JPH11311580A

JPH11311580A - 高温用半導体圧力センサ

Info

Publication number: JPH11311580A
Application number: JP10118171A
Authority: JP
Inventors: Kiyomitsu Suzuki; 清光鈴木; Kenji Tsuchida; 健二土田; Yasuhiro Asano; 保弘浅野; Masayuki Miki; 政之三木; Shinya Sato; 真也佐藤
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Car Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
Priority date: 1998-04-28
Filing date: 1998-04-28
Publication date: 1999-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】マイグレーションや酸化による短絡や断線など
のトラブルが起きない高温用半導体圧力センサを提供す
ることを目的とする。【解決手段】圧力検出部，パッド部及び圧力検出部とパ
ッド部を電気的に接続する配線部よりなる圧力検出デバ
イスの構造を細長い形状にし、前記圧力検出デバイスの
一方の端に圧力検出部、他方の端に圧力信号を取り出す
ためのパッド部を配置する。そして、圧力検出デバイス
の圧力検出部とパッド部の中間で圧力検出デバイスを固
定する部材に高耐熱性の接合材料で気密に接着する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体圧力センサに
関し、特に自動車エンジンの燃焼圧を検出する高温用半
導体圧力センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】本発明に係わる従来技術としては、例え
ば特願平7−338508 号公報などが知られている。圧力検
出部，リード引き出し部である金属配線部，圧力信号を
取り出すパッド部よりなる圧力検出デバイスの全体が高
温雰囲気に曝される構造であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】圧力検出部，リード引
き出し部である金属配線部，圧力信号を取り出すパッド
部よりなる圧力検出デバイスの全体が高温雰囲気に曝さ
れる構造であるため、信頼性に欠ける問題点があった。
即ち、金属配線部とパッドにおけるマイグレーションや
酸化による短絡や断線など、電気的な接続の信頼性に劣
っていた。

【０００４】本発明は以上の問題に鑑みてなされたもの
で、電気的な接続部の信頼性に優れた高温用半導体圧力
センサを提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】圧力検出部，パッド部及
び圧力検出部とパッド部を電気的に接続する配線部より
なる圧力検出デバイスの構造を細長い形状にし、前記圧
力検出デバイスの一方の端に圧力検出部，他方の端に圧
力信号を取り出すためのパッド部を配置する。そして、
圧力検出デバイスの圧力検出部とパッド部の中間で圧力
検出デバイスを固定する部材に高耐熱性の接合材料で気
密に接着する。こうすることにより、圧力検出部自体を
過酷な高温雰囲気に曝しても、パッド部を低温の状態に
実装することができる。また、圧力検出部とパッド部の
中間領域の温度雰囲気下に実装される配線部にはシリコ
ン材料を用いて電気的な接続を行う。金属材料による結
線からシリコン材料による結線に変えることにより、高
温雰囲気下における配線部のマイグレーションや酸化に
よる短絡や断線を防止することができる。

