JP2011030173A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011030173A
JP2011030173A JP2009217717A JP2009217717A JP2011030173A JP 2011030173 A JP2011030173 A JP 2011030173A JP 2009217717 A JP2009217717 A JP 2009217717A JP 2009217717 A JP2009217717 A JP 2009217717A JP 2011030173 A JP2011030173 A JP 2011030173A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging device
solid
state imaging
light
protective component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009217717A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011030173A5 (ja
JP5487842B2 (ja
Inventor
Tomomi Kume
智美 久米
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2009217717A priority Critical patent/JP5487842B2/ja
Priority to US12/789,099 priority patent/US20100321563A1/en
Publication of JP2011030173A publication Critical patent/JP2011030173A/ja
Publication of JP2011030173A5 publication Critical patent/JP2011030173A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5487842B2 publication Critical patent/JP5487842B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

【課題】パーティクルの影響を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置21は、受光面において光を受光する撮像素子22と、撮像素子22の受光面の周縁領域に装着される保護部品23とを備える。保護部品23は、撮像素子22の受光面を覆うシールガラス24と、シールガラス24を固定するモールド樹脂25とを有しており、シールガラス24の外周に、モールド樹脂25がモールド成形されることで一体に成形されている。本発明は、例えば、CCDやCMOSセンサなどの固体撮像装置に適用できる。
【選択図】図2

