JP2016213390A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016213390A JP2016213390A JP2015097721A JP2015097721A JP2016213390A JP 2016213390 A JP2016213390 A JP 2016213390A JP 2015097721 A JP2015097721 A JP 2015097721A JP 2015097721 A JP2015097721 A JP 2015097721A JP 2016213390 A JP2016213390 A JP 2016213390A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- impurity
- semiconductor substrate
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明に係る製造方法は、半導体基板内の第1領域と第2領域との間の第3領域に第1不純物を注入する第1不純物注入工程と、半導体基板の裏面側から、第2領域に第2不純物を注入する第2不純物注入工程と、第1不純物注入工程および第2不純物注入工程の後で、半導体基板の裏面側から半導体基板にレーザを照射し、第2不純物を活性化させるアニール工程を有している。第1不純物は、第3領域の導電型に影響を与えない不純物であり、第2不純物は、第2領域の導電型に影響を与える不純物であり、第1不純物注入工程によって第3領域に形成される結晶欠陥が、アニール工程により再結晶化する。
【選択図】 図3
Description
100:半導体基板
100a:表面
100b:裏面
101:コレクタ層
102:ドリフト層
103:バッファ層
104:第1ボディ層
105:エミッタ層
106:第2ボディ層
110:ライフタイム制御領域
120:トレンチゲート
121:トレンチ
122:ゲート絶縁膜
123:ゲート電極
141:表面電極
142:裏面電極
201、203:領域
220:熱緩衝層
D1、D2、D3:領域
Claims (1)
- 半導体基板の表面側の第1領域に表面構造が形成され、前記半導体基板の裏面側の第2領域に拡散層が形成される縦型半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板内の前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域に第1不純物を注入する第1不純物注入工程と、
前記半導体基板の前記裏面側から、前記第2領域に第2不純物を注入する第2不純物注入工程と、
前記第1不純物注入工程および前記第2不純物注入工程の後で、前記半導体基板の前記裏面側から前記半導体基板にレーザを照射し、前記第2不純物を活性化させるアニール工程と、を有しており、
前記第1不純物は、前記第3領域の導電型に影響を与えない不純物であり、
前記第2不純物は、前記第2領域の導電型に影響を与える不純物であり、
前記第1不純物注入工程によって前記第3領域に形成される結晶欠陥が、前記アニール工程によって再結晶化する、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015097721A JP6398861B2 (ja) | 2015-05-12 | 2015-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015097721A JP6398861B2 (ja) | 2015-05-12 | 2015-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213390A true JP2016213390A (ja) | 2016-12-15 |
JP6398861B2 JP6398861B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=57552097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015097721A Active JP6398861B2 (ja) | 2015-05-12 | 2015-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6398861B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11942539B2 (en) | 2021-03-24 | 2024-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008171952A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2009099705A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013102111A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014195004A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造装置 |
JP2015023039A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 住友重機械工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
-
2015
- 2015-05-12 JP JP2015097721A patent/JP6398861B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008171952A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2009099705A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013102111A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014195004A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造装置 |
JP2015023039A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 住友重機械工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11942539B2 (en) | 2021-03-24 | 2024-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6398861B2 (ja) | 2018-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6037012B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6281642B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5742962B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6547724B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006351659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011124566A (ja) | 注入されたドーパントを選択的に活性化するためのレーザ・アニーリングを使用して半導体デバイスを製造するための方法 | |
CN103999225A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP5621493B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2013247248A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2016086136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6398861B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5700025B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP6098540B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008270243A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
WO2015037101A1 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2004039984A (ja) | レーザ照射を用いた半導体装置の製造方法 | |
JP6870286B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2017055046A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6112071B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2018107190A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5648379B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2019102773A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN105830220A (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP6816624B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2017092283A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170811 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180607 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6398861 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |