TWI711052B - 異向性導電膜及其製造方法 - Google Patents

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TWI711052B
TWI711052B TW104103838A TW104103838A TWI711052B TW I711052 B TWI711052 B TW I711052B TW 104103838 A TW104103838 A TW 104103838A TW 104103838 A TW104103838 A TW 104103838A TW I711052 B TWI711052 B TW I711052B
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connection layer
anisotropic conductive
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塚尾怜司
阿久津恭志
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日商迪睿合股份有限公司
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Abstract

異向性導電膜具有第1連接層及形成於該第1連接層單面之第2連接層。第1連接層為光聚合樹脂層,第2連接層為熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層。於第1連接層之第2連接層側表面以單層排列有異向性導電連接用之導電粒子,於第1連接層表面設置有微細凹凸。又,另一態樣之異向性導電膜具有依序積層之第1連接層、第2連接層及第3連接層。第1連接層係由光自由基聚合樹脂所形成,第2連接層及第3連接層分別由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成,於第1連接層之第2連接層側表面以單層配置有異向性導電連接用之導電粒子。

Description

異向性導電膜及其製造方法
本發明係關於一種異向性導電膜及其製造方法。
構裝IC晶片等電子零件時廣泛使用異向性導電膜,近年來,就應用於高密度構裝之觀點而言,以提高導通可靠性或絕緣性、提高導電粒子捕捉率、降低製造成本等為目的,提出於雙層結構之絕緣性樹脂層之層間以單層配置有異向性導電連接用之導電粒子的雙層結構之異向性導電膜(專利文獻1)。
該雙層結構之異向性導電膜係藉由如下方式而製造:於黏著層以單層且緊密地配置導電粒子,對該黏著層進行雙軸延伸處理,藉此形成排列有導電粒子之片材,將該片材上之導電粒子轉印於含有熱硬化性樹脂及潛伏性硬化劑之絕緣性樹脂層,進而於所轉印之導電粒子上層壓含有熱硬化性樹脂但不含有潛伏性硬化劑之其他絕緣性樹脂層(專利文獻1)
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4789738號說明書
然而,於專利文獻1中,於將該雙層結構之異向性導電膜應用於異向性導電連接之情形時,雖然考慮到確保對IC晶片或配線基板等被連接體之良好之導通可靠性或絕緣性,但難以說是對不弄亂導電粒子之排列而貼附於基板之情況進行充分研究。例如為了改善異向性導電膜之密合性,若於專利文獻1之揭示範圍內變更其接著成分,則於進行將異向性導電膜機械性貼附於基板之操作時,有導電粒子之排列產生混亂之情形,存在無法獲得所期望之異向性導電連接特性之問題。
本發明之目的在於解決以上之先前技術之問題,於具有以單層排列之導電粒子的多層結構之異向性導電膜中,無損導通可靠性及絕緣性,且不弄亂導電粒子之排列,從而實現良好之貼附性。
本發明者等人發現如下異向性導電膜可達成上述本發明之目的之構成,從而完成本發明:該異向性導電膜係藉由如下方式獲得:於在單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層之另一面以單層排列導電粒子之後,藉由照射紫外線而將導電粒子固定化或暫時固定化,進而於經固定化或暫時固定化之導電粒子上積層熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層。又,本發明者等人發現藉由如下異向性導電膜,亦可達成上述本發明之目的,從而完成本發明,該異向性導電膜係於光聚合性樹脂層之單面以單層配置導電粒子,藉由照射紫外線,而將導電粒子固定化於光聚合樹脂,進而於經固定化之導電粒子上積層藉由熱或者光進行聚合之聚合性 樹脂層,於其相反面積層顯示特定之黏著力之藉由熱或者光進行聚合之聚合性樹脂層。
即,本發明之第一態樣在於提供一種異向性導電膜,其係具有第1連接層及形成於該第1連接層單面之第2連接層者,其特徵在於,第1連接層為光聚合樹脂層,第2連接層為熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層,於第1連接層之第2連接層側表面以單層排列有異向性導電連接用之導電粒子,於第1連接層之第2連接層相反側表面設置有微細凹凸。
又,本發明之第二態樣在於提供一種異向性導電膜,其係於第1連接層之單面積層有第2連接層,於第1連接層之另一面積層有第3連接層者,其特徵在於,第1連接層係由光聚合樹脂所形成,第2連接層及第3連接層分別由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或者光自由基聚合性樹脂所形成,由探針法(不鏽鋼圓柱狀探針、直徑5mm、壓抵荷重196kgf、壓抵速度30mm/min、剝離速度5mm/min)所測得之第3連接層之黏著力大於3kPa,於第1連接層之第2連接層側表面以單層配置有異向性導電連接用之導電粒子。
再者,第2連接層及第3連接層較佳為使用有藉由加熱而開 始聚合反應之熱聚合起始劑之熱聚合性樹脂層,可為使用藉由光而開始聚合反應之光聚合起始劑之光聚合性樹脂層。可為併用熱聚合起始劑及光聚合起始劑之熱.光聚合性樹脂層。此處,第2連接層有於製造方面限定於使用有熱聚合起始劑之熱聚合性樹脂層之情形。
又,本發明提供一種製造方法,其係上述本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造方法,且具有以一階段之光聚合反應形成第1連接層的以下步驟(A)~(D)、或以二階段之光聚合反應形成第1連接層之下述步驟(AA)~(EE)。
(以一階段之光聚合反應形成第1連接層之情形)
步驟(A)使用形成有微細凹凸之母盤,形成單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層的步驟;步驟(B)於單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層之另一面以單層排列導電粒子的步驟;步驟(C)藉由對排列有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而進行光自由基聚合反應,形成單面設置有微細凹凸且於另一面固定有導電粒子之第1連接層的步驟;及步驟(D)於固定有導電粒子之第1連接層之另一面形成由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層的步驟。
(以二階段之光聚合反應形成第1連接層之情形)
步驟(AA)使用形成有微細凹凸之母盤,形成單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層的步驟;步驟(BB)於單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層之另一面以單層排列導電粒子的步驟;步驟(CC)藉由對排列有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而進行光聚合反應,形成單面設置有微細凹凸且於另一面暫時固定有導電粒子之暫時第1連接層的步驟;步驟(DD)於暫時第1連接層之導電粒子側表面形成由熱陽離子、陰離子或自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層的步驟;及步驟(EE)藉由自與第2連接層相反之側對暫時第1連接層照射紫外線,而進行光聚合反應,使暫時第1連接層正式硬化,形成第1連接層的步驟。
作為於步驟(DD)中形成第2連接層時使用之起始劑,限定於熱聚合起始劑,其原因在於,對作為異向性導電膜之製品壽命、連接及連接結構體之穩定性不會產生不良影響。即,將第1連接層分成二階段進行照射之情形時,根據其步驟上之限制,有第2連接層不得不限定於熱聚合起始劑之情形。再者,於連續進行二階段照射之情形時,由於可藉由 與一階段大致同樣之步驟形成,因此可期待同等之作用效果。
又,本發明提供一種異向性導電膜之製造方法,其係上述本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法,且具有以下步驟(A')~(D'):步驟(A')於光聚合性樹脂層之單面以單層配置導電粒子的步驟;步驟(B')藉由對配置有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而進行光聚合反應,形成表面固定有導電粒子之第1連接層的步驟;步驟(C')於第1連接層之導電粒子側表面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成之第2連接層的步驟;步驟(D')積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成,且由探針法(不鏽鋼圓柱狀探針、直徑5mm、壓抵荷重196kgf、壓抵速度30mm/min、剝離速度5mm/min)所測得之黏著力大於3kPa之第3連接層的步驟;藉由於步驟(A')之前對光聚合性樹脂層積層第3連接層而進行步驟(D'),或者藉由於步驟(C')之後對第1連接層之與第2連接層相反之側的表面積層第3連接層而進行步驟(D')。
再者,本發明亦包含第2連接層作為黏著層而發揮功能之態 樣。
此外,本發明提供一種連接結構體,其係以上述異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件。
本發明之第一態樣之異向性導電膜具有由光聚合樹脂層所構成之第1連接層,及形成於其另一面之由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層所構成的第2連接層,進而,於第1連接層之第2連接層側表面以單層排列異向性導電連接用之導電粒子。因此,可將導電粒子與第1連接層牢牢地固定。就反射性而言,可實現良好之導通可靠性及良好之導電粒子捕捉率。並且,於第1連接層之第2連接層相反面設置有微細凹凸。因此,第1連接層不必為了改善貼附性而改為柔軟之材質,即便使用先前之材料,亦可實現良好之貼附性,亦可改善修復性。換言之,異向性導電膜中,可兼具導電粒子之固定及膜之貼附性。
再者,於該接合利用熱來進行之情形,係以與通常之異向性導電膜之連接方法同樣之方法。於利用光之情形時,只要進行利用連接工具之壓入直至反應結束即可。於該情形時,連接工具等亦通常進行加熱以促進樹脂流動或粒子之壓入。又,併用熱及光之情形亦只要與上述同樣進行即可。
又,本發明之第二態樣之異向性導電膜具有使光聚合性樹脂層光聚合而成之第1連接層,及積層於該第1連接層單面之藉由熱或者光進行聚合之第2連接層,進而,於第1連接層之第2連接層側表面以單層配置有異向性導電連接用之導電粒子。因此,可藉由經光聚合之第1連接 層而牢牢地將導電粒子固定。並且,形成第1連接層時,若於使光聚合性樹脂光聚合時,自導電粒子側照射紫外線,則導電粒子之下方(背側)之光聚合性樹脂成為導電粒子之陰影,因此未充分照射紫外線。因此,成為導電粒子之陰影之光聚合樹脂相對於未成為陰影之光聚合樹脂,硬化率相對降低,異向性導電連接時,導電粒子良好地沒入。因此,本發明之異向性導電膜可實現良好之導電粒子捕捉率、導通可靠性、絕緣性(較低之短路產生率)。
進而,本發明之第二態樣之異向性導電膜係於第1連接層之與第2連接層相反之側之表面積層第3連接層,該第3連接層具有黏性,因此本發明之異向性導電膜用於電子零件之異向性導電連接時,可使電子零件無變形地暫時貼合異向性導電膜,可防止暫時貼合引起之導電粒子之移位。因此,異向性導電膜中容易享有於以特定之排列配置導電粒子之情形時獲得之導電粒子捕捉率的提高效果。
又,藉由第3連接層之積層,亦提高經異向性導電連接之連接結構體之接著強度。
再者,於本發明之第二態樣之異向性導電膜中,第2連接層或第3連接層由藉由熱進行反應之聚合性樹脂所形成之情形時,使用其之電子零件之異向性導電連接可與使用通常之異向性導電膜之連接方法同樣進行。另一方面,本發明之第二態樣之異向性導電膜中,第2連接層或者第3連接層於由藉由光進行反應之聚合性樹脂所形成之情形,使用其之第1電子零件與第2電子零件之異向性導電連接只要進行利用連接工具之壓入直至光反應結束即可。該情形時,連接工具等亦可進行加熱以促進樹脂流 動或粒子之壓入。又,於第2連接層或第3連接層中,併用藉由熱進行反應之聚合性樹脂及藉由光進行反應之聚合性樹脂之情形時,只要與上述同樣利用連接工具進行壓入且進行加熱直至光反應結束即可。
1、100‧‧‧異向性導電膜
2、12‧‧‧第1連接層
2a、2b、12a、12b‧‧‧第1連接層之表面
2c‧‧‧微細凹凸
2X、2Y、12X、12Y‧‧‧第1連接層之區域
3、13‧‧‧第2連接層
4、14‧‧‧導電粒子
15‧‧‧第3連接層
10‧‧‧積層體
20‧‧‧暫時第1連接層
31、201‧‧‧光聚合性樹脂層
40、301、310‧‧‧剝離膜
50‧‧‧暫時異向性導電膜
圖1係本發明之第一態樣之異向性導電膜的剖視圖。
圖2係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(A)的說明圖。
圖3係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(B)的說明圖。
圖4A係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(C)的說明圖。
圖4B係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(C)的說明圖。
圖5A係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(D)的說明圖。
圖5B係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(D)的說明圖。
圖6係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(AA)的說明圖。
圖7係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(BB)的說明圖。
圖8A係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(CC)的說明圖。
圖8B係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(CC)的說明圖。
圖9A係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(DD)的說明圖。
圖9B係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(DD)的說明圖。
圖10A係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(EE)的說明 圖。
圖10B係本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造步驟(EE)的說明圖。
圖11係本發明之第二態樣之異向性導電膜的剖視圖。
圖12係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(A')的說明圖。
圖13A係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(B')的說明圖。
圖13B係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(B')的說明圖。
圖14A係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(C')的說明圖。
圖14B係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(C')的說明圖。
圖15係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(D')的說明圖。係本發明之第二態樣之異向性導電膜的剖視圖。
圖16係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中於步驟(A')之前進行步驟(D')之情形的說明圖。
圖17係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(B')的說明圖。
圖18係本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法中之步驟(C')的說明圖。
《異向性導電膜》
首先,詳細說明本發明之第一態樣之異向性導電膜之較佳的一例。
如圖1所示,本發明之第一態樣之異向性導電膜1具有如下結構:於在單面2b設置有微細凹凸2c之由使光聚合性樹脂層進行光聚合而成之光聚合樹脂層所構成的第1連接層2之另一面,形成有由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層3。並且,於第1連接層2之第2連接層3側之表面2a,為了異向性導電連接,以單層排列導電粒子4,較佳為均等排列。此處所謂均等意指導電粒子排列於平面方向之狀態。該規則性可以固定間隔設置。
<第1連接層2>
構成本發明之第一態樣之異向性導電膜1的第1連接層2為於單面設置有微細凹凸之使光聚合性樹脂層光聚合而成的光聚合樹脂層(較佳為絕緣性光聚合樹脂層),因此可將導電粒子固定。又,由於進行聚合,因此即便於異向性導電連接時進行加熱,樹脂亦不易流動,因此可大幅抑制短路之產生,因此可提高導通可靠性,亦可提高構裝導電粒子捕捉率。並且,因為於單面設置微細凹凸,因此亦可不弄亂導電粒子之排列,而實現良好之貼附性。又,由於導電粒子保持於藉由光照射進行光聚合之第1連接層,因此膜本身有韌性,其結果,亦可改善修復性。再者,微細凹凸增大第1連接層2之表面積,因此於在第1連接層2存在未聚合成分之情形時,可期待因其滲出引起之表面黏性之提高。
作為此種第1連接層2之較佳之態樣,為於單面設置有微細凹凸之使光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而獲得之光自由基聚合樹脂層,該光自由基聚合性樹脂層含有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑。以下,對第1連接層2為光自由基聚合樹脂層之情形進行說明。
再者,作為於光聚合性樹脂層之單面設置微細凹凸之方法,例如可列舉:於形成有微細凹凸之金屬製或玻璃製之輥狀或平板狀之母盤塗佈光聚合性樹脂組合物,藉由紫外線照射而使其半硬化,或抵壓光自由基聚合性樹脂膜,藉由紫外線照射而使其半硬化等。此外,可利用日本特開2011-2853號公報、WO2007/040159號公報、WO2008/096872號公報、日本特開2012-086515號公報、日本專利第4535199號說明書等所揭示之方法於光聚合性樹脂層之單面設置微細凹凸。該等方法有微細結構最精緻之情形,於結構較其增大時,使用各種公知之方法獲得凹凸用母盤而使用之態樣亦包含於本發明。
微細凹凸2c,就製造時品質檢查之簡易性之觀點而言,較佳為於平面方向以規則圖案形成。作為此種規則圖案之例,可列舉:六角格子、斜方格子、正方格子、矩形格子、平行體格子等。
微細凹凸2c之自凹部之底部直至凸部之頂點的平均距離(凹凸深度),就兼具貼附性及修復性之觀點而言,較佳為導電粒子4之平均粒徑之1/50~10倍,更佳為1/20~3倍。又,微細凹凸2c之間距(凹凸之循環寬度),就兼具貼附性及修復性之觀點而言,較佳為導電粒子4之平均粒徑之1/50~10倍,更佳為1/20~3倍。
再者,微細凹凸2c之自凹凸之底部至凸部之頂點的平均距 離或凹凸間距之測定可使用電子顯微鏡或光學顯微鏡而測定。
又,於本發明中,較佳為使微細凹凸2c之高度一致。其原因在於,藉由使微細凹凸2c之高度一致,微細凹凸2c之凸部之接觸點增加,第1連接層2之摩擦係數增大,因此可防止使用異向性導電膜時之位置偏離。微細凹凸之高度一致的程度可藉由切斷異向性導電膜,使用掃描電子顯微鏡觀察其剖面而進行評價。具體而言,以所切斷之異向性導電膜之第2連接層側之表面為基準面,針對特定數(例如,選擇10個區域,針對各區域為凸部200個)之凸部,測定自基準面至凸部前端之距離,求出平均值(高度平均值),可藉由將高度平均值與各凸部之距離進行對比而進行評價。具體而言,較佳為自基準面至各凸部之前端之距離為高度平均值之90%~110%。
(丙烯酸酯化合物)
作為成為丙烯酸酯單元之丙烯酸酯化合物,可使用先前公知之光自由基聚合性丙烯酸酯。例如可使用單官能(甲基)丙烯酸酯(此處,(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯)、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯。於本發明中,為了使接著劑為熱硬化性,較佳為丙烯酸系單體之至少一部分使用多官能(甲基)丙烯酸酯。
第1連接層2中之丙烯酸酯化合物之含量,若過少,則有不易附與和第2連接層3之黏度差的傾向,若過多,則有硬化收縮較大,作業性降低之傾向,因此較佳為2~70質量%,更佳為10~50質量%。
(光自由基聚合起始劑)
作為光自由基聚合起始劑,可自公知之光自由基聚合起始劑之中適當 選擇使用。例如可列舉:苯乙酮系光聚合起始劑、苯偶醯縮酮系光聚合起始劑、磷系光聚合起始劑等。
光自由基聚合起始劑之使用量相對於丙烯酸酯化合物100質量份,若過少,則光自由基聚合未充分進行,若過多,則成為剛性降低之原因,因此較佳為0.1~25質量份,更佳為0.5~15質量份。
(導電粒子)
作為導電粒子,可自先前公知之異向性導電膜中所使用的導電粒子之中適當選擇使用。例如可列舉:鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等金屬粒子,金屬被覆樹脂粒子等。亦可併用兩種以上。
作為導電粒子之平均粒徑,若過小,則有無法吸收配線之高度之不均,電阻提高之傾向,若過大,則有成為短路之原因之傾向,因此較佳為1μm以上,更佳為2μm以上,較佳為30μm以下,更佳為15μm以下、10μm以下、6μm以下。具體而言,較佳為1~30μm,更佳為2~15μm。
此種導電粒子之第1連接層2中之粒子量,若過少,則構裝導電粒子捕捉數降低,難以異向性導電連接,若過多,則擔憂短路,因此較佳為每1平方mm為50~50000個,更佳為200~30000個。
第1連接層2可視需要併用苯氧基樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等膜形成樹脂。第2連接層3亦可同樣併用。
關於第1連接層2之層厚,若過薄,則有構裝導電粒子捕捉 率降低之傾向,若過厚,則有導通電阻提高之傾向,因此較佳為1.0~6.0μm,更佳為2.0~5.0μm。
第1連接層2亦可進而含有環氧化合物及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑。於該情形時,如下所述,較佳為第2連接層3亦設為含有環氧化合物及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑的熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層。藉此,可提高層間剝離強度。對於環氧化合物及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑,以第2連接層3進行說明。
於第1連接層2中,如圖1所示,導電粒子4較佳為沒入第2連接層3(換言之,導電粒子4於第1連接層2之表面露出)中。其原因在於,若導電粒子全部埋沒於第1連接層2中,則擔憂電阻導通變高。所沒入之程度若過小,則有構裝導電粒子捕捉率減少之傾向,若過大,則有導通電阻提高之傾向,因此較佳為導電粒子之平均粒徑之10~90%,更佳為20~80%。
又,於對光聚合性樹脂層照射紫外線而形成第1連接層2之情形時,可自形成有微細凹凸2c之面及配置有導電粒子之側之面之任一面進行照射,自配置有導電粒子之側進行照射之情形時,於第1連接層2中,可將位於導電粒子4與第1連接層2之最外表面2b之間的第1連接層之區域(即,於第1連接層中,於第2連接層側存在導電粒子之區域)2X之硬化率設為低於位於互相鄰接之導電粒子4間的第1連接層之區域(即,於第1連接層中,於第2連接層側不存在導電粒子之區域)2Y之硬化率。藉此,於異向性導電連接之熱壓接時,變得易於排除第1連接層之區域2X,而提高導通可靠性。此處,硬化率係定義為乙烯基之減少比率之數值,第1 連接層之區域2X之硬化率較佳為40~80%,第1連接層之區域2Y之硬化率較佳為70~100%。
此處,於自未配置導電粒子之面進行照射之情形時,第1連接層之區域2X與2Y之硬化率之差實質上消失。此情況於ACF之製品品質方面較佳。其原因在於,於ACF製造步驟中,促進導電粒子之固定化,可確保穩定之品質。其原因在於,於作為製品而進行一般之長條化時,於捲繞開始及捲繞結束時,可使對於所排列之導電粒子施加之壓力大致相同,可防止排列之混亂。
再者,形成第1連接層2時之光自由基聚合可以一階段(即,一次之光照射)進行,亦可以二階段(即,二次之光照射)進行。於該情形時,第二階段之光照射較佳為於第1連接層2之配置有導電粒子4之另一面形成第2連接層3之後,於含氧環境(大氣中)下自第1連接層2之微細凹凸形成面進行。藉此,可期待自由基聚合反應受氧阻礙,未硬化成分之表面濃度提高,而可提高黏性之效果。又,因以二階段進行硬化,故而聚合反應亦複雜化,因此,亦可期待可精確控制樹脂或粒子之流動性。
此種二階段之光自由基聚合中之第1連接層之區域2X之第一階段中的硬化率較佳為10~50%,第二階段中之硬化率較佳為40~80%,第1連接層之區域2Y之第一階段中之硬化率較佳為30~90%,第二階段中之硬化率較佳為70~100%。
又,以二階段進行第1連接層2形成時之光自由基聚合反應之情形時,作為自由基聚合起始劑,亦可僅使用一種,使用開始自由基反應之波長頻帶不同之兩種光自由基聚合起始劑,由於提高黏性,因此較佳。 例如較佳為併用以來自LED光源之波長365nm之光來開始自由基反應的光自由基聚合起始劑(例如,IRGACURE369,日本BASF股份有限公司)及以來自高壓水銀燈光源之光來開始自由基反應的光自由基聚合起始劑(例如,IRGACURE2959,日本BASF股份有限公司)。藉由使用此種兩種不同之光自由基聚合起始劑而使樹脂之結合複雜化,因此可更精確地控制連接時樹脂之熱流動之行為。其原因在於,異向性導電連接之壓入時,粒子易於受到對厚度方向施加之力,而抑制對於面方向之流動,因此更容易表現本發明之效果。
又,第1連接層2之以流變儀測定時之最低溶融黏度高於第2連接層3之最低溶融黏度,具體而言[第1連接層2之最低溶融黏度(mPa.s)]/[第2連接層3之最低溶融黏度(mPa.s)]之數值較佳為1~1000,更佳為4~400。再者,各個較佳之最低溶融黏度,關於前者,為100~100000mPa.s,更佳為500~50000mPa.s。關於後者,較佳為0.1~10000mPa.s,更佳為0.5~1000mPa.s。
第1連接層2之形成可藉由如下方式而形成:使用形成有微細凹凸之母盤,於光自由基聚合性樹脂層形成微細凹凸之後,於微細凹凸面之相反側之面,利用膜轉印法、模具轉印法、噴墨法、靜電附著法等方法,附著導電粒子,自導電粒子側、其相反側、或兩側照射紫外線。尤其僅自導電粒子側照射紫外線,就可將第1連接層之區域2X之硬化率抑制為相對較低而言係較佳。
<第2連接層3>
第2連接層3由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層,較 佳為含有環氧化合物及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑的熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層,或含有丙烯酸酯化合物及熱或光自由基聚合起始劑的熱或光自由基聚合性樹脂層所構成。該等之聚合性樹脂層為絕緣性。此處,由於不產生形成第1連接層2時藉由紫外線照射進行之第2連接層3之2聚合反應,因此就生產之簡便性及品質穩定性方面而言,較理想為由熱聚合性樹脂層形成第2連接層3。
第2連接層3為熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層之情形時,可進而含有丙烯酸酯化合物及熱或光自由基聚合起始劑。藉此可提高第1連接層2及層間剝離強度。
(環氧化合物)
於第2連接層3為含有環氧化合物及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑之熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層之情形時,作為環氧化合物,可較佳列舉分子內具有兩個以上環氧基之化合物或樹脂。該等可為液狀,亦可為固體狀。
(熱陽離子聚合起始劑)
作為熱陽離子聚合起始劑,可採用公知者作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑,例如係藉由熱而產生可使陽離子聚合性化合物陽離子聚合之酸者,可使用公知之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等,可較佳使用對溫度顯示良好之潛伏性之芳香族鋶鹽。
熱陽離子聚合起始劑之摻合量若過少,則有硬化不良之傾向,若過多,則有製品壽命降低之傾向,因此相對於環氧化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(熱陰離子聚合起始劑)
作為熱陰離子聚合起始劑,可採用公知者作為環氧化合物之熱陰離子聚合起始劑,例如藉由熱而產生可使陰離子聚合性化合物與陰離子聚合之鹼者,可使用公知之脂肪族胺系化合物、芳香族胺系化合物、二級或三級胺系化合物、咪唑系化合物、聚硫醇系化合物、三氟化硼-胺錯合物、雙氰胺、有機酸醯肼等,可較佳地使用對溫度顯示良好之潛伏性之膠囊化咪唑系化合物。
熱陰離子聚合起始劑之摻合量若過少,則有成為硬化不良之傾向,若過多,則有製品壽命降低之傾向,因此相對於環氧化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(光陽離子聚合起始劑及光陰離子聚合起始劑)
作為環氧化合物用光陽離子聚合起始劑或光陰離子聚合起始劑,可適當使用公知者。
(丙烯酸酯化合物)
於第2連接層3為含有丙烯酸酯化合物及熱或光自由基聚合起始劑之熱或光自由基聚合性樹脂層之情形時,作為丙烯酸酯化合物,可自與第1連接層2相關說明者之中適當選擇使用。
(熱自由基聚合起始劑)
又,作為熱自由基聚合起始劑,例如可列舉:有機過氧化物或偶氮系化合物等,可較佳地使用不產生引起氣泡之原因的氮之有機過氧化物。
熱自由基聚合起始劑之使用量,若過少,則成為硬化不良,若過多,則製品壽命降低,因此相對於丙烯酸酯化合物100質量份,較佳 為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(光自由基聚合起始劑)
作為丙烯酸酯化合物用光自由基聚合起始劑,可使用公知之光自由基聚合起始劑。
光自由基聚合起始劑之使用量,若過少,則硬化不良,若過多,則製品壽命降低,因此相對於丙烯酸酯化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
《本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造方法》
本發明之第一態樣之異向性導電膜之製造方法可列舉進行一階段之光聚合反應之製造方法,及進行二階段之光聚合反應之製造方法。
<進行一階段之光聚合反應之製造方法>
對以一階段使圖1(圖5B)之異向性導電膜光聚合而製造之一例進行說明。該製造例具有以下步驟(A)~(D)。
(步驟(A))
首先,使用形成有微細凹凸之母盤(未圖示),如圖2所示,形成單面具有微細凹凸2c之光聚合性樹脂層31。該形成可使用公知之方法進行。又,光聚合性樹脂層31可自母盤剝離,視需要由剝離膜支持而供於下一步驟,但由母盤支持著光聚合性樹脂層31供於下一步驟,就後續步驟中難以損傷微細凹凸方面而言較佳。
(步驟(B))
如圖3所示,於在單面具有微細凹凸2c之光聚合性樹脂層31,以單層排列導電粒子4。作為導電粒子4之排列之方法,並無特別限制,可採用日 本專利第4789738號之實施例1之無延伸聚丙烯膜利用雙軸延伸操作之方法,或日本特開2010-33793號公報之使用金屬模具的方法等。再者,作為排列之程度,較佳為考慮連接對象之尺寸、導通可靠性、絕緣性、構裝導電粒子捕捉率等,二維地互相隔開1~100μm左右而排列。
(步驟(C))
其次,如圖4A所示,對排列有導電粒子4之光聚合性樹脂層31,照射紫外線而進行光聚合反應,形成表面固定有導電粒子4之第1連接層2。該情形時,可自導電粒子側照射紫外線(UV),亦可自微細凹凸側照射,於自導電粒子側照射紫外線(UV)之情形時,如圖4B所示,可將位於導電粒子4與第1連接層2之最外表面之間的第1連接層之區域2X之硬化率設為低於位於互相鄰接之導電粒子4間的第1連接層之區域2Y之硬化率。藉由如此設置,粒子之背側之硬化性確實降低,使接合時之壓入容易,且亦可同時具備防止粒子之流動的效果。
(步驟(D))
其次,如圖5A所示,於第1連接層2之導電粒子4側表面形成由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層3。第2連接層3較佳為絕緣性。作為具體之一例,將藉由常法形成於剝離膜40之第2連接層3載置於第1連接層2之導電粒子4側表面,以不產生過大之熱聚合之程度進行熱壓接。並且,可藉由除去剝離膜40及母盤,而獲得圖5B之異向性導電膜1。
<進行二階段之光聚合反應之製造方法>
其次,對以二階段將圖1(圖5B)之異向性導電膜光聚合而製造之一 例進行說明。該製造例具有以下步驟(AA)~(EE)。
(步驟(AA))
首先,使用形成有微細凹凸之母盤(未圖示),如圖6所示,形成單面具有微細凹凸2c之光聚合性樹脂層31。該形成可使用公知之方法進行。又,光聚合性樹脂層31可自母盤剝離,視需要由剝離膜支持而供於下一步驟,但由母盤支持著光聚合性樹脂層31供於下一步驟,就後續步驟中難以損傷微細凹凸方面而言較佳。
(步驟(BB))
如圖7所示,於單面具有微細凹凸2c之光聚合性樹脂層31以單層排列導電粒子4。作為導電粒子4之排列之方法,並無特別限制,可採用日本專利第4789738號之實施例1之無延伸聚丙烯膜利用雙軸延伸操作的方法,或日本特開2010-33793號公報之使用模具的方法等。再者,作為排列之程度,較佳為考慮連接對象之尺寸、導通可靠性、絕緣性、構裝導電粒子捕捉率等,二維地互相隔開1~100μm左右而排列。
(步驟(CC))