【０００６】上記のような対策を施すことにより、高温
雰囲気下における短絡や断線の起きない信頼性の高い高
温用の半導体圧力センサを得ることができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施例
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係わる高温
用半導体圧力センサの全体構成図である。第１のシリコ
ン基板１，熱酸化膜４，第２のシリコン基板２よりなる
ＳＯＩ基板の左端部側に圧力検出部，右端部側にパッド
１０を形成している。ＳＯＩ基板は第１のシリコン基板
１あるいは第２のシリコン基板２のいずれか一方あるい
はその両方に厚さが約１ミクロンの熱酸化膜４を形成し
た後、第１のシリコン基板１と第２のシリコン基板２を
張合せ、１１００℃以上の高温度で直接的に接合した基
板である。なお、第１のシリコン基板１は面方位が（１
００）のＰ型で、その厚さは数百ミクロンである。ま
た、第２のシリコン基板２も面方位が（１００）のＰ型
で、その厚さは数〜数十ミクロンである。第２のシリコ
ン基板２をエッチングして、ＳＯＩ基板の左端部側に空
所からなる圧力基準室８、この圧力基準室８内に第２の
シリコン基板２の一部で構成される複数の歪ゲージ６と
引き出し抵抗７を微細パターン化して形成している。歪
ゲージ６の厚さは約１ミクロンで熱酸化膜４の上に配置
され、第１のシリコン基板１と第３のシリコン基板３と
は電気的に絶縁されている。圧力基準室８を密封するよ
うにＳＯＩ基板上に、熱酸化膜５を介してキャップ用の
基板である第３のシリコン基板３を接合している。図に
示すように、圧力検出デバイスは細長い形状を有してお
り、圧力検出デバイスの中央付近の位置で高耐熱性の接
合材料１３で固定用部材１２に気密に接着されている。
圧力基準室８内に配置された歪ゲージ６，引き出し抵抗
７から圧力検出部は構成される。そして、この圧力検出
部を保護するように、孔９ａを有するカバー部材９を固
定用部材１２に取り付けている。カバー部材９は金属で
構成され、金属よりなる固定用部材１２に溶接などの手
法で接合される。圧力検出部が高温の被測定流体雰囲気
に曝されると、被測定流体がカバー部材９の孔９ａを介
して圧力検出部の周囲に流入する。圧力基準室８下部の
第１のシリコン基板１はダイアフラムとなり、このダイ
アフラム部分は被測定流体の圧力に応じて変形し、歪ゲ
ージ６の電気抵抗値を変化させる。この歪ゲージ６の抵
抗値変化をパッド１０、パッド１０に接続した導線１１
を介して外部に配置した信号処理回路で測定することに
より、高温の被測定流体の圧力を高精度に検出するもの
である。圧力検出デバイスが細長い形状を有しているた
めに、圧力検出部が高温雰囲気に曝されてもパッド１０
部の温度は比較的低温に保持される。結果として、パッ
ド１０部の電気的接続に関する信頼性が向上する。

【０００８】なお、後述する同一番号の要素は全て同じ
機能を有するものとして、以下の説明を行うことにす
る。

【０００９】図２は本発明による高温用半導体圧力セン
サの圧力検出デバイスの平面図を示したものである。即
ち、図１に示した圧力検出デバイスのキャップ用の基板
である第３のシリコン基板３を除去した第２のシリコン
基板２の平面図を示したものである。なお、前図の図１
は図２の位置Ａ−Ｂにおける断面図を示している。図２
において、熱酸化膜４の上に微細にパターン化された４
個の歪ゲージ６は４個の引き出し抵抗７によってブリッ
ジ回路を構成している。このブリッジ回路は導体路１５
を介して、この導体路１５の右端部側の表面に形成した
パッド１０と電気的に接続される。なお、この複数の導
体路１５は第２のシリコン基板２をエッチングして得ら
れた溝形状の空所１４で分離されている。このように、
導体路１５は金属材料ではなく第２のシリコン基板２と
同じシリコン材料で構成されるため、導体路１５を高温
雰囲気に長時間曝してもマイグレーションや酸化に起因
した断線や短絡などの問題点を防止できる。なお、第２
のシリコン基板２は単結晶シリコンでも、あるいは多結
晶シリコンでも良い。第２のシリコン基板２が多結晶シ
リコンのＳＯＩ基板は、熱酸化膜４を有する第１のシリ
コン基板１の表面に直接的に成膜することにより得られ
る。なお、歪ゲージ６を除いた第２のシリコン基板２の
残部である引き出し抵抗７と導体路１５はボロンなどの
不純物をドーピングすることにより、この部分を低抵抗
化している。

【００１０】次に、本発明による高温用半導体圧力セン
サの製造プロセスの概略を図３に示す。第１のシリコン
基板１，熱酸化膜４，第２のシリコン基板２よりなるＳ
ＯＩ基板の第２のシリコン基板２の表面部分をエッチン
グして、歪ゲージ部６と引き出し抵抗部７の厚さを決定
する。次に、歪ゲージ部６，引き出し抵抗部７，導体路
１５を分離するための空所１４の貫通エッチングを行
う。なお、歪ゲージ部６と引き出し抵抗部７を形成する
ときに、圧力基準室となる空所８が第２のシリコン基板
２の圧力検出部に加工される。そして、引き出し抵抗部
７と導体路部１５にボロンをドープして、この部分の抵
抗値を下げる。この後、キャップ用の基板である第３の
シリコン基板３を第２のシリコン基板２の上に、熱酸化
膜５を介して１１００℃以上の高温度で直接接合する。
圧力検出部の空所８下部のダイアフラムの厚さを決定す
るために、第１のシリコン基板１の裏面を研磨する。あ
るいは空所８下部の第１のシリコン基板１に凹部を形成
するようにエッチングしても良い。次に、第２のシリコ
ン基板２の導体路１５の右単部側に、金属の多層薄膜よ
りなるパッド１０をスパッタあるいは蒸着などの方法で
成膜する。圧力検出デバイスは少なくとも４インチ以上
のウエハでバッチ処理され、各圧力検出デバイスにダイ
シング加工される。

【００１１】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図４に示す。本図は歪ゲージ６とパッド１０
の電気的接続方法を変えたものである。キャップ用の基
板である第３のシリコン基板３にエッチングでスルーホ
ール１６を加工した後、第３のシリコン基板３の表面と
スルーホール１６の内面に熱酸化膜などの絶縁膜１７を
形成する。そして、スルーホール１６下部の第２のシリ
コン基板２の導体路１５とスルーホール１６の内壁及び
絶縁膜１７の上へ図に示すように、金属よりなる導体層
１８をスパッタや蒸着などの方法で形成する。この導体
層１８上に外部の信号処理回路と電気的接続を行うパッ
ド１０を成膜する。なお、導体層１８がパッド１０の機
能を兼用しても良い。なお、導体層１８は低温部に成膜
されるので、信頼性上の問題は発生しない。

【００１２】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図５に示す。本図は特に過酷な高温、腐食性
の雰囲気の被測定流体の圧力を測定する場合の圧力検出
デバイスの実装方法を示したもので、圧力検出デバイス
の周囲に高耐熱、高耐腐食性の材料でコーティング膜１
９を形成したものである。このコーティング膜１９はシ
リコンナイトライドやセラミックスで構成され、その厚
さは数ミクロン以下である。なお、コーティング膜１９
は少なくとも被測定雰囲気に直接曝される圧力検出部近
傍に成膜すれば良い。

【００１３】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図６に示す。歪ゲージ６を配置した空所８部
の下部の第１のシリコン基板１をエッチング加工して凹
み２０を設けることにより、ダイアフラム２１部の厚さ
を決定したものである。この場合、空所８下部のダイア
フラムの厚さを決定するために、第１のシリコン基板１
の裏面を研磨することは不要になる。

【００１４】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図７に示す。本図は第１のシリコン基板１，
熱酸化膜４，第２のシリコン基板２よりなるＳＯＩ基板
の上に接合するキャップ用基板である第３のシリコン基
板３の接着方法の別実施例を示したものである。即ち、
第３のシリコン基板３を高融点のガラス薄膜層２２で第
２のシリコン基板２へ接合している。

【００１５】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図８に示す。本図は図７に示した実施例にお
いて、第３のシリコン基板３の代わりにシリコンと比較
的に熱膨張係数の近いムライトなどのセラミックスから
なる基板を、高融点のガラス薄膜層２２で第２のシリコ
ン基板２へ接合した例である。

【００１６】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図９に示す。本図は歪ゲージ６とパッド１０
の電気的接続方法の他の実施例を示したものである。即
ち、キャップ用の基板であるセラミックス基板２３の一
部に設けたスルーホール内に導体層２４を充填し、この
導体層２４を介して第２のシリコン基板２中の導体路１
５とパッド１０を電気的に接続したものである。なお、
金属材料からなる導体層２４は低温部に形成されるの
で、信頼性上の問題は発生しない。

【００１７】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図１０に示す。本図は圧力検出部の検出原理
に、半導体歪ゲージ式に変えて、静電容量式を適用した
ものである。圧力検出デバイスは下部シリコン基板２５
と上部シリコン基板２６を絶縁層２７を介して接合した
構造よりなる。上部シリコン基板２６の一部に凸部２８
を設け、この凸部２８と下部シリコン基板２５間の空隙
２９の寸法が被測定流体の圧力に応じて変化すること
を、凸部２８と下部シリコン基板２５間の静電容量の変
化から検出するものである。図に示すように、パッド３
０，３１はそれぞれ上部シリコン基板２６，下部シリコ
ン基板２５の上に成膜される。圧力検出部とパッド間の
電気的接続にはシリコン基板自体が用いられるので、マ
イグレーションや酸化による断線やショートなどのトラ
ブルは発生しない。

