TW202111733A - 異向性導電膜、連接構造體及其製造方法 - Google Patents

異向性導電膜、連接構造體及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202111733A
TW202111733A TW109140476A TW109140476A TW202111733A TW 202111733 A TW202111733 A TW 202111733A TW 109140476 A TW109140476 A TW 109140476A TW 109140476 A TW109140476 A TW 109140476A TW 202111733 A TW202111733 A TW 202111733A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin layer
insulating resin
anisotropic conductive
conductive film
conductive particles
Prior art date
Application number
TW109140476A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI777304B (zh
Inventor
尾怜司
阿久津恭志
Original Assignee
日商迪睿合股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2014019862A external-priority patent/JP6269114B2/ja
Priority claimed from JP2014019860A external-priority patent/JP6237288B2/ja
Application filed by 日商迪睿合股份有限公司 filed Critical 日商迪睿合股份有限公司
Publication of TW202111733A publication Critical patent/TW202111733A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI777304B publication Critical patent/TWI777304B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/706—Anisotropic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2733—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form
    • H01L2224/27334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in solid form using preformed layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083—Three-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

本發明之第1異向性導電膜1A、1B具有第1絕緣性樹脂層2及第2絕緣性樹脂層3。第1絕緣性樹脂層2係由光聚合樹脂所形成，第2絕緣性樹脂層3係由聚合性樹脂所形成。導電粒子10以單層配置於第1絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層3側表面。第1異向性導電膜進而具有由聚合性樹脂所形成之第3絕緣性樹脂層4，第2異向性導電膜1B具有中間絕緣性樹脂層6。中間絕緣性樹脂層6係由不含有聚合起始劑之樹脂所形成，且與導電粒子10接觸。該等異向性導電膜具有良好之連接可靠性。

Description

異向性導電膜、連接構造體及其製造方法
本發明係關於一種異向性導電膜及其製造方法。
異向性導電膜被廣泛用於IC晶片等電子零件之構裝，近年來，就應用於高構裝密度之觀點而言，為了提高連接可靠性或絕緣性、提高導電粒子捕捉率、降低製造成本等，而提出由配置為單層之異向性導電連接用導電粒子及2層構造之絕緣性樹脂層所形成之異向性導電膜（專利文獻1）。
該異向性導電膜係藉由如下方式製造：於黏著層上單層且緊密地配置導電粒子，並對該黏著層進行雙軸延伸處理，藉此形成排列有導電粒子之片材，將該片材上之導電粒子轉印至含有熱硬化性樹脂及潛伏性硬化劑之絕緣性樹脂層，進而於轉印之導電粒子上層壓含有熱硬化性樹脂但不含有潛伏性硬化劑之另一絕緣性樹脂層（專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第4789738號說明書
[發明所欲解決之課題]
然而，專利文獻1之異向性導電膜由於使用不含有潛伏性硬化劑之絕緣性樹脂層，故而容易因異向性導電連接時之加熱而於不含有潛伏性硬化劑之絕緣性樹脂層中產生相對較大之樹脂流動，導電粒子亦容易隨著該流動而流動，因此儘管藉由雙軸延伸使導電粒子以單層且均等間隔排列，亦會產生導電粒子捕捉率降低、產生短路等問題。
本發明之目的在於解決以上習知技術之問題，針對具有配置為單層之導電粒子之多層構造之異向性導電膜，使其實現良好之導電粒子捕捉率、良好之連接可靠性及短路之產生之降低。 [解決課題之技術手段]
本發明者發現，藉由製成如下異向性導電膜，可達成上述本發明之目的，從而完成本發明，該異向性導電膜係將導電粒子以單層配置於光聚合性樹脂層之單面，並照射紫外線，藉此將導電粒子固定於光聚合樹脂，進而於經固定之導電粒子上積層2層藉由熱或光而聚合之聚合性樹脂層而成，或者於經固定之導電粒子之周圍設置中間絕緣性樹脂層作為施加至導電粒子之應力之緩和層，並於其上積層藉由熱或光而聚合之聚合性樹脂層而成。
即，本發明提供一種異向性導電膜，其係依序積層有第1絕緣性樹脂層、第2絕緣性樹脂層、第3絕緣性樹脂層者，且 第1絕緣性樹脂層係由光聚合樹脂所形成， 第2絕緣性樹脂層及第3絕緣性樹脂層分別由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成， 於第1絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層側表面，以單層配置有異向性導電連接用導電粒子。以下，將該異向性導電膜稱為第1異向性導電膜。
再者，於第1異向性導電膜中，第2絕緣性樹脂層及第3絕緣性樹脂層較佳為使用藉由加熱而開始聚合反應之熱聚合起始劑之熱聚合性樹脂層，但亦可為使用藉由光而開始聚合反應之光聚合起始劑之光聚合性樹脂層。亦可為併用熱聚合起始劑與光聚合起始劑之熱／光聚合性樹脂層。
又，本發明提供一種異向性導電膜之製造方法，其係上述第1異向性導電膜之製造方法，且具有以下之步驟（A）～（D）： 步驟（A） 於光聚合性樹脂層以單層配置導電粒子的步驟； 步驟（B） 藉由對配置有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而使其進行光聚合反應，從而形成表面固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層的步驟； 步驟（C） 於第1絕緣性樹脂層之導電粒子側表面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第2絕緣性樹脂層的步驟； 步驟（D） 於第2絕緣性樹脂層之單面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第3絕緣性樹脂層的步驟；且 於步驟（C）之前或之後進行步驟（D）。
此外，本發明提供一種連接構造體，其係利用上述第1異向性導電膜將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接而成。
又，本發明提供一種異向性導電膜，其係依序積層有第1絕緣性樹脂層、中間絕緣性樹脂層及第2絕緣性樹脂層者，且 第1絕緣性樹脂層係由光聚合樹脂所形成， 第2絕緣性樹脂層係由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成， 中間絕緣性樹脂層係由不含有聚合起始劑之樹脂所形成， 於第1絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層側表面，以單層配置有異向性導電連接用導電粒子，且該導電粒子與中間絕緣性樹脂層接觸。 以下，將該異向性導電膜稱為第2異向性導電膜。
再者，於第2異向性導電膜中，第2絕緣性樹脂層較佳為使用藉由加熱而開始聚合反應之熱聚合起始劑之熱聚合性樹脂層，但亦可為使用藉由光而開始聚合反應之光聚合起始劑之光聚合性樹脂層。亦可為併用熱聚合起始劑與光聚合起始劑之熱／光聚合性樹脂層。
