CN104023432A - 具有集成恒流驱动器的发光器件 - Google Patents

具有集成恒流驱动器的发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN104023432A
CN104023432A CN201410115128.2A CN201410115128A CN104023432A CN 104023432 A CN104023432 A CN 104023432A CN 201410115128 A CN201410115128 A CN 201410115128A CN 104023432 A CN104023432 A CN 104023432A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
encapsulation
circuit
current
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410115128.2A
Other languages
English (en)
Inventor
R·安德伍德
吴益逢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Lighting Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Lighting Co filed Critical Cree Lighting Co
Publication of CN104023432A publication Critical patent/CN104023432A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H05B45/3725—Switched mode power supply [SMPS]
    • H05B45/375—Switched mode power supply [SMPS] using buck topology
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/395—Linear regulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13062—Junction field-effect transistor [JFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H05B45/3725—Switched mode power supply [SMPS]
    • H05B45/38—Switched mode power supply [SMPS] using boost topology
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本发明叙述一种包含使电源电压与发光器件的工作电压匹配的集成电路的LED组件、包含所述集成电路的LED、包含所述组件的系统、以及使电源电压与工作电压匹配的方法。所述集成电路典型地包含电源转换器和恒流电路。所述LED组件还可包含其它的有源或无源元件，诸如集成或外部元件用的引出线、变压器和整流器、或整流电路。外部元件可以包括控制系统，其用于调节LED电流水平或由LED发出的光的特性。将电源和电流控制元件并入LED内可以容许制作较小的LED，其使用较少和较不设备专用的元件。

Description

具有集成恒流驱动器的发光器件
本申请是优先权日为2007年7月17日、申请号为200880107268.8，发明名称为“具有集成恒流驱动器的发光器件”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体器件，更具体地说，涉及发光器件和具有集成驱动电子设备的发光器件的制造方法。
背景技术
发光二极管和激光二极管是众所周知的固态电子设备，在施加足够电压下，其可产生光。发光二极管和激光二极管，可概称为发光器件(LED)。发光器件通常包括PN结，其在外延(epi)层内形成，例如在诸如蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)等等的衬底上生长的氮化镓(GaN)。由LED产生的光的波长分布取决于制造PN结所用的材料以及包含器件活性区的薄外延层的结构。商用的高效率LED通常用两类III-V族半导体材料来制造。基于III族氮化物(III-N)的材料用于紫外线至蓝绿色的色域，而III族砷磷化物(III-AsP)则用于黄色至红外线的色域。
