JP2011146644A - ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散している。その製造方法は、熱電変換材料の各構成元素の塩を溶解させ、かつ、フォノン散乱粒子を分散させた原料溶液を還元剤して、フォノン散乱粒子の表面に熱電変換材料の各構成元素を析出させ、水熱処理して、高融点相と低融点相とから成るマトリクス前躯体中にフォノン散乱粒子が分散した複合体を形成し、焼結して、多結晶マトリクス中にフォノン散乱粒子が分散した焼結体を形成し、熱処理することにより、結晶粒界の低融点相のみを溶融させ、溶融相中に近傍のフォノン散乱粒子を取り込ませて粒界相とする。
【選択図】図4
Description
熱電変換材料のマトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子を分散させたナノコンポジット熱電変換材料において、
マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散していることを特徴とする。
熱電変換材料のマトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子を分散させたナノコンポジット熱電変換材料の製造方法において、
熱電変換材料の各構成元素の塩を溶解させ、かつ、フォノン散乱粒子を分散させた原料溶液を調製する第1工程、
上記原料溶液に還元剤を滴下して、上記フォノン散乱粒子の表面に上記熱電変換材料の各構成元素を析出させてスラリーを形成する第2工程、
上記スラリーを水熱処理して、相対的に高融点の高融点合金相と低融点の低融点合金相とから成るマトリクス前躯体中に上記フォノン散乱粒子が分散した複合体を形成する第3工程、
上記複合体を焼結して、多結晶マトリクス中に上記フォノン散乱粒子が分散した焼結体を形成する第4工程、および
上記焼結体を熱処理することにより、該焼結体の結晶粒界において上記低融点合金相のみを選択的に溶融させ、生成した低融点溶融相中に近傍の上記フォノン散乱粒子を取り込ませ、上記低融点合金相中に該フォノン散乱粒子が分散した複合体としての粒界相を形成する第5工程、
を含むことを特徴とする。
工程3の水熱処理の条件を240℃×48hとして均一に合金化した以外は実施例1と同様の条件および手順により、実施例1の工程4までを行なって、粒界相は生成させずにナノコンポジット熱電変換材料を作製した。また、第1工程において塩化アンチモン(SbCl3)の配合量はSb量が化学量論値となるように1.24gとし、第3工程において第2のフォノン散乱粒子Sb2O3は生成させなかった。すなわち、比較例1は、フォノン散乱粒子としてはSiO2粒子のみが存在し、かつ粒界相12は生成しておらず、その他の点では実施例1と同様のナノコンポジット熱電変換材料である。
フォノン散乱粒子としてSiO2およびSb2O3を分散させたが、粒界相は生成させないナノコンポジット熱電変換材料を、下記の条件および手順で作製した。すなわち、比較例2は、粒界相が生成していない以外は実施例1と同様のナノコンポジット熱電変換材料である。
下記文献(*)に開示されている熱電変換材料の特性を従来例として比較に用いた。従来例は、実施例とほぼ等しい組成の熱電変換材料であり、フォノン散乱粒子を用いていない。
(*:Journd of Crystal Growth 277(2003)258−263.)
実施例で作製した本発明のナノコンポジット熱電変換材料の特性を評価した結果を図6、図7、図8に示す。図には、比較例1,2および従来例の特性も併せて示す。
Claims (3)
- 熱電変換材料のマトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子を分散させたナノコンポジット熱電変換材料において、
マトリクスが多結晶組織からなり、結晶粒とは異なる組成の結晶粒界相が存在し、結晶粒内および結晶粒界相内に同一種類のフォノン散乱粒子が分散していることを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料。 - 熱電変換材料のマトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子を分散させたナノコンポジット熱電変換材料の製造方法において、
熱電変換材料の各構成元素の塩を溶解させ、かつ、フォノン散乱粒子を分散させた原料溶液を調製する第1工程、
上記原料溶液に還元剤を滴下して、上記フォノン散乱粒子の表面に上記熱電変換材料の各構成元素を析出させてスラリーを形成する第2工程、
上記スラリーを水熱処理して、相対的に高融点の高融点合金相と低融点の低融点合金相とから成るマトリクス前躯体中に上記フォノン散乱粒子が分散した複合体を形成する第3工程、
上記複合体を焼結して、多結晶マトリクス中に上記フォノン散乱粒子が分散した焼結体を形成する第4工程、および
上記焼結体を熱処理することにより、該焼結体の結晶粒界において上記低融点合金相のみを選択的に溶融させ、生成した低融点溶融相中に近傍の上記フォノン散乱粒子を取り込ませ、上記低融点合金相中に該フォノン散乱粒子が分散した複合体としての粒界相を形成する第5工程、
を含むことを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。 - 上記第1工程において、上記原料溶液に、上記熱電変換材料の各構成元素のうち、少なくとも1種を室温における固溶限に対して過剰量を溶解させ、
上記第3工程において、上記マトリクス前躯体中に上記過剰量の構成元素を析出させて第2のフォノン散乱粒子として分散させ、
上記第5工程において、上記フォノン散乱粒子と共に上記第2のフォノン散乱粒子も分散した上記粒界相を形成する
ことを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041621A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社村田製作所 | バルク熱電変換素子材料およびその製造方法 |
JP2015056491A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2016127210A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社日本触媒 | 炭素材料複合組成物 |
JP2017050505A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料および熱電変換モジュール |
JP2018190906A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料及び熱電変換モジュール |
JP2020080417A (ja) * | 2016-07-12 | 2020-05-28 | 学校法人東京理科大学 | 多結晶性マグネシウムシリサイドおよびその利用 |
JP7390001B2 (ja) | 2017-02-16 | 2023-12-01 | ウェイク フォレスト ユニバーシティ | 複合ナノ粒子組成物およびアセンブリ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5418146B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法 |
US9847470B2 (en) * | 2011-04-26 | 2017-12-19 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of producing thermoelectric material |
US10672966B2 (en) * | 2011-05-27 | 2020-06-02 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Method of producing thermoelectric material |
JP5714660B2 (ja) * | 2013-07-11 | 2015-05-07 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
EP3226315B1 (en) * | 2014-12-16 | 2020-02-26 | LG Chem, Ltd. | Thermoelectric powder and thermoelectric material prepared using the same |
CN109713115B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-06-09 | 昆明理工大学 | 一种Cu-Se-S体系热电材料及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0974229A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電変換材料及びその製法 |
JP2000261044A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換材料とその製造方法 |
JP2004063768A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Shoichi Tomiyoshi | 熱電材料およびその製造方法 |
JP2008305919A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2009141127A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4286053B2 (ja) | 2003-05-08 | 2009-06-24 | 株式会社Ihi | 熱電半導体材料、該熱電半導体材料による熱電半導体素子、該熱電半導体素子を用いた熱電モジュール及びこれらの製造方法 |
CN101356659A (zh) * | 2005-12-07 | 2009-01-28 | 丰田自动车株式会社 | 热电转换材料及其制造方法 |
JP4900480B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-03-21 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2008305907A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子の製造方法 |
JP5262660B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2013-08-14 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換素子の製造方法 |
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JP4715953B2 (ja) | 2008-10-10 | 2011-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料、それを用いた熱電変換素子およびナノコンポジット熱電変換材料の製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0974229A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-03-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電変換材料及びその製法 |
JP2000261044A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 熱電変換材料とその製造方法 |
JP2004063768A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Shoichi Tomiyoshi | 熱電材料およびその製造方法 |
JP2008305919A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子及びその製造方法 |
JP2009141127A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015041621A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 株式会社村田製作所 | バルク熱電変換素子材料およびその製造方法 |
JP2015056491A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | トヨタ自動車株式会社 | ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法 |
JP2016127210A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社日本触媒 | 炭素材料複合組成物 |
JP2017050505A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料および熱電変換モジュール |
JP2020080417A (ja) * | 2016-07-12 | 2020-05-28 | 学校法人東京理科大学 | 多結晶性マグネシウムシリサイドおよびその利用 |
JP7042517B2 (ja) | 2016-07-12 | 2022-03-28 | 学校法人東京理科大学 | 多結晶性マグネシウムシリサイドおよびその利用 |
JP7390001B2 (ja) | 2017-02-16 | 2023-12-01 | ウェイク フォレスト ユニバーシティ | 複合ナノ粒子組成物およびアセンブリ |
JP2018190906A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料及び熱電変換モジュール |
Also Published As
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