JP2011066080A5 - 保護膜の形成方法および実装構造体、ならびに実装構造体のリペア方法 - Google Patents

Description

本発明は保護膜の形成方法、この方法による実装構造体、ならびに実装構造体のリペア方法に関するものである。

Claims (14)

1. 電子回路基板に実装された電子部品のリードまたは端子ピンに、第１の炭化水素系樹脂を含む第１のコーティング剤を塗布して第１の被膜を形成する第１被膜形成工程と、
   前記第１の被膜を硬化させる硬化工程と、
   第２の炭化水素系樹脂を含み、かつ前記第１のコーティング剤より粘度の高い第２のコーティング剤を、前記第１の被膜の表面に塗布して第２の被膜を形成する第２被膜形成工程と、を含むことを特徴とする保護膜の形成方法。
2. 前記第１の炭化水素系樹脂と前記第２の炭化水素系樹脂とが同じ炭化水素系樹脂であることを特徴とする請求項１記載の保護膜の形成方法。
3. 前記第２の被膜は、前記第１の被膜に増粘性の添加剤を加えたものであることを特徴とする請求項２記載の保護膜の形成方法。
4. 前記添加剤が脂肪酸系添加剤であることを特徴とする請求項３記載の保護膜の形成方法。
5. 前記第１のコーティング剤および前記第２のコーティング剤が、それぞれ、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する脂環式アルカンを含むことを特徴とする請求項１記載の保護膜の形成方法。
6. 前記第１のコーティング剤の粘度が、円錐・平板回転粘度計を用いて室温で測定した値が１００〜３００ｍＰａ・ｓの範囲内にあり、チクソ比が、同じ条件下で測定した値が０．８〜１．２の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
7. 前記添加剤の添加量が、前記第１の炭化水素系樹脂１００質量部に対して０．１〜５質量部の範囲内であることを特徴とする請求項３または４に記載の保護膜の形成方法。
8. 前記第２のコーティング剤の粘度が、円錐・平板回転粘度計を用いて室温で測定した値が３００〜１０００ｍＰａ・ｓの範囲内であって、チクソ比が、同じ条件下で測定した値が１．５〜２．５の範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
9. 前記第１のコーティング剤と前記第２のコーティング剤とによる被膜の厚さが２５〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の保護膜の形成方法。
10. 電子部品が実装された電子回路基板と、
    前記電子部品のリードまたは端子ピンを被覆する保護膜と、を有し、
    前記保護膜が、第１の炭化水素系樹脂を含む第１のコーティング膜と、前記第１のコーティング膜上に形成され、かつ第２の炭化水素系樹脂を含む第２のコーティング膜とからなり、
    前記第２の炭化水素系樹脂が、前記第１の炭化水素系樹脂に添加剤を加えたものであることを特徴とする実装構造体。
11. 前記添加剤が脂肪酸系添加剤であることを特徴とする請求項１０に記載の実装構造体。
12. 前記第１のコーティング膜および前記第２のコーティング膜が、それぞれ、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する脂環式アルカンを含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の実装構造体。
13. 前記添加剤の添加量が、前記第１の炭化水素系樹脂１００質量部に対して０．１〜５質量部の範囲内であることを特徴とする請求項１０に記載の実装構造体。
14. 請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の実装構造体に対して、前記第２のコーティング膜と前記第１のコーティング膜とを、前記第１の炭化水素系樹脂および前記第２の炭化水素系樹脂を溶解する溶剤を用いて溶解させまたは軟化させて除去し、リペアすることを特徴とする実装構造体のリペア方法。