JP2011096884A - ZnO系化合物半導体の製造方法及び半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ZnO系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、N2ガスとO2ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記N2ガスとO2ガスとを混合したガスの混合比O2/N2が、0より大きく1以下である。
【選択図】 図1
Description
2 バッファー層
3 n型半導体層
4 活性層
5 p型半導体層
6 p型透光性電極
7 ボンディング用パッド電極
8 n型電極
11 超高真空容器
12 反射高速電子線回折(RHEED)用ガン
13 反射高速電子線回折(RHEED)用スクリーン
14 亜鉛(Zn)ソースガン
15 酸素(O)ラジカルソースガン
16 基板加熱ヒータ
17 基板
18 マグネシウム(Mg)ソースガン
19 窒素(N)ラジカルソースガン
20 ガリウム(Ga)ソースガン
21、23 O2用マスフローコントローラ(MFC)
22 N2用マスフローコントローラ(MFC)
Claims (3)
- 単結晶表面を有する基板を準備する工程と、
亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、N2ガスとO2ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、
前記N2ガスとO2ガスとを混合したガスの混合比O2/N2が、0より大きく1以下であるZnO系化合物半導体の製造方法。 - 前記混合比O2/N2が0より大きく0.5以下である請求項1記載のZnO系化合物半導体の製造方法。
- 単結晶表面を有する基板と、
前記基板上に形成されたn型ZnO系半導体層と、
前記n型ZnO系半導体層上に形成されたZnO系活性層と、
前記ZnO系活性層上に形成され、少なくとも1×1019cm−3以上の窒素(N)が添加され、かつシリコン(Si)濃度が1×1017cm−3以下、及びボロン(B)濃度が5×1015cm−3以下であるp型ZnO系半導体層と
を有する半導体発光素子。
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