其次,如圖8A所示,對排列有導電粒子4之光聚合性樹脂層31,照射紫外線進行光聚合反應,形成導電粒子4被暫時固定於表面之暫時第1連接層31。該情形時,可將紫外線(UV)自導電粒子側照射亦可自微細凹凸側照射,但於自導電粒子側照射紫外線(UV)之情形時,如圖8B所示,可將位於導電粒子4與暫時第1連接層20之最外表面之間的暫時第1連接層之區域2X之硬化率設為低於位於互相鄰接之導電粒子4間的暫時第1連接層之區域2Y之硬化率。藉由如此設置,粒子之背側之硬化性確實變低, 接合時之壓入容易,且亦可同時具備防止粒子之流動的效果。
(步驟(DD))
其次,如圖9A所示,於暫時第1連接層20之導電粒子4側表面形成由熱陽離子、陰離子或自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層3。作為具體之一例,將藉由常法形成於剝離膜40之第2連接層3載置於第1連接層2之導電粒子4側表面,以不產生過大之熱聚合之程度進行熱壓接。並且,可藉由除去剝離膜40及母盤而獲得圖9B之異向性導電膜50。
(步驟(EE))
其次,如圖10A所示,藉由自與第2連接層3相反之側對暫時第1連接層20照射紫外線而進行光聚合反應,使暫時第1連接層20正式硬化,形成第1連接層2。藉此,可獲得圖10B之異向性導電膜1。該步驟之紫外線之照射較佳為對暫時第1連接層自垂直方向進行。又,於不使第1連接層之區域2X與2Y之硬化率差消失之情形時,較佳為經由光罩進行照射,或根據照射部位使照射光量各異。
《本發明之第二態樣之異向性導電膜》
圖11係本發明之第二態樣之一實施例之異向性導電膜100的剖視圖。該異向性導電膜100中,於第1連接層12之單面積層第2連接層13,於第1連接層12之另一面積層第3連接層15,於第1連接層12之第2連接層13側之表面12a以單層配置有異向性導電連接用之導電粒子14。此處,第1連接層12、第2連接層13及第3連接層15較佳為絕緣性。
<第1連接層12>
構成本發明之第二態樣之異向性導電膜100的第1連接層12係由光聚 合樹脂所形成。更具體而言,例如由將含有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑之光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而成者形成。第1連接層12藉由進行光聚合,可將導電粒子14適度固定。即,異向性導電連接時,即便加熱異向性導電膜100,第1連接層12亦難以流動,因此可大幅抑制因樹脂流動從而導電粒子14多餘流動而產生短路。
尤其,於本實施例之異向性導電膜100中,於第1連接層12,較佳為導電粒子14存在於第2連接層13側之區域12X(即,位於導電粒子14與第1連接層12之第三絕緣性樹脂側表面12b之間的區域)之硬化率低於導電粒子14不存在於第2連接層13側的區域12Y之硬化率。第1連接層12之區域12X中,可殘留未進行光硬化之丙烯酸酯化合物與光自由基聚合起始劑。異向性導電膜100具有此種區域12X,藉此於異向性導電連接時易於排除區域12X之絕緣性樹脂,因此導電粒子14不易於第1連接層12之平面方向移動,於厚度方向良好地壓入。因此,可提高導電粒子捕捉率,亦可進而提高導通可靠性及絕緣性。此處,硬化率係定義為乙烯基之減少比率的數值,第1連接層之區域12X之硬化率較佳為40~80%,區域12Y之硬化率較佳為70~100%。
(丙烯酸酯化合物)
作為成為本發明之第二態樣之丙烯酸酯單元的丙烯酸酯化合物,可使用先前公知之光聚合性丙烯酸酯。例如可使用單官能(甲基)丙烯酸酯(此處,(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯)、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯。於本發明中,為了可於異向性導電連接時使連接層熱硬化,較佳為於丙烯酸系單體之至少一部分使用多官能(甲基)丙烯酸酯。
第1連接層12中之丙烯酸酯化合物之含量,若過少,則有異向性導電連接時不易附與第1連接層12與第2連接層13之黏度差之傾向,若過多,則有硬化收縮變大,作業性低下之傾向,因此較佳為2~70質量%,更佳為10~50質量%。
(聚合起始劑)
作為形成第1連接層12所使用之光聚合起始劑,例如可使用光自由基聚合起始劑等。更具體而言,可列舉:苯乙酮系光聚合起始劑、苯偶醯縮酮系光聚合起始劑、磷系光聚合起始劑等。又,除光自由基聚合起始劑外,亦可使用熱自由基聚合起始劑。作為熱自由基聚合起始劑,例如可列舉:有機過氧化物或偶氮系化合物等。尤其可較佳使用不產生引起氣泡之原因之氮的有機過氧化物。
光聚合起始劑之使用量相對於丙烯酸酯化合物100質量份,若過少,則未充分進行光聚合,若過多,則成為剛性降低之原因,因此較佳為0.1~25質量份,更佳為0.5~15質量份。
(其他樹脂及聚合起始劑)
第1連接層12可視需要含有環氧化合物、及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或者光陽離子或光陰離子聚合起始劑。藉此,可提高層間剝離強度。關於與環氧化合物一併使用之聚合起始劑,以第2連接層13進行說明。第1連接層12亦可視需要進而併用苯氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等膜形成樹脂。
第1連接層12之層厚,若過薄,則有導電粒子捕捉率降低 之傾向,若過厚,則有導通電阻提高之傾向,因此較佳為1.0~6.0μm,更佳為2.0~5.0μm。
第1連接層12之形成可藉由如下方式進行:例如於含有光自由基聚合性樹脂及光自由基聚合起始劑之光聚合性樹脂層,利用膜轉印法、模具轉印法、噴墨法、靜電附著法等方法,使導電粒子附著於單層,自導電粒子側照射紫外線,視需要亦可自與導電粒子相反之側照射而進行光聚合。尤其,將紫外線僅自導電粒子側照射,就可將第1連接層之區域12X之硬化率相對於區域12Y之硬化率抑制為相對較低方面而言係較佳。
另一方面,自與導電粒子相反之側對形成第1連接層12之光聚合性樹脂照射紫外線時,第1連接層中之區域12X與區域12Y之硬化率中之差實質消除。藉此,進行第1連接層12對導電粒子之固定化,於異向性導電膜之製造線可確保穩定之品質。又,於將異向性導電膜形成為長條,捲成捲盤之情形時,於捲繞開始及捲繞結束,可使對導電粒子施加之壓力大致相同,亦可防止導電粒子之排列之混亂。
再者,於自導電粒子側照射紫外線而進行光聚合之情形時,可以一階段(即,一次之光照射)進行光聚合,亦可以二階段(即,二次之光照射)進行。該情形時,第二階段之光照射較佳為,於第1連接層12之單面形成第2連接層13之後,於含氧環境(大氣中)下自第1連接層12之另一面側調整照射強度,以使區域12X之硬化率低於區域12Y之硬化率,或者使用光罩進行。
此種進行二階段之光自由基聚合之情形時,第1連接層之區域12X之第一階段中的硬化率較佳為10~50%,第二階段中之硬化率較佳 為40~80%,區域12Y之第一階段中的硬化率較佳為30~90%,第二階段中之硬化率較佳為70~100%。
又,進行二階段之光自由基聚合之情形時,亦可僅使用一種作為自由基聚合起始劑,但使用開始自由基反應之波長頻帶不同之兩種光自由基聚合起始劑,由於提高黏性,因此較佳。例如較佳為併用以來自LED光源之波長365nm之光來開始自由基反應的光自由基聚合起始劑(例如,IRGACURE369,日本BASF股份有限公司)、以來自高壓水銀燈光源之光來開始自由基反應之光自由基聚合起始劑(例如,IRGACURE2959,日本BASF股份有限公司)。如此,使用兩種不同之硬化劑,藉此樹脂之結合複雜化,因此可更精確控制異向性導電連接時樹脂之熱流動之行為。
光聚合後之第1連接層12之最低溶融黏度較佳為高於第2連接層13之最低溶融黏度,具體而言以流變儀測定之[第1連接層12之最低溶融黏度(mPa.s)]/[第2連接層13之最低溶融黏度(mPa.s)]的數值較佳為1~1000,更佳為4~400。再者,分別較佳之最低溶融黏度,關於第1連接層12為100~100000mPa.s,更佳為500~50000mPa.s。關於第2連接層13較佳為0.1~10000mPa.s,更佳為0.5~1000mPa.s。
<導電粒子>
作為導電粒子14,可自先前公知之異向性導電膜中所使用之導電粒子中適當選擇使用。例如可列舉:鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等金屬粒子,金屬被覆樹脂粒子等。亦可併用兩種以上。
作為導電粒子14之平均粒徑,若過小,則有無法吸收配線之高度不均從而電阻增高之傾向,若過大,則有成為短路之原因之傾向, 因此較佳為1μm以上,更佳為2μm以上,較佳為30μm以下,更佳為15μm以下、10μm以下、6μm以下。具體而言,較佳為1~10μm,更佳為2~6μm。
此種導電粒子之第1連接層12中之粒子量,若過少,則粒子捕捉數降低難以異向性導電連接,若過多,則擔憂短路,因此較佳為每1平方mm為50~50000個,更佳為200~30000個。