Description

本発明は、固体撮像装置に関し、特に、パーティクルの影響を抑制することができるようにした固体撮像装置に関する。
従来、半導体デバイスであるCCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサなどの固体撮像装置が、様々な分野で実用化されている。
また、固体撮像装置の受光面は、例えば、それぞれの画素ごとに設けられたマイクロレンズによって凹凸形状となっている。一般的に、固体撮像装置は、受光面に異物が付着することを防止するために、ガラスなどの透過性のある蓋により受光面を保護するように構成されている。
図1には、従来の固体撮像装置が示されている。図1Aは、固体撮像装置の平面図であり、図1Bは、固体撮像装置の側面図である。
図1に示すように、固体撮像装置11は、光を受光する複数の画素が配置された撮像素子12の受光面を保護するため、撮像素子12の基板上に、露光プロセス、または定量吐出塗布、印刷等によりリブ13が形成され、リブ13にシールガラス14が搭載されて構成されている。撮像素子12の受光面とシールガラス14との間は、中空構造となっている。
ここで、例えば、特許文献1には、光硬化性接着剤(感光性接着剤)と熱硬化性接着剤との特性を利用して、半導体ウェハに蓋部を接着する技術が開示されている。また、特許文献2には、撮影レンズの光軸に垂直な面と、固体撮像装置の撮像面との平行度を高精度にする技術が開示されている。
特開2006−5025号公報 特開2007−165656号公報
しかしながら、従来の固体撮像装置では、シールガラスを支持するリブが光硬化性接着剤を使用した露光プロセス等により形成されるため、例えば、数十μm程度しかリブ高さを確保することができず、撮像素子の受光面とシールガラスとの間隔を広く確保することは困難であった。このため、従来の固体撮像装置では、シールガラスが撮像素子の受光面に近接することになり、シールガラスのパーティクル(粉塵やキズなど)の影響を過大に受けることがあり、例えば、画像に影が発生することがあった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、パーティクルの影響を抑制することができるようにするものである。
本発明の一側面の固体撮像装置は、受光面において光を受光する撮像素子と、前記撮像素子の受光面を覆う透光体および前記透光体の外周を固定する枠体を有し、前記撮像素子の受光面の周縁領域に装着される保護部品とを備え、少なくとも前記枠体が、モールド成形により成形されたものである。
本発明の一側面においては、受光面において光を受光する撮像素子の受光面の周縁領域に装着される保護部品が、撮像素子の受光面を覆う透光体と、その透光体の外周を固定する枠体とを有し、少なくとも枠体が、モールド成形により成形されている。
本発明の一側面によれば、パーティクルの影響を抑制することができる。
従来の固体撮像装置を示す図である。 本発明を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示す図である。 撮像素子の表面に接着される保護部品を説明する図である。 固体撮像装置の製造プロセスを説明するフローチャートである。 固体撮像装置の製造プロセスを説明する図である。 固体撮像装置に装着される保護部品の他の構成例を示す図である。 レンズ鏡筒が装着された固体撮像装置の側面図である。 固体撮像装置に装着される保護部品のさらに他の構成例を示す図である。 固体撮像装置の他の構成例を示す図である。
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図2には、本発明を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例が示されている。図2Aは、固体撮像装置の平面図であり、図2Bは、固体撮像装置の側面図である。
図2において、固体撮像装置21は、撮像素子22および保護部品23を備え、シールガラス24とモールド樹脂25とが一体成形された保護部品23が、撮像素子22上に直接的にマウントされて構成されている。
CCDやCMOSセンサなどの撮像素子22の表面(図2Bの上側の面)の中央領域には、光を受光する複数の画素が配列され、光を受光する受光面が形成されており、その受光面には、それぞれの画素ごとにマイクロレンズ31が配設されている。また、撮像素子22の表面の周辺部には、画素から出力される電気信号を外部に出力するための複数の端子32が形成されている。
保護部品23は、撮像素子22の受光部を保護するための部品であって、個片化された透光体であるシールガラス24と、シールガラス24の外周を固定する枠体でありモールド成形された樹脂からなるモールド樹脂25とが一体成形されて構成されている。また、モールド樹脂25としては、例えば、黒色の樹脂が使用され、モールド樹脂25は遮光性を備えている。
また、保護部品23は、接着剤33により撮像素子22の表面に接着される。
例えば、図3に示すように、接着剤33は、モールド樹脂25の底面の幅と同一の幅で、撮像素子22の受光面(マイクロレンズ31が配置されている領域)よりも外側の領域であって、複数の端子32よりも内側の領域である周縁領域に塗布される。接着剤33としては、例えば、エポキシ樹脂を含有する熱硬化型のものが使用され、接着剤33は、撮像素子22の表面の凹凸が隠れる程度の厚みで塗布される。なお、接着剤33としては、光硬化型の接着剤を使用してもよい。
そして、接着剤33の塗布面にモールド樹脂25を載置して、その後、接着剤33を硬化させる硬化処理(Cure)を行うことで、保護部品23が撮像素子22の表面に接着される。また、撮像素子22の表面の周辺部に形成されている複数の端子32には、撮像素子22の各画素から出力される電気信号を外部の装置に供給するためのワイヤ34が、それぞれワイヤボンディングされる。
次に、図4のフローチャートを参照して、固体撮像装置21の製造プロセスを説明する。
ステップS11において、ガラス基板をダイシングしてシールガラス24を個片化するガラス加工工程が行われる。
例えば、図5Aに示すように、ガラス基板41の裏面に接着されたダイシングテープにより、ガラス基板41がフレーム42にテープマウントされる。そして、ダイヤモンド製の円形回転刃などからなるガラスダイサ43を高速回転させ、超純水で冷却しながらガラス基板41を切断する。その後、UV(紫外線)照射機により、紫外線を照射することによってダイシングテープを剥離し、シールガラス24が個片化される。
また、ダイシング時のシールガラス24の側面は、ガラスの強度、モールド樹脂25の硬化による応力、撮像素子22に接着した後の応力、またはプロセス数などを考慮して、垂直に切削(フルカット)したり、片側または両側について面取り(べベルカット)をするなどの各種のカット方法が適宜選択される。また、面取りには、45度で切削するC面取りや、所定の曲率で切削するR面取りなどがある。
ステップS12において、シールガラス24を樹脂でモールド(射出成型)して保護部品23を成形するモールド成形工程が行われる。
例えば、図5Bに示すように、フレーム42上にあるダイシング済みのシールガラス24が、モールド樹脂25を成形するための金型44にセット(ガラスソート)される。その後、所定の温度に加温されて軟化した樹脂を金型44に射出して充填させ、シールガラス24の周囲を樹脂でモールドする。そして、金型44に流し込まれた樹脂が固化してモールド樹脂25となることで保護部品23が成形される。
ステップS13において、撮像素子22の表面に接着剤33を塗布する接着剤塗布工程が行われる。
例えば、図5Cに示すように、撮像素子22の表面に接着剤33が塗布される。また、接着剤33を塗布する塗布方法には、液体の接着剤を精度良く定量供給するディスペンスや、凸版などを利用して接着剤を転写する印刷などの方法がある。また、ウェハの状態のままの撮像素子22に対して接着剤33を塗布したり、ウェハをダイシングして個片化された撮像素子22に接着剤33を塗布してもよい。
ステップS14において、保護部品23を撮像素子22の表面に搭載するボンディング工程が行われる。
例えば、図5Dに示すように、金型44から取り出された保護部品23を、チップトレーガラスボンダ45により、撮像素子22の表面に保護部品23が正確に搭載される。また、撮像素子22に保護部品23を搭載する処理は、例えば、撮像素子22が載置されるステージ46の温度、または、保護部品23を運搬するチップトレーガラスボンダ45の温度を常温より高い温度とした環境で行うことができる。このように、ステージ46またはチップトレーガラスボンダ45の温度を常温より高くすることにより、保護部品23を撮像素子22の表面に載置することで、保護部品23を撮像素子22に仮固定することができる。なお、撮像素子22に保護部品23を搭載する処理を、常温の環境で行ってもよい。
ステップS15において、接着剤33を硬化させる硬化処理(Cure)が行われる。
例えば、図5Eに示すように、複数の固体撮像装置21が、例えば、Cureオーブン内で加温されることで、接着剤33が硬化し、保護部品23が撮像素子22の表面に固定される。
ここで、硬化処理では、固体撮像装置21が高温の環境下に置かれることにより、撮像素子22の表面と保護部品23との間の空間内の圧力(キャビティ内の内圧)が上昇するため、撮像素子22から保護部品23が剥がれることが懸念される。このような内圧の上昇による悪影響を回避するため、加圧オーブンにより固体撮像装置21を加温することや、保護部品23を固定する固定ジグを使用すること、段階的に温度を上昇させるステップCureを行うことなどの対処を施すことができる。
以上のように、シールガラス24の外周を固定するモールド樹脂25をモールド成形することにより、モールド樹脂25を任意の高さに設計することができ、撮像素子22の受光面とシールガラス24との間隔を、従来よりも広く確保することができる。これにより、シールガラス24のパーティクルの影響を抑制することができ、例えば、撮像素子22により撮像される画像に影が発生することなどが防止される。
即ち、従来の固体撮像装置では、シールガラスが撮像素子の受光面に近接していたためにパーティクルの影響を過大に受けることがあったが、一般的に、撮像素子の受光面とシールガラスとの間隔を広くすることで、パーティクルの影響を回避することができる。従って、固体撮像装置21では、パーティクルの影響を回避することができる程度に、モールド樹脂25がシールガラス24を支持する高さを設計し、シールガラス24のパーティクルの影響を抑制することができる。
また、モールド樹脂25に黒色の樹脂を使用することで、モールド樹脂25に遮光性を備えることができ、これにより、撮像素子22の受光面に対して反射光または散乱光が側方から入射することを防止することができる。このように反射光または散乱光が側方から入射することを防止することで、撮像素子22により撮像された画像にフレアやゴーストなどが発生することを防止することができる。
即ち、従来の固体撮像装置では、例えば、光硬化性接着剤を利用してシールガラスを撮像素子に固定しており、光硬化性接着剤は透光性が必要になるために遮光性を備えることは困難であり、硬化後の光硬化性接着剤を透過して側方から撮像素子に反射光または散乱光が入射することがあった。これに対し、固体撮像装置21では、シールガラス24を固定するモールド樹脂25をモールド成形により成形するので、黒色の樹脂を採用することで容易に遮光性を備えることができる。
また、固体撮像装置21では、シールガラス24の周囲の上面および下面が、モールド樹脂25により挟み込むようにモールドされるので、シールガラス24がモールド樹脂25により補強されることになる。これにより、シールガラス24に歪を発生し難くすることができる。
ここで、モールド樹脂25としては、エポキシ系の樹脂を材料とすることで、耐熱性などの硬化物物性に対する要求、および、不純物に対する耐腐食性などの信頼性に対する要求を満たすことができる。また、露光プロセスにより成形されるリブを使用した場合には、結露の問題や、フィラーなどの添加剤が受光面に悪影響を与える問題などがあるが、モールド成形されるモールド樹脂25を使用することにより、それらの問題が発生することを回避することができる。
また、シールガラス24としては、樹脂またはガラスで構成されるレンズなどの光学部品や、各種の光学フィルタ(IRCF(Infrared Cut Filter)、OLPF(Optical Low Pass Filer))などを使用することができ、これにより、それらの光学特性を有する固体撮像装置21を小型化することができる。
また、固体撮像装置21は、例えば、他の部品を装着可能な装着部を有する保護部品を使用することができる。
即ち、図6は、固体撮像装置21に装着される保護部品の他の構成例を示す図である。
図6に示すように、保護部品51のモールド樹脂52は、図3のモールド樹脂25と同様の幅で形成された枠体53と、枠体53よりも幅広に形成された装着部54とを有する。このように、装着部54が、枠体53よりも外周方向に延長するように所定の幅を有して形成されているので、モールド樹脂52は、シールガラス24の外周を固定するとともに、装着部54に他の部品を装着させることができる。
例えば、モールド樹脂52は、図6に示すような断面形状の金型により成形してもよいし、装着部54を含む幅の枠体を形成した後に、その幅広の枠体の下方部分を外周側から枠体53の幅となるまで切削することにより成形してもよい。また、装着部54より幅の狭い枠体53を有することにより、図6の下側に示すように、撮像素子22の表面の周辺部に形成されている端子32にワイヤ34をボンディングするための空間を確保することができる。
図7には、レンズ鏡筒62が装着された固体撮像装置21の側面図が示されている。
レンズ鏡筒62は、複数のレンズ61を収納しており、固体撮像装置21の表面に固定された保護部品51の装着部54の上面に、接着剤63により接着されて固定される。
このように、保護部品51が幅広の装着部54を備えることで、レンズ鏡筒62などの他の部品を、保護部品51を介して撮像素子22にマウントすることができる。
また、モールド樹脂52は、モールド樹脂25と同様にモールド成形により成形されるので、例えば、露光プロセスで形成される樹脂リブよりも加工精度を向上させることができる。これにより、レンズ鏡筒62が装着される装着部54の上面の平衡度を高精度に仕上げることができ、撮像素子22の受光面に対するレンズ鏡筒62の光軸の精度(アオリ精度)を高精度にすることができる。即ち、撮像素子22に対して正確にレンズ鏡筒62を位置決めすることができ、軸調整無でのレンズ鏡筒62の搭載を可能とする。
また、保護部品51に直接的にレンズ鏡筒62をマウントすることで、固体撮像装置21を小型化することができる。これにより、例えば、レンズ設計の外形規格の自由度が高くなり、バックフォーカスの距離設計の自由度を高くすることができる。
なお、保護部品51を撮像素子22に接着する接着剤33は、撮像素子22の表面の凹凸が隠れる程度の厚みよりも厚く塗布されていてもよく、例えば、レンズ鏡筒62と撮像素子22の受光面との平衡度を確保することができるような厚みであればよい。
また、固体撮像装置21は、例えば、透明樹脂を使用して、いわゆる二色成形により一体化された保護部品を使用することができる。即ち、図3の保護部品23は、シールガラス24を固定するようにモールド樹脂25がモールド成型され、シールガラス24とモールド樹脂25とは独立した部品であるが、シールガラス24に替えて透明樹脂を使用することで、保護部品を一つの部品とすることができる。
即ち、図8は、固体撮像装置21に装着される保護部品のさらに他の構成例を示す図である。
図8の保護部品71は、透明樹脂により成型された透光体72と、透光体72の外周側に形成された枠部73とが、モールドプロセス時に一括で成形されて構成されている。例えば、保護部品71の金型に樹脂を流し込んでモールド成形する工程において、保護部品71の透光体72に該当する部分に透明樹脂を注入するとともに、枠部73に該当する部分に黒色樹脂を注入する。このとき、それぞれの樹脂の注入速度を適切にコントロールすることで、それぞれに該当する部分に透明樹脂と黒色樹脂が注入されて二色成形が行われる。
このように、透光体72と枠部73とを一括で成形することで、保護部品71の製造工程を、例えば、図3の保護部品23の製造工程よりも短縮することができ、これにより、コストダウンを図ることができる。
なお、図3、図6、および図8に示した固体撮像装置21は、ワイヤボンディングにより外部の装置との接続が行われているが、例えば、貫通孔を利用して、裏面配線により外部の装置との接続が行われるような固体撮像装置に保護部品を装着してもよい。
即ち、図9は、固体撮像装置の他の構成例を示す図である。
図9の固体撮像装置81は、撮像素子22の各画素から出力される電気信号を外部の装置に供給するための配線82が、撮像素子22の表面(受光面が形成されている面)の反対側となる裏面に形成されている。そして、画素から出力される電気信号を外部に出力するための複数の端子32と、裏面の配線82とが貫通孔83を介して電気的に接続されている。
このように、裏面の配線82を有する固体撮像装置81に、図9Aに示すように、シールガラス24の外周がモールド樹脂25により固定された保護部品23(図3の保護部品23と同一)を装着することができる。また、図9Bに示すように、固体撮像装置81に、装着部54を有する保護部品51(図6の保護部品51と同一)を装着することができる。また、図9Cに示すように、固体撮像装置81に、透光体72と枠部73とがモールドプロセス時に一括で成形された保護部品71(図8の保護部品71と同一)を装着することができる。
このように、裏面の配線82を有する固体撮像装置81に保護部品23,51、または71を装着する際、固体撮像装置81の上面においてワイヤをボンディングするための空間を確保する必要がなく、固体撮像装置81の受光面以外の上面の全てに保護部品23,51、または71が接触可能となり、それらの設計の自由度が向上する。また、図9Bに示すように、固体撮像装置81より広い装着部54を有する保護部品51を用いることで、固体撮像装置81より大きな部品を装着することができる。
なお、上述のフローチャートを参照して説明した各処理は、必ずしもフローチャートとして記載された順序に沿って時系列に処理する必要はなく、並列的あるいは個別に実行される処理(例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理)も含むものである。
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
21 固体撮像装置, 22 撮像素子, 23 保護部品, 24 シールガラス, 25 モールド樹脂, 31 マイクロレンズ, 32 端子, 33 接着剤, 34 ワイヤ, 41 ガラス基板, 42 フレーム, 43 ガラスダイサ, 44 金型, 45 チップトレーガラスボンダ, 46 ステージ, 51 保護部品, 52 モールド樹脂, 53 枠体, 54 装着部, 61 レンズ, 62 レンズ鏡筒, 63 接着剤, 71 保護部品, 72 透光体, 73 枠部, 81 固体撮像装置, 82 配線, 83 貫通孔

