KR20210094024A - 폴리싱 패드 및 시스템과 이의 제조 및 사용 방법 - Google Patents

Abstract

폴리싱 패드는 제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 폴리싱 층을 포함한다. 폴리싱 패드는, 폴리싱 층에 결합되고 제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 서브패드(subpad)를 추가로 포함한다. 서브패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 서브패드의 50% 이상은 광학적으로 투명하다.

Description

폴리싱 패드 및 시스템과 이의 제조 및 사용 방법

본 발명은 기재(substrate)의 폴리싱에 유용한 폴리싱 패드 및 시스템과, 그러한 폴리싱 패드의 제조 및 사용 방법에 관한 것이다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드가 제공된다. 폴리싱 패드는 제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 폴리싱 층을 포함한다. 폴리싱 패드는, 폴리싱 층에 결합되고 제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 서브패드(subpad)를 추가로 포함한다. 서브패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 서브패드의 50% 이상은 광학적으로 투명하다.

본 발명의 상기의 요약은 본 발명의 각각의 실시 형태를 설명하고자 하는 것은 아니다. 본 발명의 하나 이상의 실시 형태의 상세 사항은 또한 하기의 설명에 기술된다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 이점은 하기의 설명과 청구범위로부터 명백하게 될 것이다.

본 발명은 첨부 도면과 함께 본 발명의 다양한 실시 형태에 대한 하기의 상세한 설명을 고찰함으로써 더욱 완전히 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 폴리싱 패드의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 폴리싱 시스템의 개략도이다.

화학-기계적 평탄화(chemical-mechanical planarization, CMP)는 집적 회로(IC)의 제작에서 웨이퍼의 표면 토포그래피(topography)를 평탄화하는 데 사용되는 공정이며, 종종 액체 또는 슬러리와 폴리싱 패드를 사용한다. 공정 동안, 슬러리는 웨이퍼의 표면 상의 재료와 화학적으로 반응한다. 이어서, 반응된 재료는 슬러리 중의 또는 패드 내의 연마 입자에 의해 기계적으로 제거된다. CMP와 관련된 성능 특징은 웨이퍼 제거 속도(WRR), 웨이퍼 불균일성(NU), 및 결함성(defectivity)을 포함한다.

웨이퍼 NU와 관련하여, IC 다이의 층에서 패턴 레이아웃의 불균일성은 종종 다이 영역 전체에 걸친 불균일한 폴리싱(오버폴리싱(overpolishing)/디싱(dishing))에 기여한다. CMP 공정 파라미터(압반 및 웨이퍼 캐리어 속도, 웨이퍼 압력, 슬러리 수송 등)의 변화 및 공정 랜덤 변화는 웨이퍼 내 및 로트 내 불균일성의 증가에 기여한다. 폴리싱 산출물의 변동(예를 들어, 균일성, 오버폴리싱, 및 디싱)을 감소시키기 위해, 공정 성능을 개선하도록 현장 감지(in situ sensing) 및 종점 검출 기술과 공정 최적화 체계의 통합이 이용된다. 폴리싱 패드를 통해 웨이퍼 표면으로 앞뒤로 이동하는 단일 파장(즉, 레이저원) 또는 광대역 광 중 어느 하나에서 광 반사율을 사용하여(예를 들어, 반사된 광학 신호를 사용하여) 종점을 검출하는 것이 공지된 기술 중 하나이다.

구매가능한 폴리싱 패드의 구성요소(예컨대, 톱 패드, 서브패드, 선택적인 폼(foam) 층 등)는 전형적으로 광학적으로 투명하지 않고, 예를 들어 불투명하며, 폴리싱 공구의 광학 신호 발생기와 폴리싱될 웨이퍼의 표면 사이에 배치된다. 따라서, 이들 구성요소는 패드를 통한 직접적인 광학 감지를 막는다. 결과적으로, 광학 종점 검출을 가능하게 하기 위해, 폴리싱 패드 내에 종점 검출 윈도우가 종종 제작된다. 이는 (톱 패드 및 톱 패드에 결합될 임의의 광학적으로 투명하지 않은 층, 예컨대 폴리싱 패드를 오버레이하는 서브패드 및 선택적인 폼 층을 포함하는) 폴리싱 패드 내에 적절한 크기의 개구를 절단함으로써 달성될 수 있다. 이어서, 고체인 광학적으로 투명한(예컨대, 폴리우레탄) 윈도우를 개구 내에 삽입하고 윈도우를 패드에 고정시킴으로써 윈도우를 생성한다. CMP 공정 동안, 이어서, 폴리싱 패드(결합된 층들 중 임의의 것을 포함함)를 통해, 윈도우를 거쳐, 광학 신호가 전달되어 종점 검출을 가능하게 할 수 있다. 이러한 실시가 적절한 종점 검출을 제공하지만, 폴리싱 패드 내의 개구를 통한 종점 검출의 수용은 폴리싱 패드의 증가된 제조 복잡성 및 폴리싱 성능 문제와 관련된다. 예를 들어, 폴리싱 패드를 통과하는 개구의 형성은 폴리싱 패드의 각각의 층에 대해 추가 제조 단계를 초래한다. 추가적으로, 폴리싱 패드 내의 개구의 존재는 웨이퍼 표면에 대한 불균일한 압력 및 접촉 재료를 초래하고, 결국 불균일한 성능 신뢰도를 초래한다. 또한, 패드의 윈도우가 공구의 검출 시스템, 예컨대 패드가 장착되는 압반의 종점 검출 윈도우와 정렬되어야 하기 때문에, 폴리싱 패드 내의 개구를 통한 종점 검출은 종점 검출이 일어날 수 있는 패드 내의 개구의 위치를 제한한다. 결과적으로, 종점 검출을 위해 다양한 층에서의 개구를 필요로 하지 않는 (또는 개구의 수를 최소화하는) 폴리싱 패드가 바람직한데, 그 이유는 웨이퍼 표면에 대한 균일한 압력 및 접촉 재료를 제공하고/하거나 폴리싱 패드를 통한 종점 검출의 정확한 위치에 있어서의 유연성을 허용하기 때문이다.

정의

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태("a", "an" 및 "the")는 그 내용이 명백하게 달리 지시하지 않는 한 복수의 지시대상을 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 실시 형태에서 사용되는 바와 같이, 용어 "또는"은 일반적으로 그 내용이 명백히 달리 지시하지 않는다면 "및/또는"을 포함하는 의미로 사용된다.

본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 종점에 의한 수치 범위의 언급은 그 범위 내에 포함되는 모든 수를 포함한다(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.8, 4 및 5를 포함한다).

달리 지시되지 않는 한, 본 명세서 및 실시 형태에 사용되는 양 또는 성분, 특성의 측정치 등을 표현하는 모든 수는 모든 경우에 용어 "약"에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 반대로 지시되지 않는 한, 전술한 명세서 및 첨부된 실시 형태의 목록에 기재된 수치 파라미터는 본 발명의 교시 내용을 이용하는 당업자가 얻고자 하는 원하는 특성에 따라 달라질 수 있다. 최소한으로, 그리고 청구된 실시 형태의 범주에 대한 균등론의 적용을 제한하려는 시도로서가 아니라, 각각의 수치 파라미터는 보고된 유효 숫자의 수의 관점에서 그리고 통상의 반올림 기법을 적용함으로써 적어도 해석되어야 한다.

"작업 표면"은 폴리싱되는 기재의 주 표면에 가장 가깝고 적어도 부분적으로 접촉하도록 의도된 폴리싱 패드의 주 표면을 지칭한다.

"기공"(pore)은 유체, 예컨대 액체가 내부에 수용될 수 있게 하는 패드의 작업 표면 내의 공동을 지칭한다. 기공은 적어도 일부 유체가 기공 내에 수용될 수 있게 그리고 기공 밖으로 유동할 수 없게 한다.

"정밀하게 형상화된"은 대응하는 주형 공동 또는 주형 돌출부의 역 형상인 성형된(molded) 형상을 갖는 토포그래피 특징부, 예컨대 돌기(asperity) 또는 기공을 지칭하는데, 이때 상기 형상은 토포그래피 특징부가 주형으로부터 제거된 후에 유지된다. 발포 공정 또는 중합체 매트릭스로부터의 가용성 재료(예컨대, 수용성 입자)의 제거를 통해 형성된 기공은 정밀하게 형상화된 기공이 아니다.

본 명세서에 사용되는 바와 같이, "주 표면"은 물품 또는 층, 예를 들어, 폭 또는 직경 대 높이의 종횡비가 큰 물품 또는 층의 다른 표면보다 더 큰 치수 또는 표면적을 갖는 물품 또는 층의 표면을 지칭하며, 여기서 물품 또는 층 높이(예를 들어, 두께)에 대응하는 면의 표면적은 동일한 물품 또는 층의 폭 또는 직경의 표면적보다 상당히 더 작다.

본 명세서에 사용되는 바와 같이, 일부 실시 형태에서, "광학적으로 투명한"은, 실시예의 광 투과율 시험 방법에 기재된 바와 같이 시험할 때, 400 nm 이상의 파장에서 광 투과율 값이 10% 이상인 물품 또는 층을 지칭한다. 다른 실시 형태에서, "광학적으로 투명한"은, 실시예의 광 투과율 시험 방법에 기재된 바와 같이 시험할 때, 400 nm 이상의 파장에서 광 투과율 값이 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 또는 80% 이상인 물품 또는 층을 지칭한다. 용어 "광 투과율 값"은 400 nm의 파장에서의 총 입사광에 대한 백분율로서 표시되는, 광원 쪽으로 다시 반사되지도 샘플에 의해 흡수되지도 않는 광의 백분율(방출된 광/광원 × 100)을 의미한다. 본 출원의 목적상, 광학적으로 투명한 물품 또는 층은 통상적인 종점 검출 시스템에서 이용되는 광학 신호의 투과를 정확한 종점 검출을 달성하는 데 필요한 정도로 허용한다.

"두께"는, 폴리싱 패드와 관련하여 논의되는 경우, 작업 표면에 수직인 방향으로 측정된 폴리싱 패드의 모든 층의 총 평균 두께를 지칭한다. "두께"는, 폴리싱 패드의 층과 관련하여 논의되는 경우, 폴리싱 패드의 작업 표면에 수직인 방향으로 측정된 폴리싱 패드의 그러한 층의 총 평균 두께를 지칭한다.

본 발명은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼를 포함하는 기재를 폴리싱하는 데 유용한 물품, 시스템, 및 방법에 관한 것이다.

일부 실시 형태에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명은 예를 들어 CMP 공정에서 기재를 폴리싱하는 데 사용될 수 있는 폴리싱 패드(10)에 관한 것이다. 폴리싱 패드(10)는 (폴리싱 패드(15)의 "작업 표면"으로 지칭될) 제1 주 표면(15A) 및 제1 주 표면(15A) 반대편의 제2 주 표면(15B)을 갖는 폴리싱 층(15)(톱 패드로 종종 지칭됨)을 포함할 수 있다. 폴리싱 패드(10)는 폴리싱 층(15)에 결합된 서브패드(30)를 추가로 포함할 수 있으며, 서브패드(30)는 (폴리싱 층(15)에 가장 가까운) 제1 주 표면(30A) 및 제1 주 표면(30A) 반대편의 (폴리싱 장치의 압반에 결합하도록 의도된) 제2 주 표면(30B)을 갖는다. 폴리싱 패드(10)는 폴리싱 층(15)과 서브패드(30) 사이에 배치된 하나 이상의 선택적인 층(40)을 추가로 포함할 수 있다. 폴리싱 패드(10)를 형성하는 층들은 당업계에 공지된 임의의 적합한 결합 메커니즘을 통해 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 접착제, 예를 들어 감압 접착제(PSA), 고온 용융 접착제, 또는 현장 경화(cure in place) 접착제가 이용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 라미네이션이 이용될 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 중합체를 포함할 수 있거나 그로 형성될 수 있다. 폴리싱 층(15)은 열가소성 물질, 열가소성 탄성중합체(TPE), 예컨대 블록 공중합체에 기반하는 TPE, 열경화성 물질, 예컨대 탄성중합체, 및 이들의 조합을 포함하는 임의의 공지된 중합체로부터 제작될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 층은 기재 평탄화를 위한 구매가능한 폴리싱 패드에 공통적인 것과 같은 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리부타디엔, 또는 폴리올레핀을 포함할 수 있거나 그로 형성될 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)의 경도는 이를 제작하기 위해 사용되는 중합체에 의해 주로 제어된다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)의 경도는 약 20 쇼어 D 초과, 약 30 쇼어 D 초과, 또는 약 40 쇼어 D 초과; 약 90 쇼어 D 미만, 약 80 쇼어 D 미만, 또는 약 70 쇼어 D 미만; 20 내지 90 쇼어 D, 30 내지 80 쇼어 D, 또는 40 내지 70 쇼어 D일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)의 경도는 약 20 쇼어 A 초과, 약 30 쇼어 A 초과, 또는 약 40 쇼어 A 초과; 약 95 쇼어 A 미만, 약 80 쇼어 A 미만 또는 약 70 쇼어 A 미만; 또는 20 내지 95 쇼어 A, 30 내지 80 쇼어 A, 또는 40 내지 70 쇼어 A일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)의 두께는 약 25 마이크로미터 초과, 약 50 마이크로미터 초과, 약 100 마이크로미터 초과 또는 250 마이크로미터 초과; 약 20 mm 미만, 약 10 mm 미만, 약 5 mm 미만, 또는 약 2.5 mm 미만; 또는 15 마이크로미터 내지 20 mm, 25 마이크로미터 내지 10 mm, 50 마이크로미터 내지 5 mm, 또는 100 마이크로미터 내지 2.5 mm일 수 있다.

다양한 실시 형태들에서, 폴리싱 층(15)은 가요성일 수 있다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 그 자체 상으로 굽혀져, 굽힘 영역에서 약 10 cm 미만, 약 5 cm 미만, 약 3 cm 미만, 또는 약 1 cm 미만; 약 0.1 mm 초과, 약 0.5 mm 초과 또는 약 1 mm 초과의 곡률 반경을 생성할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 그 자체 상으로 굽혀져, 굽힘 영역에서 약 10 cm 내지 약 0.1 mm, 약 5 cm 내지 약 0.5 mm 또는 약 3 cm 내지 약 1 mm의 곡률 반경을 생성할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 단일형 시트(unitary sheet)일 수 있다. 본 출원의 목적상, 단일형 시트는 단지 재료의 단일 층만을 포함하는 물품을 지칭하며(즉, 이는 다층 구조체, 예컨대 라미네이트가 아니며), 재료의 단일 층은 단일 조성을 갖는다. 조성은 다수의 성분들, 예컨대 중합체 블렌드 또는 중합체-무기물 복합재를 포함할 수 있다. 폴리싱 층으로서의 단일형 시트의 사용은 폴리싱 층을 형성하는 데 필요한 공정 단계들의 수의 최소화로 인해 비용 이득을 제공할 수 있다. 단일형 시트를 포함하는 폴리싱 층은 성형 및 엠보싱을 포함하지만 이로 한정되지 않는 당업계에 알려진 기술로부터 제작될 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 작업 표면(15a)의 총 표면적을 기준으로 그의 표면적의 10% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 또는 99% 이상에 걸쳐 (적어도 폴리싱 층(15)의 그러한 부분을 통한 종점 검출을 허용하기에 충분한 정도로) 광학적으로 투명할 수 있다. 그러한 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 종점 검출 윈도우를 수용하기 위한 개구를 포함하지 않을 수 있다. 대안적인 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 광학적으로 투명하지 않을 수 있다. 그러한 실시 형태에서, 폴리싱 층(15)은 종점 검출 윈도우를 수용하기 위한 개구를 포함할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함된 미국 특허 출원 공개 제15/300,125호에 기재된 폴리싱 패드에서와 같이, 폴리싱 층(15)은 그의 작업 표면(15a) 상에 복수의 정밀하게 형상화된 기공 및 복수의 정밀하게 형상화된 돌기를 포함할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30), 또는 서브패드(30)의 상당 부분은 광학적으로 투명한 재료를 포함할 수 있거나 그로 형성될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 30℃ 미만에서 유리 전이를 갖는 연질 중합체 재료 또는 가소제와 블렌딩된 중합체를 포함할 수 있거나 그로 형성될 수 있다. 광 개시제, 자유 라디칼 개시제, 가교결합제, 또는 무기 충전제와 같은 다른 첨가제가 광학 투명성을 방해하지 않고서 첨가될 수 있다.

적합한 연질 중합체 재료는 탄성중합체, 폴리우레탄, 폴리올레핀, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 탄성중합체성 고무, 스티렌 중합체, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 이들의 공중합체 및 블록 공중합체, 및 이들의 혼합물 및 블렌드를 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 올리고머 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 수지를 포함할 수 있거나 또는 이로 본질적으로 이루어질 수 있다.

적합한 올리고머성 아크릴레이트 단량체는 에폭시 올리고머성 아크릴레이트/메타크릴레이트, 우레탄 올리고머성 아크릴레이트/메타크릴레이트, 폴리에스테르 올리고머성 아크릴레이트/메타크릴레이트, 폴리에테르 올리고머성 아크릴레이트/메타크릴레이트 및 아미노 아크릴레이트/메타크릴레이트 단량체를 포함할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 적합한 단량체는 단일 에틸렌계 불포화 기를 갖는다. 단량체는 알킬 (메트)아크릴레이트를 포함할 수 있거나 이로 본질적으로 이루어질 수 있다. 알킬 기는 선형, 분지형, 환형, 2환식, 3환식, 아다만틸 또는 이들의 조합일 수 있다. 적합한 알킬 (메트)아크릴레이트에는 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 아이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, 아이소부틸 (메트)아크릴레이트, n-펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-메틸부틸 (메트)아크릴레이트, n-헥실 (메트)아크릴레이트, 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 3,3,5-트라이메틸사이클로헥실 (메트)아크릴레이트, 4-메틸-2-펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 2-메틸헥실 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소노닐 (메트)아크릴레이트, 아이소아밀 (메트)아크릴레이트, n-데실 (메트)아크릴레이트, 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 2-프로필헵틸 (메트)아크릴레이트, 아이소트라이데실 (메트)아크릴레이트, 아이소보르닐 (메트)아크릴레이트, 아이소스테아릴 (메트)아크릴레이트, 옥타데실 (메트)아크릴레이트, 2-옥틸데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐옥시에틸 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜타닐 아크릴레이트, 1-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 2-아다만틸 (메트)아크릴레이트 및 헵타데카닐 (메트)아크릴레이트가 포함된다. 일부 적합한 분지형 알킬 (메트)아크릴레이트에는 미국 특허 제8,137,807호(클래퍼(Clapper) 등)에 기재된 바와 같은, 12 내지 32개의 탄소 원자를 갖는 게르베(Guerbet) 알코올의 (메트)아크릴산 에스테르가 포함된다. 알킬 단량체는 미국 특허 제9,102,774호(클래퍼 등)에 기재된 것들과 같은 단일 이성체 또는 이성체 블렌드일 수 있다. 사용될 수 있는 단일 에틸렌계 불포화 기를 갖는 다른 단량체는 헤테로알킬 (메트)아크릴레이트이다. 헤테로알킬 기는 선형, 분지형, 환형, 2환식, 또는 이들의 조합일 수 있다. 헤테로원자는 종종 산소(-O-)이지만 황(-S-) 또는 질소(-NH-)일 수 있다. 헤테로아릴은 종종 2 내지 12개의 탄소 원자와 1 내지 4개의 헤테로원자 또는 4 내지 10개의 탄소 원자와 1 내지 3개의 헤테로원자를 갖는다. 적합한 헤테로알킬 (메트)아크릴레이트에는 알콕실화 알킬 (메트)아크릴레이트, 예컨대 2-(2-에톡시에톡시)에틸 (메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 및 2-에톡시에틸 (메트)아크릴레이트가 포함된다. 단일 에틸렌계 불포화 기를 갖는 또 다른 단량체는 우레탄 결합(-NH-(CO)-O-)을 포함할 수 있다. 한 가지 예는 란 유에스에이 코포레이션(Rahn USA Corp., 미국 일리노이주 오로라 소재)으로부터 상표명 게노머(GENOMER) G1122로 구매가능한 2-[[(부틸아미노)카르보닐]옥시]에틸 아크릴레이트이다.

일부 실시 형태에서, 적합한 가소제는 소분자성, 올리고머성 또는 중합체성 화합물일 수 있으며, 이는 수지/연질 중합체 시스템과 상용성이고, 따라서 플라스틱에 대한 유리 전이 온도를 상당히 낮추어 이를 더 연질로 만든다. 예를 들어, 가소제에는 수지와 상용성인 세바케이트, 아디페이트 테레프탈레이트, 다이벤조에이트, 글루테레이트, 프탈레이트, 아젤레이트, 다른 에스테르 화합물 또는 임의의 다른 유기 화학물질, 예를 들어 설폰아미드, 유기포스페이트, 폴리에테르 및 폴리부텐이 포함될 수 있다. 추가의 예에는 벤질 부틸 프탈레이트, 비스[2-(2-부톡시에톡시)에틸] 아디페이트, 비스(2-에틸헥실) 아디페이트, 비스(2-에틸헥실) 말레에이트, 비스(2-에틸헥실) 세바케이트, 이염기성 에스테르 혼합물(다이메틸 아디페이트와 다이메틸 글루타레이트의 혼합물), 이염기성 에스테르 혼합물(다이메틸 글루타레이트와 다이메틸 석시네이트의 혼합물), 다이메틸 글루타레이트, 다이부틸 아디페이트, 다이부틸 이타코네이트, 다이부틸 세바케이트, 다이사이클로헥실 프탈레이트, 다이에틸 아디페이트, 다이에틸 아젤레이트, 다이(에틸렌 글리콜) 다이벤조에이트, 다이에틸 세바케이트, 다이에틸 석시네이트, 다이헵틸 프탈레이트, 다이아이소부틸 아디페이트, 다이아이소부틸 푸마레이트, 다이아이소부틸 프탈레이트, 다이아이소데실 아디페이트, 다이아이소노닐 프탈레이트, 다이메틸 아디페이트, 다이메틸 아젤레이트, 다이메틸 프탈레이트, 다이(프로필렌 글리콜) 다이벤조에이트, 다이프로필 프탈레이트, 에틸 4-아세틸부티레이트, 2-(2-에틸헥실옥시)에탄올, 아이소옥틸 탈레이트, 네오펜틸 글리콜 다이메틸설페이트, 폴리(에틸렌 글리콜) 비스(2-에틸헥사노에이트), 폴리(에틸렌 글리콜) 다이벤조에이트, 폴리(에틸렌 글리콜) 다이올레에이트, 폴리(에틸렌 글리콜) 모노라우레이트, 폴리(에틸렌 글리콜) 모노올레에이트, 수크로스 벤조에이트, 트라이옥틸 트라이멜리테이트, 트라이메틸 트라이멜리테이트, 트라이-(2-에틸헥실) 트라이멜리테이트, 트라이-(헵틸, 노닐) 트라이멜리테이트, N-에틸 톨루엔 설폰아미드, N-(2-하이드록시프로필) 벤젠 설폰아미드, N-(n-부틸) 벤젠 설폰아미드가 포함된다. 가소제는 또한 바이오계 재료, 아세틸화 모노글리세라이드, 트라이에틸 시트레이트, 트라이부틸 시트레이트, 아세틸트라이부틸 시트레이트, 트라이옥틸 시트레이트, 아세틸 트라이옥틸 시트레이트, 트라이헥실 시트레이트, 아세틸 트라이헥실 시트레이트, 부티릴 트라이헥실 시트레이트, 트라이메틸 시트레이트, 메틸 리시놀레에이트, 에폭시화 대두유, 또는 에폭시화 식물유일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 아크릴레이트/메타크릴레이트는 광개시제/또는 열 개시제에 의해 중합 및 가교결합될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 기계적 성능을 변경하기 위해 무기 충전제, 예를 들어, 건식 실리카, 탄산칼슘, 카올린, 알루미나 삼수화물, 황산칼슘 또는 산화티타늄이 첨가될 수 있다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30)의 제1 주 표면(30A)의 총 표면적을 기준으로, 서브패드(30)의 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 99% 이상, 또는 100%가 광학적으로 투명할 수 있다. 폴리싱 층(15)(또는 폴리싱 층(15)의 적어도 일부분)이 광학적으로 투명한 실시 형태에서, 서브패드(30)의 광학적으로 투명한 영역의 10% 이상, 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 99% 이상, 또는 100%가 폴리싱 층(15)의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이할 수 있다. 그러한 실시 형태에서, (폴리싱 층(15), 서브패드(30), 및 임의의 개재 층을 포함하는) 폴리싱 패드(10)는 적어도 서브패드(30) 및 폴리싱 층(15)의 오버레이 영역에서 (작업 표면에 수직인 방향으로) 광학적으로 투명할 수 있다. 본 출원의 목적상, 폴리싱 패드(10)의 오버레이된 층은 직접적으로 오버레이된 층(즉, 물리적으로 접촉하는 층) 또는 간접적으로 오버레이된 층(즉, 예를 들어 하나 이상의 개재 층으로 인해 물리적으로 접촉하지는 않지만, 하나의 층이 다른 층 상에 겹쳐질 때 서로 중첩되는 층)을 지칭할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이러한 방식으로 폴리싱 층(15) 및 서브패드(30)의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이하는 것은 폴리싱 패드(10) 내에서 종점 검출이 일어날 수 있는 위치를 선택함에 있어서 증가된 유연성을 용이하게 한다. 더욱이, 이는 패드 윈도우(그리고 폴리싱 층 및 서브패드 내의 관련 개구)의 포함에 대한 필요성을 없애며, 이는 결국 폴리싱 패드로부터 폴리싱될 기재로의 균일한 압력 및 접촉 재료를 용이하게 한다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30)의 두께는 약 25 마이크로미터 초과, 약 50 마이크로미터 초과, 약 100 마이크로미터 초과 또는 약 250 마이크로미터 초과; 약 20 mm 미만, 약 10 mm 미만, 약 5 mm 미만, 또는 약 2.5 mm 미만; 또는 25 마이크로미터 내지 20 mm, 50 마이크로미터 내지 10 mm, 또는 100 마이크로미터 내지 5 mm일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 폴리싱 패드(10)에 의해 폴리싱될 기재의 표면에서의 압력 변화를 경감시키기에 충분한 컴플라이언스(compliance)를 폴리싱 패드(10)에 제공하도록 의도될 수 있다. 압력 불균일성은, 예를 들어 연마 입자 크기의 변화로 인해 기재 표면 내로의 슬러리 연마 입자의 맞물림의 변화, 폴리싱 패드(10)의 임의의 층에서의 두께 변화, 기재 표면과 폴리싱 패드(10)의 주 표면(15A) 사이의 접촉 영역에서 부스러기의 존재, 또는 기재 표면에서의 토폴로지(topology) 변화에 의해 야기될 수 있다. 폴리싱 패드에 노출되는 기재의 표면에서의 압력 변화는 기재 표면 상의 원치 않는 폴리싱 변화를 야기하므로 완화되게 할 필요가 있다. 이와 관련하여, 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 영률이 약 4000 ㎪ 미만, 약 3000 ㎪ 미만, 또는 약 2000 ㎪ 미만; 약 100 ㎪ 초과, 약 200 ㎪ 초과, 또는 약 300 ㎪ 초과; 또는 4000 ㎪ 내지 100 ㎪, 3000 ㎪ 내지 200 ㎪, 또는 2000 내지 300 ㎪일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 경도에 따라 선택된 재료로 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 (ASTM D2240에 따라 측정되는) 쇼어 A 경도가 약 70 미만, 약 60 미만, 또는 약 50 미만; 약 5 초과, 약 10 초과, 또는 약 15 초과; 또는 70 내지 5, 60 내지 10, 또는 50 내지 15일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 탄성 변형에 따라 선택된 재료로 구성될 수 있다. 탄성 변형은 재료가 변형된 후에 그의 원래 상태로 회복되는 능력을 나타낼 수 있다. 서브패드(30)의 재료는 탄성적으로 변형가능할 수 있는데, 예컨대 변형된 후에 그의 원래 상태로 실질적으로 100%(예컨대, 99% 이상, 99.5% 이상, 또는 99.9% 이상) 회복될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 완화 모듈러스에 따라 선택된 재료로 구성될 수 있다. 완화 모듈러스는 시간-의존적 점탄성 특성의 척도를 나타낼 수 있다. 본 발명에서, 완화 모듈러스는 본 명세서에 기재된 완화 시험에 따라 측정된다. 이와 관련하여, 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 완화 시험에 따라 측정된 완화 모듈러스가 40% 미만, 35% 미만, 또는 30% 미만일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30) 또는 그의 적어도 일부분은 공동 또는 공극을 포함할 수 있거나, 폴리싱 패드(10)에 더 많은 컴플라이언스를 제공하도록 팽창, 확대 또는 천공될 수 있다. 공극 및 공동은 산발적으로 분포되거나 서브패드(30)의 적어도 일부분에서 규칙적으로 패턴화될 수 있다. 공극 및 공동의 부피 백분율은 서브패드(30)의 총 부피를 기준으로 약 50 부피% 미만, 약 30 부피% 미만, 또는 약 20 부피% 미만일 수 있다. 공극은 제작 시의 결함일 수 있거나, 또는 주형 상 캐스팅(casting on mold)에 의해 제작될 수 있거나 기계적 드릴링(drilling), 또는 레이저 블라스팅(laser blasting)과 같은 상이한 방법에 의해 기계가공될 수 있지만 이로 한정되지 않는다. 공극은 직사각형 컬럼, 피라미드, 원추, 구, 반구, 또는 다른 형상과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 공극은 전체 서브패드 층(30)을 관통할 수 있거나, 중간층에서 끝나거나, 또는 이들의 조합일 수 있다. 공극의 (최장 치수의 관점에서) 평균 크기는 5 mm 미만, 3 mm 미만, 또는 2 mm 미만일 수 있다. 공극은 상이한 패턴 또는 밀도로 배열될 수 있다. 어떤 경우든, 공동 또는 공극은 서브패드(30)의 광학 투명성을 유의미하게 방해하지 않는다.

일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 ASTM D1056에 따라 측정된 25% 편향(deflection)에서의 압축성(compressibility)이 1000 ㎪ 미만, 750 ㎪ 미만, 또는 500 ㎪ 미만; 약 25 ㎪ 초과, 약 50 ㎪ 초과, 또는 약 75 ㎪ 초과; 또는 1000 ㎪ 내지 25 ㎪, 750 ㎪ 내지 50 ㎪, 또는 500 내지 75 ㎪일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드(30)는 0.5 미만, 0.4 미만, 0.3 미만, 약 0.2 미만의 푸아송 비(Poisson's ratio)를 가질 수 있거나 또는 음의 푸아송 비를 가질 수 있다.

일부 실시 형태에서, 서브패드는 다수의 층을 포함할 수 있으며, 예를 들어 재료의 2개 이상의 층을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 서브패드는 강성 층, 예컨대 열가소성 재료와 같은 고 모듈러스 재료, 및 유연성(compliant) 층, 예컨대 전술된 바와 같은 저 모듈러스 재료를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 강성 층 및 적어도 하나의 유연성 층을 갖는 다층 서브패드를 포함하는 폴리싱 패드는 폴리싱 패드의 평탄화 특성이 조정될 수 있게 하여, 폴리싱되는 웨이퍼 토포그래피에 대한 폴리싱 패드의 폴리싱 성능을 최적화하는 능력을 제공할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드(10)는 폴리싱 층(15)과 서브패드(30) 사이에 배치된 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 폴리싱 패드는 폴리싱 층(15)과 서브패드(30) 사이에 개재된 폼 층(40)을 포함할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폼 층(40)은 폼 층에 적합한 열거된 재료, 예를 들어 합성 또는 천연 폼, 열성형된 폼, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리에테르, 충전되거나 그래프팅된 폴리에테르, 점탄성 폼, 멜라민 폼, 폴리에틸렌, 가교결합된 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 실리콘, 또는 이오노머 폼을 포함하거나 그로 형성된 개방 셀 또는 폐쇄 셀일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폼 층(40)의 두께는 25 마이크로미터 초과, 50 마이크로미터 초과, 100 마이크로미터 초과 또는 250 마이크로미터 초과; 20 mm 미만, 10 mm 미만, 5 mm 미만, 또는 2.5 mm 미만일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폼 층(40)은 그의 주 표면 중 하나의 총 표면적을 기준으로 그의 표면적의 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 또는 99% 이상에 걸쳐 (적어도 폼 층(40)의 그러한 부분을 통한 종점 검출을 허용하기에 충분한 정도로) 광학적으로 투명할 수 있다. 그러한 실시 형태에서, 폼 층(40)은 종점 검출 윈도우를 수용하기 위한 개구를 포함하지 않을 수 있다. 대안적인 실시 형태에서, 폼 층(40)은 광학적으로 투명하지 않을 수 있다. 그러한 실시 형태에서, 폼 층(40)은 종점 검출 윈도우를 수용하기 위한 개구를 포함할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폼 층(40)은 듀로미터(durometer)가 약 20 쇼어 D 내지 약 90 쇼어 D 및/또는 약 20 쇼어 A 내지 약 90 쇼어 A일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폼 층(40)에 더하여 또는 그에 대한 대안으로서, 폴리싱 층(15)과 서브패드(30) 사이에 배치되는 층에는 폴리카르보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트-글리콜 개질된, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌과 같은 하나 이상의 강성 중합체 층이 포함될 수 있다 아크릴 접착제, 우레탄 접착제, 또는 다른 에폭시 접착제를 포함하는 접착제 층이 또한 존재할 수 있다.