第1連接層12之厚度方向中的導電粒子14之位置如圖1所示,較佳為不埋沒於第1連接層12內,進入至第2連接層13。其原因在於,若導電粒子14埋沒於第1連接層12,則異向性導電連接時導電粒子14之壓入變不均勻,擔憂將電子零件異向性導電連接之連接結構體之導通電阻變高。導電粒子14對第2連接層13進入之程度,若過大,則擔憂藉由異向性導電連接時之樹脂流動而使凸塊中之導電粒子捕捉率減少,若過小,則擔憂導通電阻提高,因此較佳為導電粒子14之平均粒徑之10~90%,更佳為20~80%。
<第2連接層13>
第2連接層13係由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成。更具體而言,由含有環氧化合物及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或者光陽離子或光陰離子聚合起始劑之藉由熱或者光進行聚合之聚合性樹脂層,或含有丙烯酸酯化合物及熱自由基或者光自由基聚合起始劑之藉由熱或者光進行自由基聚合之聚合性樹脂層所構成者。
(環氧化合物)
作為形成第2連接層13之環氧化合物,可較佳地列舉分子內具有兩個以上環氧基之化合物或樹脂。該等可為液狀,亦可為固體狀。
(熱陽離子聚合起始劑)
作為形成第2連接層13之熱陽離子聚合起始劑,可採用公知者作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑,例如可使用藉由熱而產生酸之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等,尤其可較佳使用對溫度顯示良好之潛伏性的芳香族鋶鹽。
熱陽離子聚合起始劑之摻合量若過少,則有硬化不良之傾向,若過多,則有製品壽命降低之傾向,因此,相對於環氧化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(熱陰離子聚合起始劑)
作為形成第2連接層13之熱陰離子聚合起始劑,可採用公知者作為環氧化合物之熱陰離子聚合起始劑,例如可使用藉由熱產生鹼之脂肪族胺系化合物、芳香族胺系化合物、二級或三級胺系化合物、咪唑系化合物、聚硫醇系化合物、三氟化硼-胺錯合物、雙氰胺、有機酸醯肼等,可較佳使用尤其對溫度顯示良好之潛伏性之膠囊化咪唑系化合物。
熱陰離子聚合起始劑之摻合量若過少,則有硬化不良之傾向,若過多,則有製品壽命降低之傾向,因此相對於環氧化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(光陽離子聚合起始劑及光陰離子聚合起始劑)
作為環氧化合物用光陽離子聚合起始劑或光陰離子聚合起始劑,可適當使用公知者。
(丙烯酸酯化合物)
形成第2連接層13之丙烯酸酯化合物可自關於第1連接層12所說明之丙烯酸酯化合物之中適當選擇而使用。
(熱自由基聚合起始劑)
又,於第2連接層13含有丙烯酸酯化合物之情形時,作為與丙烯酸酯化合物一併使用之熱自由基聚合起始劑,可自關於第1連接層12所說明之熱自由基聚合起始劑之中適當選擇而使用。
熱自由基聚合起始劑之使用量,若過少,則硬化不良,若過多,則製品壽命降低,故而相對於丙烯酸酯化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(光自由基聚合起始劑)
作為丙烯酸酯化合物用光自由基聚合起始劑,可使用公知之光自由基聚合起始劑。
光自由基聚合起始劑之使用量,若過少,則硬化不良,若過多,則製品壽命降低,因此相對於丙烯酸酯化合物100質量份,較佳為2~60質量份,更佳為5~40質量份。
(第2連接層13之層厚)
第2連接層13之層厚,就連接後之導電粒子捕捉性方面而言,較佳為3~20μm,更佳為5~15μm。
<第3連接層15>
第3連接層15與第2連接層12同樣,由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由 基聚合性樹脂所形成。更具體而言,由含有環氧化合物及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或者光陽離子或光陰離子聚合起始劑之藉由熱或者光進行聚合之聚合性樹脂層,或含有丙烯酸酯化合物及熱自由基或者光自由基聚合起始劑之藉由熱或者光進行自由基聚合之聚合性樹脂層形成。
於本發明中,對該第3連接層15賦予黏性。更具體而言,由探針法(不鏽鋼圓柱狀探針、直徑5mm、壓抵荷重196kgf、壓抵速度30mm/min、剝離速度5mm/min)而測定之第3連接層15之黏著力大於3kPa,較佳為大於5kPa,更佳大於10kPa。此處,黏性係由探針法測定之加壓分佈中由峰強度求出之數值。因此,第3連接層15較佳為由選自松香衍生物型、萜酚型樹脂、丙烯酸丙烯酸酯低聚物(聚合物)、胺酯丙烯酸酯低聚物、可塑型環氧、反應稀釋型環氧(單官能環氧)樹脂等樹脂所形成,作為形成方法,較佳為於塗佈或噴霧後進行乾燥。
如此,藉由對第3連接層15賦予黏性,本發明之第二態樣之異向性導電膜100用於電子零件之異向性導電連接時,可使電子零件無變形而暫時貼合異向性導電膜,可於暫時貼合於電子零件之狀態之異向性導電膜維持當初之導電粒子之配置。藉此,可提高藉由以特定之排列來配置導電粒子而獲得之導電粒子捕捉率。即,由於異向性導電膜與異向性導電連接之電子零件之端子之微間距化對應,因此有時以特定間隔及特定方向排列異向性導電膜中之導電粒子。另一方面,於將異向性導電膜異向性導電連接使用之情形時,通常,將捲成捲盤的長條之異向性導電膜自捲盤拉出,暫時貼合於第1電子零件並截斷,疊合第2電子零件,進行異向性導電連接。該情形之截斷尺寸例如將玻璃等透明性基板與IC晶片連接之情 形,通常寬度為1~2mm、長度15~30mm左右,重要為無變形地將異向性導電膜暫時貼合於電子零件。若該暫時貼合導致異向性導電膜變形,則導電粒子之排列混亂,應連接之端子降低捕捉導電粒子之比例,提高導通電阻。相對於此,若對第3連接層15賦予黏性,則容易無變形地將異向性導電膜暫時貼合於電子零件,可提高異向性導電連接中之導電粒子捕捉率。
又,亦可藉由對第3連接層15賦予黏性,而提高經異向性導電連接之連接結構體之接著強度。
《本發明之第二態樣之異向性導電膜之製造方法》
本發明之第二態樣之異向性導電膜可進行以下步驟(A')~(D')而製造。
(步驟(A'))
如圖12所示,於視需要形成於剝離膜301上之光聚合性樹脂層201以單層配置導電粒子14。以單層將導電粒子14配置於光聚合性樹脂層201之方法,並無特別限制,可採用日本專利第4789738號之實施例1所記載之利用以黏著劑固定有導電粒子之樹脂膜之雙軸延伸操作的方法,或日本特開2010-33793號公報之使用金屬模具之方法等。再者,作為導電粒子14之配置,較佳為於縱橫上以特定間隔進行排列。又,考慮到連接對象之尺寸、導通可靠性、絕緣性、導電粒子捕捉率等,較佳為將二維上最接近之粒子間距離設為1~100μm左右。
(步驟(B'))
其次,如圖13A所示,藉由對排列有導電粒子14之光聚合性樹脂層201自導電粒子14側照射紫外線(UV)而進行光聚合反應,形成表面固定有導 電粒子14之第1連接層12。藉此,如圖13B所示,於第1連接層12中,可將導電粒子14存在於第1連接層12之表面側之區域12X(位於第1連接層12之剝離膜側表面12b與導電粒子14之間的區域)之第1連接層之硬化率設為低於導電粒子14不存在於第1連接層12之表面側之區域12Y之硬化率。因此,異向導電連接時之導電粒子14之壓入容易,且亦可抑制導電粒子14之連接平面方向之流動。
(步驟(C'))
其次,如圖14A所示,於第1連接層12之導電粒子14側表面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成之第2連接層13。更具體而言,例如將藉由常法形成於剝離膜310之第2連接層13載置於第1連接層12之導電粒子14側表面,以不產生過大熱聚合之程度進行熱壓接。並且,可藉由除去剝離膜301而獲得圖14B之異向性導電膜。
(步驟(D'))
其次,如圖15所示,於第1連接層12之與第2連接層13相反之側之面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成之第3連接層15,除去剝離膜310。藉此可獲得圖11之異向性導電膜100。
或者於步驟(C')之前進行步驟(D')。即,如圖16所示,進行預先將形成第1連接層之光聚合性樹脂層201及第3連接層15之積層體10形成於剝離膜301上,於該積層體10之光聚合性樹脂層201配置導電粒子14的步驟(A')。其次,與上述同樣進行步驟(B')(圖17),於步驟(C') (圖18)將第2連接層13積層於第1連接層12之導電粒子14側表面,除去剝離膜301、310,藉此亦可獲得圖11之異向性導電膜100。
《連接結構體》
以如此方式獲得之本發明之第一態樣及第二態樣之異向性導電膜可較佳應用於將IC晶片、IC膜組等第1電子零件與可撓性基板、玻璃基板等第2電子零件進行異向性導電連接時。以如此方式獲得之連接結構體亦為本發明之一部分。再者,將異向性導電膜之第1連接層側配置於可撓性基板等第2電子零件側,將第2連接層側配置於IC晶片等第1電子零件側,就提高導通可靠性方面而言較佳。
實施例
以下,藉由實施例更具體說明本發明。