Claims (6)

  1. 受光面において光を受光する撮像素子と、
    前記撮像素子の受光面を覆う透光体および前記透光体の外周を固定する枠体を有し、前記撮像素子の受光面の周縁領域に装着される保護部品と
    を備え、
    少なくとも前記枠体が、モールド成形により成形されたものである
    固体撮像装置。
  2. 前記保護部品は、その上端部が下端部より幅広に形成され、他の部品を装着可能な装着部を有している
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記保護部品の装着部に、レンズを収納する鏡筒が装着されている
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記保護部品の枠体は遮光性を有している
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  5. 前記保護部品は、前記透光体であるシールガラスの外周に、前記枠体であるモールド樹脂がモールド成形されることで一体に成形されたものである
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  6. 前記保護部品は、前記透光体として透明樹脂が採用され、前記透明樹脂と前記枠体とが二色成形により一体に成形されたものである
    請求項1に記載の固体撮像装置。
JP2009217717A 2009-06-23 2009-09-18 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP5487842B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009217717A JP5487842B2 (ja) 2009-06-23 2009-09-18 固体撮像装置
US12/789,099 US20100321563A1 (en) 2009-06-23 2010-05-27 Solid-state imaging unit

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009148797 2009-06-23
JP2009148797 2009-06-23
JP2009217717A JP5487842B2 (ja) 2009-06-23 2009-09-18 固体撮像装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011030173A true JP2011030173A (ja) 2011-02-10
JP2011030173A5 JP2011030173A5 (ja) 2012-10-18
JP5487842B2 JP5487842B2 (ja) 2014-05-14

Family

ID=43354020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009217717A Expired - Fee Related JP5487842B2 (ja) 2009-06-23 2009-09-18 固体撮像装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20100321563A1 (ja)
JP (1) JP5487842B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10396112B2 (en) 2013-08-19 2019-08-27 Sony Corporation Imaging apparatus and electronic apparatus
KR20190113856A (ko) * 2017-02-08 2019-10-08 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 촬영모듈 및 그 몰드감광 어셈블리와 제조방법, 및 전자장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014138119A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Sony Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPWO2016084394A1 (ja) * 2014-11-27 2017-08-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
JP7079258B2 (ja) * 2017-08-29 2022-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、および、撮像装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1126782A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JP2002094035A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 光透過用キャップ及びその製造方法
JP2003179217A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005109092A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP2008289096A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Sharp Corp 固体撮像モジュール、撮像装置、撮像機器、および固体撮像モジュールの製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6795120B2 (en) * 1996-05-17 2004-09-21 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
JP4698874B2 (ja) * 2001-04-24 2011-06-08 ローム株式会社 イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
US6876544B2 (en) * 2003-07-16 2005-04-05 Kingpak Technology Inc. Image sensor module and method for manufacturing the same
JP4441211B2 (ja) * 2003-08-13 2010-03-31 シチズン電子株式会社 小型撮像モジュール
US20050117046A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Jichen Wu Image sensor module and method for manufacturing the same
US7821564B2 (en) * 2003-12-30 2010-10-26 Given Imaging Ltd. Assembly for aligning an optical system
US7872686B2 (en) * 2004-02-20 2011-01-18 Flextronics International Usa, Inc. Integrated lens and chip assembly for a digital camera
JP3801601B2 (ja) * 2004-06-15 2006-07-26 シャープ株式会社 蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法
JPWO2007096992A1 (ja) * 2006-02-24 2009-07-09 パナソニック株式会社 撮像装置及び携帯端末装置
KR100817060B1 (ko) * 2006-09-22 2008-03-27 삼성전자주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP2008197282A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Sharp Corp プラスチックレンズユニット、カメラモジュール、及びこれらの製造方法
WO2008132979A1 (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Konica Minolta Opto, Inc. 撮像装置の製造方法及び撮像装置
JP2008283002A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Sharp Corp 撮像素子モジュールおよびその製造方法
CN101932956B (zh) * 2007-07-03 2013-11-13 奥多麦卡有限公司 由不同材料构成的透镜单元和相机模块及其制造方法
US8411192B2 (en) * 2007-11-15 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Image capturing module, method for manufacturing the image capturing module, and electronic information device
CN101630054A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 相机模组及其制造方法
JP4694602B2 (ja) * 2008-09-02 2011-06-08 シャープ株式会社 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器
KR101032212B1 (ko) * 2009-09-14 2011-05-02 삼성전기주식회사 카메라 모듈, 카메라 모듈의 초점 조절 방법 및 카메라 모듈의 초점 조절 장치
JP2011180292A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Fujifilm Corp レンズアレイ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1126782A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JP2002094035A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 光透過用キャップ及びその製造方法
JP2003179217A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005109092A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP2008289096A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Sharp Corp 固体撮像モジュール、撮像装置、撮像機器、および固体撮像モジュールの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10396112B2 (en) 2013-08-19 2019-08-27 Sony Corporation Imaging apparatus and electronic apparatus
KR20190113856A (ko) * 2017-02-08 2019-10-08 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 촬영모듈 및 그 몰드감광 어셈블리와 제조방법, 및 전자장치
US10979610B2 (en) 2017-02-08 2021-04-13 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module, molding photosensitive assembly thereof, manufacturing method and electronic device
KR102405359B1 (ko) * 2017-02-08 2022-06-07 닝보 써니 오포테크 코., 엘티디. 촬영모듈 및 그 몰드감광 어셈블리와 제조방법, 및 전자장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP5487842B2 (ja) 2014-05-14
US20100321563A1 (en) 2010-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7863062B2 (en) Semiconductor device with a shielding section to prevent condensation and optical device module having the semiconductor device
TWI305959B (en) Optical device module, and method of fabricating the optical device module
KR100735446B1 (ko) 촬상 장치 및 그 제조 방법
TWI711307B (zh) 包括支撐光學組件之包覆成型件之光電模組
US9525002B2 (en) Image sensor device with sensing surface cavity and related methods
TWI386327B (zh) 影像接收系統
JP2006005029A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP5487842B2 (ja) 固体撮像装置
JP2004296453A (ja) 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2007142207A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP2006073546A (ja) 半導体装置、半導体モジュール及び半導体装置の製造方法
JP4618639B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7999284B2 (en) Semiconductor device and optical device module having the same
JP2007027713A (ja) 透明カバーが付着されている光学装置の製造方法及びそれを利用した光学装置モジュールの製造方法
CN104425632A (zh) 光学装置及其制造方法
JP2005317745A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP5734769B2 (ja) 撮像レンズおよび撮像モジュール
JP2017208468A (ja) 電子部品
JP2007317719A (ja) 撮像装置及びその製造方法
JP2011187482A (ja) 固体撮像装置、光学装置用モジュール、及び固体撮像装置の製造方法
US20120098080A1 (en) Method and package for an electro-optical semiconductor device
JP5694670B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2009123788A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及びその固体撮像装置を備えた撮影装置
JP2006245118A (ja) 撮像装置及び撮像装置の製造方法
JP2009044494A (ja) 撮像デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120904

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120904

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140210

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees