JP2010533975A - 一体型定電流駆動回路を有するled - Google Patents

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Abstract

電源電圧をLEDの動作電圧と一致させるための集積回路を含むLEDパッケージ、そのような集積回路を含むLED、そのようなパッケージを含むシステム、および電源電圧と動作電圧とを一致させる方法が説明される。集積回路は、一般に電力コンバータおよび定電流回路を含む。LEDパッケージは、一体化された素子または外付け素子のためのピン配列、変圧器および整流器、または整流回路などの他の能動素子または受動素子も含んでよい。外付け素子は、LEDの電流レベルまたはLEDが発した光の特性を調整するための制御システムを含むことができる。LEDに電源および電流制御素子を組み込むと、使用するデバイス固有素子の数がより少ない比較的小さなLEDの製造を提供することができる。

Description

本発明は、半導体デバイスに関し、より詳細には、発光デバイスおよび一体型駆動エレクトロニクスを有する発光デバイスを製作する方法に関する。
発光ダイオードおよびレーザダイオードは、十分な電圧の印加によって光を発生することができる周知の固体電子デバイスである。発光ダイオードおよびレーザダイオードは、一般に発光デバイス(LED)と称されることがある。発光デバイスは、一般に、サファイア(Al23)、シリコン(Si)、炭化シリコン(SiC)、ガリウム砒素(GaAs)などの基板上で成長した窒化ガリウム(GaN)などのエピタキシャル(epi)層で形成されたpn接合を含む。LEDによって発生する光の波長分布は、pn接合を形成する材料およびデバイスの活性領域を含む薄いエピタキシャル層の構造に依存する。汎用の高性能LEDは、一般に2種類のIII〜V族の半導体材料から製作される。紫外線から青緑色の色範囲向けにIII族の窒化物(III−N)ベースの材料が用いられ、黄色から近赤外線の色範囲向けにIII族の砒化リン化物(III−AsP)が用いられる。
高い破壊電界、広いバンドギャップ(室温の窒化ガリウム(GaN)で3.36eV)、大きな伝導帯オフセット、および飽和電子の高いドリフト速度を含む材料特性の独特な組合せのために、III族の窒化物ベースの材料系で形成されたLEDへの関心が最近大いに高まっている。ドープされ、活性な層が、一般にシリコン(Si)、炭化シリコン(SiC)、およびサファイア(Al23)などの様々な材料で製作された基板上に形成される。SiCウェハは、III族の窒化物に調和する似通った結晶格子を有し、このことが、より高品質のIII族の窒化膜をもたらすので、これらのタイプのヘテロ構造向けに好まれることが多い。SiCは、非常に高い熱伝導率も有し、その結果、SiC上のIII族の窒化物デバイスの総出力電力が、(サファイアまたはSi上に形成された、いくつかのデバイスの場合のように)ウェハの熱抵抗によって制限されることがない。また、半絶縁のSiCウェハが利用可能であることにより、デバイスの絶縁および寄生容量の低減のための能力がもたらされ、汎用デバイスが実現可能になる。
LEDは、電流シンクデバイスであり、効率的で安定した動作のために(例えば出力の輝度および色をもたらし、維持するために)、一般に、直流の定電流電源を必要とする。電子システムの電圧源をLEDの必要な電圧に一致させることができる定電流電源は、多くの形態をとることができるが、能動素子(例えばトランジスタ、発振器、演算増幅器)ならびに線形および非線形の受動素子(例えばダイオード、サーミスタ、コイル、コンデンサ、抵抗)から成る回路を必要とする。高効率化のために、入力電圧は、LEDの動作電圧にできるだけ一致させるべきである。
電子デバイス内で一般に利用可能な電源は、電池、燃料電池、または交流主電源から直流電圧を供給するための整流型電源もしくはスイッチング電源などの電圧源である。LED回路は、一般に、コイルおよびコンデンサに接続された1つまたは複数のトランジスタ、発振器、または増幅器から成り、定電流をもたらす。現行のLED技術の電源(ソース)および電流制御素子は、LEDから物理的に分離され、また、これらの技術は、電源および制御要素に関して以下の1つまたは複数の不利点を抱えている。
(a)一般に、ソースの電圧がLEDの動作電圧と一致しない。
(b)LEDの動作電圧は、同一の製造業者からの、同一の部品タイプおよびロットのものでさえ、通常、電圧源動作が可能になるのに十分には一致しない。
