JP2011191273A - ウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハとが常温接合されており、センサウェハとパッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部が、センサウェハとパッケージウェハそれぞれの外表面に形成された蒸着膜若しくは熱酸化膜によって閉塞されている。
【選択図】図2
Description
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るウェハレベルパッケージ構造体の概略構成を示す上面図である。図2は、図1のII−II線に沿う断面図である。図3は、第1実施形態に係る圧力測定エレメントの概略構成を示す断面図である。図4は、第1実施形態に係る圧力測定デバイスの概略構成を示す断面図である。図5は、第1実施形態に係る圧力測定デバイスの製造方法を説明するための断面図であり、(a)は常温接合工程、(b)は除去工程を示す。図6は、第1実施形態に係る圧力測定デバイスの製造方法を説明するための断面図であり、(a)は第1形成工程、(b)はダイシング工程を示す。
次に、本発明の第2実施形態を、図7〜図9に基づいて説明する。図7は、第2実施形態に係るウェハレベルパッケージ構造体の概略構成を示す断面図であり、第1実施形態で示した図2に対応している。図8は、第2実施形態に係る圧力測定エレメントの概略構成を示す断面図であり、第1実施形態で示した図3に対応している。図9は、第2実施形態に係る圧力測定デバイスの概略構成を示す断面図であり、第1実施形態で示した図4に対応している。
次に、本発明の第3実施形態を、図10及び図11に基づいて説明する。図10は、第3実施形態に係る圧力測定デバイスの概略構成を示す断面図である。図11は、第3実施形態に係る圧力測定デバイスの製造方法を説明するための断面図であり、(a)は常温接合工程、(b)はダイシング工程、(c)は接続工程及び保護工程を示す。
20・・・パッケージウェハ
30・・・接合面
40・・・第1蒸着膜
41・・・熱酸化膜
42・・・第2蒸着膜
100・・・ウェハレベルパッケージ構造体
200・・・圧力測定エレメント
300・・・圧力測定デバイス
Claims (20)
- センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、
前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハと、を有し、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとが常温接合されてなるウェハレベルパッケージ構造体であって、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部が、前記センサウェハと前記パッケージウェハそれぞれの外表面に形成された第1蒸着膜によって閉塞されていることを特徴とするウェハレベルパッケージ構造体。 - 前記第1蒸着膜は、絶縁蒸着膜であることを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージ構造体。
- 前記第1蒸着膜は、金属蒸着膜であることを特徴とする請求項1に記載のウェハレベルパッケージ構造体。
- センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、
前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハと、を有し、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとが常温接合されてなるウェハレベルパッケージ構造体であって、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部を含む、前記センサウェハと前記パッケージウェハそれぞれの表層に形成された熱酸化膜によって、前記接合面における外周側の端部が閉塞されていることを特徴とするウェハレベルパッケージ構造体。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のウェハレベルパッケージ構造体から、前記センサ本体のサイズに基づいて、規定のサイズに分割されてなることを特徴とするセンサエレメント。
- 請求項5に記載のセンサエレメントのセンサ本体に、前記センシング部と電気的に接続された配線パターンと、該配線パターンと電気的に接続され、外表面に少なくとも一部が露出した電極と、が形成され、
前記電極とリードとが電気的に接続され、前記センサエレメントと前記リードとの電気的な接続部位が保護部材によって覆われていることを特徴とするセンサデバイス。 - 前記センサエレメントにおける前記保護部材から露出された表面に第2蒸着膜が形成され、
前記接合面における外周側の端部が、第1蒸着膜と前記第2蒸着膜、若しくは、熱酸化膜と前記第2蒸着膜とによって閉塞されていることを特徴とする請求項6に記載のセンサデバイス。 - センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハと、前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハと、を有し、前記センサウェハと前記パッケージウェハとが常温接合されてなるウェハレベルパッケージ構造体から、前記センサ本体のサイズに基づいて、規定のサイズに分割されてなるセンサエレメントと、
該センサエレメントのセンサ本体に、前記センシング部と電気的に接続された配線パターンと、該配線パターンと電気的に接続され、外表面に少なくとも一部が露出した電極と、が形成され、
前記電極とリードとが電気的に接続され、前記センサエレメントと前記リードとの電気的な接続部位が保護部材によって覆われており、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状に形成され、その環状の接合面における外周側の端部の一部が、前記保護部材から露出されており、
前記接合面における前記保護部材から露出された外周側の端部が、前記センサエレメントにおける前記保護部材から露出された外表面に形成された第2蒸着膜によって閉塞されていることを特徴とするセンサデバイス。 - 前記第2蒸着膜は、前記センサエレメントの外表面だけではなく、前記保護部材の外表面にも形成されており、
