JP2011121837A5 - - Google Patents
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本発明は、
（１）Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の多結晶焼結体（ただしＴｂ以外の希土類元素を含有するものを除く）であって、前記焼結体は、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であり、１ｃｍ３あたりＴｂ３＋イオンを２×１０２２個以上含むことを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。
（２）組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される立方晶系の多結晶焼結体であって、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。
（３）前記添加元素Ｍが二種以上であって、一種はＭｇであり、他の一種以上はＺｒまたはＨｆであって、組成比が｛Ｔｂ１−ａＭｇａ／２(Ｚｒ，Ｈｆ)ａ／２｝２Ｏ３（０．０１≦ａ＜０．２）となる（２）記載の磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体
（４）前記（１）〜（３）の透光性酸化テルビウム焼結体を磁気光学素子として用いたことを特徴とする磁気光学デバイス。
（５）Ｔｂを含む粉末原料を成形し、これを１８００℃以下の還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体を製造する方法。
（６）Ｔｂを含む粉末と、添加元素Ｍ （ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素）を含む粉末を、焼結後に組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、０．０１≦ａ＜０．３）となるように秤量、混合、成形し、還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、３価を越える高酸化状態のテルビウムイオンを実質含まない立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体を製造する方法。
に関する。
（１）Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の多結晶焼結体（ただしＴｂ以外の希土類元素を含有するものを除く）であって、前記焼結体は、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であり、１ｃｍ３あたりＴｂ３＋イオンを２×１０２２個以上含むことを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。
（２）組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される立方晶系の多結晶焼結体であって、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。
（３）前記添加元素Ｍが二種以上であって、一種はＭｇであり、他の一種以上はＺｒまたはＨｆであって、組成比が｛Ｔｂ１−ａＭｇａ／２(Ｚｒ，Ｈｆ)ａ／２｝２Ｏ３（０．０１≦ａ＜０．２）となる（２）記載の磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体
（４）前記（１）〜（３）の透光性酸化テルビウム焼結体を磁気光学素子として用いたことを特徴とする磁気光学デバイス。
（５）Ｔｂを含む粉末原料を成形し、これを１８００℃以下の還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体を製造する方法。
（６）Ｔｂを含む粉末と、添加元素Ｍ （ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素）を含む粉末を、焼結後に組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、０．０１≦ａ＜０．３）となるように秤量、混合、成形し、還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、３価を越える高酸化状態のテルビウムイオンを実質含まない立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体を製造する方法。
に関する。
実施例２〜４［参考例］および実施例５
原料に相転移を抑制するための添加元素を含む粉末を加えた以外は、実施例１と同じ手順で焼結体を作製した。焼結体の一部からサンプリングし、Ｘ線回折分析したところ、その結晶構造は、全て立方晶系のＣ型希土類構造であった。
原料に相転移を抑制するための添加元素を含む粉末を加えた以外は、実施例１と同じ手順で焼結体を作製した。焼結体の一部からサンプリングし、Ｘ線回折分析したところ、その結晶構造は、全て立方晶系のＣ型希土類構造であった。
Claims (6)
- Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の多結晶焼結体（ただしＴｂ以外の希土類元素を含有するものを除く）であって、
前記焼結体は、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であり、１ｃｍ３あたりＴｂ３＋イオンを２×１０２２個以上含むことを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。 - 組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される立方晶系の多結晶焼結体であって、
前記焼結体は、気孔率が０．２％以下であり、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。 - 前記添加元素Ｍが二種以上であって、一種はＭｇであり、他の一種以上はＺｒまたはＨｆであって、組成比が｛Ｔｂ１−ａＭｇａ／２(Ｚｒ，Ｈｆ)ａ／２｝２Ｏ３（０．０１≦ａ＜０．２）となる請求項２記載の磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体。
- 請求項１〜３のいずれかの透光性酸化テルビウム焼結体を磁気光学素子として用いたことを特徴とする磁気光学デバイス。
- Ｔｂを含む粉末原料を成形し、これを１８００℃以下の還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、Ｔｂ２Ｏ３を主成分とする立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体（ただし、Ｔｂ以外の希土類元素を含有する場合を除く）を製造する方法。
- Ｔｂを含む粉末と、添加元素Ｍ（ＭはＭｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素）を含む粉末を、焼結後に組成式（Ｔｂ１−ａＭａ）２Ｏ３（式中、０．０１≦ａ＜０．３）となるように秤量、混合、成形し、還元性雰囲気で焼成し、相転移による割れがない状態で室温まで冷却することによって、３価を越える高酸化状態のテルビウムイオンを実質含まない立方晶系の透光性酸化テルビウム焼結体（ただし、Ｔｂ以外の希土類元素を含有する場合を除く）を製造する方法。
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| JP2009282636A JP5526313B2 (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 磁気光学素子用透光性酸化テルビウム焼結体 |
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2009
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