(c)定電流回路の設計に慣れていない可能性がある潜在的LEDユーザにとって、LED外部の駆動回路の実現は、問題となることがある。
(d)場所が制限された用途では、LEDの外部に電源を与えることができない。
米国再発行特許第34861号明細書 米国特許第4946547号明細書 米国特許第5200022号明細書
簡単に、また一般論として、本発明は、電子システムの電圧源をLEDの必要な動作電圧に一致させるための集積回路を対象とする。電気的および/または光接続を行うための端子を持つ電子部品を収容する比較的小さな容器を有するように、一体型LEDパッケージを製作することができる。それによって、本発明は、ソース電圧をLEDの動作電圧と一致させるためにソース電圧を操作する手段を提供し、いかなる特定タイプのLEDに対しても、個別の電源または電流制御回路を有する、あるいは設計する必要性を解消する助けになる。
本発明は、一般的な照明の照明器具、持ち運び可能な電子デバイス、および個人の照明を制限なしで含む、照明を必要とする多種多様な状況で用いることができる。
具体的には、本発明は、LED/能動駆動回路に加えて必要な外付け受動素子といった、より少ない構成部分へ、LEDの電源および電流制御素子を組み込む。電源回路のうちいくつかをLEDに組み込むと、定電圧電源を有するLEDの使用が簡単になる。例えば、潜在的LEDユーザは、個別の電源または電流制御回路を設計する、または有する必要がないことになる。依然として、特定のデバイスまたはデバイスタイプ向けに利用可能な入力電圧およびLEDの必要な電流駆動に適する受動素子を選択する必要があるが、これは、一般に、電源回路全体を設計するより容易なはずである。
いくつかの態様のうちの1つでは、本発明は発光デバイスのパッケージに関し、少なくとも1つのLED、少なくとも1つの電圧レベルコンバータ、および少なくとも1つの定電流回路が電気的に接続されてパッケージに組み込まれる。別の態様では、このデバイスは、少なくとも1つの電気的コネクタをさらに含む。別の態様では、このコネクタは、少なくとも1つの電源への電気的接続をもたらす。別の態様では、このコネクタは、少なくとも1つの制御システムへの電気的接続をもたらす。さらに別の態様では、この制御システムは、少なくとも1つのLED電流に対する制御をもたらす。別の態様では、この制御システムは、LEDが発した光の少なくとも1つの特性に対する制御をもたらす。
別の態様では、本発明は、LEDに組み込まれ、LEDに電気的接続された、少なくとも1つの一体型電圧レベルコンバータおよび少なくとも1つの定電流回路を有するパッケージ化LEDに関する。さらに別の態様では、本発明はパッケージ化LEDを含む発光システムに関する。別の態様では、この発光システムは、少なくとも1つの電源を含む。さらに別の態様では、この発光システムは、少なくとも1つの制御システムを含む。別の態様では、この制御システムは、パッケージ化LEDに接続され、LEDが発した光の少なくとも1つの特性に対する制御をもたらす。
別の態様では、本発明は、LEDに組み込まれ、LEDに電気的接続された、少なくとも1つの一体型電圧レベルコンバータおよび少なくとも1つの定電流回路を含むLEDに関する。
別の態様では、本発明は、LEDに組み込まれ、LEDに電気的接続されて、LEDに電圧レベルを供給する駆動回路に対して、電源から電圧レベルを供給することにより、電源電圧をLEDの動作電圧に一致させる方法に関する。別の態様では、この回路によって供給される電圧レベルは、電源によって供給される電圧レベルに類似の、またはそれ未満の電圧レベルである。さらに別の態様では、この回路によって供給される電圧レベルは、LEDの動作電圧と一致する。
本発明の、これらおよび他の態様および利点が、以下の詳細な説明および一例として本発明の特徴を示す添付図面から明らかになるであろう。
本発明による一体型電源LEDのブロック図である。 本発明による一体型駆動回路LEDパッケージの一実施形態の概略断面図である。 本発明による一体型駆動回路LEDパッケージの別の実施形態の概略断面図である。 一体型駆動回路を有するLEDを含む本発明の一実施形態によるピン配列構成の概略図である。 LEDと一体化したステップダウンコンバータおよび電流源駆動回路を有する本発明の一実施形態の概略図である。 本発明によるLEDパッケージの一実施形態の断面図である。 本発明によるLEDパッケージの別の実施形態の断面図である。 本発明によるLEDパッケージのさらに別の実施形態の断面図である。
