導電型半導体)
110、210、310 第1メサ領域(受光領域)
111、211、311 半導体保護膜(第1、第2導電型、ノンドープ半導体)
112、212、312 誘電体保護膜(誘電体)
113、213、313 n電極
114、214、314 p電極
115、215 反射防止膜
116、216、316 第2メサ領域
25、35 バンド不連続緩和層(ノンドープ半導体)
35a 量子準位
41 第1導電型半導体基板(n+型InP)
42 第1導電型半導体バッファ層(n型InP)
43 半導体増倍層(ノンドープInAlGaAs/InAlAs)
44 第2導電型半導体電界緩和層(p+型InP)
45 第2導電型半導体光吸収層(p−型InGaAs)
46 第2導電型半導体キャップ層(p+型InP)
47 第2導電型半導体コンタクト層(p+型InGaAs)
48 受光領域
49 再成長半導体層(InAlAs、保護膜)
410 パッシベーション膜(SiN、ポリイミド、保護膜)
411 p電極
412 n電極
413 ARコート
Ec 伝導帯端
Ev 価電子帯端
Claims (10)
- 基板側から順に、電流信号を増幅する増倍層、前記増倍層内部の電界を緩和する電界緩和層、上層のエッチングの際に前記電界緩和層がエッチングされないようにするエッチングストップ層、光信号を電流信号に変換する光吸収層が積層し、
前記光吸収層は、前記エッチングストップ層上にてメサ状に形成され、
少なくとも前記光吸収層の側壁面は、半導体よりなる半導体保護膜で覆われ、
前記エッチングストップ層は、第1導電型半導体ないしノンドープ半導体よりなり、
前記電界緩和層は、前記第1導電型半導体とは逆導電型の第2導電型半導体よりなることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。 - 前記エッチングストップ層は、ノンドープInP、n−型InP、n型InP、ノンドープInGaAsP、n−型InGaAsP、及びn型InGaAsPのいずれか1つよりなることを特徴とする請求項1記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記エッチングストップ層のキャリア濃度nは、前記エッチングストップ層の層厚をdとし、前記エッチングストップ層の比誘電率をεrとし、エッチングストップ層のバンドギャップをEgとし、真空誘電率をε0とし、単位電荷量をqとすると、
『n≦2・εr・ε0・Eg/(q・d2)』を満たす範囲にあることを特徴とする請求項1又は2記載のアバランシェフォトダイオード。 - 前記倍増層は、n型InAlAs、n−型InAlAs、及びノンドープInAlAsのいずれか1つよりなり、
前記電界緩和層は、p型InAlAs又はp型InAlGaAsよりなり、
前記光吸収層は、p−型InGaAs又はp型InGaAsよりなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のアバランシェフォトダイオード。 - 前記電界緩和層と前記エッチングストップ層との間に配されるとともに、前記電界緩和層と前記エッチングストップ層との間のバンドの不連続性を緩和するバンド不連続緩和層を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記バンド不連続緩和層は、n−型InAlAsP層、又は、n−型InAlAs/n−型InP超格子層、若しくは、p型InAlAs/n−型InP超格子層よりなることを特徴とする請求項5記載のアバランシェフォトダイオード。
- 少なくとも前記エッチングストップ層から前記倍増層までの層は、前記基板上にてメサ状に形成されるとともに、前記光吸収層が形成された領域よりも大きい領域に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 少なくとも前記エッチングストップ層から前記倍増層までの層の側壁面、及び前記半導体保護膜は、誘電体よりなる誘電体保護膜で覆われていることを特徴とする請求項7記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記増倍層上にキャップ層及びコンタクト層を介してp電極が設けられ、
前記基板の表面の所定の領域上にn電極が設けられ、
前記基板の裏面に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載のアバランシェフォトダイオード。 - 前記増倍層上にキャップ層及びコンタクト層を介してp電極が設けられ、
前記基板の裏面上にn電極が設けられていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載のアバランシェフォトダイオード。
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