【００１８】本発明による高温用半導体圧力センサの被
測定流体雰囲気への取り付け状態を図１１に示す。圧力
検出デバイス１００はその固定用部材１２を介して、高
温の被測定流体を閉じ込めた機器の容器や配管などの壁
３２に▼印のところで溶接により取り付けた例である。
圧力検出デバイスをこのように取り付けることにより、
圧力検出デバイスの左端部側に配置した圧力検出部が高
温状態に加熱されても、右端部側のパッド部は低温に保
持される。

【００１９】本発明による高温用半導体圧力センサの被
測定流体雰囲気への他の取り付け状態を図１２に示す。
圧力検出デバイス１００の固定用部材１２ａにはネジ１
２ｂが加工されており、このネジ１２ｂを介して高温の
被測定流体を閉じ込めた機器の容器や配管などの壁３２
ａに取り付けた例である。固定用部材１２ａの右端部側
はキャップ３３でカバーされており、このキャップ３３
内に信号処理回路などが実装され、導線３４を介して本
発明による高温用半導体圧力センサは外部のコントロー
ラなどと接続される。

【００２０】本発明による高温用半導体圧力センサの他
の実施例を図１３に示す。本図は図２のＣーＤ位置にお
ける圧力検出デバイスの断面図を示したものである。図
に示すように、圧力検出部の空所８は溝形状の空所１４
を介して外部の大気雰囲気に解放している。それ故、第
１のシリコン基板１，第２のシリコン基板２，第３のシ
リコン基板３を積層した圧力検出デバイスの左端部側に
配置した圧力検出部が破壊した場合、空所８から溝形状
の空所１４を介して、高温の被測定流体が外部の大気雰
囲気中に噴出することになる。これを防止するために、
第３のシリコン基板３に設けたスルーホール３５にガラ
スなどからなる高耐熱性のシール材料３５ａを気密に充
填している。なお、シール材料３５ａは圧力検出デバイ
スを固定用部材１２に固定する高耐熱性の接合材料１３
と同じ材料でも良い。この場合は、圧力検出デバイスを
固定用部材１２に高耐熱性の接合材料１３で接合する工
程で、空所１４の一部を気密に封止することも可能であ
る。この結果、空所１４の一部は気密にシールされ、圧
力検出部が破壊しても高温の被測定流体が外部に流出す
ることはなくなる。

【００２１】本発明による高温用半導体圧力センサの具
体的な応用例を図１４に示す。ピストン３７の上部にお
ける燃焼室３６内の燃焼圧を検出する目的に使用され
る。図において、３８はシリンダブロック、３９はガス
ケット、４０はシリンダヘッド、４１は吸気管、４２は
吸気バルブ、４３は排気管、４４は排気バルブ、４５は
点火プラグ、４６は燃料のインジェクタである。図に示
すように、本発明による高温用半導体圧力センサの圧力
検出デバイス１００を容易に、シリンダブロック３８や
ガスケット３９に実装することができる。また、本発明
による高温用半導体圧力センサは小型なので、点火プラ
グ４５やインジェクタ４６に内蔵させることもできる。

【００２２】本発明による高温用半導体圧力センサを内
蔵させた燃料インジェクタの概略図を図１５に示す。シ
リンダヘッド４０に装着されたインジェクタ４６は球弁
４７を開くことによって、燃焼室３６内に燃料を供給す
るものである。図に示すように、本発明による圧力検出
デバイス１００をインジェクタ４６の内部に接合、固定
したものである。圧力検出デバイス１００を燃料の供給
通路近くに実装したものである。この場合、圧力検出デ
バイス１００の先端部である圧力検出部は燃料によって
間接的に冷却されたため、燃焼ガスによって極端に加熱
されることはない。

【００２３】本発明による高温用半導体圧力センサを内
蔵させた燃料インジェクタの他の実施例を図１６に示
す。本図は、圧力検出デバイス１００の先端部である圧
力検出部を直接的に燃焼室３６内の凹み４８へ曝したも
のである。

