JP2011190434A - 絶縁塗料及びその製造方法並びにそれを用いた絶縁電線及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて得られる樹脂成分(X)と、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)及び4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)からなるジイソシアネート成分(Y)と、を合成反応させて得られる下記化学式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有するように構成する。
【選択図】図2
Description
本実施の形態に係る絶縁塗料は、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応(一段目合成反応)させて得られる樹脂成分(X)と、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)及び4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)からなるジイソシアネート成分(Y)と、を合成反応(二段目合成反応)させて得られる前記化学式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有して構成される。
樹脂成分(X)は、ジアミン成分と酸成分とを共沸溶剤の存在下で合成反応(一段目合成反応)させて得られる。
樹脂成分(X)を得るための一の合成反応成分であるジアミン成分は、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類である。このような3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類としては、例えば、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物を挙げることができる。なお、3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)は、上述の芳香族ジアミン類から2つのアミノ基を取り除いた残基(2価の芳香族基)が、それに相当する。また、ジアミン成分として3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類を用いるのは、このような構成のものを用いることによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂中におけるアミド基及びイミド基の存在比率を低下させることができ、これによって、ポリアミドイミド樹脂の誘電率を低下させて、部分放電電圧を高くすることができるからである。
樹脂成分(X)を得るための他の合成反応成分である酸成分としては、上述のジアミン成分と共沸溶剤の存在下で合成反応して樹脂成分(X)を合成するものであれば、特に制限はないが、例えば、芳香族トリカルボン酸無水物、芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。具体的には、トリメリット酸無水物(TMA)、ベンゾフェノントリカルボン酸無水物等を挙げることができる。中でも、コストの面から、トリメリット酸無水物(TMA)が好ましい。なお、ジアミン成分と酸成分との配合割合は、効率よく樹脂成分(X)を得ることができるものであれば特に制限はない。
樹脂成分(X)の合成反応(一段目合成反応)は、通常の溶媒、例えば、N−メチル−2−ピロリドン等に加えて、共沸溶剤の存在下で行う。これは、合成反応に伴う水を除去し易くして、イミド化率等の合成反応の効率を上昇させるためである。これによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料として絶縁電線等における被膜の形成に用いられる場合、30%伸長後の可とう性に優れた部分放電開始電圧の高い被膜を得ることができる。共沸溶剤としては、例えば、キシレン、トルエン、ベンゼン、エチルベンゼン等を挙げることができるが、中でも、危険・有害性の観点、及び本発明の特性をより効果的に発揮させる観点から、キシレンが好ましい。
本実施の形態の絶縁塗料に含有されるポリアミドイミド樹脂を最終的に得るために、上述の樹脂成分(X)と合成反応(二段目合成反応)させるジイソシアネート成分(Y)は、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)及び4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)からなるものである。
ジイソシアネート成分(Y)を構成する、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)との配合割合は、モル百分率[{Y1/(Y1+Y2)}×100]で、10〜90%であることが好ましく、25〜90%であることがさらに好ましく、40〜80%であることが最も好ましい。10〜90%の配合割合とすることによって、最終的に得られるポリアミドイミド樹脂を含有する絶縁塗料として絶縁電線等における被膜の形成に用いられる場合、高い部分放電開始電圧や優れた機械的強度(30%伸長後の可とう性)を効果的に得ることができる。特に、25〜90モル%の配合割合とすることによって、これらの特性に加え、導体との密着性(ピール試験や捻回試験)に優れた絶縁被膜を形成することができる。
一段目合成反応で得られた樹脂成分(X)と、ジイソシアネート成分(Y)との二段目合成反応の方法については、最終的にポリアミドイミド樹脂が効率よく得られるものであれば特に制限はない。例えば、ジイソシアネート成分(Y)を樹脂成分(X)に添加する場合、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)とを予め混合して混合物としてから樹脂成分(X)に添加してもよく、混合することなく単体のまま別々に樹脂成分(X)に添加してもよい。ただし、後者の場合は反応性を考慮する必要がある。また、ポリアミドイミド樹脂を得るための二段目合成反応時においては、塗料の安定性を阻害しないものであれば、アミン類、イミダゾール類、イミダゾリン類等の反応触媒を用いてもよい。また、二段目合成反応停止時にはアルコール等の停止剤を用いてもよい。このようにして、最終的に上記化学式(1)で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を得ることができる。
上述の二段目合成反応によって得られたポリアミドイミド樹脂を最終的な絶縁塗料に調製する方法としては、汎用の方法を用いることができる。
図1及び図2に示すように、本実施の形態に係る絶縁電線10は、上述の絶縁塗料を、導体1又は他の絶縁被膜(図示せず)上に塗布、焼付けすることによって形成された絶縁被膜2を有して構成される。なお、図1においては、円形形状の断面を有する絶縁電線10を、また図2においては、長方形状の断面を有する絶縁電線10をそれぞれ示す。