實施例1~6、比較例1
依據日本專利第4789738號之實施例1之操作進行導電粒子之排列,並且依據表1所示之摻合組成(質量份),而製作積層有第1連接層及第2連接層之雙層結構之異向性導電膜。
(第1連接層)
具體而言,首先,利用乙酸乙酯或甲苯將丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑等以固形物成分為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為3μm之方式塗佈於可對第1連接層賦予表1所示之微細凹凸結構佔有面積以及微細凹凸平均深度的鋁平板狀之母盤上,並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘,藉此形成第1連接層之前驅層即光自由基聚合性樹脂層。
其次,對被母盤所支持之光自由基聚合性樹脂層之露出面,將平均粒徑4μm之導電粒子(Ni/Au鍍敷樹脂粒子,AUL704,積水化學工業股份有限公司)互相隔開4μm以單層排列。進而,自該導電粒子側對光自由基聚合性樹脂層照射波長365nm、累計光量4000mJ/cm2之紫外線,藉此形成表面固定有導電粒子之第1連接層。
(第2連接層)
利用乙酸乙酯或甲苯將熱硬化性樹脂及潛伏性硬化劑等以固形物成分為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為12μm之方式塗佈於厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜,並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘,藉此形成第2連接層。
(異向性導電膜)
將以此方式獲得之第1連接層與第2連接層以導電粒子成為內側之方式進行層壓,藉此獲得異向性導電膜。
(連接結構體樣品)
使用所獲得之異向性導電膜,將0.5×1.8×20.0mm大小之IC晶片(凸塊尺寸30×85μm:凸塊高度15μm,凸塊間距50μm),於180℃、80MPa、5秒之條件構裝於0.5×50×30mm大小之康寧公司製造之玻璃配線基板(1737F),獲得連接結構體樣品。
(試驗評價)
針對所獲得之連接結構體樣品,如以下所說明,試驗評價異向性導電膜之「微細凹凸結構面積佔有率」、「微細凹凸平均深度」、「第1連接層之微細凹凸面之黏著力」、「凸塊平面內之平均導電粒子間距離(μm)」、「導 通可靠性」及「絕緣性」。所獲得之結果示於表1。
再者,於「絕緣性」之評價之情形,使用將0.5×1.5×13mm大小之IC晶片(鍍金凸塊尺寸25×140μm:凸塊高度15μm、凸塊間空間7.5μm),以180℃、80MPa、5秒之條件構裝於0.5×50×30mm大小之康寧公司製造之玻璃配線基板(1737F)而獲得之連接結構體樣品。
「微細凹凸結構面積佔有率」
藉由對電子顯微鏡圖像進行圖像解析,而計測第1連接層之微細凹凸結構面積佔有率(凸部或凹部之任一者佔有之面積之比例)。
「微細凹凸平均深度」
藉由將電子顯微鏡圖像進行圖像解析,而計測第1連接層之微細凹凸之平均凹凸深度(凹部底部與凸部頂部之間的平均距離)。
「第1連接層之微細凹凸面之黏著力」
使用依據JIS Z0237「黏著帶.黏著片材試驗方法」之黏著試驗機(TACII、力世科股份有限公司),於22℃之環境下,以探針直徑5mm(不鏽鋼製鏡面,圓柱狀)、壓抵荷重196kgf、壓抵速度30mm/min、剝離速度5mm/min之測定條件,將探針壓抵於異向性導電膜之第1連接層而測定第1連接層之微細凹凸面之黏著力。若黏著力大於3kPa,則可判斷貼附性優異。
「凸塊平面內之平均導電粒子間距離(μm)」
針對連接結構體樣品體之凸塊平面內之100個導電粒子,使用光學顯微鏡測定導電粒子之相互距離,求出測定結果之算術平均,設為平均導電粒子間距離。
「導通可靠性」
使用電子萬用表(安捷倫科技股份有限公司),測定將連接結構體樣品於85℃、85%RH之高溫高濕環境下放置500小時後之導通電阻。實用上較理想為4Ω以下。
「絕緣性(短路產生率)」
求出7.5μm空間之梳齒TEG圖案之短路產生率。若實用上為100ppm以下,則可判斷絕緣性良好。
Figure 104103838-A0202-12-0037-2
根據表1,針對實施例1~6之異向性導電膜,於第1連接層表面設置微細凹凸,因此顯示暫時貼合性及修復性優異之「第1連接層之微細凹凸面之黏著力」,根據「凸塊平面內之平均導電粒子間距離(μm)」之資料,於異向性導電連接時導電粒子不易偏離,可知「導通可靠性」及「絕緣性」亦優異。
又,如上所述,實施例1~6之異向性導電膜於其第1連接 層表面具有微細凹凸。因此,提高黏性。該黏性之提高之要因被認為藉由與接著面之接觸面積增大而於朝面方向移動時摩擦電阻之上升,或朝第1連接層內部所含有之未硬化之樹脂成分之表面滲出等。黏性之提高之效果係抑制平面之偏離。該等為具有凹凸之光聚合硬化物(即第1連接層),因此可抑制如上所述之於平面方向之偏離,且含有硬化物,因此有韌性,因此貼附性亦變良好。
相對於此,比較例1之異向性導電膜未於第1連接層表面設置微細凹凸,因此可知所捕捉之導電粒子之粒子間距離相對變大,絕緣性降低。根據此強烈確認,相當於導電粒子之背面之第1連接層表面存在微細凹凸結構,藉此於異向性連接時,於導電粒子之附近(尤其異向性連接之方向即沒入導電粒子之部位)產生微小隨機樹脂流動,抑制於平面方向之導電粒子之移動。此亦由於短路之產生率相對較低而被揭示。
實施例7
除於第1連接層形成時,將紫外線以累計光量2000mJ/cm2照射以外,以與實施例1同樣之方式製作異向性導電膜。自該異向性導電膜之第1連接層側,進而將波長365nm之紫外線以累計光量2000mJ/cm2照射,藉此獲得自第1連接層之兩面照射紫外線之實施例7之異向性導電膜。使用該異向性導電膜,以與實施例1之異向性導電膜同樣地製作連接結構體樣品,並進行評價,結果獲得幾乎同等之無實用上之問題的結果,但有對導通可靠性進而改善之傾向。
實施例8~19、比較例2
依據日本專利第4789738號之實施例1之操作,製作導電粒子以單層排 列且依據表2所示之摻合組成(質量份)而形成之具有第1連接層及第2連接層之比較例2之異向性導電膜,及進而亦具有第3絕緣性樹脂之實施例8~19之異向性導電膜。
具體而言,首先,製備用乙酸乙酯或甲苯使丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑等使固形物成分為50質量%之混合液。將該混合液以乾燥厚度成為3μm之方式塗佈於厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜,並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘,藉此形成作為第1連接層之前驅層之光自由基聚合性樹脂層。
繼而,於獲得之光自由基聚合性樹脂層之表面,將平均粒徑4μm之導電粒子(Ni/Au鍍敷樹脂粒子,AUL704,積水化學工業股份有限公司)以導電粒子間之最接近之距離成為4μm之方式於單層以格子狀排列。進而,自該導電粒子側對光自由基聚合性樹脂層,以波長365nm照射累計光量4000mJ/cm2之紫外線,藉此形成表面固定有導電粒子之第1連接層。
製備用乙酸乙酯或甲苯使熱硬化性樹脂及聚合起始劑等使固形物成分為50質量%之混合液。將該混合液以乾燥厚度成為12μm之方式塗佈於厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜,並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘,藉此形成第2連接層。又,以同樣之方式形成第3連接層。
將以如此方式獲得之第1連接層及第2連接層,以導電粒子成為內側之方式進行層壓,藉此獲得比較例1之異向性導電膜。進而,於第1連接層與第2連接層之積層體之第1連接層之表面層壓第3連接層,藉此獲得實施例8~19之異向性導電膜。
實施例20
自導電粒子側、及與導電粒子相反之側,以每累計光量2000mJ/cm2進行對光自由基聚合型樹脂層之紫外線照射,除此以外以與實施例1同樣之方式獲得異向性導電膜。
評價
使用各實施例及比較例之異向性導電膜,將0.5×1.8×20.0mm大小之IC晶片(凸塊尺寸30×85μm、凸塊高度15μm、凸塊間距50μm)以180℃、80MPa、5秒之條件構裝於0.5×50×30mm大小之康寧公司製造之玻璃配線基板(1737F),獲得連接結構體樣品。
針對所獲得之連接結構體樣品,如以下所說明,試驗評價「黏著力」、「接著強度」、「初期導通性」、「導通可靠性」及「短路產生率」。結果示於表1。
「黏著力」
依據JISZ0237「黏著帶.黏著片材試驗方法」,使用黏著試驗機(TACII,力世科股份有限公司),於22℃之環境下,於探針直徑5mm(不鏽鋼製鏡面,圓柱狀)、壓抵荷重196kgf、壓抵速度30mm/min、剝離速度5mm/min之測定條件下,將探針壓抵於異向性導電膜之第3連接層而進行測定。將測定圖之峰強度設為黏著力(kPa)。
