JP2011166751A5 - - Google Patents
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- フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、フォトダイオードを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトセンサより出力された第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。 - フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の信号を出力する第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。 - フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、画素部に設けられ、
前記フォトセンサは、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の信号を出力する第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項２または請求項３において、
前記フォトダイオードの他方の電極と前記第１のトランジスタのゲートとの間に第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記フォトダイオードの他方の電極に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第５の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタそれぞれは結晶性シリコンを有し、
前記第３のトランジスタは酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項５において、
前記酸化物半導体は、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一において、
前記フォトダイオードは、シリコンが用いられたｐｉｎフォトダイオード、またはシリコンが用いられたｐｎフォトダイオードであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至７のいずれか一において、
前記フォトセンサが第１の状態であるときに前記フォトセンサが生成した電気信号から得られた前記カウンタ回路の計数値を用いて、前記フォトセンサが第２の状態であるときに前記フォトセンサが生成した電気信号から得られた前記カウンタ回路の計数値を補正し、
前記フォトセンサが前記第１の状態のとき、前記カウンタ回路は計数値を減算し、
前記フォトセンサが前記第２の状態のとき、前記カウンタ回路は計数値を加算することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を具備する電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011002597A JP5727796B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010007249 | 2010-01-15 | ||
| JP2010007249 | 2010-01-15 | ||
| JP2011002597A JP5727796B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-10 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015075561A Division JP6025902B2 (ja) | 2010-01-15 | 2015-04-02 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011166751A JP2011166751A (ja) | 2011-08-25 |
| JP2011166751A5 true JP2011166751A5 (ja) | 2014-02-13 |
| JP5727796B2 JP5727796B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=44277590
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011002597A Active JP5727796B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-10 | 半導体装置 |
| JP2015075561A Expired - Fee Related JP6025902B2 (ja) | 2010-01-15 | 2015-04-02 | 半導体装置 |
| JP2016199897A Active JP6313393B2 (ja) | 2010-01-15 | 2016-10-11 | 半導体装置 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015075561A Expired - Fee Related JP6025902B2 (ja) | 2010-01-15 | 2015-04-02 | 半導体装置 |
| JP2016199897A Active JP6313393B2 (ja) | 2010-01-15 | 2016-10-11 | 半導体装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9871526B2 (ja) |
| JP (3) | JP5727796B2 (ja) |
| KR (1) | KR101733755B1 (ja) |
| CN (1) | CN102725961B (ja) |
| TW (1) | TWI587701B (ja) |
| WO (1) | WO2011086829A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102713999B (zh) | 2010-01-20 | 2016-01-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备和电子系统 |
| KR20190093706A (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
| KR101793534B1 (ko) * | 2011-01-05 | 2017-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토센서 및 그의 제조방법 |
| JP5902590B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2016-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101886445B1 (ko) | 2012-10-19 | 2018-08-07 | 현대자동차주식회사 | 차량용 슬라이딩 도어의 직선형 센터레일 링크 구조 |
| JP6093726B2 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9324747B2 (en) * | 2014-03-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
| JP6545541B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
| KR102553553B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
| KR102098700B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2020-04-08 | 네메시스 주식회사 | 개선된 동적 범위와 노이즈 특성을 가지는 포토 센싱 장치 |
| JP7169171B2 (ja) * | 2018-11-19 | 2022-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び距離計測装置 |
| KR20200108146A (ko) | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3678500A (en) * | 1970-08-04 | 1972-07-18 | Gen Electric | Analog digital converter |
| US4285584A (en) * | 1979-10-02 | 1981-08-25 | Polaroid Corporation | Photometric device |
| JPS642377A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Sony Corp | Photosensor |
| JPH02143573A (ja) | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Ricoh Co Ltd | 光電変換装置 |
| US5172117A (en) * | 1989-06-19 | 1992-12-15 | Linear Instruments | Analog to digital conversion using an integrater and a sample and hold circuit |
| US5168528A (en) * | 1990-08-20 | 1992-12-01 | Itt Corporation | Differential electronic imaging system |
| JPH07255013A (ja) | 1994-01-31 | 1995-10-03 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
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| JP3507336B2 (ja) | 1998-06-17 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP4192305B2 (ja) | 1998-08-27 | 2008-12-10 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
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| JP4112184B2 (ja) | 2000-01-31 | 2008-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エリアセンサ及び表示装置 |
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| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| JP2006165530A (ja) | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
| JP4725095B2 (ja) | 2004-12-15 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法 |
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| JP5005179B2 (ja) | 2005-03-23 | 2012-08-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
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| JP5013754B2 (ja) | 2005-06-13 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法 |
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| JP2007251074A (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Ricoh Co Ltd | 固体撮像素子及び装置 |
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| JP2008235477A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | フォトダイオードおよびそれを用いたフォトｉｃ |
| CN101669217B (zh) | 2007-06-21 | 2012-04-25 | 夏普株式会社 | 光检测装置和具备它的显示装置 |
| JP5142943B2 (ja) | 2007-11-05 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| US8124922B2 (en) * | 2008-05-21 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device including photoelectric conversion element and amplifier circuit having a thin film transistor |
| JP2009284388A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Olympus Corp | Ａ／ｄ変換回路および固体撮像装置 |
| US8334495B2 (en) * | 2008-06-25 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photometric device including a photoelectric conversion element for detecting illuminance of light |
| WO2010016449A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
| JP5317591B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-10-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| US8982099B2 (en) * | 2009-06-25 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and driving method of the same |
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-
2010
- 2010-12-16 WO PCT/JP2010/073256 patent/WO2011086829A1/en active Application Filing
- 2010-12-16 KR KR1020127020021A patent/KR101733755B1/ko active IP Right Grant
- 2010-12-16 CN CN201080061288.3A patent/CN102725961B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-04 US US12/984,061 patent/US9871526B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-05 TW TW100100328A patent/TWI587701B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-01-10 JP JP2011002597A patent/JP5727796B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-02 JP JP2015075561A patent/JP6025902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-10-11 JP JP2016199897A patent/JP6313393B2/ja active Active
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