JP2008283030A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008283030A JP2008283030A JP2007126589A JP2007126589A JP2008283030A JP 2008283030 A JP2008283030 A JP 2008283030A JP 2007126589 A JP2007126589 A JP 2007126589A JP 2007126589 A JP2007126589 A JP 2007126589A JP 2008283030 A JP2008283030 A JP 2008283030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- semiconductor substrate
- semiconductor layer
- semiconductor
- passivation film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】レジスト層をマスクとした異方性エッチングで絶縁膜5及び半導体基板1を選択的に除去し、半導体基板1の主面に対して実質的に垂直な側壁を有する溝8を形成する。次に、溝8に対して等方性エッチングする。これにより、溝8の内壁に生じた荒れは除去されて、溝8の内壁が平坦化される。また、同時に水平方向にもエッチングが進行し、溝8の上部10は、半導体基板1の表面側に近付くにつれて広がるように傾斜する。次に、溝8内にパッシベーション膜11を形成する。次に、所定のダイシングラインに沿って半導体基板1等を切断し、チップ状の個々の半導体装置を得る。
【選択図】図6
Description
5 支持体 6 アノード電極 7 カソード電極 8 溝
9 レジスト層 10 上部 11 パッシベーション膜
20 N+型半導体層 21 エミッタ電極 22 ベース電極
23 コレクタ電極 100 半導体基板 101 N−型半導体層
102 P型半導体層 103 絶縁膜 104 アノード電極
105 メサ溝 106 カソード電極 107 パッシベーション膜
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、
前記第1及び第2の半導体層の側面を覆うパッシベーション膜とを備え、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とは互いに接触してPN接合部を形成しており、
前記第1及び第2の半導体層の側面は、前記PN接合部では前記半導体基板の表面に対して垂直であり、
前記第2の半導体層の側面は、前記PN接合部より前記第2の半導体層の表面に近い部分に前記半導体基板の表面に対して傾斜している傾斜部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の表面上に形成された絶縁膜を備え、
前記絶縁膜の端部は、前記第2の半導体層の傾斜部と連続的に傾斜しており、
前記絶縁膜の端部が前記パッシベーション膜で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1導電型の第1の半導体層が形成された半導体基板を準備し、
前記第1の半導体層上に第2導電型の第2の半導体層を形成し、前記第1及び第2の半導体層によってPN接合部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面側から前記半導体基板の厚み方向の途中まで切削して、前記第1及び第2の半導体層の側面を露出させる溝を形成するとともに、前記第1及び第2の半導体層の側面を前記PN接合部では前記半導体基板の表面に対して垂直となるように加工する第1のエッチング工程と、
前記溝の内壁を平坦化させるとともに、前記溝の内壁のうち前記PN接合部よりも前記第2の半導体層の表面に近い部分を傾斜させる第2のエッチング工程と、
前記溝内にパッシベーション膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記パッシベーション膜を形成する工程は、前記溝内にペースト状の材料を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007126589A JP5074093B2 (ja) | 2007-05-11 | 2007-05-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007126589A JP5074093B2 (ja) | 2007-05-11 | 2007-05-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008283030A true JP2008283030A (ja) | 2008-11-20 |
JP5074093B2 JP5074093B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=40143593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007126589A Active JP5074093B2 (ja) | 2007-05-11 | 2007-05-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5074093B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011191273A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Denso Corp | ウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法 |
CN106098791A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-11-09 | 杭州赛晶电子有限公司 | U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法 |
CN113223959A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-06 | 黄山芯微电子股份有限公司 | 一种压接式二极管管芯制作方法 |
CN114171605A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-11 | 杭州赛晶电子有限公司 | 一种p型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58202560A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08288256A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Sony Corp | トレンチエッチング方法 |
JP2001024058A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Matsushita Electronics Industry Corp | コンタクトホールの形成方法 |
JP2001244325A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子 |
JP2003347306A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340484A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-11 JP JP2007126589A patent/JP5074093B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58202560A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08288256A (ja) * | 1995-04-13 | 1996-11-01 | Sony Corp | トレンチエッチング方法 |
JP2001024058A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Matsushita Electronics Industry Corp | コンタクトホールの形成方法 |
JP2001244325A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子 |
JP2003347306A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005340484A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011191273A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Denso Corp | ウェハレベルパッケージ構造体、センサエレメント、センサデバイス、及びそれらの製造方法 |
CN106098791A (zh) * | 2016-06-16 | 2016-11-09 | 杭州赛晶电子有限公司 | U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法 |
CN113223959A (zh) * | 2021-04-12 | 2021-08-06 | 黄山芯微电子股份有限公司 | 一种压接式二极管管芯制作方法 |
CN114171605A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-11 | 杭州赛晶电子有限公司 | 一种p型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5074093B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8426949B2 (en) | Mesa type semiconductor device | |
US7009239B2 (en) | Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US9536976B2 (en) | Trench schottky rectifier device and method for manufacturing the same | |
JP2018060924A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
KR101206382B1 (ko) | 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP5687128B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20100044839A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
CN113257921B (zh) | 半导体结构 | |
JP2018029178A (ja) | パワー半導体デバイスおよびこのようなパワー半導体デバイスの製造方法 | |
JP2018046251A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011204935A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP5509543B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7772677B2 (en) | Semiconductor device and method of forming the same having a junction termination structure with a beveled sidewall | |
JP2019046834A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN104733301A (zh) | 用于制造具有斜切边缘终止的半导体器件的方法 | |
TW201635537A (zh) | 半導體裝置 | |
JP2010147065A (ja) | 縦型半導体装置及びその製造方法 | |
JP5074093B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI470699B (zh) | 具有超級介面之溝槽型功率電晶體元件及其製作方法 | |
TWI405268B (zh) | 台型半導體裝置及其製造方法 | |
JP2010003988A (ja) | SiC膜の加工方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2018152522A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010141028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010212440A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI532193B (zh) | 溝渠式金氧半p-n接面二極體結構及其製作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100427 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20101215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110324 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110603 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120801 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5074093 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |