JP2011134966A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜の上に、第1の導電膜20、強誘電体膜21、及び第2の導電膜を形成する工程と、第2の導電膜の上にハードマスク23aを形成する工程と、ハードマス23aをマスクにし、第2の導電膜をエッチングして上部電極22aにする工程と、強誘電体膜21をパターニングしてキャパシタ誘電体膜にする工程と、第1の導電膜20をエッチングして下部電極にする工程とを有し、第2の導電膜をエッチングする工程において、上部電極22aの横に強誘電体膜21が露出したときに、エッチング雰囲気が、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まない雰囲気となっている。
【選択図】図11
Description
図4〜図18は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図であり、図19〜図26はその平面図である。
前記絶縁膜の上に、第1の導電膜、強誘電体膜、及び第2の導電膜をこの順に形成する工程と、
前記第2の導電膜の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにしながら、前記第2の導電膜をエッチングして強誘電体キャパシタの上部電極にする工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記強誘電体膜をパターニングして前記強誘電体キャパシタのキャパシタ誘電体膜にする工程と、
前記第1の導電膜をエッチングして前記強誘電体キャパシタの下部電極にする工程とを有し、
前記第2の導電膜をエッチングする工程において、前記上部電極の横に前記強誘電体膜が露出したときに、エッチング雰囲気が、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まない雰囲気となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
ハロゲンガスを含む第1のエッチングガスにより前記第2の導電膜を途中の深さまでエッチングする第1のステップと、
前記第1のステップの後、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まない第2のエッチングガスを用いて、前記第2の導電膜の残りをエッチングする第2のステップとを有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
酸素ガスを含み且つハロゲンを含まないエッチングガスにより前記第2の導電膜を途中の深さまでエッチングする第1のステップと、
前記第1のステップの後、前記エッチングガスにおける前記酸素ガスの流量比を前記第1のステップにおけるよりも高めて、前記第2の導電膜の残りをエッチングする第2のステップとを有することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記強誘電体膜をエッチングする工程において、前記キャパシタ誘電体膜を、前記複数の上部電極のそれぞれに共通のストライプ状に形成することを特徴とする付記1〜9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (5)
- 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に、第1の導電膜、強誘電体膜、及び第2の導電膜をこの順に形成する工程と、
前記第2の導電膜の上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクにしながら、前記第2の導電膜をエッチングして強誘電体キャパシタの上部電極にする工程と、
前記マスクパターンを除去する工程と、
前記強誘電体膜をパターニングして前記強誘電体キャパシタのキャパシタ誘電体膜にする工程と、
前記第1の導電膜をエッチングして前記強誘電体キャパシタの下部電極にする工程とを有し、
前記第2の導電膜をエッチングする工程において、前記上部電極の横に前記強誘電体膜が露出したときに、エッチング雰囲気が、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まない雰囲気となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の導電膜をエッチングする工程は、
ハロゲンガスを含む第1のエッチングガスにより前記第2の導電膜を途中の深さまでエッチングする第1のステップと、
前記第1のステップの後、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まない第2のエッチングガスを用いて、前記第2の導電膜の残りをエッチングする第2のステップとを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の導電膜をエッチングする工程は、
酸素ガスを含み且つハロゲンを含まないエッチングガスにより前記第2の導電膜を途中の深さまでエッチングする第1のステップと、
前記第1のステップの後、前記エッチングガスにおける前記酸素ガスの流量比を前記第1のステップにおけるよりも高めて、前記第2の導電膜の残りをエッチングする第2のステップとを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の導電膜をエッチングするステップは、酸素ガスを含み且つハロゲンを含まないエッチングガスにより、前記第2の導電膜を一括してエッチングすることにより行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の導電膜をエッチングする工程において、前記上部電極を間隔をおいて複数形成し、
前記強誘電体膜をエッチングする工程において、前記キャパシタ誘電体膜を、前記複数の上部電極のそれぞれに共通のストライプ状に形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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