JP2011195348A - 酸化物強誘電体の分極電場の増大法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
表面及び内部の強誘電体の自発分極を劣化させず、且つ、外部電場で反転しやすいようにするため、酸素等の構成元素の欠落と表面の結晶性の劣化を排除しつつ、自発分極から発生する電場を増大させる。
【解決手段】
酸化物強誘電体の表面に、酸素以外の気体元素を十分に低減した雰囲気で、酸素原子、酸素イオン、オゾンなどの活性酸素を低運動エネルギーで照射する。また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。
【選択図】図8
Description
〔実施例1〕 強誘電体試料として、表面積約0.5平方cm厚み約0.22mmのBaTiO3単結晶を用い、前処理として酸素分圧20%の大気圧中で1300℃で加熱処理し、標準的な洗浄(純水、エタノール、アセトンを用いた超音波洗浄)を施した。図2のように、試料搬入真空槽、処理用真空槽、測定用真空槽の3つの真空槽が連結された装置(日本電子製超高真空原子間力顕微鏡システムJSPM4610)の処理用真空槽に、アリオス株式会社製ECRラジカル発生源を取りつけた。以下、測定用真空槽は、常に1億分の1パスカルの超高真空である。これらの装置間の試料の移動は、真空を破ることなく(同一真空中)行い、処理用真空槽を経由して測定用真空槽に搬入し、ナノメータスケールの分解能持つケルビン力顕微鏡と呼ばれる測定により4μm四方の電位分布を測定したところ、図3のように分極正負の領域の電位差は約0.16Vであった。図4は、これを明確に示すために、図3の明暗の領域をよぎる断面の電位差をグラフ化したものである。
2 マイクロ波発生装置
3 処理用真空槽
4 試料
5 加速電源
6 真空ポンプ
7 導入用真空槽
8 測定用超真空槽
9 酸素純化槽
Claims (8)
- 酸化物強誘電体の表面に、低運動エネルギーの活性酸素を照射することを特徴とする自発分極からの電場の増強法。
- 酸化物強誘電体薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地の最表面に、低運動エネルギーの活性酸素を照射することを特徴とする自発分極からの電場の増強法。
- 前記活性酸素の照射を圧力10パスカル以下の真空で行い、活性酸素の運動エネルギーを100eV以下とすることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
- 請求項1または2の活性酸素が酸素原子、酸素原子イオン、酸素分子イオン、励起電子状態の酸素原子及び分子、または、オゾンであることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
- 前記活性酸素の主成分が酸素原子あることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
- 前記活性酸素が、電磁波中の電子サイクロトロン共鳴(ECR)により生成されることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
- 請求項1または2の処理に加えて、真空中、強誘電体のキュリー点近傍まで加熱後冷却することにより自発分極を変化させることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
- 請求項1またはの処理に加えて、真空中、外部電場印加で自発分極を変化させることを特徴とする強誘電体の自発分極からの電場の増強法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5659517B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105256376B (zh) * | 2015-11-18 | 2017-12-22 | 中国科学技术大学 | 一种控制铁电单晶电致形变取向的方法 |
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-
2010
- 2010-03-17 JP JP2010061312A patent/JP5659517B2/ja active Active
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JP5659517B2 (ja) | 2015-01-28 |
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