目前业已有许多人对用基于III族氮化物的材料体系形成的LED极有兴趣，这归因于其独特的材料特性组合，包括击穿电场高、禁带宽(氮化镓(GaN)在室温下为3.36eV)、导带偏移大和饱和电子漂移速度高。掺杂和活性层通常在衬底上形成，所述衬底可用不同的材料制作，诸如硅(Si)、碳化硅(SiC)和蓝宝石(Al2O3)。对于这些类型的异质结构而言，往往会优先选有SiC圆片，因为其紧密得多的晶格与III族氮化物相配，使III族氮化物薄膜具有较高的质量。SiC还具有极高的热导率，以致在SiC上的III族氮化物器件的总输出功率不会受限于晶圆的热阻(正如一些在蓝宝石或Si上形成的器件的情况那样)。此外，半绝缘SiC圆片的可用性使器件能绝缘和可减少寄生电容，使商用器件成为可能。
LED为消耗电流器件，其通常要求恒流式直流电源作有效和稳定的操作(例如提供和维持输出亮度和颜色)。能够使电子系统的电压与LED的所需电压相配的恒流电源可以具有多种形式，但其要求由有源元件(例如晶体管、振荡器、运算放大器)以及线性和非线性无源元件(例如二极管、热敏电阻器、电感器、电容器、电阻器)组成的电路。为了使效率高，输入电压应该尽量及尽可能地与LED的工作电压相配。
在电子设备内的典型电源通常为电压电源，诸如电池、燃料电池、或从AC电源提供直流电压的整流或开关式电源。LED电路通常包括一或多个与电感器和电容器连接的晶体管、振荡器、或放大器，以提供恒定电流。在目前的LED工艺中，供电(电源)和电流控制元件与LED的本体是分离的，该些工艺具有以下的一或多个与电源和控制元件相关的缺点：
(a)电源的电压与LED的工作电压通常不相配；
(b)考虑到电压电源的操作，LED的工作电压—即使是那些来自同一制造商以及具有相同型号和批次，通常都不太匹配；
(c)对于不熟悉恒流电路的设计的潜在LED使用者而言，实现在LED外部的驱动电路可能大成问题；
(d)在空间有限的应用中，不能考虑在LED外部的电源。
发明内容
简单来说，大体上，本发明涉及一种集成电路，其用于匹配电子系统的电源电压与LED要求的工作电压。可以制造集成LED封装以提供较小的电子元件容器，其具有端子以提供电和/或光入口。本发明从而提供一种电源电压操作装置，以便使电源电压与LED的工作电压相配，而且有助于为任何特定类型的LED排除对独立式电源或电流控制电路的需要或设计。
本发明可用于种种要求照明的场合，包括但不限于普通的照明灯具、便携式电子设备以及个人照明。
具体地说，本发明将LED的电源和电流控制元件集成入较少数的元件中；LED/有源驱动器和所需的外部无源元件。让若干电源电路并入LED内可简化具有恒压电源的LED的使用。例如，潜在的LED使用者就无需设计或拥有独立的电源或电流控制电路。虽然仍须为特定的设备或设备类型来选择适用于现有输入电压及LED所需电流驱动器的无源元件，一般而言，这比设计整个电源电路更容易。
在本发明的其中一个方面，其涉及一种发光器件封装，其中至少一LED、至少一电压电平转换器和至少一恒流电路电连接及并入所述封装内。在另一方面，该发光器件还包括至少一电连接件。在又一方面，该电连接件提供通往至少一电源的电连接。在再一方面，该电连接件提供通往至少一控制系统的电连接。在另一方面，该控制系统提供对至少—LED电流的控制。在又一方面，该控制系统提供对所述LED发出的光的至少一特性的控制。
在另一方面，本发明涉及一种封装LED，其具有至少一集成电压电平转换器和至少一恒流电路，所述转换器和所述恒流电路并入及电连接所述LED。在又一方面，本发明涉及一种包括所述封装LED的发光系统。在另一方面，所述发光系统包括至少一电源。在再一方面，所述发光系统包括至少一控制系统。在另一方面，所述控制系统与所述封装LED连接，并提供对所述LED发出的光的至少一特性的控制。。
在另一方面，本发明涉及一种LED，其具有至少一电压电平转换器和至少一恒流电路，所述转换器和所述恒流电路并入及电连接所述LED。
在又一方面，本发明涉及一种通过向驱动电路提供源自电源的电压电平使电源电压与LED的工作电压匹配的方法，其中所述驱动电路并入及电连接所述LED以及向所述LED提供电压电平。在另一方面，由所述驱动电路提供的电压电平相类于或低于由所述电源提供的电压电平。在又一方面，由所述驱动电路提供的电压电平与所述LED的工作电压相匹配。