又，本發明提供一種異向性導電膜之製造方法，其係上述第2異向性導電膜之製造方法，且具有以下之步驟[A]～[D]： 步驟[A] 於光聚合性樹脂層以單層配置導電粒子的步驟； 步驟[B] 藉由對配置有導電粒子之光聚合性樹脂層照射紫外線而使其進行光聚合反應，從而形成表面固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層的步驟； 步驟[C] 形成由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第2絕緣性樹脂層的步驟； 步驟[D] 於第1絕緣性樹脂層之導電粒子側表面形成由不含有聚合起始劑之樹脂所形成之中間絕緣性樹脂層的步驟；且 （i）藉由於步驟[B]之後進行步驟[D]而於第1絕緣性樹脂層之導電粒子側表面形成中間絕緣性樹脂層，繼而積層該中間絕緣性樹脂層及步驟[C]中所形成之第2絕緣性樹脂層，或者 （ii）於步驟[C]中所形成之第2絕緣性樹脂層上形成由不含有聚合起始劑之樹脂所形成之中間絕緣性樹脂層，繼而將該中間絕緣性樹脂層積層於步驟[B]中所形成之第1絕緣性樹脂層之導電粒子側表面。
此外，本發明提供一種連接構造體，其係利用上述第2異向性導電膜將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接而成。 [發明之效果]
本發明之第1異向性導電膜及第2異向性導電膜具有使光聚合性樹脂層進行光聚合而成之第1絕緣性樹脂層（光聚合樹脂）、及積層於其單面之藉由熱或光而聚合之第2絕緣性樹脂層，進而，於第1絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層側表面，以單層配置有異向性導電連接用導電粒子。因此，可藉由光聚合而成之第1絕緣性樹脂層而將導電粒子牢固地固定。
尤其於形成第1絕緣性樹脂層時，若於使光聚合性樹脂進行光聚合時自導電粒子側照射紫外線，則導電粒子之下方（背面側）之光聚合性樹脂因成為導電粒子之陰影而未被充分地照射紫外線。因此，於藉由照射所形成之光聚合樹脂中成為導電粒子之陰影之區域之硬化率相對低於未成為陰影之區域，而於異向性導電連接時導電粒子被良好地壓入。因此，本發明之第1異向性導電膜及第2異向性導電膜可實現良好之導通可靠性、絕緣性（較低之短路產生率）。
進而，於本發明之第1異向性導電膜中，由於配置有導電粒子之第1絕緣性樹脂層上不僅積層有第2絕緣性樹脂層，亦積層有第3絕緣性樹脂層，故而可緩和將本發明之異向性導電膜用於異向性導電連接之情形時之應力，而降低異向性導電連接而成之連接構造體中之翹曲。
另一方面，於第2異向性導電膜中，於導電粒子之周圍設置有中間絕緣性樹脂層，該中間絕緣性樹脂層會於異向性導電膜之捲取時、捲出時、搬送時、異向性導電連接步驟中之膜之抽出時等將施加至導電粒子之應力緩和。因此，本發明之異向性導電膜可實現良好之導電粒子捕捉率、導通可靠性、及較低之短路產生率。
再者，於第1異向性導電膜及第2異向性導電膜中，於形成第1絕緣性樹脂層時，若對光聚合性樹脂自導電粒子之相反側或兩面側照射紫外線，則可促進導電粒子之固定化，而於異向性導電膜之生產線上確保穩定之品質。又，即便於異向性導電膜之製造後捲取至捲盤、或異向性導電連接時將膜自捲盤抽出之步驟中對異向性導電膜施加不需要之外部應力，外部應力之影響亦不易波及異向性導電連接前之導電粒子之排列。
又，於第1異向性導電膜中第2絕緣性樹脂層或第3絕緣性樹脂層係由藉由熱而反應之聚合性樹脂所形成之情形時、及第2異向性導電膜中第2絕緣性樹脂層係由藉由熱而反應之聚合性樹脂所形成之情形時，使用異向性導電膜之電子零件之異向性導電連接可以與使用通常之異向性導電膜之連接方法同樣之方式進行。
相對於此，於第1異向性導電膜中第2絕緣性樹脂層或第3絕緣性樹脂層係由藉由光而反應之聚合性樹脂所形成之情形時、及第2異向性導電膜中第2絕緣性樹脂層係由藉由光而反應之聚合性樹脂所形成之情形時，使用異向性導電膜之第1電子零件與第2電子零件之異向性導電連接只要進行利用連接工具之壓入直至光反應結束即可。於該情形時，亦可為了促進樹脂流動或粒子之壓入而將連接工具等加熱。又，於第2絕緣性樹脂層或第3絕緣性樹脂層中併用藉由熱而反應之聚合性樹脂與藉由光而反應之聚合性樹脂之情形時，亦只要以與上述同樣之方式進行利用連接工具之壓入直至光反應結束並進行加熱即可。
又，於使用第1異向性導電膜或第2異向性導電膜並利用光反應將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接之情形時，只要自具有透光性之電子零件側進行光照射即可。
以下，一面參照圖式一面對本發明之異向性導電膜之例進行詳細說明。再者，於各圖中，相同之符號表示相同或同等之構成要素。 ＜＜第1異向性導電膜＞＞
圖1係本發明之一實施例之第1異向性導電膜1A的剖面圖。於該第1異向性導電膜1A中，依序積層有第1絕緣性樹脂層2、第2絕緣性樹脂層3及第3絕緣性樹脂層4，於第1絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層3側之表面2a單層地配置有異向性導電連接用導電粒子10。
＜第1絕緣性樹脂層＞ 構成第1異向性導電膜1A之第1絕緣性樹脂層2係由光聚合樹脂所形成。更具體而言，例如係由使含有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑之光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而成者所形成。藉由使第1絕緣性樹脂層2進行光聚合，可將導電粒子10適度地固定化。即，即便於異向性導電連接時將異向性導電膜1A加熱，第1絕緣性樹脂層2亦難以流動，因此可大大抑制因樹脂流動導致導電粒子10不要地流動而產生短路。
尤其是於本實施例之第1異向性導電膜1A中，較佳為第1絕緣性樹脂層2中於第2絕緣性樹脂層3側存在導電性粒子10之區域2X（即位於導電粒子10與第1絕緣性樹脂層2之外側表面2b之間之區域）之硬化率與第1絕緣性樹脂層2中不存在導電粒子10之區域2Y之硬化率相比較低。於第1絕緣性樹脂層2之區域2X中，可殘留有未進行光硬化之丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑。藉由第1異向性導電膜1A具有此種區域2X，容易於異向性導電連接時將區域2X之絕緣性樹脂排除，因此導電粒子10不易於第1絕緣性樹脂層2之平面方向上移動，而於厚度方向上被良好地壓入。因此，可提高導電粒子捕捉率，進而亦可提高連接可靠性與絕緣性。
此處，硬化率係定義為乙烯基之減少比率之數值，第1絕緣性樹脂層之區域2X之硬化率較佳為40～80%，區域2Y之硬化率較佳為70～100%。
再者，就使第1異向性導電膜1A之製品品質穩定之方面而言，較佳為如下所述般抑制區域2X與區域2Y之硬化率之差，或實質上消除差。因此，區域2X與區域2Y之硬化率之差係根據導電粒子捕捉率之提高與製品品質之穩定性之平衡而調整。
（丙烯酸酯化合物） 作為成為丙烯酸酯單元之丙烯酸酯化合物，可使用先前公知之光聚合性丙烯酸酯。例如可使用單官能(甲基)丙烯酸酯（此處，(甲基)丙烯酸酯包含丙烯酸酯與甲基丙烯酸酯）、二官能以上之多官能(甲基)丙烯酸酯。於本發明中，為了於異向性導電連接時可使絕緣性樹脂層熱硬化，較佳為丙烯酸系單體之至少一部分使用多官能(甲基)丙烯酸酯。
第1絕緣性樹脂層2中之丙烯酸酯化合物之含量若過少，則有不易於異向性導電連接時賦予第1絕緣性樹脂層2與第2絕緣性樹脂層3之黏度差之傾向，若過多，則有硬化收縮較大而作業性降低之傾向，因此較佳為2～70質量%，更佳為10～50質量%。
（聚合起始劑） 作為用於形成第1絕緣性樹脂層之光聚合起始劑，例如可自公知之光自由基聚合起始劑等中適當選擇而使用。更具體而言，可列舉苯乙酮系光聚合起始劑、苯偶醯縮酮系光聚合起始劑、磷系光聚合起始劑等。 又，除光自由基聚合起始劑以外，亦可使用熱自由基聚合起始劑。作為熱自由基聚合起始劑，例如可列舉有機過氧化物或偶氮系化合物等。尤其可較佳地使用不產生成為氣泡之原因之氮之有機過氧化物。
光聚合起始劑之使用量相對於丙烯酸酯化合物100質量份，若過少，則無法充分地進行光聚合，若過多，則成為剛性降低之原因，因此較佳為0.1～25質量份，更佳為0.5～15質量份。
（其他樹脂及聚合起始劑） 於第1絕緣性樹脂層2中，亦可視需要而含有環氧化合物、及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或光陽離子或光陰離子聚合起始劑。藉此，可提高層間剝離強度。關於與環氧化合物一併使用之聚合起始劑，於第2絕緣性樹脂層3中進行說明。於第1絕緣性樹脂層2中，可視需要進而併用苯氧基樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、胺酯樹脂（urethane resin）、丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚烯烴樹脂等膜形成樹脂。
（第1絕緣性樹脂層之層厚） 第1絕緣性樹脂層2之層厚若過薄，則有導電粒子捕捉率降低之傾向，若過厚，則有導通電阻變高之傾向，因此較佳為1.0～6.0 μm，更佳為2.0～5.0 μm。
（第1絕緣性樹脂層之光聚合） 第1絕緣性樹脂層2之形成例如可藉由如下方式進行：藉由膜轉印法、模具轉印法、噴墨法、靜電附著法等方法使導電粒子單層地附著於含有光自由基聚合性樹脂及光自由基聚合起始劑之光聚合性樹脂層，並自導電粒子側照射紫外線而使其光聚合。藉由自導電粒子側照射紫外線，可將第1絕緣性樹脂層之區域2X之硬化率抑制得相對低於區域2Y之硬化率，而提高導電粒子之捕捉率。
另一方面，亦可自與導電粒子10相反之側對形成第1絕緣性樹脂層2之光聚合性樹脂照射紫外線。藉此，於第1絕緣性樹脂層中區域2X與區域2Y之硬化率之差實質上消失。即，可使得第1絕緣性樹脂層2之光硬化進行，從而於異向性導電膜之生產線上確保穩定之品質。又，於將異向性導電膜形成為長條並捲繞至捲盤上之情形時，可自捲繞開始至捲繞結束使施加至導電粒子10之壓力大致相同，從而亦可防止導電粒子10之排列之混亂。
光聚合可以一階段（即一次光照射）進行，亦可以兩階段（即兩次光照射）進行。於以兩階段進行光聚合之情形時，就第1絕緣性樹脂層之區域2X之硬化率變得相對低於區域2Y之硬化率而導電粒子10之捕捉率提高之方面而言，較佳為僅自導電粒子側照射紫外線。另一方面，亦可自導電粒子10側進行第一階段之光照射，為了品質之穩定化等而自與第一階段相反之側進行第二階段之光照射。於該情形時，可於在第1絕緣性樹脂層2之單面形成第2絕緣性樹脂層3後，於含氧環境（大氣中）下自第1絕緣性樹脂層2之另一面側進行第二階段之光照射。亦可以區域2X之硬化率低於區域2Y之硬化率之方式調整照射強度或使用遮罩而進行該第二階段之光照射。
於進行兩階段之光聚合之情形時，第1絕緣性樹脂層之區域2X之第一階段之硬化率較佳為10～50%，第二階段之硬化率較佳為40～80%，區域2Y之第一階段之硬化率較佳為30～90%，第二階段之硬化率較佳為70～100%。
又，於進行兩階段之光聚合之情形時，作為聚合起始劑亦可僅使用1種，但為了提高黏著性，較佳為使用開始反應之波長頻帶不同之2種光聚合起始劑。例如較佳為併用於來自LED光源之波長365 nm之光下開始自由基反應之IRGACURE 369（BASF Japan（股））與於來自高壓水銀燈光源之光下開始自由基反應之IRGACURE 2959（BASF Japan（股））。如此藉由使用2種不同之硬化劑而使樹脂之結合複雜化，因此可更精密地控制異向性導電連接時之樹脂之熱流動行為。
光聚合後之第1絕緣性樹脂層2之最低熔融黏度較佳為高於第2絕緣性樹脂層3之最低熔融黏度，具體而言，利用流變計所測得之[第1絕緣性樹脂層2之最低熔融黏度（mPa・s）]／[第2絕緣性樹脂層3之最低熔融黏度（mPa・s）]之數值較佳為1～1000，更佳為4～400。再者，關於各者之較佳之最低熔融黏度，對於第1絕緣性樹脂層2為100～100000 mPa・s，更佳為500～50000 mPa・s。對於第2絕緣性樹脂層3較佳為0.1～10000 mPa・s，更佳為0.5～1000 mPa・s。
＜導電粒子＞ 作為導電粒子10，可自先前公知之異向性導電膜所使用者中適當選擇而使用。例如可列舉鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子等。亦可併用2種以上。
作為導電粒子之平均粒徑，若過小則有無法吸收配線之高度之不均而電阻變高之傾向，若過大則有成為短路之原因之傾向，因此較佳為1～10 μm，更佳為2～6 μm。
此種導電粒子於第1絕緣性樹脂層2中之粒子量若過少，則導電粒子捕捉數會降低而難以進行異向性導電連接，若過多，則有發生短路之擔憂，因此較佳為每1平方mm為50～50000個，更佳為200～30000個。
第1絕緣性樹脂層2之厚度方向上之導電粒子10之位置較佳為如圖1所示，未掩埋於第1絕緣性樹脂層2內，而沒入第2絕緣性樹脂層3。其原因在於：若導電粒子10掩埋於第1絕緣性樹脂層2內，則有異向性導電連接時導電粒子之壓入變得不均勻而將電子零件進行異向性導電連接而成之連接構造體之導通電阻變高之擔憂。就導電粒子捕捉率與導通電阻之平衡而言，沒入之程度較佳為導電粒子10之平均粒徑之10～90%，更佳為20～80%。
＜第2絕緣性樹脂層、第3絕緣性樹脂層＞ 第2絕緣性樹脂層3及第3絕緣性樹脂層4分別由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成。更具體而言，係由含有環氧化合物及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或光陽離子或光陰離子聚合起始劑之藉由熱或光而進行聚合之聚合性樹脂層、或含有丙烯酸酯化合物及熱自由基或光自由基聚合起始劑之藉由熱或光而進行自由基聚合之聚合性樹脂層所構成者。
再者，就異向性導電連接後之應力緩和之方面而言，較佳為使第2絕緣性樹脂層3之聚合性樹脂之摻合量多於第3絕緣性樹脂層4。
又，為了使第3絕緣性樹脂層4於異向性導電連接時作為黏著層而發揮功能，第3絕緣性樹脂層4亦可以其10質量%以內含有添加劑。
再者，亦可視需要於第1絕緣性樹脂層2之與第2絕緣性樹脂層3相反之側之面設置黏著層。
（環氧化合物） 作為形成第2絕緣性樹脂層3或第3絕緣性樹脂層4之環氧化合物，可較佳地列舉分子內具有2個以上環氧基之化合物或樹脂。該等可為液狀，亦可為固體狀。
（熱陽離子聚合起始劑） 作為形成第2絕緣性樹脂層3或第3絕緣性樹脂層4之熱陽離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陽離子聚合起始劑而公知者，例如可使用藉由熱而產生酸之錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、二茂鐵類等，尤其可較佳地使用對於溫度顯示良好之潛伏性之芳香族鋶鹽。
熱陽離子聚合起始劑之摻合量若過少則有成為硬化不良之傾向，若過多則有製品壽命降低之傾向，因此相對於環氧化合物100質量份，較佳為2～60質量份，更佳為5～40質量份。
（熱陰離子聚合起始劑） 作為形成第2絕緣性樹脂層3或第3絕緣性樹脂層4之熱陰離子聚合起始劑，可採用作為環氧化合物之熱陰離子聚合起始劑而公知者，例如可使用藉由熱而產生鹼之脂肪族胺系化合物、芳香族胺系化合物、二級或三級胺系化合物、咪唑系化合物、聚硫醇系化合物、三氟化硼－胺錯合物、雙氰胺、有機酸醯肼等，尤其可較佳地使用對於溫度顯示良好之潛伏性之膠囊化咪唑系化合物。
熱陰離子聚合起始劑之摻合量若過少則有成為硬化不良之傾向，若過多則有製品壽命降低之傾向，因此相對於環氧化合物100質量份，較佳為2～60質量份，更佳為5～40質量份。
（光陽離子聚合起始劑及光陰離子聚合起始劑） 作為環氧化合物用光陽離子聚合起始劑或光陰離子聚合起始劑，可適當使用公知者。
（丙烯酸酯化合物） 形成第2絕緣性樹脂層3或第3絕緣性樹脂層4之丙烯酸酯化合物可自關於第1絕緣性樹脂層2所說明之丙烯酸酯化合物中適當選擇而使用。
（熱自由基聚合起始劑） 又，於使第2絕緣性樹脂層3或第3絕緣性樹脂層4中含有丙烯酸酯化合物之情形時，作為與丙烯酸酯化合物一併使用之熱自由基聚合起始劑，可自關於第1絕緣性樹脂層2所說明之熱自由基聚合起始劑中適當選擇而使用。
熱自由基聚合起始劑之使用量若過少則成為硬化不良，若過多則製品壽命降低，因此相對於丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為2～60質量份，更佳為5～40質量份。
（光自由基聚合起始劑） 作為丙烯酸酯化合物用光自由基聚合起始劑，可使用公知之光自由基聚合起始劑。
光自由基聚合起始劑之使用量若過少則成為硬化不良，若過多則製品壽命降低，因此相對於丙烯酸酯化合物100質量份，較佳為2～60質量份，更佳為5～40質量份。
（第2絕緣性樹脂層及第3絕緣性樹脂層之層厚） 就異向性連接後之導電粒子捕捉性之方面而言，第2絕緣性樹脂層3之層厚較佳為3～20 μm，更佳為5～15 μm。 又，為了容易控制按壓，第3絕緣性樹脂層4之層厚較佳為設為第2絕緣性樹脂層3之層厚之1／2以下。
＜＜第1異向性導電膜之製造方法＞＞ 第1異向性導電膜可進行下述步驟（A）～（D）而製造。
步驟（A） 如圖2所示，於視需要形成於剝離膜30上之光聚合性樹脂層20上以單層配置導電粒子10。作為將導電粒子10以單層配置於光聚合性樹脂層20之方法並無特別限制，可採用日本專利第4789738號之實施例1之利用以黏著劑固定有導電粒子之樹脂膜之雙軸延伸操作之方法、或日本特開2010－33793號公報之使用金屬模具之方法等。再者，作為導電粒子10之配置，較佳為縱橫以特定間隔排列。又，較佳為考慮連接對象之尺寸、導通可靠性、絕緣性、導電粒子捕捉率等，將二維之最接近之粒子間距離設為1～100 μm左右。
步驟（B） 其次，如圖3A所示，藉由對配置有導電粒子10之光聚合性樹脂層20自導電粒子10側照射紫外線（UV）而使其進行光聚合反應，從而形成表面固定有導電粒子10之第1絕緣性樹脂層2。藉此，可如圖3B所示般，使第1絕緣性樹脂層2中於第2絕緣性樹脂層3側存在導電性粒子10之區域2X（位於第1絕緣性樹脂層2之剝離膜30側表面2b與導電粒子10之間之區域）之第1絕緣性樹脂層之硬化率低於第1絕緣性樹脂層2中不存在導電粒子10之區域2Y之硬化率。因此異向性導電連接時之導電粒子10之壓入變得容易，且亦可抑制導電粒子10之連接平面方向之流動。
步驟（C） 其次，如圖4A所示，於第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第2絕緣性樹脂層3。更具體而言，例如將藉由慣例形成而於剝離膜31之第2絕緣性樹脂層3載置於第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面，並以不產生過度之熱聚合之程度進行熱壓接。然後將剝離膜31卸除，藉此可獲得圖4B之異向性導電膜。