「接著強度(晶片剪切強度)」
對所製作之各接合體,使用晶片剪切強度機(品名:Dage2400,DEG公司製造),於室溫下進行晶片剪切強度之測定。
實用上較佳為600N以上。
「初期導通性」
測定連接結構體樣品之導通電阻。
「導通可靠性」
將連接結構體樣品於85℃、85%RH之高溫高濕環境下放置500小時,以與初期導通性同樣之方式測定放置後之導通電阻。關於該導通電阻,就所連接之電子零件之實用性之導通穩定性方面而言,不佳為5Ω以上。
「短路產生率」
作為短路產生率之評價用IC,準備7.5μm空間之梳齒TEG圖案之IC(外徑1.5×13mm、厚度0.5mm、凸塊規格:鍍金,高度15μm,尺寸25×140μm、凸塊間間隔7.5μm),將各實施例及比較例之異向性導電膜夾於短路產生率之評價用IC及對應其之圖案之玻璃基板之間,以與初期導通性同樣之條件進行加熱加壓,獲得連接體。並且,該連接體之短路產生率由「短路產生數/7.5μm空間總數」算出。短路產生率實用上較理想為100ppm以下。
Figure 104103838-A0202-12-0042-3
由表2所知,實施例8~19之異向性導電膜顯示黏著力及接著強度優異,關於初期導通性、導通可靠性、短路產生率全部之評價項目顯示實用上較佳之結果。又,實施例20相對於實施例1,導通可靠性稍差,但無實用上之問題,關於黏著力、接著強度、初期導通性、短路產生率,顯示與實施例1同樣之較佳之結果。
相對於此,比較例1之異向性導電膜之黏著力及接著強度較差。
[產業上之可利用性]
本發明之第一態樣之異向性導電膜具有將由光自由基聚合樹脂層所構成之第1連接層,與熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層積層之雙層結構,進而於第1連接層之第2連接層側表面,以單層排列異向性導電連接用之導電粒子。並且於第1連接層之表面設置有微細凹凸。因此,可無損導通可靠性或絕緣性,實現良好之暫時貼合性及修復性。藉此,對IC晶片等電子零件之配線基板之異向性導電連接較為有用。此種電子零件之配線發展狹小化,本發明對此種技術進步有貢獻之情形時,尤其表現其效果。
又,本發明之第二態樣之異向性導電膜係積層使光聚合性樹脂層光聚合而成之第1連接層,與由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂、或者光自由基聚合性樹脂所形成之第2連接層,於第1連接層之第2連接層側表面以單層配置導電粒子,因此顯示良好之導電粒子捕捉率優異之初期導通性、導通可靠性、絕緣性(較低之短路產生率)。進而,於第1連接層上積層有具有黏 性之第3連接層,因此抑制將異向性導電膜用於異向性導電連接之情形時之異向性導電膜之變形,進一步提高導電粒子捕捉率,又,亦提高經異向性導電連接之連接結構體之接著強度。藉此,本發明之異向性導電膜對於IC晶片等電子零件對配線基板之異向性導電連接較為有用。電子零件之配線發展狹小化,本發明尤其對將狹小化之電子零件異向性導電連接之情形有用。
1‧‧‧異向性導電膜
2‧‧‧第1連接層
2a、2b‧‧‧第1連接層之表面
2c‧‧‧微細凹凸
2X、2Y‧‧‧第1連接層之區域
3‧‧‧第2連接層
4‧‧‧導電粒子

Claims (14)

  1. 一種異向性導電膜,其係具有第1連接層及形成於該第1連接層單面之第2連接層者,其特徵在於:第1連接層為光聚合樹脂層,且含有第2連接層之聚合性化合物的聚合起始劑,第2連接層為熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層,於第1連接層之第2連接層側表面以單層排列有異向性導電連接用之導電粒子或以1~100μm的間隔設置有異向性導電連接用之導電粒子,於第1連接層之第2連接層相反側表面設置有微細凹凸。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜,其中,該微細凹凸係以規則圖案設置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜,其中,該微細凹凸之自凹部之底部至凸部之頂點的平均距離為導電粒子之平均粒徑之1/50~10倍。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜,其中,該微細凹凸圖案之間距為導電粒子之平均粒徑之1/50~10倍。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜,其中,第1連接層係使含有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑之光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而獲得之光自由基聚合樹脂層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜,其中,第1連接層進而含有環氧化合物,及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜,其中,第2連接層係熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層,或熱或光自由基聚合性樹脂層;又,上述熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層含有環氧化合物,及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑;上述熱或光自由基聚合性樹脂層含有丙烯酸酯化合物,及熱或光自由基聚合起始劑。
  8. 如申請專利範圍第7項之異向性導電膜,其中,第2連接層於為熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層之情形時,進而含有丙烯酸酯化合物,及熱或光自由基聚合起始劑;又,上述熱或光陽離子或者陰離子聚合性樹脂層含有環氧化合物,及熱或光陽離子或者陰離子聚合起始劑。
  9. 一種申請專利範圍第1項之異向性導電膜之製造方法,其具有以下步驟(A)~(D):步驟(A)使用形成有微細凹凸之母盤,而形成單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層的步驟;步驟(B)於單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層之另一面以單層排列導電粒子或以1~100μm的間隔設置導電粒子的步驟;步驟(C)藉由對排列有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而進行光自由基聚合反應,而形成單面設置有微細凹凸且於另一面固定有導電粒子之第1連接層的步驟;及 步驟(D)於固定有導電粒子之第1連接層之另一面形成由熱或光陽離子、陰離子或者自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層的步驟。
  10. 如申請專利範圍第9項之製造方法,其中,自光聚合性樹脂層之排列有導電粒子之側進行步驟(B)之紫外線照射。
  11. 一種申請專利範圍第1項之異向性導電膜之製造方法,其具有以下步驟(AA)~(EE):步驟(AA)使用形成有微細凹凸之母盤,而形成單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層的步驟;步驟(BB)於單面設置有微細凹凸之光聚合性樹脂層之另一面以單層排列導電粒子或以1~100μm的間隔設置導電粒子的步驟;步驟(CC)藉由對排列有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而進行光聚合反應,而形成單面設置有微細凹凸且於另一面暫時固定有導電粒子之暫時第1連接層的步驟;步驟(DD)於暫時第1連接層之導電粒子側表面形成由熱陽離子、陰離子或自由基聚合性樹脂層所構成之第2連接層的步驟;及步驟(EE)藉由自與第2連接層相反之側對暫時第1連接層照射紫外線而進行 光聚合反應,使暫時第1連接層正式硬化,而形成第1連接層的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之製造方法,其中,自光聚合性樹脂層之排列有導電粒子之側進行步驟(CC)之紫外線照射。
  13. 一種連接結構體,其係利用申請專利範圍第1至8項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件異向性導電連接於第2電子零件。
  14. 一種連接結構體之製造方法,其係經由申請專利範圍第1至8項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接。
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