藉由以下的通过范例说明本发明特征的详细叙述和附图，本发明的这些和其它方面及优点就会变得显而易见。
附图说明
图1所示为根据本发明的集成电源LED的框图。
图2A所示为根据本发明的集成驱动器LED组件的实施例的示意截面图。
图2B所示为根据本发明的集成驱动器LED组件的另一实施例的示意截面图。
图3所示为根据本发明的包含具有集成驱动器的LED的实施例的引出线结构的示意图。
图4所示为根据本发明的具有与LED集成的降压转换器和电流源驱动器的实施例的示意图。
图5所示为根据本发明的LED组件的实施例的截面图。
图6所示为根据本发明的LED组件的另一实施例的截面图。
图7所示为根据本发明的LED组件的又一实施例的截面图。
具体实施方式
大体上，本发明叙述一种包含集成电路的LED组件。具体而言，本发明叙述一种包含使电源电压与LED的工作电压匹配的集成电路的LED组件、包含所述集成电路的LED、包含所述组件的系统、使所述组件内的电源电压与工作电压匹配的方法、以及封装LED的发射特性的控制系统。所述集成电路典型地包含电源转换器和恒流电路。在其它实施例中，所述组件还可包含其它有源或无源元件，诸如内部或外部元件的引出线、变压器和整流器、或整流电路。将电源和电流控制元件并入LED组件内可以容许制作较小的LED封装，其要求较少和设备专用性较低的元件。
通过以下的详细说明并连同附图和权利要求，本发明的其它特征和优点就会变得显而易见。以下说明提出的本发明的较佳实施例，表示了设想的实现本发明的最佳模式。该说明不是要用于起限制的意思，其目的只是作为叙述本发明的一般原理，本发明的保护范围由所附的权利要求来限定。
在提出下述的实施例的细节之前，要限定或阐明有些术语。本文所用的术语“包括”、“包含”、“具有”、“设有”或任何其它变化语，是用来覆盖非独占性内含物。例如，一种包括一列单元的过程、方法、物品或器具，并非一定仅限于该些单元，而是可包括没有明确列出或属于所述过程、方法、物品或器具固有的其它单元。此外，“或”指的是可兼的或而不是不可兼的或，除非文中明确说明有相反情况。例如，条件A或B可通过下列的任一来满足：A为真(或存在)和B是假(或不存在)，A为假(或不存在)和B为真(或存在)以及A和B皆是真(或存在)。
此外，本文使用“壹”或“一”来叙述本发明的单元和构件。这样做只是为了方便，并在普通意义上限定本发明。该叙述应理解为包括一个或至少一个，而单数也包括复数，除非很明显可看出它有其它含义。
除非另有规定，本文所用的所有技术和科学术语具有的含义与本领域的普通技术人员所公知的相同。本文所用的限定，涉及的是所述的具体实施例，而且并非是限制性的；本发明包括其它未述的实施例的相等物。虽然在实践或测试本发明时可使用与本文所述相类或相同的方法和材料，下文仍将叙述适用的方法和材料。此外，所述材料、方法和实例只作为范例，而不应用作为对本发明的限制。
现在将注意力集中于更具体的实施例细节，其用作说明而不是限制本发明。
本发明提供一种LED组件，其中恒流电源的一或多种较小的有源和无源元件集成在所述组件内作为LED。最好的是，电源的所有可微型化的有源元件和无源元件都并入所述LED组件内，以致于只有体积大的无源元件保留在所述LED的外部。然而，应该明白，随着该些体积大的元件通过技术改进而进一步微型化时，该些元件也可与LED并入根据本发明的同一组件内。
图1的框图所示为根据本发明的集成LED组件10的实施例，其包含三个功能块：电压转换器12、恒流电路14和LED小片/芯片(“LED”)16。图中的箭头所示为在该些功能块内的电流的可能的流动方向。该种集成LED结构无需为每一LED安装或应用来包含或设计独立的电压转换器或电流控制电路，使到终端用户更容易安装和使用LED。电压转换和恒流电路所必需的体积较大的元件可包含在图1中的功能块12或14之内，或者在其它实施例中，其可包含在分离的功能块之内。
根据本发明，电压转换器和恒流电路的元件可以许多不同的方式设置在在LED组件内。该些元件可与LED在同一半导体衬底上形成，或者可在一或多块分离的功率半导体芯片或衬底(“功率衬底”)上形成。功率衬底然后可与一或多个LED并入同一电子组件内。功率衬底和LED可以许多不同的方式设置，诸如垂直设置(例如层迭芯片)或横向设置。
图2A所示为根据本发明的层迭式LED组件20的实施例，其包括下支承件22、功率衬底24、和LED26。功率衬底24安装在下支承件22上，而LED26则安装在功率衬底24上，均使用公知的安装方法。由此产生的结构使到功率衬底24夹在下支承件22和LED26之间，通过元件之间的引线接续线28提供适当的电互连以及在元件之间传导电信号。
图2B所示为根据本发明的组件30的另一实施例，其包括的元件类似于层迭式组件20中的那些元件。本文对相似的元件会使用相同的附图标记。该组件30包括下支承件22、功率衬底24、LED26和引线接续线28。不过，在该实施例中，功率衬底24和LED26横向地设置在下支承件22上。也就是说，LED26安装在下支承件22上，并靠近功率衬底24。应该明白，根据本发明，该些元件还可以许多其它方式安装。
电压转换和恒流电路可通过公知的半导体制造工艺造在功率衬底上，本文在此不作详述。所述电路可通过公知的半导体材料体系在用公知材料制造的衬底上形成。
本发明在此参照LED作出叙述，但应该理解，本发明也适用于激光二极管或其它的包括一或多种半导体层的半导体器件。LED的制造和操作在本领域是众所周知，在本文只作简述。LED的层可用公知的工艺来制造，而使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)为一种合适的制造工艺。LED的层大体包括活性层/区，其夹设在第一和第二反向掺杂外延层之间，所有层皆相继地在生长衬底上形成。应该明白，LED也可以包含额外的层和元件，包括但不限于缓冲层、成核层、接触和电流散布层以及光提取层和元件。活性区可以包括单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)、双异质结构或超晶格结构。
LED26的层可从不同的材料体系制造，而较佳的材料体系为基于III族氮化物的材料体系。III族氮化物指的是该些在氮和元素周期表第三组元素之间形成的半导体化合物，所述元素大体为铝(Al)、镓(Ga)，和铟(In)。该术语还涉及三元和四元化合物，诸如氮化铝镓(AlGaN)和氮化铝铟镓(AlInGaN)。在较佳的实施例中，反向掺杂外延层包括氮化镓(GaN)，而活性区包括InGaN。在任选的实施例中，反向掺杂层可以为AlGaN、铝镓砷化物(AlGaAs)或铝镓砷化铟磷化物(AlGaInAsP)。
生长衬底可用许多材料制造，诸如蓝宝石、碳化硅、氮化铝(AlN)、GaN，而4H多型碳化硅为合适的衬底，虽然还可使用其它的多型碳化硅，包括3C、6H和15R多型碳化硅。碳化硅具有一定优势，例如其更紧密晶格比蓝宝石更匹配III族氮化物，导致更高质的III族氮化物薄膜。碳化硅还具有很高的热导率，所以碳化硅上的III族氮化物器件的总输出功率不会受限于衬底的散热(正如一些在蓝宝石上形成的器件受限散热的情况)。碳化硅衬底可得自位于美国北卡罗来纳州的Durham的Cree Research，Inc.，而其制造方法则在科学文献以及在美国专利号Re.34,861、4,946,547和5,200,022中提出。
还应理解的是，LED26也可以由下变换材料覆盖，最好是由磷光体。磷光体覆盖层的施加可使用不同的工艺，诸如旋涂、电泳沉积、静电积附、印刷、喷墨印刷或丝网印刷。可使用许多不同的磷光体来涂覆根据本发明的LED。本发明尤其适合于发白光的LED组件。在根据本发明的实施例中，LED26可从其活性区发出蓝色波长谱中的光，磷光体会吸收若干蓝光而重新发出黄光。LED26可发出组合蓝光和黄光的白光。在一个实施例中，磷光体包括市售的YAG：Ce，虽然通过使用由基于诸如Y3Al5O12：Ce(YAG)的(Gd，Y)3(Al，Ga)5O12：Ce系统的磷光体制造的变换粒子提供全范围的宽黄色光谱发射是可能的。然而，应该理解，还可以使用其它黄色磷光体，而且还可以使用其它磷光体或材料作覆盖层。
下支承件22可用许多不同的材料制成，较佳的为电绝缘材料。合适的衬底材料包括但不限于陶瓷材料，诸如铝氧化物或铝氮化物。该下支承件22还可包括电迹线和LED安装垫，LED26安装在安装垫上，而电迹线则为LED26提供用于电连接的传导路径。电迹线为LED26提供电连接，其可与LED直接(无引线接续线)连接，或通过在其中一条电迹线和LED之间的一或多条引线接续线。
如上所述，驱动LED还可能要求较大的用于电压转换或恒流电源的无源电子元件(例如电感器、变压器、电容器)。在其它的主动力源为交流电(AC)的实施例中，还可能需要独立的AC-DC转换器，诸如变压器或整流电路。在一些实施例中，所述电路的全部或一部分可以集成在内，而在其它实施例中，该些元件的尺寸可以比LED组件本身大。在该些实施例中，可以包括引出线，作为LED组件的一部分，其使连到该些较大外部元件的外接可使用公知的互连方案，诸如通过印刷电路板的导电迹线。引出线可以许多不同的方式配置，而图3所示为根据本发明的LED组件30的实施例，其具有用于LED组件的引出线结构，所述LED组件具有集成的电压转换器和恒流电路。引线C+31、C-32、L+34和L-35可用于要求的无源元件，为了设定LED电流和允许调光控制，有可能需要额外的引出线。比较起来，正常的LED只会具有正极Vin+37和负极Vin-38连接。
在根据本发明的不同实施例中，电压转换器元件和连接线路的选择要取决于待转换的输入电压是否大于、小于、或从大于变成小于在要求的工作电流下驱动LED所必需的电压。适用于本发明的非限制性的转换器例子包括降低(降压)转换器，其在输入电压大于LED电压时使用；升高(升压)转换器，其在输入电压小于LED电压时使用；降压升压转换器，其在输入电压可以从LED电压以上变化到LED电压以下的情况下使用(例如，当提供输入电压的电池的电压在开始时高于LED电压，但随着使用情况而下降到LED电压以下的时候)；以及快速电容器或电荷泵、线性稳压器。该些电路在本领域众所周知，图4所示为其中的一种，下文将对其作出论述。
本发明恒流电路基本上可为一与LED芯片串联的限流电阻，虽然这未必是产生恒定电流的最有效方法。适用于本发明的其它类型的恒流电路包括但不限于JFET电流源和具有电流检测和使用运算放大器的反馈的线性调节器，它们在本领域全都是众所周知的。
图4所示为根据本发明的LED组件40的实施例的示意图，其包括电压转换器41，所述转换器包括降压转换器42和外部无源元件48。该组件40还包括恒流源电路44和LED46。在所示的实施例中，如上所述，转换器42、LED46和电路44集成于LED组件40内。在外部的无源外部元件48没有集成在LED组件40内，但其可耦合LED组件40以完成电压转换器41，诸如通过上述和图3所示的引出线。如上所述，体积大的无源元件，诸如变压器，在其通过技术进步而进一步微型化时，就可集成在LED组件40内。
如上所述，许多不同的电压转换器可用于本发明，而电压转换器42包括降低(降压)电压转换器。许多不同的元件可以用于电压转换器42，而所示的电压转换器42包括如图所示相互连接的晶体管50、振荡器52和二极管54。外部元件48还可以包括许多不同的元件，而所示的实施例包括电感器56和电容器58。电压转换器42的降压操作在本领域是公知的，在此只作简述。电压转换器42的降压操作是外部元件48中的电感器56与晶体管50和二极管54操作的合作的结果。振荡器52控制晶体管50何时处于接通状态，而在接通状态时，电压VL被施加到电感器56，同时VL=Vi-Vo。在该接通状态时，通过电感器56的线性地上升，而二极管54则由输入电压反向偏置，以致没有电流流过它。当晶体管50通过振荡器52达到关断状态时，二极管54正向偏置，而在电感器56的电压为VL=-Vo(忽略二极管压降)。相应地，通过电感器的电流下降。藉由该操作，输出电压Vo随输入电压Vi的占空度线性地变化，所述Vi的占空度受控于振荡器52的占空度。因此，举例来说，将输出电压降压以便其等于输入电压的四份之一将需要占空度约为25％的振荡器。
如图所示，恒流电路44与LED46耦合，并使流过LED46的电流保持相对恒定。根据本发明，可使用许多不同的恒定电流电路，而所示的电路44则包括结型场效应晶体管(JFET)60。正如本领域所公知，JFET可通过将其栅极与源极如图所示般连接而作用为电流源。然后流动的电流为JFET的IDSS。如上所述，在不同的实施例中，可以使用不同的电压转换器和恒流电路，诸如公知的升压转换器，其也可要求外部电感器和电容器，以将来自输入端的电压提高到较高的水平，以便驱动LED和电流源。在其它实施例中，JFET可用测流电阻器以及检测和反馈电路取代，以控制振荡器的占空度，以致到LED的电源电流是恒定的。
本发明可用于许多不同的封装类型，而图5所示为LED组件70的实施例。所述组件70包括下支承件72、功率衬底74、LED76和引线接续线78，类似于图2b所示和上文所述。所述组件70进一步包括反射杯件80，其设置成反射LED产生的光，使反射光能有助于从组件70发出的有用光。反射杯件可以使用能反射/散射来自LED76的光的材料制成。可以使用许多不同的材料，诸如高熔点材料，包括塑料。
所述组件70还包括密封剂82，其充填反射杯件80内的区域，覆盖下支承件72的表面以及功率衬底74、LED76和引线接续线78。许多不同的材料可用作密封剂，包括但不限于硅酮和聚合物。透镜84包含在密封剂82上，而密封剂材料最好是具有高的光透射率和折射率的高温聚合物，其匹配或接近匹配透镜84的折射率。所述透镜可用许多不同的光传递材料制造，诸如玻璃、石英、高温及透明塑料、硅酮或上述材料的组合。透镜84最好放置和粘附在密封剂82顶部。该种结构限定的LED组件70是坚固的，其可集成有效操作所需的很多电子元件。
图6所示为根据本发明的LED组件90的另一实施例，其具有LED76、引线接续线78、反射杯件80、密封剂82和透镜84，类似于上述LED组件70中的那些。该实施例还包括下支承件92，但代替分离的功率衬底、电压转换器和恒流电路，该些元件制成为作为下支承件92的一部分的沉积区94。所述的电路元件可以使用公知的半导体工艺来制造，而下支承件92可用与半导体材料成型相适合的许多不同材料来制造。所示的沉积区94在下支承件92的底部，但它可以设置于不同区域。下支承件92还可包括传导孔96以便将电信号从沉积区94传递到LED76。通过将下支承件92上的电压转换和恒流电路设在LED76的相反面，可以减少在组件操作时产生的热量。
图6所示为根据本发明的LED组件100的另一实施例，其也具有LED76、引线接续线78、反射杯件80、密封剂82和透镜84，类似于上述LED组件70中的那些。该实施例还包括具有沉积区104的下支承件102，其中电压转换器和恒流电路元件沉积在所述沉积区。但是，在该实施例中，所述沉积区与LED76在下支承件102的同一面上。如图所示，LED76可以直接安装在沉积区104上，并与所述沉积区电接触，或者，在其它的实施例中，其可以邻接沉积区104。
本发明可用于制造许多不同类型的器件，包括但不限于光电、电子、和半导体器件。根据本发明的组件的元件的这种配置或结构可以设计成将由功率衬底或沉积区和LED产生的热的影响最小化。有利于散热的结构的非限制性例子包括使用具有高导热性的芯片元件以及如上述般将功率衬底或沉积区放置在组件的底部。虽然该些结构可以要求通孔来连接电信号，它们通常比其它类型的器件封装具有更好的散热性，因为电路与LED是分开的。
应该理解，虽然本发明已在此参照与LED结合使用的单一功率衬底或沉积区作出叙述，但也可使用多个功率衬底或沉积区。还应该理解的是，在此叙述的每一LED皆可与其它的发射相同或不同颜色/波长的光的发射体或多个LED一起使用(例如为了要发出红光、绿光和蓝光)。这可能需要不同的用于LED的功能构件或电流水平。
本文提出的实施例和范例为的是说明本发明的特性及其实际应用，从而使本领域的普通技术人员可以制造和使用本发明。然而，本领域的普通技术人员会明白，提出以上的叙述和例子的目的只为了说明和举例。说明的目的不是要穷举或将本发明限定为明确的所揭示的形式。根据以上的启示，在不背离以下权利要求的精神和范围下，可以有许多变型和改型。本领域的技术人员会承认，本发明可应用到很多类型的照明系统。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
位于所述封装中的至少一个发光器件；以及
电路系统，所述电路系统包括并入所述封装内的电流转换器；
其中所述电路系统为所述发光器件提供至少一个工作电压。
2.如权利要求1所述的封装，进一步包括至少一个第一电连接件，其中所述至少一个第一电连接件提供与至少一个控制系统的电连接，以及其中所述至少一个控制系统通过串行总线、并行总线及其组合中的至少一项与所述封装连接。
3.如权利要求1所述的封装，其中所述电路系统包括控制电路。
4.如权利要求3所述的封装，其中所述控制电路包括至少一个振荡器和至少一个晶体管，被布置为使得所述振荡器控制所述晶体管中的至少一个何时处于导通状态。
5.如权利要求1所述的封装，其中所述电流转换器包括AC-DC转换器。
6.如权利要求1所述的封装，其中所述电流转换器包括至少一个整流器。
7.如权利要求1所述的封装，进一步包括至少一个恒流电路。
8.一种发光器件封装，包括：
至少一个发光器件，具有至少一个工作电压；以及
电路系统，所述电路系统包括至少一个电压电平转换器和至少一个恒流电路，其中所述至少一个转换器和所述至少一个恒流电路并入所述封装内以及与所述发光器件电连接，进一步包括至少一个第一电连接件，其中所述至少一个第一电连接件提供与至少一个控制系统的电连接，其中所述至少一个控制系统通过串行总线、并行总线及其组合中的至少一项与所述封装连接。
9.如权利要求8所述的封装，其中所述电路系统为所述发光器件提供至少一个工作电压。
10.一种发光器件封装，包括：
位于所述封装中的至少一个发光器件；以及
