JP2015534044A - Memsセンサおよびセンサデバイスを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001]本開示は、容量性微小電気機械システム(MEMS)センサに関する。
前記シリサイドが、前記キャップ層の上面に堆積させたシリサイド形成金属をアニールすることによって前記キャップ層内に形成されてもよい。
前記シリサイド形成金属がニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金のうちの1つまたは複数であってもよい。
前記センサデバイスが圧力センサデバイスであり、前記シリサイドが前記キャップ層の深さ全体にわたって形成されてもよい。
前記センサデバイスが圧電抵抗圧力センサであり、前記シリサイドが1つまたは複数の圧電抵抗素子への電気的接続を提供するように前記キャップ層の上部部分に形成されてもよい。
前記センサデバイスは、前記キャップ層の上部表面から下方へ延在する非シリコンスペーサであって、前記シリサイド部分の第1の領域を前記シリサイド部分の第2の領域から電気的に絶縁する前記非シリコンスペーサ、をさらに備えてもよい。
Claims (15)
- シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、
前記デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、
前記シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールして前記シリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップと、
を含む、センサデバイスを形成する方法。 - 前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、前記堆積させたシリサイド形成金属を急速熱アニールするステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコンキャップ層の前記上面から残留シリサイド形成金属をエッチングするステップ、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記シリサイド形成金属を堆積させるステップが、
ニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金から成るグループから選択されたシリサイド形成金属を堆積させるステップ、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
1秒〜10分の持続時間、前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
250℃〜800℃の範囲の温度で前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記アニール温度が450℃未満である、請求項6に記載の方法。
- 前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
前記キャップ層全体がシリサイドに変換されるように前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記シリサイド形成金属を堆積させる前に前記キャップ層内に少なくとも1つの非シリコンスペーサを形成するステップ、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 面内電極と、
前記面内電極の上部表面から離隔されたキャップ層と、
前記キャップ層内に画成された面外電極と、
前記キャップ層内に形成されたシリサイド部分と、
を備える、センサデバイス。 - 前記シリサイドが、前記キャップ層の上面に堆積させたシリサイド形成金属をアニールすることによって前記キャップ層内に形成される、請求項10に記載のセンサデバイス。
- 前記シリサイド形成金属がニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金のうちの1つまたは複数である、請求項11に記載のセンサデバイス。
- 前記センサデバイスが圧力センサデバイスであり、前記シリサイドが前記キャップ層の深さ全体にわたって形成される、請求項10に記載のセンサデバイス。
- 前記センサデバイスが圧電抵抗圧力センサであり、前記シリサイドが1つまたは複数の圧電抵抗素子への電気的接続を提供するように前記キャップ層の上部部分に形成される、請求項10に記載のセンサデバイス。
- 前記キャップ層の上部表面から下方へ延在する非シリコンスペーサであって、前記シリサイド部分の第1の領域を前記シリサイド部分の第2の領域から電気的に絶縁する前記非シリコンスペーサ、
をさらに備える、請求項10に記載のセンサデバイス。
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