JP2011089061A - 防湿コート剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ビニル芳香族ブロックとオレフィンブロックとを有するブロックコポリマーを溶媒に分散させた防湿コート剤であって、スチレン系オリゴマーがさらに分散させていることを特徴とする防湿コート剤を提供する。
【選択図】 なし
Description
このような場合の多くは、湿気による電気的なトラブルが発生しないようにOリングなどのシール材でシールされた筐体内に前記電子回路基板を収容させて保護することが行われている。
このようなポリマー被膜を形成させるためのコート剤として、例えば、下記特許文献2には、ビニル芳香族ブロックとオレフィンブロックとを有するブロックコポリマーの中で水素添加されたポリマーを保護コロイドとともに水系溶媒に分散させて作製することが記載されている。
このようなビニル芳香族系のブロックコポリマーは、アクリル系の材料が用いられたコート剤やウレタン系の材料が用いられたコート剤に比べて、透湿防止性、柔軟性、耐熱性などに優れていることから先の電子回路基板に対する防湿被膜の形成(防湿性の付与)に特に有用なものであるといえる。
そして、従来の防湿コート剤におけるこのような不具合が、湿気とは別に、シール材を構成しているゴム材料から発生する硫黄系のガスによって生じていることを見出した。
これまで、このような硫黄系のガスによる問題は殆ど着目されていないため、その対策についても確立されてはいない。
なお、このような問題は、電子回路基板に限らず、防湿コート剤を用いて防湿被膜を形成させる場合において広く全般的にその解決が求められるものである。
したがって、その用途が制約されるおそれが抑制されるとともに電子回路基板の回路面に防湿被膜を形成させる用途などに適した防湿コート剤を提供することができる。
本実施形態に係る防湿コート剤は、ビニル芳香族ブロックとオレフィンブロックとを有するブロックコポリマー、及び、このブロックコポリマーを分散させるための溶媒とを含んでいる。
また、本実施形態に係る防湿コート剤は、その防湿被膜に硫黄系のガスに対するガスバリア性を発揮させるべく、スチレン系オリゴマーを前記溶媒に分散させた状態でさらに含有している。
これらの構成単位は、1種単独で前記ビニル芳香族ブロックを構成しても、または2種以上で構成してもよい。
上記例示以外のビニル芳香族化合物によってビニル芳香族ブロックを構成させても、上記例示のビニル芳香族化合物と上記例示以外のビニル芳香族化合物とでビニル芳香族ブロックを構成させてもよい。
また、これらの水素添加品なども本実施形態におけるブロックコポリマーとして用いられ得る。
このスチレン系オリゴマーは、通常、上記構成単位が100以下の数量で重合されているものであり、重量平均分子量の値が1万以下(数百〜数千)程度となるものである。
この水系溶媒としては、ブロックコポリマーの分散性などを考慮して、例えば、アルコールなどの水との相溶性に優れた溶媒を少量添加して構成させてもよい。
なお、このような水系溶媒を用いる際には、ブロックコポリマーやスチレン系オリゴマー、あるいは、これらの混合物によって形成される微小な粒子を被覆して保護コロイド化させる保護コロイド成分をさらに含有させて防湿コート剤を水性エマルジョンの形態とすることが好ましい。
これらの保護コロイド成分は1種、または2種以上を用いることもできる。
これらの中でも、保護コロイド成分として、(メタ)アクリル酸エステル−不飽和カルボン酸系共重合体の水溶性塩及び/又はポリビニルアルコールを用いるのが好ましく、(メタ)アクリル酸エステル−不飽和カルボン酸系共重合体の水溶性塩を用いることが特に好ましい。
また、これらの単量体の他に、スチレンなどがさらに共重合されているものが挙げられる。
また、酸価は50〜300mg−KOH/gであるのが好ましく、より好ましくは70〜250mg−KOH/gである。これらの共重合体は、カルボン酸のアルカリ金属塩またはアミン塩、又はアンモニウム塩で水溶化され得る。
また、これらのポリビニルアルコールがカルボキシル基やスルホン酸基、或いはアセトアセチル基及びカチオン基で変性されたものも保護コロイド成分として用いうる。
前記スチレン系オリゴマーと前記ブロックコポリマーとの割合が上記のような関係となることが好ましいのは、ブロックコポリマー100質量部に対するスチレン系オリゴマーの割合が50質量部未満となると硫黄系ガスのバリア性が十分に発揮されずに腐食が起こりやすくなるおそれを有し、一方で、200質量部を超えるとガスのバリア性は確保できるものの被膜の硬度が必要以上に高くなって、例えば、低温領域で被膜が硬くなってしまい被膜割れを生じたり、ハンダクラックなどが生じたりするおそれを有するためである。
なお、上記水の含有量は、前記ブロックコポリマー100質量部に対して、200〜800質量部とされることが好ましく、250〜600質量部とされることがさらに好ましい。
このような範囲が好ましいのは、水の含有量をこのような範囲に規定することで、固形分濃度がある程度規定され、基板に塗布した時のハジキが抑制され得るとともに乾燥後の防湿被膜を適正な厚みに調整しやすいためである。
さらに、上記保護コロイド成分の含有量は、前記ブロックコポリマー100質量部に対して5〜20質量部とされることがさらに好ましい。
このような範囲が好ましいのは、保護コロイドの量を5質量部以上とすることでエマルジョン粒子に優れた安定性が発揮される一方で、必要以上に保護コロイドの量を添加すると防湿被膜の絶縁抵抗値を低下させるおそれを有するためである。
すなわち、安定したエマルジョン粒子が得られ、且つ、絶縁性に優れた防湿被膜を形成し得る点において上記範囲が好ましいものである。
この粘着性付与剤としては、一般に利用されているテルペン系の成分を利用することができる。
また、その他の前記添加剤としては、例えば、難燃剤、耐候剤、防錆剤、充填剤、改質剤、顔料などが挙げられる。
このとき、スチレン系オリゴマーが存在することで、低温(例えば、50℃〜90℃の温度)で均質な防湿被膜を形成させることができ、タッキファイヤなどの粘着性付与剤の使用を抑制しつつも被着体に対して接着力の高い防湿被膜を形成させることができる。
さらに、スチレン系オリゴマーが、ブロックコポリマーどうしを架橋すべく作用し、得られる防湿被膜の被膜強度を向上させる効果も発揮され得る。
この機構については、明確に解析がなされてはいないが、本実施形態の防湿コート剤で形成される防湿被膜は、ビニル芳香族ブロックとオレフィンブロックとを有するブロックコポリマーのガス透過性が元々低い事に加え、スチレン系オリゴマーによってビニル芳香族ブロックがさらに補強される事で、硫化水素や二酸化硫黄、硫化カルボニルなどの硫化系ガスの透過が抑えられるという効果が発揮され、硫黄系のガスに対するガスバリア性に優れたものとなると考えられる。
この硫黄系のガスは、ブッシングやシール部品などのゴム材料から発生される可能性が高いものである。
例えば、シリコーンゴムやフッ素ゴムといった高価なゴム材料を利用すれば、その配合剤として硫黄を含むことが少ないため、硫黄系のガスが発生するおそれは低いもののクロロプレンゴム、ニトリルゴム、EPDMといった安価なゴム材料においては、加硫剤や安定剤などの成分として硫黄分を多く含むことから、例えば、このようなゴム材料によって形成されたゴム製シール材でシールされた筐体内などにプリント配線板上にチップ部品をマウントした電子回路基板を収容させたりすると時間の経過とともに電極部分に腐食を生じて不具合を発生させるおそれを有する。
このような場合に、本実施形態における防湿コート剤は、特に顕著な効果を発揮させることとなる。
なお、本発明の防湿コート剤は、このような電子回路基板用途において、その効果が顕著に発揮されるものではあるが、湿気とともに硫黄系のガスからも保護することが望ましいような対象物に対して防湿被膜を形成させる場合であれば、電子回路基板用途と同様に効果が発揮されるものである。
評価に利用した材料の略称と、その詳細とを下記に示す。
1)SEBS:クレイトンポリマー製の商品名「KRATON G1652」
( スチレン含有量29%、MFR:10g/10min(200℃、5kg))
2)SEPS:クラレ製の商品名「セプトン2007」
(スチレン含有量30%、MFR:4g/10min(200℃、10kg))
3)オリゴマー1:
イーストマンケミカル社製、αメチルスチレンとスチレンの共重合オリゴマー、
商品名「クリスタレックス#1120」(軟化点:120℃)
4)オリゴマー2:
イーストマンケミカル社製のスチレン系オリゴマー、商品名「ピコラスチックA75」
(軟化点:75℃)
5)テルペン系成分1:ヤスハラケミカル製の商品名「クリアロンP105」
(軟化点:105℃)
6)テルペン系成分2:ヤスハラケミカル製の商品名「YSレジンA800」
(軟化点:80℃)
7)保護コロイド成分:
アクリル酸、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル共重合体のアンモニウム塩
上記材料を、下記表1の通りの配合割合で混合し、有機溶剤分散タイプのものと、水性エマルジョンタイプのものとの大きく2種類の防湿コート剤を作製した。
試料No.1〜7の防湿コート剤を、銀メッキ(メッキ厚み5μm)を施した櫛型試験基板に対して乾燥後の防湿被膜の厚みが、概ね、20μmとなるように塗布、乾燥した。
得られた試料を槽内雰囲気:35℃、相対湿度:80%、硫化水素ガス濃度:10ppmに調整した試験槽内に入れて、櫛型の電極間にDC15Vの電圧を印加して絶縁抵抗値を測定しながらマイグレーション試験を実施した。
試験開始より240時間経過した時点で、絶縁抵抗値の変化、および銀メッキ表面の変色を確認する方法で耐硫化ガス性を評価し、評価結果が、マイグレーションの発生が見られず、絶縁抵抗値が1×1010(Ω)以上を確保し、かつ銀メッキ面の変色(黒変)の見られないものを「○」と判定し、マイグレーションの発生、絶縁抵抗値の低下あるいは銀変色のどれかひとつでも発生したものを「×」と判定した。
防湿被膜形成時の乾燥温度と、この耐硫化ガス性の評価結果とを、下記表2に示す。
マイグレーションの発生は、すべての試験片においてみられなかった。
銀変色は、No.5〜No.7で見られ、特に、No.7においては絶縁抵抗値の低下が大きく、108(Ω)のオーダーに低下していた。
Claims (5)
- ビニル芳香族ブロックとオレフィンブロックとを有するブロックコポリマーを溶媒に分散させた防湿コート剤であって、
スチレン系オリゴマーがさらに分散させていることを特徴とする防湿コート剤。 - 前記スチレン系オリゴマーが、前記ブロックコポリマーの含有量を100質量部とした場合に、50質量部以上200質量部以下となる割合で含有されている請求項1記載の防湿コート剤。
- 保護コロイド成分をさらに含んだ水性エマルジョンである請求項1又は2記載の防湿コート剤。
- 電子回路基板の回路面に防湿被膜を形成させるべく用いられる請求項1乃至3のいずれか1項に記載の防湿コート剤。
- 前記電子回路基板が、ゴム製シール材によってシールされた空間内に設置されるものである請求項4記載の防湿コート剤。
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