JP2011071299A - パターン形成方法及び半導体素子 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを改善することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（１）被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程と、（２）電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程と、（３）被形状転写層にスタンパを圧接する工程と、（４）スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程と、（５）スタンパを被形状転写層から剥離して、レジストパターンが形成された基板を得る工程と、を含むパターン形成方法である。
【選択図】なし

Description

本発明はパターン形成方法及び半導体素子に関し、更に詳しくは、基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを改善することができるパターン形成方法及び高さのバラツキが改善されたレジストパターンが形成された基板を用いた半導体素子に関する。

半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるためには、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。従って、フォトリソグラフィ技術では、近年、１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザー）、１５７ｎｍ（Ｆ_２エキシマレーザー）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）等の短波長光を用いたフォトリソグラフィ技術が開発されている。しかしながら、光の波長が短くなると、それに伴い、その波長の光を透過可能な物質が限られるため、微細構造の作製に限界が生じる。

一方、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法では、分解能が光の波長に依存せず、微細構造の作製が可能であるものの、スループットの悪さが問題となっている。

これに対して、光の波長以下の微細構造を高スループットで作製する手法として、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作製したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸パターンを基板のレジストに転写するナノインプリント法が開示されている（例えば、特許文献１〜３及び非特許文献１，２参照）。

米国特許第５７７２９０５号明細書 米国特許第５９５６２１６号明細書 特開２００８−１６２１９０号公報

エス．ワイ．チョウ（Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ）、「ナノインプリントリソグラフィ技術（Ｎａｎｏ Ｉｍｐｒｉｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」 アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第７６巻、１９９５年、ｐ．３１１４

ナノインプリント法においては、これを実現する上で種々の解決すべき問題があるが、その中の一つに「パターンの高さのバラツキ」という問題がある。このようなパターンの高さにバラツキがあるレジストパターンが形成された基板を用いて半導体素子を製造すると、歩留まりが低下する場合がある。それゆえ、パターンの高さのバラツキを改善することができるナノインプリント方法の開発が望まれている。

本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを改善することができるパターン形成方法（ナノインプリント方法）を提供することにある。

本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、電離線照射処理した電離線照射処理基板上に硬化性組成物を用いて被形状転写層を形成し、スタンパを用いて微細パターンを形成することによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明によれば、以下に示すパターン形成方法及び半導体素子が提供される。

［１］（１）被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程と、（２）前記電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程と、（３）前記被形状転写層にスタンパを圧接する工程と、（４）前記スタンパを圧接したまま前記被形状転写層を露光する工程と、（５）前記スタンパを前記被形状転写層から剥離して、レジストパターンが形成された基板を得る工程と、を含むパターン形成方法。

［２］前記被加工基板の前記表面に、ポリシロキサンからなる下層膜が形成されている前記［１］に記載のパターン形成方法。

［３］前記電離線照射処理が、コロナ放電処理である前記［１］又は［２］に記載のパターン形成方法。

［４］前記被加工基板の前記表面を、１００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２以上のコロナ放電処理量でコロナ放電処理する前記［３］に記載のパターン形成方法。

［５］前記硬化性組成物が、光硬化性組成物である前記［１］〜［４］のいずれかに記載のパターン形成方法。

［６］前記［１］〜［５］のいずれかに記載のパターン形成方法によって得られるレジストパターンが形成された基板を用いた半導体素子。

本発明のパターン形成方法によれば、基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを改善することができるという効果を奏する。

また、本発明の半導体素子は、歩留まりが生じることを抑制することができるという効果を奏するものである。

電離線照射処理基板上に被形状転写層を形成した後の状態の一例を示す模式図である。 被形状転写層にスタンパを圧接している状態の一例を示す模式図である。 スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光している状態の一例を示す模式図である。 スタンパを形状転写層から剥離した後の状態の一例を示す模式図である。 エッチングを行った後の状態の一例を示す模式図である。

以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。

Ｉ．パターン形成方法：
本発明のパターン形成方法は、（１）被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程（以下、「電離線照射処理工程」という）と、（２）電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程（以下、「被形状転写層形成工程」という）と、（３）被形状転写層にスタンパを圧接する工程（以下、「圧接工程」という）と、（４）スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程（以下、「露光工程」という）と、（５）スタンパを被形状転写層から剥離して、レジストパターンが形成された基板を得る工程（以下、「剥離工程」という）と、を含む方法であり、剥離工程の後に、エッチングを行う工程（６）（以下、「エッチング工程」ともいう）を更に含む方法であることが好ましい。本発明のパターン形成方法により基板上にレジストパターンを形成することで、パターンの高さのバラツキを抑制することができる。