步驟（D） 其次，如圖5所示，於第2絕緣性樹脂層3之單面（即與第1絕緣性樹脂層2相反之側之面）積層由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第3絕緣性樹脂層4，並去除剝離膜30。藉此可獲得圖1之第1異向性導電膜1A。
或者，如圖6所示，於步驟（C）之前進行步驟（D）。即，預先於剝離膜31上形成第2絕緣性樹脂層3與第3絕緣性樹脂層4之積層體5，將該積層體5之第2絕緣性樹脂層3積層於第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面，並去除剝離膜30、31，藉此亦可獲得圖1之第1異向性導電膜1A。 ＜＜第2異向性導電膜＞＞
圖7A係本發明之一實施例之第2異向性導電膜1B的剖面圖。於第2異向性導電膜1B中，依序積層有第1絕緣性樹脂層2、中間絕緣性樹脂層6及第2絕緣性樹脂層3，異向性導電連接用導電粒子10以單層且貫通中間絕緣性樹脂層6之至少第1絕緣性樹脂層2側之面之方式配置於第1絕緣性樹脂層2之第2絕緣性樹脂層3側之表面2a，且與該中間絕緣性樹脂層6接觸。
＜第1絕緣性樹脂層＞ 構成第2異向性導電膜1B之第1絕緣性樹脂層2係由與上述第1異向性導電膜1A之第1絕緣性樹脂層2相同之光聚合樹脂所形成，將導電粒子10適度地固定化。
又，對於第2異向性導電膜1B，亦較佳為與第1異向性導電膜1A同樣地使第1絕緣性樹脂層2中於第2絕緣性樹脂層3側存在導電粒子10之區域2X（即位於導電粒子10與第1絕緣性樹脂層2之外側表面2b之間之區域）之硬化率低於第1絕緣性樹脂層2中不存在導電粒子10之區域2Y之硬化率。藉此，容易於異向性導電連接時將區域2X之絕緣性樹脂排除，因此導電粒子10不易於第1絕緣性樹脂層2之平面方向上移動，而於厚度方向上被良好地壓入。因此，可提高導電粒子捕捉率，進而亦可提高連接可靠性，降低短路之產生率。
另一方面，對於第2異向性導電膜1B，就使其製品品質穩定之方面而言，亦較佳為抑制區域2X與區域2Y之硬化率之差，或實質上消除硬化率之差。區域2X與區域2Y之硬化率之差係根據導電粒子捕捉率之提高與製品品質之穩定性之平衡而調整。
＜導電粒子＞ 作為構成第2異向性導電膜1B之導電粒子10，與第1異向性導電膜1A同樣，可列舉鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等金屬粒子、金屬被覆樹脂粒子等。亦可併用2種以上。
關於導電粒子10之平均粒徑及第1絕緣性樹脂層2中之粒子量亦與第1異向性導電膜1A相同。
第1絕緣性樹脂層2之厚度方向上之導電粒子10之位置較佳為如圖7A所示，未掩埋於第1絕緣性樹脂層2內且貫通中間絕緣性樹脂層6，並沒入第2絕緣性樹脂層3。即，於該情形時，導電粒子10橫跨第1絕緣性樹脂層2與第2絕緣性樹脂層3。藉由導電粒子10貫通中間絕緣性樹脂層6，可使異向性導電連接時之導電粒子10之變形均勻，而防止不需要之粒子偏移。
又，於如圖7A所示般導電粒子10貫通中間絕緣性樹脂層6且沒入第2絕緣性樹脂層3之情形時，就導電粒子捕捉率與導通電阻之平衡而言，沒入至中間絕緣性樹脂層6及第2絕緣性樹脂層3之程度（即自第1絕緣性樹脂層2突出之程度）較佳為導電粒子10之平均粒徑之10～90%，更佳為20～80%。
另一方面，導電粒子10之自第1絕緣性樹脂層2突出之部分亦可由中間絕緣性樹脂層6所覆蓋，例如亦可如圖7B所示，導電粒子10不貫通中間絕緣性樹脂層6而橫跨第1絕緣性樹脂層2與中間絕緣性樹脂層6。如此即便中間絕緣性樹脂層6覆蓋導電粒子10之上部，於異向性導電連接之壓入時亦不易阻礙導電粒子10之變形。於該情形時，導電粒子10於第1絕緣性樹脂層2側突出之部分較佳為該導電粒子之粒徑之20%以下，更佳為10%以下。
又，作為導電粒子10之自第1絕緣性樹脂層2突出之部分由中間絕緣性樹脂層6所覆蓋之態樣，亦可如圖7C所示，自第1絕緣性樹脂層2突出之導電粒子10由厚度薄於導電粒子直徑之中間絕緣性樹脂層6沿著導電粒子10之隆起而覆蓋。於圖7C之態樣中，由於追隨導電粒子10之形狀而設置有中間絕緣性樹脂層6，故而可更精密地控制異向性導電連接之壓入時之導電粒子10之變形阻礙。
相對於此，若將導電粒子10掩埋於第1絕緣性樹脂層2內，則會產生於將電子零件進行異向性導電連接時導電粒子10之變形受到阻礙而壓入變得不均勻之擔憂，故而欠佳。
＜中間絕緣性樹脂層＞ 中間絕緣性樹脂層6係作為將於第2異向性導電膜1B之捲取時、捲出時、搬送時、異向性導電連接步驟中之抽出時等施加至導電粒子10之應力緩和之層而設置。若中間絕緣性樹脂層6設置於導電粒子10之周圍，而將累積於導電粒子10中之應力緩和，則可於異向性導電連接時抑制因樹脂流動或導電粒子10之壓縮所產生之導電粒子之連接平面方向之位置偏移。因此，本發明之第2異向性導電膜1B可實現良好之導電粒子捕捉率、導通可靠性、較低之短路產生率。
中間絕緣性樹脂層6之厚度較佳為導電粒子10之粒徑之1.2倍以下，更佳為1倍以下，進而更佳為0.7倍以下。若於該範圍內，則於異向性導電連接時之導電粒子10之壓入中，不易產生變形之不均勻化或於凸塊端部導電粒子之捕捉變得困難等品質穩定性方面之問題。又，於將長條之異向性導電膜捲取至捲盤等之情形時，可使施加至導電粒子之壓力均質化，而預防導電粒子之排列之混亂。再者，為了使製造條件更加容易，中間絕緣性樹脂層6亦可為與導電粒子10大致相同之厚度。
為了容易吸收異向性導電連接時施加至導電粒子之應力，中間絕緣性樹脂層6係由不含有聚合起始劑之樹脂所形成。作為形成中間絕緣性樹脂層6之樹脂，較佳為與其他層之樹脂成分相同程度之彈性模數，亦可為聚合性樹脂。例如可使用苯氧基樹脂、環氧樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂等。
又，於中間絕緣性樹脂層6中，為了有效地抑制異向性導電連接時之不要的導電粒子10之流動，較佳為含有二氧化矽等填料。中間絕緣性樹脂層6中之填料之含量較佳為設為0.5～20質量%。
＜第2絕緣性樹脂層＞ 第2異向性導電膜1B之第2絕緣性樹脂層3係由與第1異向性導電膜1A之第2絕緣性樹脂層3相同之熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成。
就異向性導電連接時之導電粒子捕捉性之方面而言，第2絕緣性樹脂層3之層厚較佳為3～20 μm，更佳為5～15 μm。
＜＜第2異向性導電膜之製造方法＞＞ 第2異向性導電膜1B可進行下述步驟[A]～[D]而製造。
步驟[A] 如圖8所示，於視需要形成於剝離膜30上之光聚合性樹脂層20以單層配置導電粒子10。作為將導電粒子10以單層配置於光聚合性樹脂層20之方法並無特別限制，可採用日本專利第4789738號之實施例1之利用以黏著劑固定有導電粒子之樹脂膜之雙軸延伸操作之方法、或日本特開2010－33793號公報之使用模具之方法等。再者，作為導電粒子10之配置，較佳為縱橫以特定間隔排列。又，較佳為考慮連接對象之尺寸、導通可靠性、絕緣性、導電粒子捕捉率等，將二維之最接近之粒子間距離設為1～100 μm左右。
步驟[B] 其次，藉由對排列有導電粒子10之光聚合性樹脂層20照射紫外線（UV）而使其進行光聚合反應，從而形成於表面固定化有導電粒子10之第1絕緣性樹脂層2。於該情形時，較佳為如圖9A所示般自導電粒子10側照射紫外線（UV）。藉此，可如圖9B所示般，使第1絕緣性樹脂層2中於第2絕緣性樹脂層3側存在導電粒子10之區域2X（位於第1絕緣性樹脂層2之剝離膜30側表面2b與導電粒子10之間之區域）之第1絕緣性樹脂層之硬化率低於第1絕緣性樹脂層2中不存在導電粒子10之區域2Y之硬化率。因此異向性導電連接時之導電粒子10之壓入變得容易，且亦可抑制導電粒子10之連接平面方向之流動。
步驟[C] 另一方面，如圖10所示般於剝離膜31上藉由慣例而形成由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第2絕緣性樹脂層3。
步驟[D] 於在步驟[B]中將導電粒子10固定而成之第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面形成中間絕緣性樹脂層6。 該步驟[D]可藉由下述（i）或（ii）之方法進行。
方法（i） 如圖11所示，於在步驟[B]中將導電粒子10固定而成之第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面形成中間絕緣性樹脂層6。更具體而言，將中間絕緣性樹脂層形成用塗液塗佈或噴霧於第1絕緣性樹脂層2之導電粒子10側表面而形成中間絕緣性樹脂層6，該中間絕緣性樹脂層形成用塗液不含有聚合起始劑，含有選自苯氧基樹脂、環氧樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂中之至少一種樹脂，較佳為含有二氧化矽等填料。 其後，如圖12所示般使中間絕緣性樹脂層6與步驟[C]中所形成之第2絕緣性樹脂層3對向，並如圖13所示般進行熱壓接。於該情形時，使其不因熱壓接而產生過度之熱聚合。然後將剝離膜30、31卸除，藉此可獲得圖7A之第2異向性導電膜1B。
方法（ii） 於在步驟[C]中所形成之第2絕緣性樹脂層3之表面塗佈或噴霧與（i）相同之中間絕緣性樹脂層形成用塗液，藉此如圖14所示般於第2絕緣性樹脂層3上形成中間絕緣性樹脂層6。繼而，如圖15所示般使中間絕緣性樹脂層6與步驟[B]中所形成之第1絕緣性樹脂層2上之導電粒子10對向，並如圖16所示般進行熱壓接。再者，於圖16中，表示導電粒子10未貫通中間絕緣性樹脂層6之態樣。將剝離膜30、31卸除，藉此可獲得圖7C所示之第2異向性導電膜1B。
＜＜連接構造體＞＞ 本發明之第1異向性導電膜1A及第2異向性導電膜1B可於將IC晶片、IC模組等第1電子零件與可撓性基板、玻璃基板等第2電子零件進行異向性導電連接時較佳地應用。如此獲得之連接構造體亦為本發明之一部分。再者，就提高連接可靠性之方面而言，較佳為將第1異向性導電膜1A及第2異向性導電膜1B之第1絕緣性樹脂層2側配置於可撓性基板等第2電子零件，將與其相反之側之第3絕緣性樹脂層4側或第2絕緣性樹脂層3配置於IC晶片等第1電子零件。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行具體說明。
實施例1～6（第1異向性導電膜）、比較例1 依據日本專利第4789738號之實施例1之操作使導電粒子排列為單層，而製作具有按照表1所示之組成（質量份）所形成之第1絕緣性樹脂層及第2絕緣性樹脂層之比較例1之異向性導電膜、及進而亦具有第3絕緣性樹脂層之實施例1～6之第1異向性導電膜。
具體而言，首先，將丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑等利用乙酸乙酯或甲苯以固形物成分成為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為3 μm之方式塗佈於厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜，並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘，藉此形成作為第1絕緣性樹脂層之前驅層之光自由基聚合性樹脂層。
其次，於所獲得之光自由基聚合性樹脂層之表面，使平均粒徑4 μm之導電粒子（Ni／Au鍍敷樹脂粒子，AUL704，積水化學工業（股））以導電粒子間之最接近距離成為4 μm之方式單層地排列為格子狀。
進而，自該導電粒子側對光自由基聚合性樹脂層照射波長365 nm、累計光量4000 mJ／cm2 之紫外線，藉此形成表面固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層。
將熱硬化性樹脂及聚合起始劑等利用乙酸乙酯或甲苯以固形物成分成為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為12 μm之方式塗佈於厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜，並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘，藉此形成第2絕緣性樹脂層，並以同樣之方式形成第3絕緣性樹脂層。
將如此獲得之第1絕緣性樹脂層與第2絕緣性樹脂層以導電粒子成為內側之方式進行層壓，藉此獲得比較例1之異向性導電膜。進而，將第3絕緣性樹脂層層壓於第1絕緣性樹脂層與第2絕緣性樹脂層之積層體之第2絕緣性樹脂層之表面，藉此獲得實施例1～6之第1異向性導電膜。
實施例7 對光自由基聚合性樹脂層自導電粒子側及與導電粒子相反之側各進行累計光量2000 mJ／cm2 之紫外線照射，除此以外，以與實施例1同樣之方式獲得第1異向性導電膜。
評價 使用實施例1～7及比較例1之第1異向性導電膜，於180℃、80 MPa、5秒之條件下將0.5×1.8×20.0 mm之大小之IC晶片（凸塊尺寸30×85 μm，凸塊高度15 μm，凸塊間距50 μm）構裝於0.5×50×30 mm之大小之Corning公司製造之玻璃配線基板（1737F），而獲得連接構造體樣品。
對於所獲得之連接構造體樣品，如以下所說明般對「翹曲」、「初期導通性」、「導通可靠性」及「短路產生率」進行試驗並評價。將結果示於表1。
「翹曲」 關於連接體之翹曲，於未構裝IC晶片之側之玻璃基板表面，使用市售之三維測長機（KEYENCE（股））而測定相當於IC晶片之背面側之寬度20 mm之翹曲。 翹曲於實用上較佳為未達15 μm。
「初期導通性」 測定連接構造體樣品之導通電阻，於0.5 Ω以下之情形時評價為OK，於大於0.5 Ω之情形時評價為NG。
「導通可靠性」 以與初期導通性同樣之方式測定將連接構造體樣品於85℃、85%RH之高溫高濕環境下放置500小時後之導通電阻。對於該導通電阻，就所連接之電子零件之實用上之導通穩定性之方面而言，於5 Ω以下之情形時評價為OK，於大於5 Ω之情形時評價為NG。
「短路產生率」 準備7.5 μm間隙之梳齒TEG圖案之IC（外徑1.5×13 mm，厚度0.5 mm，凸塊規格：鍍金，高度15 μm，尺寸25×140 μm，凸塊間間隙7.5 μm）作為短路產生率之評價用IC，將各實施例及比較例之異向性導電膜夾於短路產生率之評價用IC與和其對應之圖案之玻璃基板之間，並於與初期導通性相同之條件下進行加熱加壓而獲得連接體。然後，根據「短路產生數／7.5 μm間隙總數」而算出該連接體之短路產生率。短路產生率於實用上較理想為100 ppm以下，因此於100 ppm以下之情形時評價為OK，於大於100 ppm之情形時評價為NG。
[表1] （組成：質量份）
   實施例 比較例
   1 2 3 4 5 6 1
第1絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 60 60 60 60 60 60 60
丙烯酸酯 EB600 DAICEL－ALLNEX 40 40 40 40 40 40 40
光自由基聚合起始劑 IRUGACURE 369 BASF Japan 2 2 2 2 2 2 2
熱陽離子聚合起始劑 SI－60L 三新化學工業 2 2 2 2 2 2 2
導電粒子 AUL704 積水化學工業 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列
第2絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 60 60 60 60 60 60 60
環氧樹脂 jER828 三菱化學 40 40 40 40 40 40 40
熱陽離子聚合起始劑 SI－60L 三新化學工業 2 2 2 2 2 2 2
第3絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 70 70 80 80 70 70 －
環氧樹脂 jER828 三菱化學 30 － 20 － 30 － －
熱陽離子聚合起始劑 SI－60L 三新化學工業 2 － 2 － 2 － －
丙烯酸酯 EB600 DAICEL－ALLNEX － 30 － 20 － 30 －
有機過氧化物 Perhexyl Z 日油 － 2 － 2 － 2 －
第1絕緣性樹脂層之厚度（μm） 6 6 6 6 6 6 6
第2絕緣性樹脂層之厚度（μm） 12 12 12 12 10 10 12
第3絕緣性樹脂層之厚度（μm） 3 3 3 3 5 5 －
翹曲（μm）    12 12 10 10 10 10 15
初期導通性（Ω）    OK OK OK OK OK OK OK
導通可靠性（Ω）    OK OK OK OK OK OK OK
短路產生率（ppm）    OK OK OK OK OK OK OK
由表1得知，實施例1～6之第1異向性導電膜之翹曲未達15 μm。又，實施例1～6之第1異向性導電膜均為初期導通性0.5 Ω、導通可靠性4 Ω、短路產生率50 ppm，關於全部評價項目均顯示實用上較佳之結果。實施例7之導通可靠性略遜於實施例1，但於實用上無問題，關於翹曲、初期導通性、短路產生率與實施例1同樣地顯示實用上較佳之結果。
相對於此，比較例1之異向性導電膜由於無第3絕緣性樹脂層，故而翹曲較大。
實施例8～17（第2異向性導電膜） 依據日本專利第4789738號之實施例1之操作使導電粒子排列為單層，而製作具有按照表2所示之組成（質量份）所形成之第1絕緣性樹脂層、中間絕緣性樹脂層、及第2絕緣性樹脂層且導電粒子如圖7A所示般穿過中間絕緣性樹脂層之實施例8～17之第2異向性導電膜。
具體而言，首先，以與實施例1同樣之方式形成表面固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層。 另一方面，以表2所示之組成製備中間絕緣性樹脂層用塗料，並將其塗佈於固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層，藉此形成中間絕緣性樹脂層。
又，為了形成第2絕緣性樹脂層，將熱硬化性樹脂及聚合起始劑等利用乙酸乙酯或甲苯以固形物成分成為50質量%之方式製備混合液。將該混合液以乾燥厚度成為12 μm之方式塗佈於厚度50 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜，並於80℃之烘箱中乾燥5分鐘，藉此形成第2絕緣性樹脂層。
將如此獲得之固定有導電粒子之第1絕緣性樹脂層與第2絕緣性樹脂層以導電粒子成為內側之方式進行層壓，藉此獲得實施例8～17之第2異向性導電膜。
實施例18 對光自由基聚合型樹脂層自導電粒子側及與導電粒子相反之側各進行累計光量2000 mJ／cm2 之紫外線照射，除此以外，以與實施例9同樣之方式獲得第2異向性導電膜。
實施例19 將中間絕緣性樹脂層之厚度設為5 μm，除此以外，以與實施例9同樣之方式獲得第2異向性導電膜。於該第2異向性導電膜中，導電粒子未穿過中間絕緣性樹脂層。
實施例20 將中間絕緣性樹脂層之厚度設為5 μm，除此以外，以與實施例18同樣之方式獲得第2異向性導電膜。於該第2異向性導電膜中，導電粒子未穿過中間絕緣性樹脂層。
評價 使用實施例8～20之第2異向性導電膜，於180℃、80 MPa、5秒之條件下將0.5×1.8×20.0 mm之大小之IC晶片（凸塊尺寸30×85 μm，凸塊高度15 μm，凸塊間距50 μm）構裝於0.5×50×30 mm之大小之Corning公司製造之玻璃配線基板（1737F），而獲得連接構造體樣品。
對於所獲得之連接構造體樣品及使用上述比較例1之異向性導電膜之連接構造體樣品，如以下所說明般對「構裝粒子捕捉效率」、「初期導通性」、「導通可靠性」、「翹曲」及「短路產生率」進行試驗並評價。 將結果示於表2。
「構裝粒子捕捉效率」 根據下述式而求出“於加熱、加壓後之連接構造體樣品之凸塊上實際捕捉到之導電粒子數”相對於“加熱、加壓前之連接構造體樣品之凸塊上所存在之導電粒子數”之比率（%），並設為構裝粒子捕捉效率。 再者，加熱加壓前之連接構造體樣品之凸塊上所存在之導電粒子數係根據異向性導電連接之加熱、加壓前之異向性導電膜之導電粒子之個數密度及凸塊面積而算出，加熱加壓後之連接構造體樣品之凸塊上所存在之導電粒子數係藉由光學顯微鏡之觀察而求出。 於實用上較佳為50%以上。
構裝粒子捕捉效率（%）＝ {[加熱加壓後之凸塊上之導電粒子數]／[加熱加壓前之凸塊上之導電粒子數]}×100
「初期導通性」 以與實施例1同樣之方式測定連接構造體樣品之導通電阻，於0.5 Ω以下之情形時評價為OK，於大於0.5 Ω之情形時評價為NG。
「導通可靠性」 以與實施例1同樣之方式測定將連接構造體樣品於85℃、85%RH之高溫高濕環境下放置500小時後之導通電阻，於5 Ω以下之情形時評價為OK，於大於5 Ω之情形時評價為NG。
「翹曲」 以與實施例1同樣之方式測定玻璃配線基板之翹曲。
「短路產生率」 以與實施例1同樣之方式算出短路產生率之評價用IC與玻璃基板之連接體之短路產生率，於100 ppm以下之情形時評價為OK，於大於100 ppm之情形時評價為NG。
[表2] （組成：質量份）
   實施例 比較例
   8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1
第1絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60
丙烯酸酯 EB600 DAICEL－ALLNEX 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
光自由基聚合起始劑 IRUGACURE 369 BASF Japan 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
熱陽離子聚合起始劑 SI－60L 三新化學工業 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
導電粒子 AUL704 積水化學工業 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列 單層排列
中間絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 90 80 60 60 70 75 80 80 80 80 －
環氧樹脂 YL980 三菱化學 10 20 40 20 20 20 20 20 20 20 －
乙烯系樹脂 V5772ET Dupont－Mitsui Polychemicals          20 10 5             －
第2絕緣性樹脂層 苯氧基樹脂 YP－50 新日鐵住金化學 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60
環氧樹脂 jER828 三菱化學 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
熱陽離子聚合起始劑 SI－60L 三新化學工業 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
第1絕緣性樹脂層之厚度（μm） 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
中間絕緣性樹脂層之厚度（μm） 2 2 2 2 2 2 1 2.8 3.9 4 －
第2絕緣性樹脂層之厚度（μm） 12 12 12 12 10 12 12 12 10 10 12
構裝粒子捕捉效率（%）    超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 超過70 50
初期導通性（Ω）    OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK
導通可靠性（Ω）    OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK
翹曲（μm）    13.5 13.3 13.4 11.6 12.3 12.7 14.1 13.7 12.5 12.4 15.0
短路產生率（ppm）    OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK OK
由表2得知，實施例8～17之第2異向性導電膜之構裝粒子捕捉效率超過70%，且翹曲未達15 μm。又，實施例8～17之第2異向性導電膜均為初期導通性0.2 Ω、導通可靠性4 Ω、短路產生率50 ppm，關於全部評價項目均顯示實用上較佳之結果。 實施例18、20之連接構造體之構裝粒子捕捉效率略遜於實施例9，但於實用上無問題，關於初期導通性、導通可靠性、翹曲、短路產生率與實施例9同樣地顯示較佳之結果。 又，關於實施例19之連接構造體，根據顯微鏡觀察與凸塊連接之導電粒子之形狀與實施例9相比略微不均勻，但關於構裝粒子捕捉效率、初期導通性、導通可靠性、翹曲、短路產生率之全部評價項目均顯示實用上較佳之結果。
相對於此，比較例1之異向性導電膜由於無中間絕緣性樹脂層，故而構裝粒子捕捉效率較低，且翹曲亦較大。 [產業上之可利用性]
本發明之第1異向性導電膜及第2異向性導電膜由於積層使光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而成之第1絕緣性樹脂層、及由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成之第2絕緣性樹脂層，且於第1絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層側表面以單層配置有導電粒子，故而顯示因良好之導電粒子捕捉率所獲得之優異之初期導通性、導通可靠性、絕緣性（較低之短路產生率）。 進而，於第1異向性導電膜中，由於在第2絕緣性樹脂層上積層有第3絕緣性樹脂層，故而將異向性導電膜用於異向性導電連接之情形時之應力得到緩和，而抑制藉由異向性導電連接所獲得之連接體中之翹曲之產生。又，於第2異向性導電膜中，由於在第1絕緣性樹脂層與第2絕緣性樹脂層之間以包圍導電粒子之方式積層有中間絕緣性樹脂層，故而施加至導電粒子之應力得到緩和，而異向性導電連接時之導電粒子捕捉率進一步提高。 因此，本發明之第1異向性導電膜及第2異向性導電膜對於IC晶片等電子零件與配線基板之異向性導電連接有用。電子零件之配線之狹小化不斷發展，而本發明於將狹小化之電子零件進行異向性導電連接之情形時尤其有用。
1A:第1異向性導電膜 1B:第2異向性導電膜 2:第1絕緣性樹脂層 2a:第1絕緣性樹脂層之表面 2b:第1絕緣性樹脂層之表面 2X:第1絕緣性樹脂層中於第2絕緣性樹脂層側存在導電粒子之區域 2Y:第1絕緣性樹脂層中不存在導電粒子之區域 3:第2絕緣性樹脂層 4:第3絕緣性樹脂層 5:積層體 6:中間絕緣性樹脂層 10:導電粒子 20:光聚合性樹脂層 30:剝離膜 31:剝離膜
[圖1]係本發明之第1異向性導電膜的剖面圖。 [圖2]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（A）的說明圖。 [圖3A]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（B）的說明圖。 [圖3B]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（B）的說明圖。 [圖4A]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（C）的說明圖。 [圖4B]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（C）的說明圖。 [圖5]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（D）的說明圖。並且係本發明之第1異向性導電膜的剖面圖。 [圖6]係本發明之第1異向性導電膜之製造方法中之步驟（D）的說明圖。 [圖7A]係本發明之第2異向性導電膜的剖面圖。 [圖7B]係本發明之第2異向性導電膜之變形態樣的剖面圖。 [圖7C]係本發明之第2異向性導電膜之變形態樣的剖面圖。 [圖8]係本發明之第2異向性導電膜之製造方法中之步驟[A]的說明圖。 [圖9A]係本發明之第2異向性導電膜之製造方法中之步驟[B]的說明圖。 [圖9B]係本發明之第2異向性導電膜之製造方法中之步驟[B]的說明圖。 [圖10]係本發明之第2異向性導電膜之製造方法中之步驟[C]的說明圖。 [圖11]係於本發明之第2異向性導電膜之製造方法中藉由方法（i）而進行步驟[D]之情形時的說明圖。 [圖12]係藉由方法（i）所進行之步驟[D]之後續步驟的說明圖。 [圖13]係藉由方法（i）所進行之步驟[D]之後續步驟中獲得之第2異向性導電膜的剖面圖。 [圖14]係於本發明之第2異向性導電膜之製造中藉由方法（ii）而進行步驟[D]之情形時的說明圖。 [圖15]係藉由方法（ii）所進行之步驟[D]之後續步驟的說明圖。 [圖16]係藉由方法（ii）所進行之步驟[D]之後續步驟中獲得之異向性導電膜的剖面圖。

Claims (13)

  1. 一種異向性導電膜，其係依序積層有第1絕緣性樹脂層、中間絕緣性樹脂層及第2絕緣性樹脂層者，且 第1絕緣性樹脂層含有光聚合後之樹脂， 第2絕緣性樹脂層係由熱陽離子或熱陰離子聚合性樹脂、光陽離子或光陰離子聚合性樹脂、熱自由基聚合性樹脂或光自由基聚合性樹脂所形成， 中間絕緣性樹脂層係由不含有聚合起始劑之樹脂所形成， 於第1絕緣性樹脂層之第2絕緣性樹脂層側表面，以單層配置有異向性導電連接用導電粒子，且該導電粒子與中間絕緣性樹脂層接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，第1絕緣性樹脂層進而含有聚合性化合物及聚合起始劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之異向性導電膜，其中，中間絕緣性樹脂層之厚度為導電粒子之粒徑之1.2倍以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，導電粒子貫通中間絕緣性樹脂層。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，中間絕緣性樹脂層含有填料。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，中間絕緣性樹脂層含有選自苯氧基樹脂、環氧樹脂、聚烯烴樹脂、聚氨酯樹脂（polyurethane resin）及丙烯酸樹脂中之至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，第1絕緣性樹脂層係使含有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑之光自由基聚合性樹脂層進行光自由基聚合而成者。
  8. 如申請專利範圍第7項之異向性導電膜，其中，於第1絕緣性樹脂層中殘留有丙烯酸酯化合物及光自由基聚合起始劑。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，第1絕緣性樹脂層含有丙烯酸酯化合物及熱自由基聚合起始劑。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，第1絕緣性樹脂層含有環氧化合物、及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或光陽離子或光陰離子聚合起始劑。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之異向性導電膜，其中，第2絕緣性樹脂層係由含有環氧化合物及熱陽離子或熱陰離子聚合起始劑或光陽離子或光陰離子聚合起始劑之聚合性樹脂、或含有丙烯酸酯化合物及熱自由基或光自由基聚合起始劑之聚合性樹脂所形成。
  12. 一種連接構造體，其係利用申請專利範圍第1至11項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接而成。
  13. 一種連接構造體之製造方法，其係經由申請專利範圍第1至11項中任一項之異向性導電膜將第1電子零件與第2電子零件進行異向性導電連接。
TW109140476A 2014-02-04 2015-02-04 異向性導電膜、連接構造體及其製造方法 TWI777304B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2014-019860 2014-02-04
JP2014019862A JP6269114B2 (ja) 2014-02-04 2014-02-04 異方性導電フィルム及びその製造方法
JPJP2014-019862 2014-02-04
JP2014019860A JP6237288B2 (ja) 2014-02-04 2014-02-04 異方性導電フィルム及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202111733A true TW202111733A (zh) 2021-03-16
TWI777304B TWI777304B (zh) 2022-09-11

Family

ID=53777935

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109140476A TWI777304B (zh) 2014-02-04 2015-02-04 異向性導電膜、連接構造體及其製造方法
TW104103837A TWI722980B (zh) 2014-02-04 2015-02-04 異向性導電膜及其製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104103837A TWI722980B (zh) 2014-02-04 2015-02-04 異向性導電膜及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11195813B2 (zh)
KR (1) KR102450569B1 (zh)
CN (1) CN105940564B (zh)
TW (2) TWI777304B (zh)
WO (1) WO2015119131A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6750197B2 (ja) * 2015-07-13 2020-09-02 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び接続構造体
JP6430341B2 (ja) * 2015-08-06 2018-11-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2017191772A1 (ja) * 2016-05-05 2017-11-09 デクセリアルズ株式会社 フィラー配置フィルム
US10984939B2 (en) * 2017-01-30 2021-04-20 Tdk Corporation Multilayer coil component
JP7062389B2 (ja) * 2017-08-23 2022-05-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
TWI645973B (zh) * 2017-12-15 2019-01-01 律勝科技股份有限公司 聚醯亞胺薄化軟性基板及其製造方法
TWI689417B (zh) * 2018-08-31 2020-04-01 瑋鋒科技股份有限公司 異方性導電膜結構及其製作方法
CN112740483B (zh) * 2018-10-03 2023-07-14 迪睿合株式会社 各向异性导电薄膜、连接结构体、连接结构体的制备方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH079821B2 (ja) 1993-03-25 1995-02-01 日本黒鉛工業株式会社 三層構造異方性導電膜部材の製造方法
JP3622792B2 (ja) * 1994-11-25 2005-02-23 日立化成工業株式会社 接続部材及び該接続部材を用いた電極の接続構造・接続方法
JP3678547B2 (ja) * 1997-07-24 2005-08-03 ソニーケミカル株式会社 多層異方導電性接着剤およびその製造方法
JP3119230B2 (ja) * 1998-03-03 2000-12-18 日本電気株式会社 樹脂フィルムおよびこれを用いた電子部品の接続方法
JP2001052778A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルムおよびその製造方法