【００２４】

【発明の効果】リード引き出し用の配線部である導体路
部と圧力信号を取り出すパッド部のマイグレーションや
酸化による短絡や断線などのトラブルが起きない、電気
的接続部の信頼性に優れた高温用半導体圧力センサを実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による高温用半導体圧力センサの全体構
成図を示した図。

【図２】本発明による高温用半導体圧力センサにおける
圧力検出デバイスの平面図を示した図。

【図３】本発明による高温用半導体圧力センサの概略製
造プロセスを示した図。

【図４】本発明による高温用半導体圧力センサの他の実
施例を示した図。

【図５】本発明による高温用半導体圧力センサの他の一
実施例を示した図。

【図６】本発明による高温用半導体圧力センサの他の一
実施例を示した図。

【図７】本発明による高温用半導体圧力センサの他の一
実施例を示した図。

【図８】本発明による高温用半導体圧力センサの他の一
実施例を示した図。

【図９】本発明による高温用半導体圧力センサの他の一
実施例を示した図。

【図１０】本発明による高温用半導体圧力センサの他の
一実施例を示した図。

【図１１】本発明による高温用半導体圧力センサの取り
付け状態を示した図。

【図１２】本発明による高温用半導体圧力センサの他の
取り付け状態を示した図。

【図１３】本発明による高温用半導体圧力センサの他の
一実施例を示した図。

【図１４】本発明による高温用半導体圧力センサの具体
的な応用例を示した図。

【図１５】本発明によるインジェクタ内蔵の高温用半導
体圧力センサの一実施例を示した図。

【図１６】本発明によるインジェクタ内蔵の高温用半導
体圧力センサの一実施例を示した図。

【符号の説明】

１…第１のシリコン基板、２…第２のシリコン基板、３
…キャップ用基板（第３のシリコン基板）、４，５…熱
酸化膜、６…歪ゲージ、７…引き出し抵抗、８…圧力基
準室（空所）、９…カバー部材、９ａ…孔、１０，３
０，３１…パッド、１１，３４…導線、１２，１２ａ…
固定用部材、１２ｂ…ネジ、１３…高耐熱性の接合材
料、１４…空所、１５…導体路、１６，３５…スルーホ
ール、１７…絶縁膜、１８，２４…導体層、１９…コー
ティング膜、２０…凹み、２１…ダイアフラム部、２２
…ガラス薄膜層、２３…キャップ用基板（セラミックス
基板）、２５…下部シリコン基板、２６…上部シリコン
基板、２７…絶縁層、２８…凸部、２９…空隙、３２，
３２ａ…壁、３３…キャップ、３５ａ…シール材料、３
６…燃焼室、３７…ピストン、３８…シリンダブロッ
ク、３９…ガスケット、４０…シリンダヘッド、４１…
吸気管、４２…吸気バルブ、４３…排気管、４４…排気
バルブ、４５…点火プラグ、４６…インジェクタ、４７
…球弁、４８…凹み、１００…圧力検出デバイス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者浅野保弘茨城県ひたちなか市高場2477番地株式会社日立カーエンジニアリング内 (72)発明者三木政之茨城県ひたちなか市大字高場2520番地株式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者佐藤真也茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体シリコン基板よりなる圧力センサに
おいて、圧力検出デバイスの構造が細長い形状を有し、
前記圧力検出デバイスの一方の端に圧力検出部、他方の
端に圧力信号を取り出すためのパッド部を配置し、前記
圧力検出デバイスの圧力検出部とパッド部の中間で前記
圧力検出デバイスを前記圧力検出デバイスの固定用部材
に高耐熱性の接合材料で気密に接合したことを特徴とす
る高温用半導体圧力センサ。
【請求項２】請求項１において、圧力検出デバイスは単
結晶シリコンよりなるベース基板の表面に熱酸化膜を介
して形成したシリコン層よりなるＳＯＩ基板にキャップ
用基板を気密に接合したものよりなり、圧力検出部は前
記ＳＯＩ基板表面の前記シリコン層をエッチングするこ
とによって設けた空所からなる圧力基準室を前記SOI基
板と前記キャップ用基板との間に設け、この圧力基準室
内に前記ＳＯＩ基板のシリコン層をエッチングして微細
