JP2010538479A5

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Publication number: JP2010538479A5
Application number: JP2010523271A
Authority: JP
Filing date: 2008-08-29
Publication date: 2011-07-14
Anticipated expiration: 2028-08-29

Claims

半導体構成素子であって、
・少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第１光学的アクティブ領域（１１２）と、
・前記少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第２光学的アクティブ領域（１２２）
を有する形式の半導体構成素子において、
・前記第１領域（１１２）は第１層（１１０）に配置されており、前記第２領域（１２２）は第２層（１２２）に配置されており、
前記第２層（１２０）は、放射方向において前記第１層（１１０）の上に配置されており、前記第１領域（１１２）に割り当てられた第１透過領域（１２４）を有しており、
該第１透過領域は、前記第１領域（１１２）の前記電磁ビーム（１３０）に対して少なくとも部分的に透過性であり、
前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、少なくとも１つの金属製材料からなる層が配置されており、
該層は、前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域において少なくとも１つの切欠部を有する
ことを特徴とする半導体構成素子。
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、前記第１層（１１０）の前記電磁ビーム（１３０）を透過するための少なくとも１つの切欠部を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、少なくとも１つの切欠部を備える金属製材料を含む、
ことを特徴とする請求項２記載の半導体構成素子。
前記第２層（１２０）は、前記第１透過領域（１２４）において、前記第１層（１１０）の前記電磁ビーム（１３０）を透過するための少なくとも１つの透明または不透明な材料を有する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
前記金属製材料は、前記第１領域（１１２）および／または第２領域（１２２）から熱を排出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体構成素子。
前記第１透過領域（１２４）および前記第２領域（１２２）は、空間的に隣接しており、かつ空間的につながった１つの放射領域を形成している、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体構成素子。
少なくとも前記第１層および第２層（１１０，１２０）は、共通の１つのケーシングボディ（５７０）の中に配置されており、
該ケーシングボディ（５７０）は光学素子を含み、
該光学素子は、第１領域および／または第２領域（１１２，１２２）から放射される電磁ビーム（１３０）を、所定の方式で、とりわけ周波数変換、回折、屈折、および／またはフィルタリングによって変換する、
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）は、基板レスの半導体構造として、とりわけダイオード構造（２１０）として構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記第１層（１１０）および前記第２層（１２０）は、それぞれ半導体基板であり、
前記ダイオード構造（２１０）は、前記半導体基板の半導体材料にドープすることによって形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）は、電磁ビーム（１３０）を、前記放射方向および該放射方向とは反対の方向に放射するように構成されている、
ことを特徴とする請求項８または９記載の半導体構成素子。
前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、前記第１領域および／または前記第２領域（１１２，１２２）の熱を排出するための少なくとも１つの冷却層（５２０）が配置されており、
該冷却層は、少なくとも前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域において、部分的に透明に構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記冷却層は、少なくとも部分的に冷却液によって充填された空洞を含む、
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体構成素子。
前記第１領域および前記第２領域（１１２，１２２）は、放射方向において上下に重なり合って配置されている、
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記第１層および／または前記第２層（１１０，１２０）は、電磁ビーム（１３０）を放射するための複数の光学的アクティブ領域（１１２，１２２）を有し、
前記第１層（１１０）の各光学的アクティブ領域（１１２）に、それぞれ前記第２層（１２０）の第１透過領域（１２４）が割り当てられている、
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項記載の半導体構成素子。
前記半導体構成素子は、電磁ビーム（１３０）を放射するためのそれぞれ少なくとも１つの光学的アクティブ領域（１１２，１２２，３３２，３４２，３５２）を備える、上下に重なり合って配置された複数の層（１１０，１２０，３３０，３４０，３５０）を有しており、
この際、それぞれ上に位置する各層（１２０，３３０，３４０，３５０）は、その下に位置する層（１１０，１２０，３３０，３４０）の電磁ビーム（１３０）に対する少なくとも１つの透過領域（１２４）を有する、
ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項記載の半導体構成素子。
半導体構成素子の製造方法において、
・少なくとも１つの放射方向に電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第１光学的アクティブ領域（１１２）を備える第１層（１１０）を製造し、
・該第１層（１１０）を、ケーシングボディ（５７０）の中、または支持材料（１４０）の上に配置し、
・電磁ビーム（１３０）を放射するための少なくとも１つの第２光学的アクティブ領域（１２２）と、少なくとも１つの透明または半透明の透過領域（１２４）とを備える第２層（１２０）を製造し、
・該第２層（１２０）を前記第１層（１１０）の上に配置し、
この際、前記第２層（１２０）の前記透過領域（１２４）を、透過方向において、前記第１層（１１０）の前記第１領域（１１２）の上に配置し、
・前記第１層と前記第２層（１１０，１２０）との間に、少なくとも１つの切欠部を有する金属製材料からなる層を、該少なくとも１つの切欠部が前記第１領域（１１２）に割り当てられた第２透過領域に配置されるように配置する、
ことを特徴とする方法。