１．電離線照射処理工程：
電離線照射処理工程は、被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程である。被加工基板の表面を電離線照射処理することにより、基板面内で均一な表面状態を有する基板が形成できるため、基板に形成されるパターンの高さのバラツキを抑制することができる。

（１）被加工基板：
被加工基板としては、通常、シリコンウェハが用いられるが、その他、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中から任意に選んで用いることができる。なお、被加工基板の電離線照射処理を行う表面には、ポリシロキサンからなる下層膜が形成されていることが好ましい。このような下層膜を形成することにより、電離線照射処理による効果を向上することができる。

下層膜としては、ポリシロキサンからなる下層膜であれば特に限定されるものではない。例えば、特開２０００−３５６８５４号公報に記載の、アルコキシシラン化合物及び複数のアルコキシシリル基を有する化合物の少なくともいずれかの、加水分解物及び縮合物の少なくともいずれかと、酸発生剤と、を含有するレジスト下層膜用組成物からなる下層膜、特開２００８−１７０９８４号公報に記載の、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、及びテトラフェノキシシランからなる群より選択される少なくとも一種のシラン化合物の、加水分解物及び縮合物の少なくともいずれかと、酸発生剤と、触媒と、を含有するレジスト下層膜用組成物からなる下層膜、特開２００７−２２６１７０号公報に記載の、少なくとも置換又は非置換のカルボキシル基を有するシルセスキオキサンの繰り返し単位を有する高分子化合物を含む反射防止膜材料からなる下層膜や、シリコン含有膜中のシリコン原子と炭素原子の質量比が、シリコン原子／炭素原子２〜１２である多層レジストプロセス用シリコン含有膜からなる下層膜等がある。

（２）電離線照射処理：
本発明における電離線としては、被加工基板を均一な表面状態にするものであれば特に限定されないが、例えば、レーザービーム、イオンビーム、電子線ビーム、紫外線照射、プラズマ放電、コロナ放電等がある。中でもコロナ放電が好ましく使用される。コロナ放電処理は、特に限定されなく、スパークギャップ方式、真空管方式、ソリッドステート方式等を利用する、従来公知の装置を用いて行うことができる。このような装置としては、例えば、高周波電源ＡＧＦ−０１２（春日電機社製）がある。コロナ放電処理量は、１００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２以上であることが好ましく、１２５Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２以上であることが更に好ましい。コロナ放電処理量が１００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２未満であると、基板に形成されるレジストパターンの高さのバラツキの抑制が不十分な場合がある。なお、コロナ放電処理量は下記式（１）から算出することができる。

２．被形状転写層形成工程：
被形状転写層形成工程は、電離線照射処理工程で形成した電離線照射処理基板の電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程である。図１は、電離線照射処理基板上に被形状転写層を形成した後の状態の一例を示す模式図である。被形状転写層形成工程は、図１に示すように、電離線照射処理基板１の電離線照射処理面上に被形状転写層２を形成する工程である。

硬化性組成物は、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等により塗布し、被形状転写層を形成することができる。なお、被形状転写層の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１〜５．０μｍである。

硬化性組成物は、光又は熱の作用により硬化するものであれば特に限定されるものではないが、光の作用により硬化する光硬化性組成物であることが好ましい。硬化性組成物としては、例えば、特願２００９−１０２９７２号公報に記載の、（Ａ）少なくとも１つの反応性基を有し、フッ素原子を含有する化合物と、（Ｂ）少なくとも１つの反応性基を有し、フッ素原子を含有しない化合物と、（Ｃ）（Ａ）化合物及び（Ｂ）化合物の少なくともいずれかの反応性基を活性化する化合物と、を含有するナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物（以下、「硬化性組成物（１）」という）、特願２００９−１１０７７４号公報に記載の、２５℃、１ａｔｍの条件下において、光又は熱により気体を発生する気体発生剤（Ａ）と、第二の反応性基を有し、光及び熱に対して安定な化合物（Ｂ）と、を含有するナノインプリントリソグラフィー用硬化性組成物（以下、「硬化性組成物（２）」という）、特願２００９−１０９２７１号公報に記載の、一般式（２）で表される置換基を有する化合物（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、を含有し、その２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下であるナノインプリントリソグラフィー用光硬化性組成物（以下、「硬化性組成物（３）」という）等がある。以下、各公報に記載の硬化性組成物について説明するが、本発明のパターン形成方法に用いることができる硬化性組成物はこれらに限定されるものではない。

一般式（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する１価の基を示すか、或いは相互に結合して形成される環状の基を示す。Ｒ^４は、メチレン基、炭素数２〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数６〜１２の置換若しくは非置換の脂環式炭化水素構造を有する２価の基を示す。Ｒ^５及びＲ^６は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。但し、Ｒ^５及びＲ^６のうち少なくとも１つは、フッ素原子、又はフッ素原子を有する炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。

（硬化性組成物（１））
硬化性組成物（１）に含有される（Ａ）少なくとも１つの反応性基を有し、フッ素原子を含有する化合物として、具体的には、トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロｎ−プロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロｉ−プロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロｎ−ブチル（メタ）アクリレート、パーフルオロｉ−ブチル（メタ）アクリレート、パーフルオロｔ−ブチル（メタ）アクリレート、パーフルオロシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ）プロピル（メタ）アクリレート、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ）ペンチル（メタ）アクリレート、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ）ヘキシル（メタ）アクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、１−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロ）プロピル（メタ）アクリレート、１−（２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ）ペンチル（メタ）アクリレート、１−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロ）デシル（メタ）アクリレート、１−（５−トリフルオロメチル−３，３，４，４，５，６，６，６−オクタフルオロ）ヘキシル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。

また、（Ｂ）少なくとも１つの反応性基を有し、フッ素原子を含有しない化合物として、具体的には、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ｎ−ブトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等のエーテル系（メタ）アクリレート類；

２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート等のアルコール系（メタ）アクリレート類；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、アクリル酸ダイマー等のカルボン酸系（メタ）アクリレート類；

１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ，ＥＯ付加物ジ（メタアクリレート）、ビスフェノールＦ，ＥＯ付加物ジ（メタアクリレート）等の二官能アクリレート類；トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＥＯ変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＰＯ変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等のカルボン酸系（メタ）アクリレート類；その他、エチレン性不飽和基を有するポリブタジエンオリゴマーやウレタンアクリレートポリマー等の多官能アクリレート類を挙げることができる。

更に、（Ｃ）（Ａ）化合物及び（Ｂ）化合物の少なくともいずれかの反応性基を活性化する化合物として、具体的には、ベンゾフェノン；ベンジルジメチルケタール；１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン類；２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１等のα−アミノケトン類；オキシムエステル類；２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系化合物；２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン；２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパンを挙げることができる。

（硬化性組成物（２））
硬化性組成物（２）に含有される２５℃、１ａｔｍの条件下において、光又は熱により気体を発生する気体発生剤（Ａ）として、具体的には、式（３）で表される化合物や、式（４）で表される化合物を挙げることができる。

また、第二の反応性基を有し、光及び熱に対して安定な化合物（Ｂ）として、具体的には、トリシクロデカンジメタノールアクリレート、アクリル酸イソボルニル、１，９−ノナンジオールジアクリレート、２−アクリロイロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシ２−ヒドロキシエチルフタレート、２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタレート、２−アクリロイロキシプロピルフタレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールアクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルカルビトール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アクリル酸ダイマー、脂肪族エポキシ（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブタンジオールモノ（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、カプロラクトン（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性（以下、「ＥＯ」という）クレゾール（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシ化フェニル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールベンゾエート（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、パラクミルフェノキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エピクロロヒドリン（以下、「ＥＣＨ」という）変性フェノキシアクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシヘキサエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシテトラエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性コハク酸（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリブロモフェニル（メタ）アクリレート、トリドデシル（メタ）アクリレート、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ウレタンモノ（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシアダマンチル（メタ）アクリレート、ｐ−イソプロペニルフェノール、４−ビニルピリジン、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、

スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、１−ビニルイミダゾール、２−メチル−１−ビニルイミダゾール、イミドアクリレート、ビニルオキサゾリン、（メタ）アクリロイル変性シリコーン、ビニル変性シリコーン、シリコーンヘキサアクリレート等のシリコーン化合物、市販されているシリコーンアクリレート（商品名「デソライトＺ７５００」、ＪＳＲ社製）、ＳＨＣ２００、ＳＨＣ９００、ＵＶＨＣ８５ＸＸシリーズ、ＵＶＨＣ１１ＸＸシリーズ（以上、ＧＥ東芝シリコーン社製）、ジメチルシロキサンモノメタクリレート（商品名「ＦＭ０７１１」、商品名「ＦＭ０７２１」、商品名「ＦＭ０７２５」、以上、チッソ社製）、ジメチルシロキサンジメタクリレート（商品名「ＤＭＳ−Ｖ２２」、チッソ社製）、商品名「Ｅｂｅｒｃｒｙｌ−１３６０」（ダイセル化学工業社製）、

トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、（パーフルオロブチル）エチル（メタ）アクリレート、パーフルオロブチル−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、（パーフルオロヘキシル）エチル（メタ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、パーフルオロオクチルエチル（メタ）アクリレート、テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート等のフッソ原子を有する化合物；エチル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート、３−クロロ−２−アシッドホスホキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレングリコール（メタ）アクリレートアシッドホスフェート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート、２−（メタ）アクリロイロキシエチルカプロエートアシッドホスフェート等のリン酸含有（メタ）アクリルモノマー；

イソシアネートメチル（メタ）アクリレート、イソシアネートエチル（メタ）アクリレート、イソシアネートｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソシアネートイソプロピル（メタ）アクリレート、イソシアネートｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソシアネートイソブチル（メタ）アクリレート、イソシアネートｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、イソシアネートｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート等のイソシアネートアルキル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリロイルメチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルｎ−プロピルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソプロピルイソシアネート、（メタ）アクリロイルｎ−ブチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソブチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルｓｅｃ−ブチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルｔｅｒｔ−ブチルイソシアネート等の（メタ）アクリロイルアルキルイソシアネート等のイソシアネート系の（メタ）アクリレート化合物；

ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、ジ（メタ）アクリル化イソシアヌレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、アリロキシポリエチレングリコールアクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド（以下、「ＰＯ」という）変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性ヘキサヒドロフタル酸ジアクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＰＯ変性ネオペンチルグリコールジアクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステルネオペンチルグリコール、ステアリン酸変性ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性フタル酸ジ（メタ）アクリレート、

ポリ（エチレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリ（プロピレングリコール−テトラメチレングリコール）ジ（メタ）アクリレート、ポリエステル（ジ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＣＨ変性プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、シリコーンジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（ジ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリグリセロールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルエチレン尿素、ジビニルプロピレン尿素等のエチレン性不飽和結合含有基を２個有する単量体；

ＥＯ変性リン酸ジ（メタ）アクリレート等のリン酸含有ジ（メタ）アクリルモノマー；ＥＣＨ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ＥＯ変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和結合含有基を３個以上有する多官能単量体；ビニルエーテル類等を挙げることができる。ここで、「ビニルエーテル類」は、ビニルエーテル基を有するものであればよく、例えば、アルキルビニルエーテル類、芳香族ビニルエーテル類、α−置換ビニルエーテル類、β−置換ビニルエーテル類、オキセタン環含有ビニルエーテル類、分子内に２以上の官能基を有する多官能化合物（ジビニルエーテル類、トリビニルエーテル類等）等がある。

（硬化性組成物（３））
硬化性組成物（３）に含有される一般式（２）で表される置換基を有する化合物（Ａ）として、具体的には、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）アダマンタン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン、２−（３，３，３−トリフルオロ−２−（トリフルオロメチル）−２−（２−（ビニロキシ）エトキシ）プロピル）テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデカン等を挙げることができる。

また、光酸発生剤（Ｂ）として、具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムナフタレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、

トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニル・フェニル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、

シクロヘキシル・メチル・２−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、

１−（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（１−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−メトキシエトキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、

１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−テトラヒドロフラニルオキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）ナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシ）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩化合物；

（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体等のハロゲン含有化合物；１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等のジアゾケトン化合物；４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等のスルホン化物；

ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（トリフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸化合物；ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル−１，１−ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン化合物；

Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．１．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−５，６−オキシ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファ−スルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド等のスルホンイミド化合物；

Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−［２，２，１］−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−［２，２，１］−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド等のイミドスルホネート化合物；

ベンゾイントシラート、ピロガロールトリストリフレート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホナート、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、ｏ−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−２−チエニルメチルシアニド、ｏ−（メタンスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、ｏ−（ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、（４−メチルスルホニルオキシイミノ−シクロヘキサ−２，５−ジエニリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−プロピルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（１０−カンファースルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−クロロフェニル）−アセトニトリル、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−［４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−プロパンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ］−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−プロパンスルホナート、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−［４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ］−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−ｐ−トルエンスルホナート等のスルホナート化合物；

２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，２，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’−ジヒドロキシトリフェニルメタン、４，４’，４’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、４，４’，５，５’−テトラメチル−２，２’，２’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，２，５，５’−テトラメチル−４，４’，４’’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリ（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−［１−（ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル）エタン、２，４，４−トリメチル−２’，４’，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバン、２，４，４−トリメチル−２’，４’，５’，６，７−ペンタヒドロキシ−２−フェニルフラバン等のキノンジアジド化合物を挙げることができる。

３．圧接工程：
圧接工程は、被形状転写層にスタンパを圧接する工程である。図２は、被形状転写層にスタンパを圧接している状態の一例を示す模式図である。図２に示すように、被形状転写層形成工程で形成した被形状転写層２にスタンパ３を圧接することで、被形状転写層２中に、スタンパ３の凹凸パターンが形成される。

スタンパとしては、例えば、光透過性の材料で構成される必要がある。具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等を挙げることができる。

圧接の際の圧力は特に限定されないが、通常、０．１〜１００ＭＰａであり、０．１〜５０ＭＰａであることが好ましく、０．１〜３０ＭＰａであることがより好ましく、０．１〜２０ＭＰａであることが更に好ましい。また、圧接する時間は特に限定されないが、通常、１〜６００秒であり、１〜３００秒であることが好ましく、１〜１８０秒であることがより好ましく、１〜１２０秒であることが特に好ましい。

４．露光工程：
露光工程は、スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光する工程である。図３は、スタンパを圧接したまま被形状転写層を露光している状態の一例を示す模式図である。図３に示すように、被形状転写層３を露光することにより、スタンパ２の凹凸パターンが被形状転写層３に転写される。このように凹凸パターンが転写されることで、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。

露光源としては、特に限定されるものではない。例えば、ＵＶ光、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等の放射線（ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）等を含む）を用いることができる。また、露光は被形状転写層の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。

また、被形状転写層が熱硬化性を有する場合には、加熱硬化を更に行ってもよい。熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で、４０〜２００℃で加熱することができる。加熱は、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いて行うことができる。

５．剥離工程：
剥離工程は、スタンパ３を被形状転写層２から剥離する工程である。図４は、スタンパを形状転写層から剥離した後の状態の一例を示す模式図である。剥離工程はどのようにして行ってもよく、剥離に際する各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、電離線照射処理基板１を固定してスタンパを電離線照射処理基板１から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、スタンパを固定して電離線照射処理基板１をスタンパから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って剥離してもよい。

また、本発明のパターン形成方法では離型剤を用いることができる。即ち、圧接工程前に、スタンパの凹凸パターンを有する表面に離型剤を付着させる離型剤付着工程を行ってもよい。

離型剤を用いる場合、その種類は特に限定されないが、例えば、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等がある。なお、離型剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、シリコン系離型剤が特に好ましい。シリコン系離型剤として、具体的には、ポリジメチルシロキサン、アクリルシリコーングラフトポリマー、アクリルシロキサン、アリールシロキサン等を挙げることができる。

６．エッチング工程：
エッチング工程は、形状転写層の残部の凹部をエッチングにより取り除く工程である。図５は、エッチングを行った後の状態の一例を示す模式図である。図５に示すように、エッチング処理を行うことで、形状転写層のパターン形状のうち、不要な部分を取り除き、所望のレジストパターン１０を形成することができる。

エッチング方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを行うことで形成することができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜の元素組成によって適宜選択されるが、Ｏ_２、ＣＯ、ＣＯ_２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ_２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３等の塩素系ガス、Ｈ_２、ＮＨ_３のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。

ＩＩ．半導体素子：
本発明の半導体素子は、「Ｉ．パターン形成方法」に記載のパターン形成方法によって得られるレジストパターンが形成された基板を用いたものであり、基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキが改善されているので、歩留まりを抑制することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。また、諸特性の評価方法を以下に示す。

［パターンの高さのバラツキ］：溝の深さ７０ｎｍのスタンパにて形成したパターンの断面を電子顕微鏡（日立ハイテクフィールディング社製、商品名「Ｓ４８００」）で観察した。パターンの高さのバラツキについて、パターンの高さが６９ｎｍを越える場合を「きわめて良好」と評価し、６７ｎｍを超えて６９ｎｍ以下の場合を「良好」と評価し、６７ｎｍ以下の場合を「不良」と評価した。

（調製例 硬化性組成物の調製）
１，９−ノナンジオールジアクリレート（下記式（５）で表される化合物）５０部、トリシクロデカンジメタノールアクリレート（下記式（６）で表される化合物）１０部、イソボルニルアクリレート（下記式（７）で表される化合物）４０部、２−（ジメチルアミノ）−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン（下記式（８）で表される化合物）７．５部、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（下記式（９）で表される化合物）７．５部を混合することで、硬化性組成物を調製した。なお、調製した硬化性組成物の２５℃における粘度は、１２ｍＰａ・ｓであった。

（実施例１）
コータ／デベロッパ（商品名「ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ ＡＣＴ８」、東京エレクトロン社製）を用いて、８インチシリコンウエハの表面に、膜厚３００ｎｍの有機下層膜（商品名「ＮＦＣ ＣＴ０８」、ＪＳＲ社製）を形成した。次いで、膜厚４５ｎｍの無機中間膜（商品名「ＮＦＣ ＳＯＧ０８」、ＪＳＲ社製）を形成し、コロナ放電処理装置（商品名「高周波電源ＡＧＦ−０１２」、春日電機社製）を用いて、４００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２のコロナ放電処理量で照射し、その後、四分割してコロナ処理基板（電離線照射処理基板）とした。その後、調製した硬化性組成物をコロナ処理基板のコロナ放電面（電離線照射処理面）の中心に約５０μＬスポットし、簡易インプリント装置（ＥＵＮ−４２００、エンジニアリングシステム社製）のワークステージに設置した。一方、離型剤（商品名「ＨＤ−１１００Ｚ」、ダイキン化成社製）を所定の方法であらかじめ塗布した石英テンプレート（ＮＩＭ−ＰＨ３５０、ＮＴＴ−ＡＴＮ社製）を、シリコーンゴム（厚さ０．２ｍｍ）を接着層として、簡易インプリント装置の石英製露光ヘッドへ貼り付けた。次いで、簡易インプリント装置の圧力を０．２ＭＰａとした後、露光ヘッドを下降し、テンプレートとコロナ処理基板とを、硬化性組成物を介して密着させた後、ＵＶ露光を１５秒間実施した。１５秒後に露光ステージを上昇し、テンプレートを硬化した形状転写層から剥離し、レジストパターンを形成した。形成したレジストパターンのパターンの高さのバラツキの評価は「きわめて良好」であった。

（実施例２〜４及び比較例１）
コロナ放電処理量を表１に記載した処理量としたこと以外は実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した。形成したレジストパターンのパターンの高さのバラツキの評価を表１に併せて記載する。

表１からわかるように、コロナ放電処理（電離線照射）したコロナ放電処理基板（電離線照射処理基板）を用いることにより、基板上に形成するレジストパターンの高さのバラツキを抑制することができる。

本発明のナノインプリント方法は、半導体素子等の回路の集積化や記録密度を向上させるために用いられるナノインプリントリソグラフィーに好適に用いることができる。

１：電離線照射処理基板、２：被形状転写層、３：スタンパ、４：光、５：形状転写層、１０：レジストパターン。

Claims (6)

1. （１）被加工基板の表面を電離線照射処理し、電離線照射処理面を有する電離線照射処理基板を形成する工程と、
   （２）前記電離線照射処理面上に、光又は熱の作用により硬化する硬化性組成物からなる被形状転写層を形成する工程と、
   （３）前記被形状転写層にスタンパを圧接する工程と、
   （４）前記スタンパを圧接したまま前記被形状転写層を露光する工程と、
   （５）前記スタンパを前記被形状転写層から剥離して、レジストパターンが形成された基板を得る工程と、を含むパターン形成方法。
2. 前記被加工基板の前記表面に、ポリシロキサンからなる下層膜が形成されている請求項１に記載のパターン形成方法。
3. 前記電離線照射処理が、コロナ放電処理である請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
4. 前記被加工基板の前記表面を、１００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ^２以上のコロナ放電処理量でコロナ放電処理する請求項３に記載のパターン形成方法。
5. 前記硬化性組成物が、光硬化性組成物である請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターン形成方法によって得られるレジストパターンが形成された基板を用いた半導体素子。

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