일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드(10)의 두께는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 폴리싱 패드(10)의 두께는 적절한 폴리싱 공구에서의 폴리싱을 가능하게 하는 데 필요한 두께와 일치할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드의 두께는 25 마이크로미터 초과, 50 마이크로미터 초과, 100 마이크로미터 초과 또는 250 마이크로미터 초과; 20 mm 미만, 10 mm 미만, 5 mm 미만, 또는 2.5 mm 미만; 또는 25 마이크로미터 내지 20 mm, 50 마이크로미터 내지 10 mm, 또는 50 마이크로미터 내지 5 mm일 수 있다. (작업 표면에 수직인 방향에서 볼 때) 폴리싱 패드(10)의 형상은 특별히 제한되지 않는다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드(10)는 패드 형상이 사용 동안 패드가 부착될 폴리싱 공구의 대응하는 압반의 형상과 일치하도록 제작될 수 있다. 원, 정사각형, 육각형 등과 같은 패드 형상이 사용될 수 있다. 작업 표면에 평행한 방향에서 패드의 최대 치수(즉, 원형 패드의 경우 직경)는 특별히 제한되지 않는다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 패드(10)의 그러한 최대 치수는 10 cm 초과, 20 cm 초과, 30 cm 초과, 40 cm 초과, 50 cm 초과 또는 60 cm 초과; 2.0 미터 미만, 1.5 미터 미만, 또는 1.0 미터 미만일 수 있다.

일부 실시 형태에서, 본 발명은 폴리싱 시스템에 관한 것이며, 폴리싱 시스템은 앞서 논의된 폴리싱 패드(10) 중 어느 하나와 폴리싱 용액을 포함한다. 사용되는 폴리싱 용액은 특별히 제한되지 않으며, 당업계에 알려진 것 중 임의의 것일 수 있다. 폴리싱 용액은 수성 또는 비-수성일 수 있다. 수성 폴리싱 용액은 50 중량% 이상의 물인 액체상(liquid phase)을 갖는 폴리싱 용액(폴리싱 용액이 슬러리인 경우, 입자를 포함하지 않음)으로 정의된다. 비-수성 용액은 50 중량% 미만의 물인 액체상을 갖는 폴리싱 용액으로 정의된다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 용액은 슬러리, 즉 유기 또는 무기 연마 입자 또는 이들의 조합을 함유하는 액체이다. 폴리싱 용액 내에서의 유기 또는 무기 연마 입자 또는 이들의 조합의 농도는 특별히 제한되지 않는다. 폴리싱 용액 내의 유기 또는 무기 연마 입자 또는 이들의 조합의 농도는 0.5 중량% 초과, 1 중량% 초과, 2 중량% 초과, 3 중량% 초과, 4 중량% 초과 또는 심지어 5 중량% 초과일 수 있고; 30 중량% 미만, 20 중량% 미만, 15 중량% 미만, 또는 10 중량% 미만일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 용액에는 유기 또는 무기 연마 입자가 실질적으로 없다. "유기 또는 무기 연마 입자가 실질적으로 없다"는 폴리싱 용액이 0.5 중량% 미만, 0.25 중량% 미만, 0.1 중량% 미만 또는 0.05 중량% 미만의 유기 또는 무기 연마 입자를 함유함을 의미한다. 일 실시 형태에서, 폴리싱 용액은 유기 또는 무기 연마 입자를 전혀 함유하지 않을 수 있다. 폴리싱 시스템은 얕은 트렌치 절연 CMP를 포함하지만 이에 한정되지 않는 실리콘 산화물 CMP에 사용되는 폴리싱 용액, 예를 들어 슬러리; 텅스텐 CMP, 구리 CMP 및 알루미늄 CMP를 포함하지만 이로 한정되지 않는 금속 CMP에 사용되는 폴리싱 용액, 예를 들어, 슬러리; 탄탈럼 및 질화탄탈럼 CMP를 포함하지만 이로 한정되지 않는 장벽 CMP에 사용되는 폴리싱 용액, 예를 들어 슬러리, 및 사파이어와 같은 경질 기재를 폴리싱하는 데 사용되는 폴리싱 용액, 예를 들어 슬러리를 포함할 수 있다. 폴리싱 시스템은 폴리싱되거나 연마될 기재를 추가로 포함할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 폴리싱 패드 및 방법을 이용하는 폴리싱 시스템(100)을 개략적으로 예시한다. 도시된 바와 같이, 시스템(100)은 폴리싱 패드(150)(예컨대, 전술된 폴리싱 패드 중 어느 하나) 및 폴리싱 용액(160)을 포함할 수 있다. 시스템은 폴리싱되거나 연마될 기재(110), 압반(140) 및 캐리어 조립체(130)를 추가로 포함할 수 있다. 폴리싱 패드(150)를 압반(140)에 부착하기 위해 접착제 층(170)이 사용될 수 있고, 폴리싱 시스템의 일부일 수 있다. 폴리싱 용액(160)은 폴리싱 패드(150)의 주 표면 주위에 배치되는 용액의 층일 수 있다. 폴리싱 용액은 전형적으로 폴리싱 패드의 폴리싱 층의 작업 표면 상에 배치된다. 폴리싱 용액은 또한 기재(110)와 폴리싱 패드(150) 사이의 계면에 있을 수 있다. 폴리싱 시스템(100)의 작동 동안, 구동 조립체(145)는 폴리싱 작업을 수행하기 위해 압반(140)을 (화살표 A 방향으로) 회전시켜 폴리싱 패드(150)를 이동시킬 수 있다. 폴리싱 패드(150)와 폴리싱 용액(160)은 개별적으로 또는 조합되어, 기계적으로 및/또는 화학적으로 기재(110)의 주 표면으로부터 재료를 제거하거나 기재(110)의 주 표면을 폴리싱하는 폴리싱 환경을 형성할 수 있다. 기재(110)의 주 표면을 폴리싱 시스템(100)으로 폴리싱하기 위하여, 캐리어 조립체(130)는 폴리싱 용액(160)의 존재 하에 폴리싱 패드(150)의 작업 표면, 즉 폴리싱 표면에 대해 기재(110)를 압박할 수 있다. 이어서, 압반(140)(및 따라서, 폴리싱 패드(150)) 및/또는 캐리어 조립체(130)는 서로에 대해 이동하여 기재(110)가 폴리싱 패드(150)의 폴리싱 표면 쪽으로 병진 이동하게 한다. 캐리어 조립체(130)는 (화살표 B 방향으로) 회전하고, 선택적으로 측방향으로 (화살표 C 방향으로) 횡단할 수 있다. 그 결과, 폴리싱 패드(150)의 폴리싱 층이 기재(110)의 표면으로부터 재료를 제거한다. 일부 실시 형태에서, 기재의 표면으로부터의 재료 제거를 용이하게 하기 위해 무기 연마 재료, 예컨대 무기 연마 입자가 폴리싱 층 내에 포함될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 폴리싱 층은 실질적으로 어떠한 무기 연마 재료도 없고, 폴리싱 용액은 실질적으로 유기 또는 무기 연마 입자가 없을 수 있거나, 유기 또는 무기 연마 입자 또는 이들의 조합을 함유할 수 있다. 도 2의 폴리싱 시스템(100)은 본 발명의 폴리싱 패드 및 방법과 관련하여 사용될 수 있는 폴리싱 시스템의 단지 일례일 뿐이고, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않으면서 다른 통상적인 폴리싱 시스템이 사용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

다른 실시 형태에서, 본 발명은 기재의 폴리싱 방법에 관한 것이며, 폴리싱 방법은 앞서 논의된 폴리싱 패드 중 어느 하나에 따른 폴리싱 패드를 제공하는 단계, 기재를 제공하는 단계, 폴리싱 패드의 작업 표면을 기재 표면과 접촉시키는 단계, 폴리싱 패드의 작업 표면과 기재 표면 사이의 접촉을 유지하면서 폴리싱 패드와 기재를 서로에 대해 이동시키는 단계를 포함한다. 그러한 폴리싱 작업은 폴리싱 용액의 존재 하에 수행될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 폴리싱 용액은 슬러리이고, 앞서 논의된 슬러리 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 일부의 실시 형태에 있어서, 기재는 반도체 웨이퍼이다. 폴리싱될, 즉 폴리싱 패드의 작업 표면과 접촉하는 반도체 웨이퍼 표면을 포함하는 재료는 유전체 재료, 전기 전도성 재료, 장벽/부착 재료 및 캡 재료(cap material) 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이로 한정되지 않는다. 유전체 재료는 무기 유전체 재료, 예컨대 실리콘 산화물 및 다른 유리와, 유기 유전체 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속 재료는 구리, 텅스텐, 알루미늄, 은 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이로 한정되지 않는다. 캡 재료는 탄화규소 및 질화규소 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이로 한정되지 않는다. 장벽/부착 재료는 탄탈럼 및 질화탄탈럼 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이로 한정되지 않는다. 폴리싱하는 방법은 또한 현장에서, 즉 폴리싱 동안에 수행될 수 있는 패드 컨디셔닝 또는 세정 단계를 포함할 수 있다. 패드 컨디셔닝은 당업계에 알려진 임의의 패드 컨디셔너 또는 브러시, 예컨대 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니(3M Company)로부터 입수가능한 4.25 인치 직경의 쓰리엠 CMP 패드 컨디셔너 브러시(PAD CONDITIONER BRUSH) PB33A를 사용할 수 있다. 세정은 브러시, 예컨대 쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능한 4.25 인치 직경의 쓰리엠 CMP 패드 컨디셔너 브러시 PB33A, 및/또는 폴리싱 패드의 물 또는 용제 린스를 채용할 수 있다.

실시 형태

1)

제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 폴리싱 층;

제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 서브패드

를 포함하며;

서브패드는 폴리싱 층에 결합되고;

서브패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 서브패드의 50% 이상은 광학적으로 투명한, 폴리싱 패드.

2) 폴리싱 패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 폴리싱 층의 50% 이상은 광학적으로 투명한, 실시 형태 1의 폴리싱 패드.

3) 서브패드의 광학적으로 투명한 영역의 50% 이상은 폴리싱 패드의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이하는, 실시 형태 2의 폴리싱 패드.

4) 폴리싱 패드는 폴리싱 패드의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이하는 서브패드의 영역에서 광학적으로 투명한, 실시 형태 3의 폴리싱 패드.

5) 서브패드는 영률이 4000 ㎪ 내지 100 ㎪, 3000 ㎪ 내지 200 ㎪, 또는 300 내지 2000 ㎪인, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

6) 서브패드는 쇼어 A 경도가 5 내지 70인, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

7) 서브패드는 탄성적으로 변형가능한, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

8) 서브패드는 완화 모듈러스가 40% 미만인, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

9) 서브패드는 공동 또는 공극을 포함하는, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

10) 공극 및 공동의 부피 백분율은 약 50 미만인, 실시 형태 9의 폴리싱 패드.

11) 서브패드는 25% 편향에서의 압축성이 25 내지 1000 ㎪인, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

12) 서브패드는 실온 미만에서 유리 전이를 갖는 중합체를 포함하는, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

13) 서브패드는 중합체 및 가소제를 포함하는, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

14) 서브패드는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 수지를 포함하는, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

15) 폴리싱 층은 기공 및 돌기를 포함하는, 전술한 실시 형태들 중 어느 하나의 폴리싱 패드.

16)

실시 형태 1 내지 실시 형태 15 중 어느 하나에 따른 폴리싱 패드를 제공하는 단계;

기재를 제공하는 단계;

폴리싱 패드의 제1 주 표면을 기재와 접촉시키는 단계; 및

폴리싱 패드의 제1 주 표면과 기재 사이의 접촉을 유지하면서 폴리싱 패드와 기재를 서로에 대해 이동시키는 단계를 포함하는, 기재의 폴리싱 방법.

실시예

시험 방법:

유리 전이 온도 시험 방법

제조된 서브패드의 유리 전이 온도(Tg, ℃)를 동적 기계적 분석(DMA) 시험으로부터 결정된 바와 같은 tan 델타 값의 피크의 위치로서 정의하였다. DMA는 미국 델라웨어주 뉴 캐슬 소재의 티에이 인스트루먼트(TA Instrument)로부터 입수가능한 동적 기계적 분석기, 모델 DMA Q800을 사용하여 수행하였다. 13 mm의 길이 및 5.5 mm의 폭을 갖는 서브패드 샘플을 5℃/min의 스캔 속도로 -60℃ 내지 120℃의 온도 범위에 걸쳐 1 ㎐의 주파수에서 인장 모드로 시험하였다. 시험 결과가 표 1에 나타나 있다.

광 투과율 시험 방법

제조된 서브패드 및 몇몇 실시예의 광 투과율을, 미국 미시간주 그랜드 래피즈 소재의 엑스-라이트, 인크.(X-Rite, Inc.)로부터의 벤치탑 분광광도계, 모델 컬러(Color) i7을 사용하여 측정하였다. 데이터를 800 nm로부터 350 nm까지 10 nm 간격으로 수집하였다. 샘플 두께는 약 53 밀(1.34 mm)이었다. 시험 결과가 표 2에 나타나 있다.

응력 완화 시험 방법

제조된 서브패드의 응력 완화 특성을 ASTM D6048에 따라 측정하였다. 1.25 인치(3.18 cm) 직경 × 53 밀(1.35 mm) 두께의 원통형 서브패드 샘플을 미국 미네소타주 에덴 프레리 소재의 엠티에스 시스템즈 코포레이션(MTS Systems Corp.)으로부터의 MTS 인사이트 전기기계 시스템(MTS INSIGHT Electromechanical System)에 로딩하고, 일정한 압축 변형률(예를 들어, 샘플 두께의 변화를 그의 원래의 변형되지 않은 두께로 나눈 것) 하에 유지하였다. 샘플에 의해 시험기 압반에 가해지는 힘을 대응하는 경과 시간과 함께 연속적으로 측정 및 기록하였다. 응력(σ), 주어진 시점의 모듈러스(E(t)), 및 완화 모듈러스(%)를 하기에 기재된 바와 같이 계산하였다.

기록된 힘으로부터 하기 식을 사용하여 응력(σ)을 계산하였다:

σ(t) = 힘(t)/샘플의 단면적

하기 식을 사용하여 응력(σ)을 일정한 변형률(

)으로 나눔으로써 모듈러스(E)를 계산하였다:

하기 식을 사용하여 완화 모듈러스(%)를 계산하였다:

완화 모듈러스(%) = [(E₀ - E₂) / E₀] * 100

여기서, E₀은 순간 모듈러스(instantaneous modulus)이고 E₂는 일정한 압축 변형률 하에서 샘플 재료의 2분의 완화 후의 모듈러스이다. 순간 모듈러스는 시험을 시작한 직후의 샘플 재료의 모듈러스로서 정의된다. 시험 결과가 표 1에 나타나 있다.

CMP 시뮬레이션된 압축 시험 방법

미국 미네소타주 에덴 프래리 소재의 엠티에스 시스템즈 코포레이션으로부터의 MTS 인사이트 전기기계 시스템을 사용하여 서브패드 샘플에 대해 압축 사이클 시험을 수행하였다. 1.25 인치(3.18 cm) 직경의 샘플을 2 인치(51 cm) 직경의 압반들 사이에 배치하였다. 이어서, 샘플을 대략 1 ㎐의 주파수에서 60회의 사이클 동안 0 psi(0 ㎪) 내지 12 psi(83 KPa)의 반복 압축 사이클을 거치게 하였다. 그 후에 15초 중단하였다. 약 1 ㎐에서 일련의 60회 압축 후 15초 중단을 299회 반복하였다. 각각의 샘플에 대해 총 18,000회의 압축 사이클을 실행하였다. 압축 값, 즉 0 psi 및 12 psi에서 측정했을 때의 샘플 두께의 차이를 500 내지 700초의 시간 범위에 걸쳐 측정하였고, 이어서 평균하여 초기 압축 값을 얻었다. 유사하게, 시험의 마지막 200초에 걸쳐 압축 값을 측정하였고 평균하여 최종 압축 값을 얻었다. 두 평균 사이의 차이를 비교하여 샘플 피로(fatigue)를 추정한다. 시험 결과가 표 1에 나타나 있다.

열 산화물 웨이퍼(300 mm 직경) 제거 속도 시험 방법

폴리싱되는 층의 초기(즉, 폴리싱 전) 두께로부터 최종(즉, 폴리싱 후) 두께로의 두께 변화를 결정하고 이러한 차이를 폴리싱 시간으로 나눔으로써, 하기의 실시예들에 대한 기재 제거 속도를 계산하였다. 이스라엘 레호보트 소재의 노바 메저링 인스트루먼츠 리미티드(Nova Measuring Instruments Ltd.)로부터 입수가능한 비접촉 필름 분석 시스템 노바스캔 3090넥스트(NovaScan 3090Next)를 사용하여 두께 측정을 수행한다. 2 mm 가장자리를 제외한 53점 직경 스캔을 이용하였다.

웨이퍼 불균일성 결정

(상기의 제거 속도 시험 방법으로부터 얻어지는 바와 같은) 웨이퍼의 표면 상의 지점들에서 폴리싱되는 층의 두께 변화의 표준 편차를 계산하고, 이 표준 편차를 폴리싱되는 층의 두께 변화의 평균으로 나누고, 얻어진 값에 100을 곱함으로써 웨이퍼 불균일성 퍼센트를 결정하였고, 따라서 결과를 백분율로 보고하였다.

300 mm 열 산화물 웨이퍼 폴리싱 방법

미국 캘리포니아주 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티리얼즈, 인크.(Applied Materials, Inc.)로부터 상표명 리플렉시온(REFLEXION) 폴리싱기로 입수가능한 CMP 폴리싱기를 사용하여 웨이퍼를 폴리싱하였다. 폴리싱기에는 300 mm 직경 웨이퍼를 유지하기 위한 300 mm 컨투어(CONTOUR) 헤드를 장착하였다. PSA의 층을 사용하여 30.5 인치(77.5 cm) 직경 패드를 폴리싱 공구의 압반에 라미네이팅하였다. 길들이기(break-in) 절차가 없었다. 이러한 폴리싱 동안에, 컨투어 헤드의 구역인 구역 1, 구역 2, 구역 3, 구역 4, 구역 5 및 유지 링(retaining ring)에 가해진 압력은 각각 3.0 psi(20.7 ㎪), 1.4 psi(9.7 ㎪), 1.3 psi(9.0 ㎪), 1.1 psi(7.6 ㎪), 1.1 psi(7.6 ㎪) 및 3.7 psi(25.5 ㎪)였다. 압반 속도는 53 rpm이었고 헤드 속도는 47 rpm이었다. 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 입수가능한 4.25 인치 직경의, 상표명 쓰리엠 CMP 패드 컨디셔너 브러시 PB33A로 입수가능한 브러시 타입 패드 컨디셔너를 컨디셔닝 아암 상에 장착하였고, 3 lbf 하향력을 가지고 81 rpm의 속도로 사용하였다. 패드 컨디셔너를 100% 현장 컨디셔닝으로 정현파 스위프(sinusoidal sweep)를 통해 패드의 표면을 가로질러 스위핑하였다. 폴리싱 용액은 미국 일리노이주 오로라 소재의 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션(Cabot Microelectronics Corporation)으로부터 상표명 WIN W7300 A34 및 WIN W7300 B34로 입수가능한 슬러리였다. 사용 전에, WIN W7300 A34 및 WIN W7300 B34를 4:1의 비로 혼합하고, 30% 과산화수소를 A34+B34/30% H₂O₂의 최종 부피비가 98/2가 되도록 첨가하였다. 100 mL/분의 용액 유량으로 폴리싱을 수행하였다. 50개의 열 산화물 모니터 웨이퍼를 1분 동안 폴리싱하였고, 이어서 측정하였다. 300 mm 직경의 열 산화물 모니터 웨이퍼를 미국 캘리포니아주 프리몬트 소재의 어드밴티브 테크놀로지즈 인크.(Advantiv Technologies Inc.)로부터 입수하였다. 웨이퍼 스택은 다음과 같았다: 300 mm 프라임 Si 기재 + 열 산화물 20KA.

현장 속도 모니터링(In-situ Rate Monitoring, ISRM)을 사용한 300 mm 구리 웨이퍼 폴리싱 시험 방법

구리 웨이퍼 폴리싱 방법은 300 mm 열 산화물 웨이퍼 폴리싱과 동일한 300 mm 리플렉시온 장비 및 브러시를 사용하였다. 이러한 폴리싱 동안에, 컨투어 헤드의 구역인 구역 1, 구역 2, 구역 3, 구역 4, 구역 5 및 유지 링에 가해진 압력은 각각 4.6 psi(31.7 ㎪), 2.2 psi(15.2 ㎪), 2.1 psi(14.5 ㎪), 2.0 psi(13.8 ㎪), 2.0 psi(13.8 ㎪) 및 5.3 psi(36.5 ㎪)였다. ISRM 소프트웨어를 이용하여 폴리싱 레시피(recipe)를 실행하였다. 폴리싱 용액은 미국 미시간주 에이드리언 소재의 플래너 솔루션즈 엘엘씨(Planar Solutions LLC)로부터 상표명 CSL 9044c로 입수가능한 슬러리였다. 사용 전에, CSL 9044c를 탈이온수로 희석하였고, 30% 과산화수소를 9044c/탈이온수/H₂O₂의 최종 부피비가 9/88/3이 되도록 첨가하였다. 150 mL/분의 용액 유량으로 폴리싱을 수행하였다. 10개의 더미(dummy) 열 산화물 웨이퍼를 사용하여 폴리싱 공정을 시작하였고, 이어서 Cu 웨이퍼를 사용하였다. 300 mm 직경 Cu 모니터 웨이퍼를 미국 캘리포니아주 프리몬트 소재의 어드밴티브 테크놀로지즈 인크.로부터 입수하였다. 웨이퍼 스택은 다음과 같았다: 300 mm 프라임 Si 기재 + 열 산화물 3KA + TaN 250A + PVD Cu 1KA + e-Cu 15KA + 어닐링(anneal). 이 시험의 목표는 웨이퍼에서 Cu가 완전히 제거될 때의 변화에 대한 ISRM 신호를 관찰하는 것이었기 때문에 Cu의 두께는 측정하지 않았다. 표 5에 나타낸 시점에, ISRM 신호를 기록하였다. 신호의 변화가 관찰되고 적절한 양의 오버폴리싱이 완료될 때까지 웨이퍼를 폴리싱하였다.

서브패드 1

97.6 lb(44.3 ㎏)의 CN973H85, 48.0 lb(21.8 ㎏)의 SR-506C, 14.4 lb(6.53 ㎏)의 SR-256 및 0.32 lb(145 g)의 이르가큐어 651을 진공 하에서 실온에서 혼합하여 탈기시켰다. 얻어진 혼합물을 43543 라이너의 2개의 층 사이에 캐스팅하고, 2,000 mJ/㎠의 선량으로 UV 광 하에서 노출을 통해 경화시켰다. 라이너의 제거 후에, 얻어진 38 인치(0.965 m) 폭의 경화된 필름의 두께는 53 ± 1 밀(1.34 ± 0.025 mm)이었다.

서브패드 2

106.7 lb(48.4 ㎏)의 CN973H85, 53.3 lb(24.2 ㎏)의 SR-506C 및 0.32 lb(145 g)의 이르가큐어 651을 진공 하에서 실온에서 혼합하여 탈기시켰다. 얻어진 혼합물을 43543 라이너의 2개의 층 사이에 캐스팅하고, 2,000 mJ/㎠의 선량으로 UV 광 하에서 노출을 통해 경화시켰다. 라이너의 제거 후에, 얻어진 36 인치(0.914 mm) 폭의 경화된 필름의 두께는 53 ± 1 밀(1.34 ± 0.025 mm)이었다.

서브패드 3

100 g의 CN9071, 120 g의 유니플렉스 155 및 0.44 g의 이르가큐어 651을 진공 하에서 실온에서 혼합하여 탈기시켰다. 얻어진 혼합물을 43543 라이너의 2개의 층 사이에 캐스팅하고, 2,500 mJ/㎠의 선량으로 UV 광 하에서 노출을 통해 경화시켰다. 라이너의 제거 후에, 얻어진 8 인치(20.3 cm) 폭의 경화된 필름의 두께는 53 ± 1 밀(1.34 ± 0.025 mm)이었다.

서브패드 4

100 g의 CN9021, 40 g의 유니플렉스 155 및 0.30 g의 이르가큐어 651을 진공 하에서 실온에서 혼합하여 탈기시켰다. 라이너의 제거 후에, 얻어진 혼합물을 43543 라이너의 2개의 층 사이에 캐스팅하고, 2,500 mJ/㎠의 선량으로 UV 광 하에서 노출을 통해 경화시켰다. 얻어진 8 인치(20.3 cm) 폭의 경화된 필름의 두께는 53 ± 1 밀(1.34 ± 0.025 mm)이었다.

서브패드 5

100 lb(45.4 ㎏)의 CN973H85, 40 lb(18.1 ㎏)의 PL-1104 및 0.28 lb(127 g)의 이르가큐어 651을 진공 하에서 실온에서 혼합하여 탈기시켰다. 얻어진 혼합물을 PET-EVA 필름의 층과 43543 라이너의 층 사이에 캐스팅하고, 2,000 mJ/㎠의 선량으로 UV 광 하에서 노출을 통해 경화시켰다. 43543 라이너는 제거한 반면, PET-EVA 필름은 경화된 필름에 부착된 채로 유지하였다. PET-EVA 필름을 갖는 얻어진 38 인치(0.965 m) 폭의 경화된 필름의 두께는 58 ± 1 밀(1.47 ± 0.025 mm)이었다.

서브패드 6

서브패드 6은 서브패드 5의 필름으로부터 제조된, 정사각형 관통 구멍을 갖는 천공 필름이다. 에필로그 코포레이션(Epilog Corp., 미국 콜로라도주 골든 소재)으로부터의 에필로그 레이저 인그레이버(Epilog Laser Engraver), 모델 퓨전(Fusion) 40 레이저를 사용하여 필름 상에 관통 구멍을 제작하였다. 1 mm의 구멍 폭 및 5 mm의 구멍 피치(pitch)를 갖는 정사각형 그리드 어레이로 구멍을 배열한다.

서브패드 7

정사각형 그리드 어레이가 2.5 mm의 피치를 갖는 점을 제외하고는, 서브패드 6과 유사하게 서브패드 7을 제조하였다.

서브패드 8

서브패드 5의 필름으로부터 서브패드 8을 제조하였다. 에필로그 레이저 인그레이버를 사용하여 상기 필름에 0.1 mm 깊이의 정사각형 막힌 구멍을 애블레이팅하였다. 1 mm의 구멍 폭 및 5 mm의 구멍 피치를 갖는 정사각형 그리드 어레이로 구멍을 배열한다.

서브패드 9

구멍 폭이 2 mm인 점을 제외하고는, 서브 패드 6과 유사하게 서브패드 9를 제조하였다.

실시예 1

하기 절차로 도 1에 따른 폴리싱 패드를 제조하였다. 미국 특허 제6,285,001호에 기재된 절차로 폴리싱 층을 제조하였다. 더 구체적으로는, 폴리싱 층은 복수의 정밀하게 형상화된 돌기 및 복수의 정밀하게 형상화된 기공을 포함하였고, 돌기는 높이 18 μm, 직경 50 μm, 피치 90 μm의 테이퍼 형성된 원통이며, 이때 지지 면적(bearing area)은 24%이다. 기공은 일반적으로 깊이 30 μm, 직경 60 μm, 및 피치 90 μm를 갖는 반구형 형상이었다. 복수의 정밀하게 형상화된 돌기 및 복수의 정밀하게 형상화된 기공 둘 모두를 정사각형 어레이 패턴으로 구성하였다.

폴리싱 층을 형성하기 위해 엠보싱 공정에 사용되는 중합체 재료는 루브리졸 코포레이션(Lubrizol Corporation, 미국 오하이오주 위클리프 소재)으로부터 상표명 에스테인(Estane) 58277로 입수가능한 열가소성 폴리우레탄이었다. 폴리우레탄은 듀로미터가 약 92 쇼어 A이었고 폴리싱 층은 두께가 약 22 밀(0.559 mm)이었다. 엠보싱 공정 동안, 2.96 밀(0.0752 mm) PET 필름을 폴리싱 층의 후면에 접촉시켜 접착시켰다.

어드밴스드 그레이그 라미네이터스, 인크(Advanced Greig Laminators, Inc, 미국 위스콘신주 디포레스트 소재)로부터의 AGL 4400 라미네이터를 사용하여, 다수의 라미네이션 단계를 통해 폴리싱 패드를 형성하였다. 제1 단계는 폴리싱 층에 라미네이팅될 면 상에서 (미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터) 상표명 3M 접착제 전사 테이프(ADHESIVE TRANSFER TAPE) 468MP로 입수가능한 접착제로 예비라미네이팅된 32 in(81 cm) × 32 in(81 cm) × 10 mil(0.25 mm) PET 시트에 서브패드(43543 라이너 제거 후, 서브패드 1)를 라미네이팅하는 것이었다. 제2 단계는 폴리싱 시험 동안 폴리싱 패드를 폴리싱 공구의 압반에 라미네이팅하는 데 사용되는, 서브패드 1의 반대편 면 상에 고무계 접착제를 라미네이팅하는 것이었다. 제3 단계는 제1 라미네이션 단계에서 앞서 서브 패드 1에 라미네이팅된 PET 시트의 노출된 표면에 3M 접착제 전사 테이프 468MP의 다른 층을 라미네이팅하는 것이었다. 제4 단계는 제3 단계의 3M 접착제 전사 테이프 468MP의 노출된 표면에 폴리싱 층을 라미네이팅하여 실시예 1을 생성하는 것이었다. 통상적인 기술을 사용하여 30.5 인치(76.2 cm) 직경의 패드를 다이 커팅하여, 최종 폴리싱 패드를 형성하였다.

실시예 2

서브 패드 1을 서브 패드 2로 대체하여 실시예 2를 생성한 점을 제외하고는, 실시예 1과 유사하게 폴리싱 패드를 제조하였다.

비교예 3

서브 패드 1을 포론 폼의 시트로 대체하여 비교예 3(CE-3)을 생성한 점을 제외하고는, 실시예 1과 유사하게 비교예 3을 제조하였다.

[표 1]

[표 2]

[표 3]

[표 4]

[표 5]

CE-3의 경우, 투과율이 0이기 때문에(표 2) ISRM 신호가 0일 것으로 예상되며 가시광 종점 검출의 사용이 가능하지 않다.

Claims (16)

1. 제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 폴리싱 층;
   제1 주 표면 및 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖는 서브패드(subpad)
   를 포함하며;
   서브패드는 폴리싱 층에 결합되고; 서브패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 서브패드의 50% 이상은 광학적으로 투명한, 폴리싱 패드.
2. 제1항에 있어서, 폴리싱 패드의 제1 주 표면의 총 표면적을 기준으로, 폴리싱 층의 50% 이상은 광학적으로 투명한, 폴리싱 패드.
3. 제2항에 있어서, 서브패드의 광학적으로 투명한 영역의 50% 이상은 폴리싱 패드의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이하는, 폴리싱 패드.
4. 제3항에 있어서, 폴리싱 패드는 폴리싱 패드의 광학적으로 투명한 영역을 오버레이하는 서브패드의 영역에서 광학적으로 투명한, 폴리싱 패드.
5. 제4항에 있어서, 서브패드는 영률이 4000 ㎪ 내지 100 ㎪, 3000 ㎪ 내지 200 ㎪, 또는 300 내지 2000 ㎪인, 폴리싱 패드.
6. 제4항에 있어서, 서브패드는 쇼어 A 경도가 5 내지 70인, 폴리싱 패드.
7. 제4항에 있어서, 서브패드는 탄성적으로 변형가능한, 폴리싱 패드.
8. 제4항에 있어서, 서브패드는 완화 모듈러스(relaxation modulus)가 40% 미만인, 폴리싱 패드.
9. 제1항에 있어서, 서브패드는 공동 또는 공극을 포함하는, 폴리싱 패드.
10. 제9항에 있어서, 공극 및 공동의 부피 백분율은 약 50 미만인, 폴리싱 패드.
11. 제4항에 있어서, 서브패드는 25% 편향(deflection)에서의 압축성(compressibility)이 25 내지 1000 ㎪인, 폴리싱 패드.
12. 제4항에 있어서, 서브패드는 실온 미만에서 유리 전이를 갖는 중합체를 포함하는, 폴리싱 패드.
13. 제4항에 있어서, 서브패드는 중합체 및 가소제를 포함하는, 폴리싱 패드.
14. 제4항에 있어서, 서브패드는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 수지를 포함하는, 폴리싱 패드.
15. 제4항에 있어서, 폴리싱 층은 기공(pore) 및 돌기(asperity)를 포함하는, 폴리싱 패드.
16. 제4항의 폴리싱 패드를 제공하는 단계;
    기재(substrate)를 제공하는 단계;
    폴리싱 패드의 제1 주 표면을 기재와 접촉시키는 단계; 및
    폴리싱 패드의 제1 주 표면과 기재 사이의 접촉을 유지하면서 폴리싱 패드와 기재를 서로에 대해 이동시키는 단계
    를 포함하는, 기재의 폴리싱 방법.

Images