一般に、本発明は、集積回路設計を含むLEDパッケージを説明する。具体的には、本発明は、電源電圧をLEDの動作電圧と一致させるための集積回路を含むLEDパッケージ、そのような集積回路を含むLED、そのようなパッケージを含むシステム、そのようなパッケージにおいて電源電圧と動作電圧とを一致させる方法、およびパッケージ化LEDの発光特性を制御するためのシステムを説明する。集積回路は、一般に、電力コンバータおよび定電流回路を含む。他の実施形態では、パッケージは、内部素子または外付け素子のためのピン配列、変圧器および整流器、または整流回路などの他の能動素子または受動素子も含んでよい。LEDパッケージに電源および電流制御素子を組み込むと、必要なデバイス固有素子の数がより少ない、より小さなLEDパッケージの製造を提供することができる。
本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を図面とともに解釈するとき、また特許請求の範囲から、明らかになるであろう。以下の説明は、本発明を実施するために企図された最善の様式を表す本発明の好ましい実施形態を示す。この説明は、限定する意味で解釈されるのでなく、単に、その範囲が添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の一般的な原理を説明する目的でなされる。
後述される実施形態の詳細を扱う前に、いくつかの用語が定義され、あるいは明確にされる。本明細書で用いられる場合、用語「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」またはそれらの他の変形は、排他的でない含有を含むように意図されている。例えば、要素のリストを備えるプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの要素だけに制限されず、明確に列挙されていない他の要素、あるいはそのようなプロセス、方法、物品、または装置に固有の他の要素を含んでよい。さらに、それと反対に、「または」は、明確に表明されるのでなければ、排他的論理和ではなく包含的論理和を指す。例えば、条件AまたはBは、Aが真(または存在する)かつBが偽(または存在しない)、Aが偽(または存在しない)かつBが真(または存在する)、ならびに、AおよびBの両方が真(または存在する)であることのうちの任意の1つによって満足される。
また、「a」または「an」の使用は、本発明の要素および素子を説明するために用いられる。これは、単に便利のよいように、また、本発明の一般的な意味を与えるために行われる。この記述は、1つまたは少なくとも1つを含むものと解釈されるべきであり、また、単数は、別様に意味することが明白でなければ複数も含む。
本明細書に用いられる技術用語および科学用語は、別様に定義されなければ、すべて本発明が属する技術の当業者によって普通に理解されるのと同じ意味を有する。本明細書で用いられる定義は、説明される特定の実施形態を指すものであり、また、限定するものと解釈されるべきではなく、本発明は、他の記述されていない実施形態の等価物を含む。本発明の実行またはテストで本明細書に説明されたものに類似または同等の方法および材料を用いることができるが、適当な方法および材料が後述される。さらに、材料、方法、および実施例は、単に例示であり、限定するようには意図されていない。
次に、本発明を説明するが限定するものではない実施形態の、より具体的な詳細に注目する。
本発明は、1つまたは複数の、定電流電源のより小さな能動素子および受動素子がLEDと同じパッケージ内に一体化されているLEDパッケージを提供する。好ましくは、大きな受動素子だけがLEDの外部に残されるように、電源のすべての能動素子ならびに小型化され得る受動素子はLEDパッケージに組み込まれる。しかし、これらの大きな素子が技術的進歩によってさらに小型化されたときに、本発明に従って、これらの素子もLEDと同じパッケージに一体化され得ることが理解される。
本発明による一体型LEDパッケージ10の一実施形態が、電圧コンバータ12、定電流回路14、およびLEDダイ/チップ(「LED」)16の3つの機能ブロックを含むものとして図1のブロック図の形で示されている。この図中の矢印は、これらの3つのブロック内で電流が流れ得る方向を示す。この一体型LED構成によって、各LEDの導入または用途のための個別の電圧コンバータまたは電流制御回路を含有または設計する必要性が解消され、エンドユーザにとって、LEDの導入および使用がはるかに簡単になる。電圧変換回路および定電流回路に必要な、より大きな素子は、図1の機能ブロック12または14に含むことができ、あるいは、他の実施形態では、個別の機能ブロックに含むことができる。
電圧コンバータおよび定電流回路の素子は、本発明によるLEDパッケージ内に様々な手法で配置することができる。これらの素子はLEDと同一の半導体基板上に形成することができ、あるいは1つまたは複数の個別の電力半導体のダイまたは基板(「電力基板」)上に形成することができる。次いで、電力基板は、1つまたは複数のLEDとともに同一の電子パッケージに組み込むことができる。電力基板およびLEDは、垂直配置(例えば積層ダイ)または水平配置などの様々なやり方で配置され得る。
図2Aは、サブマウント22、電力基板24、およびLED26を含む本発明による積層LEDパッケージ20の一実施形態を示す。どちらも既知の実装方法を用いて、電力基板24がサブマウント22上に実装され、LED26が電力基板24上に実装される。結果として得られる構造は、サブマウント22とLED26との間に電力基板24を挟んでおり、これらの素子間のワイヤボンド28が、適切な電気的相互接続をもたらし、これらの素子間で電気信号を伝導させる。
図2Bは、積層パッケージ20内の素子と類似の素子を含む、本発明によるパッケージ30の別の実施形態を示す。本明細書では、類似の素子については同一の参照数字が用いられる。パッケージ30は、サブマウント22、電力基板24、LED26およびワイヤボンド28を含む。しかし、この実施形態では、電力基板24およびLED26は、サブマウント22上で水平に配置される。すなわち、LED26は、サブマウント22に電力基板24と隣接して実装される。これらの素子も、本発明による多くの他のやり方で実装され得ることが理解される。
電圧変換回路および定電流回路は、本明細書では詳細に論じない既知の半導体製造プロセスを用いて電力基板上に製作することができる。これらの回路は、既知の材料で製作された基板上の既知の半導体材料系から形成することができる。
本明細書では、LEDを参照しながら本発明が説明されているが、本発明は、1つまたは複数の半導体層を含むレーザダイオードまたは他の半導体デバイスに適用可能であることが理解される。LEDの製造および動作は、当技術分野で広く知られており、本明細書では簡単にしか論じない。LEDの層は既知のプロセスを用いて製作することができ、適当なプロセスは、有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて製造するものである。LEDの層は、一般に、第1および第2の反対にドープされたエピタキシャル層の間に挟まれた活性層/活性領域を備え、それらのすべてが成長基板上に次々に形成される。バッファ、核形成、接触層および電流拡散層ならびに光抽出層および光抽出要素を含むがこれらには限定されないLEDに、追加の層および要素が含まれ得ることが理解される。活性領域は、単一量子井戸(SQW)、多重量子井戸(MQW)、ダブルヘテロ構造または超格子構造を備えることができる。
LED26の層は、別々の材料系から製作されてよく、好ましい材料系はIII族の窒化物ベースの材料系である。III族の窒化物は、窒素と、通常はアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、およびインジウム(In)である周期律表のIII族の要素との間で形成された半導体化合物を指す。この用語は、アルミニウム窒化ガリウム(AlGaN)およびアルミニウムインジウム窒化ガリウム(AlInGaN)などの第3化合物および第4化合物を指す。好ましい実施形態では、反対にドープされたエピタキシャル層は窒化ガリウム(GaN)を含み、活性領域はInGaNを含む。代替実施形態では、反対にドープされた層は、AlGaN、砒化アルミニウムガリウム(AlGaAs)またはアルミニウムガリウム砒化インジウムリン化物(AlGaInAsP)でよい。