形成する場合に、特に有用である。
本実施の形態で得られた絶縁塗料を用いて絶縁電線の絶縁被膜を形成することにより、絶縁電線の30%伸長後の可とう性が1d(最小巻き付け倍径d)となり、圧延加工時やコイル成形時等に絶縁被膜に亀裂発生が発生することがない、すなわち、圧延加工時やコイル成形時等に絶縁被膜に亀裂等が発生することのない優れた機械的強度を有するとともに、従来と同じように高い部分放電開始電圧(970Vp以上の部分放電開始電圧)を有する絶縁電線を得ることができる。
(ポリアミドイミド樹脂Aの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が50/50(Y1のモル百分率が50%)になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Aを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Aを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Bの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が40/60(Y1のモル百分率が40%)になるように混合したジイソシアネート成分316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Bを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Bを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Cの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が25/75(Y1のモル百分率が25%)になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Cを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Cを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Dの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が80/20(Y1のモル百分率が80%)になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Dを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Dを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Eの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が90/10(Y1のモル百分率が90%)になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Eを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Eを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Fの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.2gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9g、共沸溶剤として、キシレン252gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させた。脱水反応中に生成された水及びキシレンを随時系外に排出しながら反応させて、樹脂成分(X)を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が10/90(Y1のモル百分率が10%)になるように混合したジイソシアネート316.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Fを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Fを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(部分放電開始電圧(PDIV))
実施例1〜6で得られた各絶縁電線の部分放電開始電圧(PDIV)の測定を行なった。ツイストペアのエナメル線試料を10個作製し、アビソフィックス装置で端部から10mm被覆樹脂を削った。その後、被覆樹脂乾燥のため、恒温槽にて125℃で30分間熱処理し、デシケータ中で室温になるまで18時間放置した。測定は、部分放電自動試験システム(総研電気(株)社製 DAC−PD−3)を用いて、23℃、湿度50%の雰囲気で、50Hzの電圧を10〜30V/sの割合で昇圧させ、エナメル線試料に100pCの放電が50回/秒で発生したときの電圧を部分放電開始電圧として測定した。その結果を表1に示す。
実施例1〜6で得られた各絶縁電線を30%伸長した後に、表面が滑らかで、導体径の1〜10倍の丸棒(巻き付け棒)に5巻分を1コイルとして、5コイル分巻き付けた。この巻き付け時に、絶縁被膜に亀裂発生が見られない最小巻き付け倍径(d)を可とう性とした。その結果を表1に示す。
実施例1〜6で得られた各絶縁電線の捻回試験を行なった。直線状試料電線を同軸上の250mm離れた2つのクランプに固定し、一方のクランプを回転させ、被膜が浮いた時点の回転角(回数;360°を1回とする)を測定した。その結果を表1に示す。
実施例1〜6で得られた各絶縁電線のピール試験を行なった。直線状試料電線を同軸上の250mm離れた2つのクランプに固定し、サンプルの長さ方向に平行な2辺の被膜を導体に達するまで取り除いた。その後、一方のクランプを回転させ、被膜が浮いた時点の
回転角(回数;360°を1回とする)を測定した。その結果を表1に示す。
(汎用ポリアミドイミド樹脂Gの合成)
攪拌棒、N2ライン、及びジムロート冷却管を取り付けた5Lの3つ口フラスコに、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート375.5g、トリメリット酸無水物(TMA)634.5gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)2375gを添加した後、150rpm、N21L/min、系中温度120℃で、30min攪拌した後に、155℃まで昇温し、3時間攪拌し、一段目合成反応の反応中間体を得た。その後、60℃まで冷却した後、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)375.5gを添加し150rpm、N2ライン、系中温度120℃で約1時間反応させた。その後、メタノール、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)を配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Gを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Gを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(従来法による従来ポリアミドイミド樹脂Hの合成)
攪拌機、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.3gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2542.1g、を添加した後、180rpm、N21L/min、系中温度160℃で4時間反応させ、一段目合成反応の反応中間体を合成した。その後、90℃まで冷却した後、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)319.7gを配合し、150rpm、N20.1L/min、系中温度120℃で1時間反応させた。その後、ベンジルアルコール89.3g、N,N−ジメチルホルムアミド635.4gを配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Hを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Hを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Iの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.3gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させて、一段目合成反応の反応中間体を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が5/95(Y1のモル百分率が5%)になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約2000〜3000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Iを得た。次いで、導体径0.82mmの銅線の外周にポリアミドイミド樹脂Iを塗布・焼付けし、45μmの絶縁被膜層からなる絶縁電線を作製した。
(ポリアミドイミド樹脂Jの合成)
攪拌機、還流冷却管、窒素流入管、及び温度計を備えたフラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)446.5g、トリメリット酸無水物(TMA)449.3gを配合し、溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン2515.9gを添加した後、攪拌回転数180rpm、窒素流量1L/min、系内温度180℃で、6時間反応させて、一段目合成反応の反応中間体を得た。90℃まで冷却した後、ジイソシアネート成分(Y)として、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)が95/5(Y1のモル百分率が95%)になるように混合したジイソシアネート成分313.4g配合し、攪拌回転数150rpm、窒素流量0.1L/min、系内温度140℃で、4時間反応させた。その後、ベンジルアルコール88.4g、N,N−ジメチルホルムアミドを628.9g配合して停止反応を行い、E型粘度計で測定した粘度が約1000mPa・sのポリアミドイミド樹脂Jを得た。しかし、粘度が低かったため、絶縁電線を作製するには至らなかった。
(部分放電開始電圧(PDIV))
比較例1〜4で得られた各絶縁電線に関して、実施例における場合と同様にして部分放電開始電圧(PDIV)の測定を行なった。結果を表2に示す。
比較例1〜4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にして可とう性を評価した。
比較例1〜4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にして捻回試験を行なった。
比較例1〜4で得られた各絶縁電線に関して、実施例に示す方法と同様にしてピール試験を行なった。
2 絶縁被膜
10 絶縁電線
Claims (11)
- 前記ジイソシアネート成分を構成する、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)との配合割合は、モル百分率[{Y1/(Y1+Y2)}×100]で、10〜90%である請求項1に記載の絶縁塗料。
- 前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類は、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である請求項1又は2に記載の絶縁塗料。
- 前記共沸溶剤は、キシレンである請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁塗料。
- 前記ジイソシアネート成分を構成する、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y1)と4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(Y2)との配合割合は、モル百分率[{Y1/(Y1+Y2)}×100]で、10〜90%である請求項5に記載の絶縁塗料の製造方法。
- 前記3つ以上の芳香環を有する2価の芳香族基(R)を有する芳香族ジアミン類は、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、及びこれらの異性体からなる群から選択される少なくとも1つの化合物である請求項5又は6に記載の絶縁塗料の製造方法。
- 前記共沸溶剤は、キシレンである請求項5〜7のいずれかに記載の絶縁塗料の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁塗料を、導体又は他の絶縁被膜上に塗布、焼付けすることによって形成された絶縁被膜を有する絶縁電線。
- 長方形状の断面を有する請求項9に記載の絶縁電線。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の絶縁塗料を、円形形状の断面を有する導体上に塗布、焼付けすることによって絶縁被膜を形成する工程と、
前記導体と前記絶縁被膜とを圧延加工して、長方形状の断面を有する絶縁電線とする工程とを含む絶縁電線の製造方法。
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