JP2007324480A - スイッチング素子、半導体装置及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1のスイッチング素子5において、第1の電極対向面61を有する第1の主電極6と、第1の電極対向面61に対向し離間された第2の電極対向面71を有する第2の主電極7と、第1の主電極6に一端が接触し第2の主電極7に他端が接触するとともに、第1の電極対向面61から第2の電極対向面71に向う第1の方向に複数の微粒子80を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネル81を、第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数配設したチャネル領域8とを備える。
【選択図】図1
Description
[スイッチング素子及び半導体装置の構造]
図1及び図2に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置1は、第1の電極対向面61を有する第1の主電極6と、第1の電極対向面61に対向し離間された第2の電極対向面71を有する第2の主電極7と、第1の電極対向面61に一端が接触し第2の電極対向面71に他端が接触するとともに、第1の電極対向面61から第2の電極対向面71に向う第1の方向に複数の微粒子80を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネル81を、第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数配設したチャネル領域8とを有するスイッチング素子5と、このスイッチング素子5を搭載する基板2とを備えている。更に、スイッチング素子5は、チャネル領域8上の絶縁膜9と、この絶縁膜9上の制御電極10とを備えている。
次に、第1の実施の形態に係るスイッチング素子5の基本的構造及び基本的製造方法を説明する。
まず、スイッチング素子5の基本的製造方法から説明する。図3に示すように、第1の主電極6の第1の電極対向面61と第2の主電極7の第2の電極対向面71との間(チャネル領域8に相当する。)に複数の微粒子80を散布する。この複数の微粒子80は第1の電極対向面61と第2の電極対向面71との間にランダムに分布する。
次に、スイッチング素子5において、チャネル領域8の微粒子80間に働く相互作用について説明する。微粒子80は電場中に置かれると、電場強度と誘電率と形状とに応じた電気分極pを持つ。2個の微粒子80がそれぞれ電気分極p1、p2を持ち、電気分極p1を原点とした電気分極p2の位置ベクトルをrとすると、微粒子80間の双極子相互作用力により電気分極p1が受ける力Fは下記(1)式により与えられる。
微粒子80の直列配列数は常に整数である。従って、微粒子80の半径が均一に揃っていれば(同一であれば)、単位チャネル81の長さLBCは常に一定になり、チャネル領域8においてすべての単位チャネル81の長さは一定になる。これは、チャネル領域8のチャネル長が複数のスイッチング素子5において同一であることを意味する。
図9に示すように、例えばスイッチング素子5の製造プロセス中のリソグラフィ工程において、プロセスばらつき等の原因により、第1の主電極6の第1の電極対向面61と第2の主電極7の第2の電極対向面71との間の離間距離が寸法LS分だけ短くなった場合においても、単位チャネル81の長さLBCは常に一定になる。単位チャネル81の実効的な長さLBCは電流経路であり、電流経路は電流が流れる最短距離になる。つまり、単位チャネル81の1つの微粒子80中の電流経路は、この微粒子80の中心とこの微粒子80の第1の電極対向面61側の他の微粒子80に接する表面との間の直線経路(半径に相当する)と、この微粒子80の中心とこの微粒子80の第2の電極対向面71側の他の微粒子80に接する表面との間の直線経路(半径に相当する)とによって構築されている。すなわち、単位チャネル81の微粒子80が1直線に並んでいない場合でも、個々の微粒子80の電流経路長は直径に相当する。
また、図10に示すように、例えば大きな半径を有する微粒子80Lとそれよりも小さな半径を有する微粒子80Sとが存在し、微粒子80のサイズにばらつきが存在する場合においても、平均化による均一化を利用することにより、チャネル領域8の複数の単位チャネル81の長さLBCのばらつきを減少することができる。つまり、図10に示す1つの単位チャネル81は微粒子80L及び80Sを含む合計5個の微粒子80によって構築され、単位チャネル81の長さLBCには5個の微粒子80の大きさのばらつきが平均化されているので、単位チャネル81の長さLBCのばらつきは1個の微粒子80の大きさのばらつきに比べて遙かに小さくなる。結果的に、複数の単位チャネル81の長さLBCのばらつきを均一化することができる。
更に、図11(A)及び図11(B)に示すように、第1の主電極6の第1の電極対向面61と第2の主電極7の第2の電極対向面71との間の領域(空間)内に整数個の微粒子80が収まらない場合においても、チャネル領域8の複数の単位チャネル81の長さLBCのばらつきを減少することができる。このスイッチング素子5は、第1の主電極6と第2の主電極7との間に働く電場Eが第1の電極対向面61と第2の電極対向面71との対向部分よりも外側に広がっていることを利用して構成されている。更に、このスイッチング素子5は、第1の電極対向面61と第2の電極対向面71との間にそれらの上辺まで達しない程度に充填された絶縁体85を備え、この絶縁体85に誘起される、誘電分極による双極子モーメントとの相互作用により、この絶縁体85と微粒子80との間に働く斥力を利用することにより構成されている。単位チャネル81の長さLBCは同様に上記(3)式により決定されている。なお、図11(A)及び図11(B)に示すスイッチング素子5のチャネル領域8は、平面図上では第1の電極対向面61と第2の電極対向面71との間を含み、立体的には第1の主電極6の上面と第2の主電極7の上面との間に構築される。
第4の変形例に係るスイッチング素子5は、チャネル領域8の微粒子80に球体ではなく楕円体を使用した例を説明するものである。この場合には、微粒子80の分極軸の異方性を考慮する必要がある。図12(A)及び図12(B)に示すように、外部電場Eの中に置かれた微粒子80の分極pは、微粒子80の電場Eが働く方向の長さが最大になる場合に、最大になる。この時、系のエネルギが最小となる。従って、楕円体形状を有する微粒子80には、球体形状を有する微粒子80の双極子相互作用に加えて、楕円体の長軸が電場Eと同じ方向となるように偶力Fmが働く。
第5の変形例に係るスイッチング素子5は、電気分極による双極子相互作用に代えて、磁化による双極子相互作用を利用し、微粒子80を整列させ、チャネル領域8を構成した例を説明するものである。前述の(1)式において与えられる電気分極による双極子相互作用に対して比例定数が異なるのみで、磁化による双極子相互作用の距離や角度に対する依存性は同一である。
前述の第1の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに第1の変形例乃至第5の変形例に係るスイッチング素子5において、一旦、整列した微粒子80は準安定状態となるので、整列に用いられた電場Eや磁場Bが取り除かれても、微粒子80の整列した形状を保つことができる。ところが、系を加熱する、つまり少なくともチャネル領域8を加熱すると、微粒子80には運動エネルギを熱的に得ることができ、微粒子80の整列状態を壊すことができる。また、整列に用いられた方向と異なる方向の電場Eや磁場Bを印加すると、微粒子80の整列状態を壊すことができる。このような現象を積極的に利用して、スイッチング素子5においては、第1の主電極6と第2の主電極7との間のON/OFF状態を切り替えることができる。
図15(A)に具体的な使用方法としてスイッチング素子5の単純な構造を示す。図15(B)はスイッチング素子5の第1の主電極6、第2の主電極7及びチャネル領域8の構造を示し、図15(C)は絶縁膜9及び制御電極10の構造を示す。スイッチング素子5は、図15(B)に示すように、予め第1の主電極6と第2の主電極7との間に微粒子80を散布し、電界E又は磁界Bを印加し、複数列の単位チャネル81を生成することによりチャネル領域8を形成する。そして、チャネル領域8上に図15(C)に示す絶縁膜9を形成し、この絶縁膜9上に制御電極10を形成する。このような一連の製造プロセスを経て、3端子素子である図15(A)に示すスイッチング素子5を完成させることができる。このスイッチング素子5においては、第1の主電極6と第2の主電極7との間のチャネル領域8に流れる電流を、制御電極10からの電界効果により制御することができる。
次に、第1の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに半導体装置1の製造方法を図17乃至図27を用いて説明する。
次に、前述のスイッチング素子5の製造方法並びに半導体装置1の製造方法において使用され、微粒子80を散布する散布装置について説明する。
第1の実施の形態に係る半導体装置1の製造方法においては、微粒子80の散布不足や、散布時に微粒子80が基板2外へ排出される等の無駄な消費を抑制することができるが、前述の図28に示す散布装置100が必要である。散布装置100の導入は、装置本体のコストに加え、クリーンルーム内に設置するための経費等、多大なコストを必要とするので、コストを抑えるには既存の設備を利用することが望ましい。本変形例では、回転塗布装置とCMP装置とを利用して、微粒子80を凝集させることなく基板2上に散布する手法を提供することができる。
以下、引き続き第1の実施の形態の図25(A)及び図25(B)に示された工程以降を行うことにより、本変形例に係る半導体装置1を完成させることができる。
次に、第2の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに半導体装置1の製造方法を図33乃至図48を用いて説明する。なお、第2の実施の形態並びにそれ以降の実施の形態において、第1の実施の形態に係るスイッチング素子5及び半導体装置1の構成要素と同一又は類似の構成要素には同一符号を付け、その説明は重複するので省略する。
次に、第3の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに半導体装置1の製造方法を図49乃至図72を用いて説明する。