成長基板は、サファイア、炭化シリコン、窒化アルミニウム(AlN)、GaNなど多くの材料で製作することができ、適当な基板は炭化シリコンの4Hポリタイプであるが、3C、6Hおよび15Rのポリタイプを含む他の炭化シリコンポリタイプを用いることもできる。炭化シリコンは、サファイアより、III族の窒化物に調和するより近い結晶格子などの一定の利点を有し、より高品質のIII族の窒化膜をもたらす。炭化シリコンは、非常に高い熱伝導率も有し、その結果、炭化シリコン上のIII族の窒化物デバイスの総出力電力が、(サファイア上に形成された、いくつかのデバイスの場合のように)基板の熱散逸によって制限されることがない。SiC基板は、ノースカロライナ州ダーラムのCree Research Inc.から入手可能であり、SiC基板を作製する方法は、科学文献ならびに特許文献1、特許文献2、および特許文献3に説明されている。
好ましくは蛍光体であるダウンコンバージョン材料によってLED26をコーティングすることができることが、さらに理解される。スピンコーティング、電気泳動堆積、静電堆積、プリント、インクジェットプリントまたはスクリーンプリントなどの様々なプロセスを用いて蛍光体コーティングを施すことができる。本発明によるLEDをコーティングするのに、多くの異なる蛍光体を用いることができる。本発明は、白色光を発するLEDパッケージに特に適合される。本発明による一実施形態では、LED26は、その活性領域から青色の波長スペクトルの光を発することができ、蛍光体が青色光のいくらかを吸収して黄色を再発光する。LED26は、青色光と黄色光との組合せである白色光を発する。Y3Al512:Ce(YAG)などの(Gd,Y)3(Al,Ga)512:Ceシステムベースの蛍光体で製作された変換粒子を用いて広範な黄色スペクトル放射の全帯域が可能であるが、一実施形態では、蛍光体は市販のYAG:Ceを含む。しかし、他の黄色の蛍光体も用いることができ、また、その他の蛍光体または材料をコーティングに用いることができることが理解される。
サブマウント22は様々な材料で形成されてよく、好ましい材料は、電気的に絶縁するものである。適当な基板材料は、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムなどのセラミック材料を含むが、これらには限定されない。サブマウント22は、電気的パターンおよびLED実装パッドも含むことができ、LED26は実装パッドに実装され、電気的パターンは、LED26への電気的接続のための導電性パスをもたらす。電気的パターンは、LED26への、直接の電気的接続(ワイヤボンドなし)、またはパターンのうちの1つとLEDとの間の1つまたは複数のボンドワイヤによる電気的接続をもたらす。
前述のように、LEDを駆動するには、電圧変換または定電流電源のために大きな受動電気素子(例えばコイル、変圧器、コンデンサ)が必要なこともある。他の実施形態では、1次電源がAC(交流)であると、変圧器または整流回路のような、ACからDCへの個別の変換デバイスも必要になることがある。いくつかの実施形態では、これらの回路のすべてまたは一部はLEDパッケージに組み込むことができるが、他の実施形態では、これらの素子のサイズがLEDパッケージ自体より大きいことがある。これらの実施形態では、プリント回路基板の導電性パターンを介するものなど既知の相互接続方式を用いてこれらのより大きな外付け素子への外部接続を可能にするピン配列が、LEDパッケージの一部分として含まれ得る。ピン配列は多くの異なるやり方で構成することができ、図3は、一体型の電圧コンバータおよび定電流回路を有するLEDパッケージ向けのピン配列構成を有する本発明によるLEDパッケージ30の一実施形態を示している。C+のピン31、C−のピン32、L+のピン34、およびL−のピン35が、必要な受動素子に使用され得て、また、LED電流の設定および減光制御を可能にするために、追加のピン配列が必要なことがある。通常のLEDには、比較すると、アノードVin+の37およびカソードVin−の38の接続しかないはずである。
本発明による様々な実施形態では、電圧コンバータ素子および相互接続の選択は、変換されるべき入力電圧が、所望の動作電流でLEDを駆動するのに必要な電圧より大きいか、より小さいか、あるいは、より大きいものからより小さいものへと変化するのか、といったことに左右される。本発明とともに使用するのに適当なコンバータの限定的でない実施例には、入力電圧がLED電圧より大きいときに使用されるステップダウン(バック(buck))コンバータ、入力電圧がLED電圧より小さいときに使用されるステップアップ(ブースト)コンバータ、入力電圧が、LED電圧を上回る電圧からLED電圧未満へ変化することがある状況で(例えば入力電圧を供給する電池が、LED電圧を上回る電圧から始まるが、使用とともにLED電圧未満へ低下するときに)使用されるバックブーストコンバータ、ならびにフライングコンデンサまたはチャージポンプ、線形の電圧レギュレータが含まれる。これらの回路は当技術分野で広く知られており、これらの回路の一実施例が図4に示され、以下で論じられる。
本発明の定電流回路は、LEDダイと直列の限流抵抗器と同じくらい基本的であり得るが、これは、定電流を生成する最も効率的な方法ではないことがある。本発明に適当な他のタイプの定電流回路は、JFET電流源ならびに演算増幅器を使用する電流検知およびフィードバックを有する線形レギュレータを限定することなく含み、これらのすべては当技術分野で広く知られている。
図4は、ステップダウンコンバータ42および外付け受動素子48を含む電圧コンバータ41を備える本発明によるLEDパッケージ40の一実施形態の概略図である。パッケージ40は、定電流源回路44およびLED46をさらに備える。図示の実施形態では、前述のように、コンバータ42、LED46および回路44がLEDパッケージ40に組み込まれる。外付けの受動的外付け素子48は、LEDパッケージ40に組み込まれないが、図3に示された前述のピン配列を介するなどしてLEDパッケージ40に結合することができ、電圧コンバータ41が完結する。前述のように、変圧器などの大きな受動素子は、技術的進歩によってさらに小型化されるにつれて、LEDパッケージ40に一体化され得る。
前述のように、多くの異なる電圧コンバータが本発明で使用され得て、電圧コンバータ42は、ステップダウン(バック)電圧コンバータを備える。多くの異なる素子が電圧コンバータ42に使用され得て、電圧コンバータ42は、図示のように、トランジスタ50、発振器52およびダイオード54を備え、これらは示されたように相互接続されている。外付け素子48は、多くの異なる素子も備えてよく、図示の実施形態は、コイル56およびコンデンサ58を備える。電圧コンバータ42のステップダウン動作は当技術分野で広く知られており、本明細書では簡単にしか論じない。電圧コンバータ42のステップダウン動作は、一般に、外付け素子48上のコイル56とトランジスタ50およびダイオード54の動作との協同からもたらされるものである。発振器52は、トランジスタ50がいつオン状態を制御し、オン状態のとき、VL=Vi−Voとなる電圧VLがコイル50に印加される。このオン状態の間中、コイル50を通る電流は直線的に上昇し、入力電圧によってダイオード54に逆バイアスがかかり、その結果、ダイオードを通る電流はない。発振器52によってトランジスタ50がオフ状態になるとき、ダイオード54に順方向バイアスがかかり、コイル50の電圧VLは、VL=−Voである(ダイオードの電圧降下は無視している)。したがって、コイルを通る電流が減少する。この動作から、出力電圧Voは、入力電圧Viのデューティサイクル(発振器52のデューティサイクルによって制御される)とともに直線的に変化する。そこで、例えば、出力電圧が入力電圧の4分の1に等しくなるように出力電圧をステップダウンするには、約25%のデューティサイクルを有する発振器が必要とされることになる。
定電流回路44は、図示のようにLED46に結合され、LED46を通って流れる比較的一定の電流を維持する。本発明によれば、多くの異なる定電流回路が使用され得て、図示の回路44は、接合型電界効果トランジスタ(JFET)60を備える。当技術分野で広く知られているように、JFETは、図示のようにゲートをソースに結合することにより、電流源として作用させることができる。次いで、流れる電流は、JFETのIDSSである。上記で論じたように、様々な実施形態で、既知のブーストコンバータなどの様々な電圧コンバータおよび定電流回路を使用することができ、このブーストコンバータも、LEDおよび電流源を駆動するために入力側からの電圧をより高いレベルへ高めるのに外付けのコイルおよびコンデンサを必要とすることがある。他の実施形態では、LEDへの供給電流が一定になるように発振器のデューティサイクルを制御するのに、電流検出抵抗ならびに検出およびフィードバックの回路でJFETを置換することができる。
本発明は、多くの異なるパッケージタイプで用いることができ、LEDパッケージ70の一実施形態が図5に示されている。パッケージ70は、サブマウント72、電力基板74、LED76、およびワイヤボンド78を含み、これらは、図2bに示されて上記で説明されたものと似ている。パッケージ70は、LED80によって発生した光が反射されて、反射光がパッケージ70からの有効な光放射に寄与することができるように配置された反射カップ80をさらに備える。反射カップは、LED76からの光を反射/散乱する材料で製作することができる。プラスチックを含む高溶融温度材料などの多くの異なる材料が用いられ得る。
パッケージ70は、反射カップ80内の領域を満たしサブマウント72の表面を覆うカプセル材料82、ならびに電力基板74、LED76およびワイヤボンド78も備える。シリコンまたはポリマーを含むがこれらには限定されない多くの異なる材料が、カプセル材料に用いられ得る。カプセル材料82上にレンズ84が含まれ、カプセル材料は、好ましくは高い光透過率およびレンズ84の屈折率と一致もしくはほぼ一致する屈折率を有する高温ポリマーである。レンズは、ガラス、水晶、透明な高温プラスチック、シリコンまたはこれらの材料の組合せなどの多くの異なる光透過材料で製作することができる。レンズ84は、好ましくはカプセルの材料82の最上部に付着して配置される。この配置によって、効率的な動作に必要な多数の電子素子を一体化する頑丈なLEDパッケージ70がもたらされる。
図6は、上記で説明されたLEDパッケージ70内のものに類似のLED76、ワイヤボンド78、反射カップ80、カプセル材料82、およびレンズ84を有する本発明によるLEDパッケージ90の別の実施形態を示す。この実施形態はサブマウント92も備えるが、電圧コンバータおよび定電流回路素子は、個別の電力基板の代りに、堆積領域94内のサブマウント92の一部分として製作される。これらの回路素子は、既知の半導体製造プロセスを用いて製作することができ、サブマウント92は、半導体材料の形成と互換性がある多くの異なる材料で製作することができる。堆積領域94は、サブマウント92の底部に示されているが、他の領域に配置することができる。サブマウント92は、堆積領域94からLED76に電気信号を伝達するために導電性バイア96も備えることができる。サブマウント92上でLED76の反対側に電圧変換および定電流の回路要素を有することによって、パッケージの動作中の発熱を低減することができる。
図7は、これも、上記で説明されたLEDパッケージ70内のものに類似のLED76、ワイヤボンド78、反射カップ80、カプセル材料82、およびレンズ84を有する本発明によるLEDパッケージ100の別の実施形態を示す。この実施形態も、電圧コンバータおよび定電流回路素子が堆積された堆積領域104を有するサブマウント102を備える。しかし、この実施形態では、堆積領域は、LED76と同一のサブマウント104表面上にある。LED76は、図示のように、堆積領域104上に直接、電気接触を伴って実装することができ、あるいは、他の実施形態では隣接して実装することができる。
本発明は、光電子デバイス、電子デバイス、および半導体デバイスを含むがこれらに限定されない複数の様々なデバイスタイプを製作するのに用いることができる。本発明によるパッケージの素子の配置または構成は、電力基板もしくは堆積領域、およびLEDによって生じた熱の影響を最小限にするように設計されてよい。熱放散を助長する構成の限定するものではない実施例に、高い熱伝導率を有するチップ素子を使用し、電力基板または堆積領域を前述のようにパッケージの底部に配置するものが含まれる。これらの機構は、電気信号を接続するのにバイアを必要とすることがあるが、回路がLEDから分離されるので、一般に、他のタイプのデバイスパッケージより優れた熱放散を有する。
本明細書で、本発明が、LEDと組み合わせて使用される単一の電力基板または堆積領域を参照しながら説明されてきたが、複数の電力基板または堆積領域も使用され得ることが理解される。本明細書で説明されたそれぞれのLEDパッケージは、(例えば赤色、緑色および青色の光線を発するために)同一または異なる光の色/波長を発する他の発光体または複数のLEDとともに使用され得ることがさらに理解される。これは、LED向けに、様々な機能素子または電流レベルを必要とすることがある。
本明細書で説明された実施形態および実施例は、本発明の本質およびその実際の用途について説明し、それによって当業者が本発明を製作し、用いることを可能にするために示されたものである。しかし、当業者なら、前述の説明および実施例は、説明および例示だけのために示されていることを理解するであろう。説明された記述は、網羅することまたは開示された正確な形態に本発明を限定することを意図するものではない。上記の教示の観点から、次の特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく、多くの変更形態および変形形態が可能である。当業者なら、本発明が多くのタイプの照明システムに適用される得る可能性があることを理解するであろう。

Claims (21)

  1. 発光デバイスパッケージであって、
    少なくとも1つの動作電圧を有する少なくとも1つのLEDと、
    前記パッケージに組み込まれ、前記LEDに電気的に接続された、少なくとも1つの電圧レベルコンバータおよび少なくとも1つの定電流回路を備える回路と
    を備えることを特徴とする発光デバイスパッケージ。
  2. 前記回路は、駆動回路であることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  3. 前記回路は、前記LEDへ少なくとも前記1つの動作電圧を供給することを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  4. 前記少なくとも1つの電圧コンバータは、直流電圧コンバータ、チャージポンプ、スイッチモード電源、およびそれらの組合せから成る群から選択されることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  5. 少なくとも1つの変圧器および少なくとも1つの整流器をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  6. 少なくとも1つの第1の電気的コネクタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパッケージ。
  7. 前記少なくとも1つの第1のコネクタは、少なくとも1つの電源への電気的接続をもたらすことを特徴とする請求項6に記載のパッケージ。
  8. 前記少なくとも1つの第1のコネクタは、少なくとも1つの制御システムへの電気的接続をもたらすことを特徴とする請求項6に記載のパッケージ。
  9. 前記少なくとも1つの制御システムは、少なくとも1つのLED電流に対する制御をもたらすことを特徴とする請求項8に記載のパッケージ。
  10. 前記少なくとも1つの制御システムは、前記LEDが発した光の少なくとも1つの特性に対する制御をもたらすことを特徴とする請求項8に記載のパッケージ。
  11. 前記少なくとも1つの制御システムは、シリアルバス、パラレルバス、およびそれらの組合せの少なくとも1つを介して前記パッケージに接続されることを特徴とする請求項8に記載のパッケージ。
  12. 請求項1に記載のデバイスパッケージを備えることを特徴とするパッケージ化LED。
  13. 請求項1に記載のパッケージを備えることを特徴とする発光システム。
  14. 少なくとも1つの電源をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
  15. 少なくとも1つの制御システムをさらに備えることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
  16. 前記制御システムは、前期パッケージに接続され、前記LEDが発した光の少なくとも1つの特性に対する制御をもたらすことを特徴とする請求項15に記載のシステム。
  17. 前記少なくとも1つの制御システムは、シリアルバス、パラレルバス、およびそれらの組合せの少なくとも1つを介して前記パッケージに接続されることを特徴とする請求項15に記載のシステム。
  18. 前記LEDに組み込まれ、前記LEDに電気的に接続された、少なくとも1つの電圧レベルコンバータおよび少なくとも1つの定電流回路を備えることを特徴とするLED。
  19. 電源から駆動回路へ第1の電圧レベルを供給するステップを含む、電源電圧をLEDの動作電圧に一致させる方法であって、
    前記回路は前記LEDへ組み込まれ、
    前記回路は、前記LEDに電気的に接続され、前記LEDへ第2の電圧レベルを供給することを特徴とする方法。
  20. 前記第2の電圧レベルは、ほぼ前記第1の電圧レベル未満であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
  21. 前記第2の電圧レベルは、前記LEDの前記動作電圧と一致することを特徴とする請求項19に記載の方法。
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