JP2011124454A5 - - Google Patents

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本発明の固体撮像装置の製造方法は、複数の光電変換素子が２次元に配された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配された周辺回路領域を有し、前記撮像領域よりも前記周辺回路領域の配線パターン密度が高い複数のパターンからなる配線パターンと、前記撮像領域および前記周辺回路領域に渡って設けられ、前記複数のパターンの間を埋め込む絶縁膜と、が上に設けられた基板を準備する工程と、前記周辺回路領域に配された前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程の後に、前記絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。

Claims (7)

  1. 複数の光電変換素子が２次元に配された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配された周辺回路領域を有し、前記撮像領域よりも前記周辺回路領域の配線パターン密度が高い複数のパターンからなる配線パターンと、前記撮像領域および前記周辺回路領域に渡って設けられ、前記複数のパターンの間を埋め込む絶縁膜と、が上に設けられた基板を準備する工程と、
    前記周辺回路領域に配された前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、
    前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程の後に、前記絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する固体撮像装置の製造方法。
  2. 前記絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程の後に、前記複数の光電変換素子に１対１で対応する複数のレンズを前記絶縁膜の上部に形成する工程を有する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程の後に、前記絶縁膜の上部に、反射防止層を形成する工程を有する請求項１あるいは２のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記基板を準備する工程における前記絶縁膜の膜厚は、前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程において除去される絶縁膜の膜厚の２倍以上４倍以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記基板を準備する工程における前記絶縁膜の膜厚は、前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程において除去される絶縁膜の膜厚の３倍である請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程において、前記画素領域に設けられた前記絶縁膜はエッチングされない請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程において、前記周辺回路領域の全体に渡って前記絶縁膜の一部が除去される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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