JP2011071240A - 半導体記憶装置、及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
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- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42324—Gate electrodes for transistors with a floating gate
- H01L29/42332—Gate electrodes for transistors with a floating gate with the floating gate formed by two or more non connected parts, e.g. multi-particles flating gate
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- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
- H01L29/42348—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator with trapping site formed by at least two separated sites, e.g. multi-particles trapping site
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66825—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a floating gate
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66833—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
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Abstract
【解決手段】活性領域AA上に形成された第1絶縁膜16と、前記第1絶縁膜16上に複数配置された微小結晶体の電荷蓄積部17と、前記電荷蓄積部17を覆うように、前記第1絶縁膜16上に形成された第2絶縁膜18と、前記第2絶縁膜18上に形成された制御ゲート19とを具備し、前記第1絶縁膜16のゲート幅方向の端部における前記電荷蓄積部17の密度は、ゲート幅方向の中心部における密度よりも大きい。
【選択図】図3
Description
図示するようにNAND型フラッシュメモリは、メモリセルアレイ1、電圧発生回路2、及びロウデコーダ3を備えている。まずメモリセルアレイ1について説明する。
図示するようにメモリセルアレイ1は、複数のブロックBLKを備える。それぞれのブロックBLKは不揮発性のメモリセルが直列接続された複数のNANDセル4を備えている。NANDセル4の各々は、例えば16個のメモリセルトランジスタMTと、選択トランジスタST1、ST2とを含んでいる。メモリセルトランジスタMTは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して、例えばメタル材またはシリコンで形成されたDot型の電荷蓄積部(以下、Dot電荷蓄積部と呼ぶ)と、電荷蓄積部を被覆するように形成された絶縁膜(以下、ブロック層と呼ぶ)と、更にブロック層上に形成された制御ゲート電極とを有するMONOS構造である。なお、メモリセルトランジスタMTの個数は16個に限られず、8個や32個、64個、128個、256個等であってもよく、その数は限定されるものではない。またメモリセルトランジスタMTは、隣接するもの同士でソース、ドレインを共有している。そして、選択トランジスタST1、ST2間に、その電流経路が直列接続されるようにして配置されている。直列接続されたメモリセルトランジスタMTの一端側のドレイン領域は選択トランジスタST1のソース領域に接続され、他端側のソース領域は選択トランジスタST2のドレイン領域に接続されている。
電圧発生回路2は電圧を発生し、発生した所定の電圧をロウデコーダ3に供給する。電圧発生回路2が発生させる電圧は、例えば電荷蓄積部に電荷を注入させることによって、メモリセルトランジスタMTの閾値レベルを変化させる程度の値を有するものである。
ロウデコーダ3は、メモリセルアレイ1のロウ方向を選択する。すなわち、ワード線WLを選択して、選択したワード線WLに対して、電圧発生回路2が生成した電圧を印加する。
次に図2を用いて上記構成のメモリセルアレイ1の平面図について説明する。図2はメモリセルアレイ1の平面図である。
次に図3を用いて上記構成のメモリセルアレイ1の断面構成について説明する。図3は図2においてB−B線に沿ったNANDセル4の断面図を示している。以下、図2のB−B線に沿った方向をゲート幅方向またはAA幅方向、B−B線に垂直な方向をゲート長さ方向またはAA長さ方向ということがある。
次に図4に、上記説明したメモリセルトランジスタMTが形成される活性領域AAの斜視図を示す。図4は、特にDot型電荷蓄積部17の分布について示したものであり、説明の簡単化のため、ゲート絶縁膜16、ブロック層18、制御ゲート19を省略している。
次に上記説明したメモリセルトランジスタMTと選択トランジスタSTの製造方法について図6乃至図12を用いて説明する。なお、図6乃至図12の各々は、メモリセルトランジスタMTの形成予定領域であって図2のB−B方向に沿った断面図と、選択トランジスタSTの形成予定領域であって図2のB’−B’方向に沿った断面図とそれぞれを示す。
本実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法であると(1)及び(2)の効果を奏することができる。
(1)動作信頼性を向上させることが出来る(その1)。
本実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法であると、ゲート絶縁膜16上に形成されたDot型電荷蓄積部17がある一定の分布を以って形成されている。この分布から得られる効果を従来のDot型電荷蓄積部を備えた半導体記憶装置と比較して説明する。なお、従来の半導体記憶装置においても、同じ名称には同一の符号を用いる。
本実施形態に係る半導体記憶装置及びその製造方法であると、選択トランジスタSTのゲート絶縁膜16上にDot型電荷蓄積部17がない。つまり、選択トランジスタSTの閾値は一定とされる。
Claims (6)
- 活性領域上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に複数配置された微小結晶体の電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部を覆うように、前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成された制御ゲートと
を具備し、
前記第1絶縁膜のゲート幅方向の端部における前記電荷蓄積部の密度は、ゲート幅方向の中心部における密度よりも大きい
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記活性領域を挟むように素子分離領域が隣接して形成され、
前記制御ゲートが前記活性領域を跨ぐ方向における、前記第1絶縁膜の端部に形成される前記電荷蓄積部の密度は、前記方向の中心における密度よりも大きい
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記電荷蓄積部として機能する前記微小結晶体は、シリコンまたは金属を含む材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記活性領域上に形成された第2絶縁膜を介して形成された第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有する選択トランジスタ
を更に具備することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記活性領域上に形成された複数の前記選択トランジスタと、
各々が前記第1絶縁膜、前記電荷蓄積部、前記第2絶縁膜、及び前記制御ゲートを備えた複数のメモリセルと
を備え、前記メモリセルは前記選択トランジスタ間に形成される
ことを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に複数の微小結晶体を一定の密度で配置する工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって、活性領域の形成予定領域におけるゲート幅方向の中央部に配置された前記微小結晶体のみを除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記微小結晶体を再度一定の密度で配置する工程と、
複数の前記微小結晶体を被覆するように前記ゲート絶縁膜上に絶縁膜及び導電膜を順次形成する工程と、
前記導電膜、前記絶縁膜、及びゲート絶縁膜をパターニングすることで
活性領域を形成しつつ、素子分離絶縁膜を埋め込むことで素子分離領域を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜及び導電膜上にゲート電極層を形成した後、該ゲート電極層、前記導電層、前記絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜をパターニングし、ゲート電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009219737A JP2011071240A (ja) | 2009-09-24 | 2009-09-24 | 半導体記憶装置、及びその製造方法 |
US12/727,780 US8194445B2 (en) | 2009-09-24 | 2010-03-19 | Semiconductor storage device comprising dot-type charge accumulation portion and control gate, and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009219737A JP2011071240A (ja) | 2009-09-24 | 2009-09-24 | 半導体記憶装置、及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011071240A true JP2011071240A (ja) | 2011-04-07 |
Family
ID=43756506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009219737A Abandoned JP2011071240A (ja) | 2009-09-24 | 2009-09-24 | 半導体記憶装置、及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8194445B2 (ja) |
JP (1) | JP2011071240A (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A762 | Written abandonment of application |
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