パターン化した複数の歪ゲージを配置したことを特徴と
する高温用半導体圧力センサ。
【請求項３】請求項２において、ＳＯＩ基板のシリコン
層は単結晶シリコンあるいは多結晶シリコンからなるこ
とを特徴とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項４】請求項２または３において、圧力検出部の
歪ゲージ部とパッド部はＳＯＩ基板のシリコン層をエッ
チングして得られた複数の導体路で電気的に接続され、
そして各導体路は不純物をドープした低抵抗層よりな
り、且つ互いに溝形状の空所で絶縁されていることを特
徴とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項５】請求項１から４のいずれかにおいて、ＳＯ
Ｉ基板の表面に気密に接合されるキャップ用基板は単結
晶シリコン基板からなり、この単結晶シリコン基板の表
面に形成した熱酸化膜を介して前記ＳＯＩ基板表面のシ
リコン層へ直接的に接合されることを特徴とする高温用
半導体圧力センサ。
【請求項６】請求項１から４のいずれかにおいて、ＳＯ
Ｉ基板の表面に気密に接合されるキャップ用基板はムラ
イトなどのセラミックスからなり、前記ＳＯＩ基板表面
のシリコン層と高融点のガラス薄膜層で接合されること
を特徴とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項７】請求項１において、圧力検出デバイスの圧
力検出部は電極間の空隙寸法による静電容量の変化から
圧力を検出することを特徴とする高温用半導体圧力セン
サ。
【請求項８】請求項１から７のいずれかにおいて、細長
い形状を有する圧力検出デバイスの端部に配置されたパ
ッドはＳＯＩ基板のシリコン層をエッチングして得られ
た導体路の表面に成膜したことを特徴とする高温用半導
体圧力センサ。
【請求項９】請求項１から７のいずれかにおいて、細長
い形状を有する圧力検出デバイスの端部に配置されたパ
ッドはＳＯＩ基板のシリコン層の表面に気密に接合した
キャップ用基板の上に成膜したことを特徴とする高温用
半導体圧力センサ。
【請求項１０】請求項９において、細長い形状を有する
圧力検出デバイスの端部に配置されたパッドとＳＯＩ基
板のシリコン層をエッチングして形成された導体路と
は、キャップ用基板に設けたスルーホール内に成膜した
導体層を介して電気的に接続されたことを特徴とする高
温用半導体圧力センサ。
【請求項１１】請求項１から１０のいずれかにおいて、
圧力検出デバイスを前記圧力検出デバイスの固定用部材
に接合する高耐熱性の接合材料は高融点のガラス材料で
あることを特徴とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項１２】請求項１から１１のいずれかにおいて、
圧力検出デバイスが破壊して圧力検出部の空所である圧
力基準室から導体路を分離した溝を介して被測定流体が
外部に流出することを防ぐために、ＳＯＩ基板の表面に
気密に接合したキャップ用基板へ加工したスルーホール
を介して、前記溝の一部を耐熱性の材料で気密に充填し
たことを特徴とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項１３】請求項１から１２のいずれかにおいて、
圧力検出デバイスの少なくとも圧力検出部の周囲を高耐
熱性，高耐腐食性の材料でコーティングしたことを特徴
とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項１４】請求項１から１３のいずれかにおいて、
圧力検出デバイスの一方の端部である圧力検出部を囲む
ように被測定流体を導入する孔を持つカバー部材を前記
圧力検出デバイスの固定用部材に取り付けたことを特徴
とする高温用半導体圧力センサ。
【請求項１５】請求項１から１４のいずれかにおいて、
自動車エンジンの燃焼圧を検出する目的で圧力検出デバ
イスがエンジンのシリンダブロックあるいはシリンダヘ
ッドあるいはガスケットに装着されたことを特徴とする
高温用半導体圧力センサ。
【請求項１６】請求項１から１４のいずれかにおいて、
自動車エンジンの燃焼圧を検出する目的で圧力検出デバ
イスが燃料をエンジンに供給するインジェクタあるいは
点火プラグに内蔵されていることを特徴とする高温用半
導体圧力センサ。