JP4385794B2 (ja) 2004-02-26 2009-12-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接続方法
US7547978B2 (en) * 2004-06-14 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Underfill and encapsulation of semiconductor assemblies with materials having differing properties
US20060280912A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Rong-Chang Liang Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
KR100673778B1 (ko) * 2005-08-19 2007-01-24 제일모직주식회사 저온 속경화형 이방성 도전 필름용 조성물, 그로부터제조된 이방성 도전 필름 및 그 제조방법
KR101240155B1 (ko) 2006-04-27 2013-03-11 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 도전 입자 배치 시트 및 이방성 도전 필름
JP4789738B2 (ja) 2006-07-28 2011-10-12 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性フィルム
JP4880533B2 (ja) * 2007-07-03 2012-02-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
JP2010033793A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法
JP2010199087A (ja) 2010-05-11 2010-09-09 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、接合体及びその製造方法
JP5631654B2 (ja) 2010-07-28 2014-11-26 デクセリアルズ株式会社 実装体の製造方法及び接続方法
JP2012031240A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写用の光重合性樹脂組成物
US10141084B2 (en) * 2010-10-08 2018-11-27 Cheil Industries, Inc. Electronic device
WO2012046923A1 (ko) * 2010-10-08 2012-04-12 제일모직 주식회사 이방성 도전 필름
JP2012169263A (ja) 2011-01-24 2012-09-06 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料、接続構造体の製造方法及び接続構造体
JP2012172128A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Kuraray Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2013058412A (ja) 2011-09-08 2013-03-28 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁材料、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法
JP2013105636A (ja) * 2011-11-14 2013-05-30 Dexerials Corp 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
JP2013149466A (ja) 2012-01-19 2013-08-01 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法
KR20170044766A (ko) * 2012-08-01 2017-04-25 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름의 제조 방법, 이방성 도전 필름, 및 접속 구조체
US9585247B2 (en) * 2012-08-03 2017-02-28 Dexerials Corporation Anisotropic conductive film and method of producing the same
KR102056086B1 (ko) * 2012-08-24 2019-12-16 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름 및 그의 제조 방법
KR20210082571A (ko) * 2012-08-29 2021-07-05 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법
JP5972844B2 (ja) * 2012-09-18 2016-08-17 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、異方性導電フィルムの製造方法、接続体の製造方法、及び接続方法
KR20140139902A (ko) * 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전 필름 적층체, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
JP6325557B2 (ja) * 2013-09-27 2018-05-16 株式会社ダイセル 半導体積層用接着剤組成物
EP3073520B1 (en) * 2013-11-19 2019-08-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing electronic component, and electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
CN105940564B (zh) 2020-03-24
CN105940564A (zh) 2016-09-14
WO2015119131A1 (ja) 2015-08-13
TWI722980B (zh) 2021-04-01
KR102450569B1 (ko) 2022-10-04
KR20160119087A (ko) 2016-10-12
US20170012015A1 (en) 2017-01-12
US11195813B2 (en) 2021-12-07
TW201603055A (zh) 2016-01-16
TWI777304B (zh) 2022-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI722980B (zh) 異向性導電膜及其製造方法
JP6269114B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JPWO2019117259A1 (ja) 実装構造体の製造方法
KR102438704B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 그의 제조 방법
TWI723561B (zh) 異向性導電膜及其製造方法
JP6237288B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
TWI648156B (zh) 異向性導電膜及其製造方法
JP6428325B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
KR102450709B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 그의 제조 방법
JP6409281B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2015170529A (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
KR102552788B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 그 제조 방법
JP6233069B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2015149126A (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2015149130A (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent