JP2007250585A - 半導体光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型InP基板101上に、n型バッファ層102、アンドープInAlAsキャリア走行層103、n型InAlAs電界緩和層104、アンドープInAlAs増倍層105、p型InAlAs電界緩和層106、p型濃度勾配InGaAs吸収層107、p型InPキャップ層108で構成されている。本構造ではキャリア走行層を厚くすることにより、容量の低減が可能となる。
【選択図】図1
Description
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態(本発明を適用した長波長帯用受光素子)の層構造を説明する図である。n型InP基板101上に、n型バッファ層102、アンドープInAlAsキャリア走行層103、n型InAlAs電界緩和層104、アンドープInAlAs増倍層105、p型InAlAs電界緩和層106、p型濃度勾配InGaAs吸収層107、p型InPキャップ層108を順次積層している。p型濃度勾配InGaAs吸収層107のp型不純物濃度は、p型InAlAs電界緩和層106との界面からp型InPキャップ層108との界面に向けてドーピング濃度が増加する。
図6は本発明を用いた裏面入射メサ型APDの斜視図である。図7は図6の受光領域の断面層構造である。図7の層構造について説明する。n型InP基板701上に、n型InPバッファ層702、アンドープInAlAsキャリア走行層(以下、単に、「アンドープキャリア走行層」もしくは「キャリア走行層」という場合がある。)703、n型InAlAs電界緩和層704、アンドープInAlAs増倍層(以下、単に、「増倍層」という場合がある。)705、p型InAlAs電界緩和層(以下、単に、「電界緩和層」という場合がある。)706、p型濃度勾配InGaAs光吸収層707、p型InPキャップ層708、p型InGaAsコンタクト層709を順次積層している。図6に示すように、受光領域はメサ構造である。メサ直径は20μmである。図6においてn型InP基板602側から信号光(入射光)を入射させる。入射光が効率よくn型InP基板602に入射するように裏面にはSiNからなるSiN AR膜601を形成する。メサ直上にはp型コンタクト電極603を設ける。n型コンタクト領域604はエッチングにより露出させたn型InPバッファ層上でコンタクトを取る。実装は、上記メサと整合する電極を有するセラミック基板などとバンプ実装をおこなう。
図12は本発明を用いた第3の実施の形態である導波型APDの構造である。ファイバとの結合効率を高める為、導波路幅が入射端で広いテーパ構造を採用した。入射光は吸収層と平行に入射し、光ガイド層1209、光吸収層1208、電界緩和層1207、増倍層1206、電界緩和層1205、キャリア走行層1204、光ガイド層1203からなる、導波領域を導波しながら吸収される。図13は、本実施例の代表的な層構造である。S.I.(Semi-Insulator)−InP基板1301上に、n型InPバッファ層1302、n型InAlGaAs光ガイド層1303、アンドープInAlAsキャリア走行層1304、n型電界緩和層1305、アンドープInAlAs増倍層1306、p型電界緩和層1307、p型濃度勾配InGaAs光吸収層1308、p型InAlGaAs光ガイド層1309、p型InPクラッド層1310を順次積層する。p型濃度勾配InGaAs光吸収層1308はp型電界緩和層1307との界面からp型InAlGaAs光クラッド層1309との界面に向けてドーピング濃度を増加させる。
102 n型バッファ層
103 アンドープInAlAsキャリア走行層
104 n型InAlAs電界緩和層
105 アンドープInAlAs増倍層
106 p型InAlAs電界緩和層
107 p型濃度勾配InGaAs光吸収層
108 p型InPキャップ層
201 InP基板
202 n型InP層
203 アンドープInAlAs増倍層
204 p型InAlAs電界緩和層
205 アンドープInGaAs光吸収層
206 p型InPキャップ層
401 InP基板
402 n型InP層
403 アンドープ増倍層
404 p型電界緩和層
405 アンドープキャリア走行層
406 p型光吸収層
407 p型キャップ層
501 基板
502 アンドープキャリア走行層
503 n型電界緩和層
504 アンドープ増倍層
505 p型電界緩和層
506 p型濃度勾配光吸収層
507 p型キャップ層
601 SiN AR膜
602 n型InP基板
603 p型コンタクト電極
604 n型コンタクト領域
605 n電極
701 n型InP基板
702 n型InPバッファ層
703 アンドープInAlAsキャリア走行層
704 n型InAlAs電界緩和層
705 アンドープInAlAs増倍層
706 p型InAlAs電界緩和層
707 p型濃度勾配InGaAs光吸収層
708 p型InPキャップ層
709 p型InGaAsコンタクト層
1101 アンドープInAlAsキャリア走行層
1102 n型電界緩和層
1103 アンドープInAlAs増倍層
1104 p型InAlAs電界緩和層
1105 アンドープInAlGaAs伝導帯不連続緩和層
1106 p型濃度勾配InGaAs光吸収層
1201 SiN膜
1202 InP基板
1203 光ガイド層
1204 キャリア走行層
1205 電界緩和層
1206 増倍層
1207 電界緩和層
1208 光吸収層
1209 光ガイド層
1210 ポリイミド
1211 p型電極
1212 n型電極
1301 S.I.−InP基板
1302 n型InPバッファ層
1303 n型InAlGaAsガイド層(4元化合物)
1304 アンドーブInAlAsキャリア走行層
1305 n型電界緩和層
1306 アンドーブInAlAs増倍層
1307 p型電界緩和層
1308 p型濃度勾配InGaAs吸収層
1309 p型InAlGaAsガイド層(4元化合物)
1310 p型InPクラッド層
1401 S.I.−InP基板
1402 n型InPバッファ層
1403 アンドープInAlAsキャリア走行層
1404 n型InAlAs電界緩和層
1405 アンドープInAlAs増倍層
1406 p型InAlAs電界緩和層
1407 p型濃度勾配InGaAs光吸収層
1408 p型InAlGaAs光ガイド層
1409 p型InPクラッド層
1501 S.I.−InP基板
1502 n型InPバッファ層
1503 アンドープInAlAsキャリア走行層
1504 n型電界緩和層
1505 アンドープInAlAs増倍層
1506 p型電界緩和層
1507 p型濃度勾配InGaAs光吸収層
1508 p型InAlGaAs光ガイド層
1509 p型InPクラッド層
Claims (13)
- 半導体基板上に、バッファ層、n型半導体層、アンドープキャリア走行層、n型電界制御層、アンドープ増倍層、p型電界制御層、p型光吸収層、p型半導体キャップ層が順に積層された構造を有し、
前記アンドープキャリア走行層および前記アンドープ増倍層は、入射光の波長より、組成波長が短い材料を用いて形成され、前記p型光吸収層は、入射光の波長より、組成波長の長い材料を用いて形成されることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子おいて、
動作状態では、前記アンドープキャリア走行層と前記n型電界制御層の界面での電界強度が350KV/cm以下であり、前記p型電界制御層と前記p型光吸収層の界面での電界強度が250KV/cm以下であることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子において、
前記p型光吸収層が、InGaAs、InGaAsP、又はInAlGaAsのいずれかを用いて形成されることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項3に記載の半導体光素子において、
前記p型光吸収層は、前記p型電界制御層側から前記p型半導体キャップ層に向けて、ドーピング濃度が増加する濃度勾配構造を有することを特徴とする半導体光素子。 - 請求項3に記載の半導体光素子において、
前記p型光吸収層は、p型電界制御層側からp型半導体キャップ層に向けて、組成波長が連続的または階段状に短波長化することを特徴とする半導体光素子。 - 請求項3に記載の半導体光素子において、
前記p型光吸収層は、前記p型電界制御層側から前記p型半導体キャップ層に向けて、ドーピング濃度が増加する濃度勾配構造を有し、かつ、p型電界制御層側からp型半導体キャップ層に向けて、組成波長が連続的または階段状に短波長化することを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子において、
前記アンドープキャリア走行層は、InP、InAlAs、InPと格子整合するInAlGaAs、又はInGaAsPのうち少なくともいずれか1つを用いて形成され、かつ、前記アンドープキャリア走行層が前記InAlGaAsまたは前記InGaAsPを用いて形成された場合には、組成波長は、入射光より短波長側であることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子において、
前記アンドープ増倍層は、InP、InAlAs、InPと格子整合するInAlGaAs、又はInGaAsPのうち少なくともいずれか1つを用いて形成され、かつ、前記アンドープ増倍層が前記InAlGaAsまたは前記InGaAsPを用いて形成された場合には、組成波長は、入射光より短波長側であることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の半導体受光素子において、
前記半導体光素子の形状がメサ形状を有し、かつ、請求項1に記載の各層を有することを特徴とする半導体光素子。 - 請求項9に記載の半導体光素子において、
前記入射光が前記p型光吸収層とほぼ垂直に入射することを特徴とする半導体光素子。 - 請求項9に記載の半導体光素子において、
前記入射光が前記p型光吸収層に平行または斜めから入射するメサ型構造であることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1に記載の半導体光素子において、
前記p型電界制御層、前記p型光吸収層の間にアンドープ層を設けることを特徴とする半導体光素子。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の半導体光素子を用いた受光モジュールおよびその装置。
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