JP2011124566A - 注入されたドーパントを選択的に活性化するためのレーザ・アニーリングを使用して半導体デバイスを製造するための方法 - Google Patents
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- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 13
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 8
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
【解決手段】RC−IGBTまたはBIGTなどのような半導体デバイスは、半導体基板7の同じ側に、第一の導電性タイプのドーパントでドープされた部分領域15、及び第二の導電性タイプのドーパントでドープされた領域13の両方を有している。この方法は、(a)パターンが形成される表面3に、第一の導電性タイプのドーパントを注入し、第二の導電性タイプのドーパントを注入する、(b)パターンが形成される表面の部分領域15をレーザ・アニーリングで使用されるものと同様なレーザ・ビームで局所的に加熱することにより、第一の導電性タイプのドーパントを局所的に活性化する、(c)第一の温度より低い第二の温度まで、基板7を加熱することにより、第二の導電性タイプのドーパントを活性化することで構成される。
【選択図】図2
Description
(b) パターンが形成される表面の部分領域を、レーザ・ビームを使用して、第一の温度まで局所的に加熱することにより、第一の導電性タイプのドーパントを局所的に活性化する;
(c) 基板を、第一の温度より低い第二の温度まで加熱することにより、第二の導電性タイプのドーパントを活性化する。
これらの図の中で使用されている参照符号及びそれらの意味は、末尾に添付された参照符号のリストの中にまとめられている。これらの図は、概略的にのみ描かれ、正確な縮尺では描かれていない。一般的に、同等なまたは同等に機能する部分には、同一の参照符号が与えられている。説明された実施形態は、例として意図されており、本発明を限定するものではない。
Claims (15)
- 半導体基板(7)の同じ側に、第一の導電性タイプのドーパントでドープされた少なくとも一つの部分領域(15)、及び第二の導電性タイプのドーパントでドープされた少なくとも一つの領域(13)を有する、パターンが形成された表面(3)を有する半導体デバイス(1)を製造するための方法であって:
− パターンが形成される表面(3)に、第一の導電性タイプのドーパントを注入し、且つ第二の導電性タイプのドーパントを注入し;
− レーザ・ビームを使用して、パターンが形成される表面の前記少なくとも一つの部分領域(15)を第一の温度まで局所的に加熱することにより、第一の導電性タイプのドーパントを局所的に活性化し;
− 半導体基板(7)を第一の温度より低い第二の温度まで加熱することにより、第二の導電性タイプのドーパントを活性化する;
方法において、
第一の導電性タイプのドーパントは、前記部分領域(15)の中に第二の導電性タイプのドーパントより高いドーピング濃度まで注入されて活性化され、それにより、第二の導電性タイプのドーパントを局所的に過剰に補償すること、を特徴とする方法。 - 下記特徴を有する請求項1に記載の方法:
第一の導電性タイプのドーパントは、pタイプのドーピングを形成する硼素及びアルミニウムの内の少なくとも一つである。 - 下記特徴を有する請求項1または2に記載の方法:
第二の導電性タイプのドーパントは、nタイプのドーピングを形成する燐及び砒素の内の少なくとも一つである。 - 下記特徴を有する請求項1から3の何れか1項に記載の方法:
第一の温度は、850℃より高い。 - 下記特徴を有する請求項1から4の何れか1項に記載の方法:
第二の温度は、650℃より低い。 - 下記特徴を有する請求項1から5の何れか1項に記載の方法:
第一の導電性タイプのドーパントは、1e13/cm2から1e16/cm2までの範囲のドーズ量の少なくとも一つで、且つ、5keVから200keVまでの範囲のエネルギーで注入される。 - 下記特徴を有する請求項1から6の何れか1項に記載の方法:
第二の導電性タイプのドーパントは、1e12/cm2から1e16/cm2までの範囲のドーズ量の少なくとも一つで、且つ、50keVから600keVまでの範囲のエネルギーで注入される。 - 下記特徴を有する請求項1から7の何れか1項に記載の方法:
第一の導電性タイプのドーパントは、第二の導電性タイプのドーパントと比べて、より少ない深さまで注入される。 - 下記特徴を有する請求項1から8の何れか1項に記載の方法:
第一の導電性タイプのドーパントが注入される領域と、第二の導電性タイプのドーパントが注入される領域が、少なくとも部分的に重複する。 - 下記特徴を有する請求項1から9の何れか1項に記載の方法:
第一の導電性タイプのドーパントを局所的に活性化するプロセス工程は、局所的に活性化される部分領域に沿ってレーザ・アニーリング装置のレーザ・ビームを走査することにより、実施される。 - 下記特徴を有する請求項10に記載の方法:
レーザ・エネルギー及び走査速度は、基板の表層レイヤ(11)が一時的に第一の温度まで加熱されるように調整され、この表層部分は、1μmより小さい深さを有している。 - 下記特徴を有する請求項1から11の何れか1項に記載の方法:
パターンが形成される表面(3)の部分領域(15)を、レーザ・ビームを使用して、第一の温度まで局所的に加熱する工程に続いて、基板(7)を第二の温度まで加熱するプロセス工程が、シンタリング工程として実施される。 - 下記特徴を有する請求項12に記載の方法:
フロント側構造を作り出すためのプロセス工程を更に有しており、このフロント側構造を作り出すためのプロセス工程の後に、注入して活性化する前記プロセス工程が実施される。 - 下記特徴を有する請求項1から13の何れか1項に記載の方法:
前記半導体デバイス(1)は、逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(RC−IGBT)及びバイモード絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(BIGT)の内の一つであって、
前記パターンを有する側は、半導体デバイス(1)のリア側である。 - 下記特徴を有する請求項1から13の何れか1項に記載の方法:
前記半導体デバイス(1)は、ダイオードである。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09178466A EP2360717B1 (en) | 2009-12-09 | 2009-12-09 | Method for producing a semiconductor device using laser annealing for selectively activating implanted dopants |
EP09178466.0 | 2009-12-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011124566A true JP2011124566A (ja) | 2011-06-23 |
JP5718026B2 JP5718026B2 (ja) | 2015-05-13 |
Family
ID=42102468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010252592A Active JP5718026B2 (ja) | 2009-12-09 | 2010-11-11 | 注入されたドーパントを選択的に活性化するためのレーザ・アニーリングを使用して半導体デバイスを製造するための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8501548B2 (ja) |
EP (1) | EP2360717B1 (ja) |
JP (1) | JP5718026B2 (ja) |
CN (1) | CN102097306B (ja) |
AT (1) | ATE551719T1 (ja) |
ES (1) | ES2384428T3 (ja) |
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- 2009-12-09 AT AT09178466T patent/ATE551719T1/de active
- 2009-12-09 ES ES09178466T patent/ES2384428T3/es active Active
- 2009-12-09 EP EP09178466A patent/EP2360717B1/en active Active
-
2010
- 2010-11-11 JP JP2010252592A patent/JP5718026B2/ja active Active
- 2010-11-22 US US12/951,334 patent/US8501548B2/en active Active
- 2010-12-09 CN CN201010592347.1A patent/CN102097306B/zh active Active
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---|---|
US20110136300A1 (en) | 2011-06-09 |
ATE551719T1 (de) | 2012-04-15 |
EP2360717B1 (en) | 2012-03-28 |
CN102097306A (zh) | 2011-06-15 |
JP5718026B2 (ja) | 2015-05-13 |
EP2360717A1 (en) | 2011-08-24 |
US8501548B2 (en) | 2013-08-06 |
ES2384428T3 (es) | 2012-07-04 |
CN102097306B (zh) | 2015-02-25 |
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