JP2010536583A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. (a)研磨表面を有する研磨層であって、該研磨表面は、
    (1)研磨表面から測定可能な深さで研磨層内に配置された複数の溝と、
    (2)溝のないバリア域とを含む、
    当該研磨層と、
    (b)前記バリア域内に、該バリア域に囲まれて配置される透明ウインドウと、
    を備える、研磨パッド。
  2. 前記バリア域付近で、前記深さが最大値から零へ推移することを特徴とする、請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 前記深さは徐々に推移することを特徴とする、請求項2に記載の研磨パッド。
  4. 前記研磨パッドは円形状であり、溝は同心状であることを特徴とする、請求項3に記載の研磨パッド。
  5. 1以上の前記同心溝は、第一端及び第二端を有する非連続溝であり、前記バリア域は第一端と第二端との間に配置されることを特徴とする、請求項4に記載の研磨パッド。
  6. 下記a)からd)の1つあるいはそれ以上が適用できる、請求項1に記載の研磨パッド。
    a)前記透明ウインドウのウインドウ最上面は、実質的に前記研磨表面と同一平面上にあること、
    b)前記研磨層はポリウレタンからなること、
    c)前記透明ウインドウは熱可塑性ポリウレタンからなること、
    d)前記研磨パッドは更に副層を含むこと。
  7. (i)研磨すべき被加工物を供給するステップと、
    (ii)被加工物を請求項1に記載の研磨パッドと接触させるステップと、
    (iii)被加工物の表面の少なくとも一部を研磨パッドで研磨して被加工物を研磨するステップと、
    を含む、基板研磨方法。
  8. 原位置で(in-situ)研磨終点を検出することを更に含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記被加工物は、前記被加工物と前記研磨パッドの間に位置する化学的機械的研磨組成物と接触することを特徴とする、請求項7に記載の方法。
  10. 前記バリア域付近で、深さが最大値から零へ推移することを特徴とする請求項7に記載の方法。
  11. 前記深さは徐々に推移することを特徴とする、請求項10に記載の方法。
  12. 前記研磨パッドは円形状であり、溝は同心状であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
  13. 1以上の前記同心溝は、第一端及び第二端を有する非連続溝であり、前記バリア域は第一端と第二端との間に配置されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  14. 下記a)からd)の1つあるいはそれ以上が適用できる、請求項7に記載の方法。
    a)前記透明ウインドウのウインドウ最上面は、実質的に前記研磨表面と同一平面上にあること、
    b)前記研磨層はポリウレタンからなること、
    c)前記透明ウインドウは熱可塑性ポリウレタンからなること、
    d)前記研磨パッドは更に副層を含むこと。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8047899B2 (en) * 2007-07-26 2011-11-01 Macronix International Co., Ltd. Pad and method for chemical mechanical polishing
US8662957B2 (en) * 2009-06-30 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Leak proof pad for CMP endpoint detection
JP5426469B2 (ja) * 2010-05-10 2014-02-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびガラス基板の製造方法
US8657653B2 (en) * 2010-09-30 2014-02-25 Nexplanar Corporation Homogeneous polishing pad for eddy current end-point detection
US8628384B2 (en) 2010-09-30 2014-01-14 Nexplanar Corporation Polishing pad for eddy current end-point detection
CN102501187A (zh) * 2011-11-04 2012-06-20 厦门大学 区域压力调整抛光盘
US9067299B2 (en) * 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
JP2014104521A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
US9649742B2 (en) * 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
CN104044087B (zh) * 2014-06-18 2016-09-07 蓝思科技股份有限公司 一种蓝宝石抛光用铜盘及其修盘方法
CN106607749B (zh) * 2015-10-22 2019-01-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种阻挡型化学机械研磨垫及研磨装置
WO2017074773A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Applied Materials, Inc. An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential
US9925637B2 (en) * 2016-08-04 2018-03-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Tapered poromeric polishing pad
TWI595968B (zh) * 2016-08-11 2017-08-21 宋建宏 研磨墊及其製造方法
TWI650202B (zh) * 2017-08-22 2019-02-11 智勝科技股份有限公司 研磨墊、研磨墊的製造方法及研磨方法
US11685013B2 (en) * 2018-01-24 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad for chemical mechanical planarization
KR20210094024A (ko) * 2018-11-27 2021-07-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 폴리싱 패드 및 시스템과 이의 제조 및 사용 방법
WO2022202008A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
CN113246015B (zh) * 2021-05-25 2022-09-20 万华化学集团电子材料有限公司 具有终点检测窗的抛光垫及其应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US8485862B2 (en) * 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
JP2002001652A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Nikon Corp 研磨パッド及び研磨装置及び素子製造方法
EP1252973B1 (en) * 2001-04-25 2008-09-10 JSR Corporation Polishing pad for a semiconductor wafer which has light transmitting properties
JP2005538571A (ja) * 2002-09-25 2005-12-15 ピーピージー インダストリーズ オハイオ, インコーポレイテッド 平坦化するための窓を有する研磨パッド
US6884156B2 (en) * 2003-06-17 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US7195539B2 (en) * 2003-09-19 2007-03-27 Cabot Microelectronics Coporation Polishing pad with recessed window
US8066552B2 (en) * 2003-10-03 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing
JP4877448B2 (ja) * 2003-11-04 2012-02-15 Jsr株式会社 化学機械研磨パッド
US7442116B2 (en) * 2003-11-04 2008-10-28 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad
US7204742B2 (en) * 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
KR20060051345A (ko) * 2004-09-22 2006-05-19 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 유선형의 투시창을 구비한 씨엠피 패드
US7182670B2 (en) * 2004-09-22 2007-02-27 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having a streamlined windowpane
JP4620501B2 (ja) * 2005-03-04 2011-01-26 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
KR20070018711A (ko) * 2005-08-10 2007-02-14 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 표면 요철이 감소된 창을 구비한 연마 패드
JP2007118106A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法

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