次に、第4の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに半導体装置1の製造方法を図73乃至図80を用いて説明する。なお、第4の実施の形態に係る製造方法は、前述の第3の実施の形態に係る製造方法の図49乃至図59までに示す工程が同一であるので、ここでの重複する説明は省略する。
半導体装置1において、電極間に間隙を含む構造を形成する手法には、スペーサにより囲まれた領域に犠牲層と呼ばれる物質を成膜しておき、上部構造(図79の絶縁膜15に相当。)の形成後に、犠牲層を薬液により等方的にエッチング除去する手法が、一般的である。しかし、配線の微細化が進むことに伴い、電極の線幅や線間隔が数十nm以下になると、薬液の表面張力の影響が極めて大きくなり、電極の隙間から薬液を回り込ませて浸入させることが容易ではない。仮に薬液が行き届いたとしても、次に、電極の隙間から薬液を排出することが容易ではない。更に、何らかの手段により薬液の排出ができたとしても、微粒子80を間隙内に残さなければならず、薬液の排出とともに微粒子80が排出されることを防止することは容易ではない。
次に、上述した微粒子の基本的な散布方法を用いた半導体装置の製造方法について、より具体的に説明する。前述の第3の実施の形態に係る図59に示す工程の後に、図73に示すように、主電極形成膜65から露出する絶縁膜21及び24を選択的に除去し、絶縁膜9の表面が露出する溝6Tを生成する。絶縁膜24の除去には、例えばCHF3及びCOガスを使用する反応性イオンエッチングを実用的に使用することができる。また、絶縁膜21の除去には、例えばCHF3、CF4及びO2ガスを使用する反応性イオンエッチングを実用的に使用することができる。
次に、第5の実施の形態に係るスイッチング素子5並びに半導体装置1の製造方法を図81乃至図103を用いて説明する。
次に、本発明の第6の実施の形態を図104乃至図113を用いて説明する。第6の実施の形態は、二重ドット構造を採用するメモリセル(スイッチング素子)を備えた半導体記憶装置(半導体装置)に本発明を適用した例を説明するものである。
なお、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、変更可能である。
2 基板
2W シリコン単結晶ウェーハ
3T、6T、8T、22T 溝
23、26、51 レジストマスク
43 塗布膜
5 スイッチング素子
6 第1の主電極
61 第1の電極対向面
62、72 引出電極
65 主電極形成膜
66 引出電極形成膜
7 第2の主電極
71 第2の電極対向面
8 チャネル領域
80、80L、80S 微粒子
81 単位チャネル
85 絶縁体
86 ポリエチレンオキシド
87、89 混合膜
88 ポリビニルアルコール
3、9、13、15、21、22、24、25、91 絶縁膜
10 制御電極
10A 制御電極形成膜
11、14 パッシべーション膜
11H 接続孔
12 配線
12A 配線形成膜 100 散布装置
101 基板ステージ
102 中空針状電極
103 溶液吐出ポンプ
104、106 配管
105 原料容器
107 引出電極
108 電圧制御ユニット
Claims (18)
- 第1の面を有する第1の電極と、
前記第1の面に対向し離間された第2の面を有する第2の電極と、
前記第1の電極に一端が接触し前記第2の電極に他端が接触するとともに、前記第1の面から前記第2の面に向う第1の方向に複数の微粒子を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネルを、前記第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数配設したチャネル領域と、
を備えたことを特徴とするスイッチング素子。 - 前記チャネル領域の単位チャネルの一端は前記第1の電極の前記第1の面に接触し、他端は前記第2の電極の第2の面に接触したことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング素子。
- 前記複数の微粒子のそれぞれは、同一形状及び同一径を実質的に有する球体又は楕円体であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスイッチング素子。
- 前記単位チャネルの前記複数の微粒子のそれぞれは引力により接触し、前記単位チャネルの前記複数の微粒子とそれに隣接する他の前記単位チャネルの前記複数の微粒子とは斥力により離間されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のスイッチング素子。
- 前記引力は前記第1の方向に働く電界に基づき前記複数の微粒子のそれぞれに働く引力であり、前記斥力は前記電界により前記第2の方向において前記複数の微粒子のそれぞれに働く斥力であることを特徴とする請求項4に記載のスイッチング素子。
- 前記第1の電極の前記第1の面又は前記第2の電極の前記第2の面の最も短い辺の長さに比べて、前記複数の微粒子の前記球体の径若しくは前記楕円体の短径が短いことを特徴とする請求項3に記載のスイッチング素子。
- 前記第1の電極の前記第1の面又は前記第2の電極の前記第2の面は平面形状又は曲面形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のスイッチング素子。
- 前記チャネル領域上の絶縁体と、