前記センサエレメントと前記保護部材との界面における外側の端部が、前記第2蒸着膜によって閉塞されていることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載のセンサデバイス。 - 前記センシング部は、圧電素子であり、
前記センサエレメントは、被測定媒体の圧力を測定する圧力測定エレメントであることを特徴とする請求項6〜9いずれか1項に記載のセンサデバイス。 - 前記センサウェハに、厚さが局所的に薄くなったダイヤフラムが形成され、前記ダイヤフラムに、前記圧電素子が形成されていることを特徴とする請求項10に記載のセンサデバイス。
- 前記第2蒸着膜は、絶縁蒸着膜であることを特徴とする請求項7〜11いずれか1項に記載のセンサデバイス。
- 前記第2蒸着膜は、金属蒸着膜であることを特徴とする請求項7〜11いずれか1項に記載のセンサデバイス。
- センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハ、及び、前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハを準備する準備工程と、
真空雰囲気中で、前記センサウェハ及び前記パッケージウェハそれぞれの対向面における、前記センシング部に対応する領域毎に設けられた接合面を活性化する活性化工程と、
該活性化工程後、真空雰囲気中で、前記センサウェハと前記パッケージウェハそれぞれの活性化された各接合面を接触させて、前記接合面同士を常温接合する常温接合工程と、
1つの前記センサ本体に対応する、前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状に成り、且つ、その環状の接合面における外周側の端部が外部に露出されるように、前記センサウェハと前記パッケージウェハにおける、所定の距離を置いて隣接するセンサ本体の間の領域を、所定深さまで除去する除去工程と、
外部に露出された前記接合面における外周側の端部を閉塞するように、前記センサウェハと前記パッケージウェハの外表面の少なくとも一部に、第1蒸着膜を形成する第1形成工程と、を有することを特徴とするウェハレベルパッケージ構造体の製造方法。 - センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハ、及び、前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハを準備する準備工程と、
真空雰囲気中で、前記センサウェハ及び前記パッケージウェハそれぞれの対向面における、前記センシング部に対応する領域毎に設けられた接合面を活性化する活性化工程と、
該活性化工程後、真空雰囲気中で、前記センサウェハと前記パッケージウェハそれぞれの活性化された各接合面を接触させて、前記接合面同士を常温接合する常温接合工程と、
1つの前記センサ本体に対応する、前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状に成り、且つ、その環状の接合面における外周側の端部が外部に露出されるように、前記センサウェハと前記パッケージウェハにおける、所定の距離を置いて隣接するセンサ本体の間の領域を、所定深さまで除去する除去工程と、
前記センサウェハと前記パッケージウェハにおける、前記接合面の外周側の端部を含む表層を熱酸化することで、前記センサウェハと前記パッケージウェハの表層に熱酸化膜を形成して、前記接合面における外周側の端部を閉塞する熱酸化工程と、を有することを特徴とするウェハレベルパッケージ構造体の製造方法。 - 請求項14又は請求項15に記載のウェハレベルパッケージ構造体の製造方法を経て形成されたウェハレベルパッケージ構造体から、前記センサ本体のサイズに基づいて、規定のサイズ毎に分割するダイシング工程を有することを特徴とするセンサエレメントの製造方法。
- 請求項16に記載のセンサエレメントの製造方法を経て形成されたセンサエレメントのセンサ本体に、前記センシング部と電気的に接続された配線パターンと、該配線パターンと電気的に接続され、外表面に少なくとも一部が露出した電極と、が形成されており、
前記電極とリードとを電気的に接続する接続工程と、
前記センサエレメントと前記リードとの電気的な接続部位を保護部材によって覆うことで保護する保護工程と、を有することを特徴とするセンサデバイスの製造方法。 - 前記センサエレメントにおける前記保護部材から露出された外表面に、第2蒸着膜を形成する第2形成工程を有し、
前記接合面における外周側の端部が、第1蒸着膜と前記第2蒸着膜、若しくは、熱酸化膜と前記第2蒸着膜とによって閉塞されていることを特徴とする請求項17に記載のセンサデバイスの製造方法。 - センシング部を有するセンサ本体が複数形成されたセンサウェハ、及び、前記センシング部を気密封止する空間を形成するための凹部が少なくとも1つ形成されたパッケージウェハを準備する準備工程と、
真空雰囲気中で、前記センサウェハ及び前記パッケージウェハそれぞれの対向面における、前記センシング部に対応する領域毎に設けられた接合面を活性化する活性化工程と、
該活性化工程後、真空雰囲気中で、前記センサウェハと前記パッケージウェハそれぞれの活性化された各接合面を接触させて、前記接合面同士を常温接合する常温接合工程と、
前記センサウェハと前記パッケージウェハとが常温接合されてなるウェハレベルパッケージ構造体から、前記センサ本体のサイズに基づいて、規定のサイズ毎に分割することで、センサエレメントを複数形成するダイシング工程と、を備え、
前記センサエレメントのセンサ本体に、前記センシング部と電気的に接続された配線パターンと、該配線パターンと電気的に接続され、外表面に少なくとも一部が露出した電極と、が形成されており、
前記電極とリードとを電気的に接続する接続工程と、
前記センサエレメントと前記リードとの電気的な接続部位を保護部材によって覆うことで保護する保護工程と、
前記センサエレメントにおける、前記保護部材から露出された外表面に、第2蒸着膜を形成する第2形成工程と、を有し、
前記ダイシング工程において、前記センサウェハと前記パッケージウェハとの接合面が環状となるように、前記ウェハレベルパッケージ構造体を前記センサエレメント毎に分割し、
前記保護工程において、前記接合面における外周側の端部の一部が、前記保護部材から露出されるように、前記センサエレメントと前記リードとの電気的な接続部位を保護部材によって覆い、
前記第2形成工程において、前記保護部材から露出された前記接合面の外周側の端部が閉塞されるように、前記第2蒸着膜を形成することを特徴とするセンサデバイスの製造方法。 - 前記第2形成工程において、前記センサエレメントと前記保護部材との界面における外側の端部が前記第2蒸着膜によって閉塞されるように、前記センサエレメントの外表面だけではなく、前記保護部材の外表面にも前記第2蒸着膜を形成することを特徴とする請求項18又は請求項19に記載のセンサデバイスの製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013234959A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2015045512A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JP2015045513A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JP2015197367A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP2015230242A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
US9983081B2 (en) | 2014-03-03 | 2018-05-29 | Denso Corporation | Pressure sensor |
JP2018130769A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
JP6425794B1 (ja) * | 2017-12-13 | 2018-11-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6201887B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2017-09-27 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP6265052B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2018-01-24 | 株式会社デンソー | 物理量センサ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07500224A (ja) * | 1991-10-12 | 1995-01-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体構成素子の製造法 |
JPH11311580A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Ltd | 高温用半導体圧力センサ |
JP3938198B1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 松下電工株式会社 | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント |
JP2008283030A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009047650A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | センサ装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07500224A (ja) * | 1991-10-12 | 1995-01-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 半導体構成素子の製造法 |
JPH11311580A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Ltd | 高温用半導体圧力センサ |
JP3938198B1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 松下電工株式会社 | ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサエレメント |
JP2008283030A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009047650A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | センサ装置およびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013234959A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2015045512A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JP2015045513A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
US9983081B2 (en) | 2014-03-03 | 2018-05-29 | Denso Corporation | Pressure sensor |
JP2015197367A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
JP2015230242A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
JP2018130769A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法 |
JP6425794B1 (ja) * | 2017-12-13 | 2018-11-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
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