JP2011165717A5 - - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010023461A JP2011165717A (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010023461A JP2011165717A (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011165717A JP2011165717A (ja) | 2011-08-25 |
| JP2011165717A5 true JP2011165717A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2013-01-17 |
Family
ID=44596087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010023461A Pending JP2011165717A (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011165717A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013031198A1 (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 薄膜形成基板の製造方法、薄膜素子基板の製造方法、薄膜基板及び薄膜素子基板 |
| WO2013030885A1 (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 薄膜形成基板の製造方法及び薄膜基板 |
| JP5899533B2 (ja) | 2011-11-29 | 2016-04-06 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 結晶性薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP6941473B2 (ja) * | 2017-04-26 | 2021-09-29 | 株式会社日本製鋼所 | ディスプレイの製造方法、ディスプレイ及び液晶テレビ |
| JP2021034693A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置および結晶化膜の形成方法 |
| WO2021039310A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4116465B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2008-07-09 | 株式会社日立製作所 | パネル型表示装置とその製造方法および製造装置 |
| JP4413569B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-02-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示パネルの製造方法及び表示パネル |
| JP2008053528A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法 |
| JP2009081383A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Displays Ltd | 薄膜半導体素子を備えた表示装置及び薄膜半導体素子の製造方法 |
| JP2009218524A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Hitachi Displays Ltd | 平面表示装置の製造方法および平面表示装置 |
-
2010
- 2010-02-04 JP JP2010023461A patent/JP2011165717A/ja active Pending