前記絶縁体上の制御電極と、
を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のスイッチング素子。 - 第1の面を有する第1の電極と、
前記第1の面に対向し離間された第2の面を有する第2の電極と、
前記第1の面に一端が接触し前記第2の面に他端が接触するとともに、前記第1の面から前記第2の面に向う第1の方向に複数の微粒子を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネルを、前記第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数配設したチャネル領域と、を有するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を搭載する基板と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1の面を有する第1の電極と、
前記第1の面に対向し離間された第2の面を有する第2の電極と、
前記第1の面と第2の面との間に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上において前記第1の電極の上面に一端が接触し前記第2の電極の上面に他端が接触するとともに、前記第1の面から前記第2の面に向う第1の方向に複数の微粒子を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネルを、前記第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数配設したチャネル領域と、を有するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を搭載する基板と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1の面を有する第1の電極及び前記第1の面に対向し離間された第2の面を有する第2の電極を形成する工程と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に複数の微粒子を散布する工程と、
一端が前記第1の電極に接触し他端が前記第2の電極に接触するとともに、前記第1の面から前記第2の面に向かう第1の方向に前記微粒子を相互に接触させ1列に連ねた単位チャネルを、前記第1の方向と交差する第2の方向に互いに離間して複数形成したチャネル領域を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするスイッチング素子の製造方法。 - 前記チャネル領域を形成する工程は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に散布された前記微粒子に前記第1の方向に働く電界を印加し、前記第1の方向に1列に微粒子を連ねた単位チャネルを形成するとともに、前記第2の方向に前記単位チャネルを互いに離間する工程であることを特徴とする請求項11に記載のスイッチング素子の製造方法。
- 前記チャネル領域を形成する工程は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に散布された前記微粒子に前記第1の方向に働く磁界を印加し、前記第1の方向に1列に前記微粒子を連ねた単位チャネルを形成するとともに、前記第2の方向に前記単位チャネルを互いに離間する工程であることを特徴とする請求項11に記載のスイッチング素子の製造方法。
- 前記チャネル領域を形成する工程は、前記単位チャネルを形成した後に、この単位チャネルの前記微粒子間を接合する工程を更に備えたことを特徴とする請求項12又は請求項13に記載のスイッチング素子の製造方法。
- 前記微粒子を散布する工程は、前記微粒子が懸濁された溶媒を液滴として前記第1の電極と前記第2の電極との間に噴出し、前記溶媒を蒸発させて前記微粒子を散布する工程であることを特徴とする請求項11乃至請求項14のいずれかに記載のスイッチング素子の製造方法。
- 前記微粒子を散布する工程は、前記微粒子と熱分解性ポリマーとの混合膜を形成する工程と、前記混合膜の前記熱分解性ポリマーの一部を加熱により分解し排出する工程とを備えたことを特徴とする請求項11乃至請求項14のいずれかに記載のスイッチング素子の製造方法。
- 前記請求項11乃至前記請求項16のいずれかに記載されたスイッチング素子の製造方法を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に微粒子を散布する工程と、
前記基板を電極間に配置し、前記電極間に電圧を印加することにより働く引力に基づき前記第1の絶縁膜の表面に対して垂直方向に前記微粒子を一列に連ねるとともに、斥力に基づき一列に連ねた前記微粒子間を互いに離間させる工程と、
前記微粒子を埋設する第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜中において前記微粒子の周囲を酸化する工程と、
前記第2の絶縁膜上に電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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