JP6398861B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
100:半導体基板
100a:表面
100b:裏面
101:コレクタ層
102:ドリフト層
103:バッファ層
104:第1ボディ層
105:エミッタ層
106:第2ボディ層
110:ライフタイム制御領域
120:トレンチゲート
121:トレンチ
122:ゲート絶縁膜
123:ゲート電極
141:表面電極
142:裏面電極
201、203:領域
220:熱緩衝層
D1、D2、D3:領域
Claims (1)
- 半導体基板の表面側の第1領域に表面構造が形成され、前記半導体基板の裏面側の第2領域に拡散層が形成される縦型半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板内の前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域に第1不純物を注入して、前記第3領域に結晶欠陥を形成する第1不純物注入工程と、
前記半導体基板の前記裏面側から、前記第2領域に第2不純物を注入する第2不純物注入工程と、
前記第1不純物注入工程および前記第2不純物注入工程の後で、前記半導体基板の前記裏面側から前記半導体基板にレーザを照射し、前記第2不純物を活性化させる第1アニール工程と、
前記第1アニール工程の後で、前記半導体基板の前記裏面側から前記半導体基板にレーザを照射し、前記第1不純物注入工程によって前記第3領域に形成される前記結晶欠陥を再結晶化させる第2アニール工程と、を有しており、
前記第1不純物は、前記第3領域の導電型に影響を与えない不純物であり、
前記第2不純物は、前記第2領域の導電型に影響を与える不純物である、半導体装置の製造方法。
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