电路系统，所述电路系统包括并入所述封装内的控制电路，所述控制电路包括具有占空比的至少一个振荡器以及至少一个检测和反馈电路，所述至少一个检测和反馈电路被配置用于控制所述振荡器的占空比。
CN201410115128.2A 2007-07-17 2008-07-11 具有集成恒流驱动器的发光器件 Pending CN104023432A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/879,665 2007-07-17
US11/879,665 US8111001B2 (en) 2007-07-17 2007-07-17 LED with integrated constant current driver

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880107268A Division CN101803456A (zh) 2007-07-17 2008-07-11 具有集成恒流驱动器的发光器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104023432A true CN104023432A (zh) 2014-09-03

Family

ID=39884569

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880107268A Pending CN101803456A (zh) 2007-07-17 2008-07-11 具有集成恒流驱动器的发光器件
CN201410115128.2A Pending CN104023432A (zh) 2007-07-17 2008-07-11 具有集成恒流驱动器的发光器件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880107268A Pending CN101803456A (zh) 2007-07-17 2008-07-11 具有集成恒流驱动器的发光器件

Country Status (6)

Country Link
US (4) US8111001B2 (zh)
EP (1) EP2174530B1 (zh)
JP (3) JP5497641B2 (zh)
KR (1) KR20100039868A (zh)
CN (2) CN101803456A (zh)
WO (1) WO2009011798A2 (zh)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6825559B2 (en) 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
WO2006023149A2 (en) 2004-07-08 2006-03-02 Color Kinetics Incorporated Led package methods and systems
US8791645B2 (en) 2006-02-10 2014-07-29 Honeywell International Inc. Systems and methods for controlling light sources
US8111001B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-07 Cree, Inc. LED with integrated constant current driver
TW200915597A (en) * 2007-09-17 2009-04-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode device
US8102167B2 (en) 2008-03-25 2012-01-24 Microsemi Corporation Phase-cut dimming circuit
US8084780B2 (en) * 2009-08-13 2011-12-27 Semileds Optoelectronics Co. Smart integrated semiconductor light emitting system including light emitting diodes and application specific integrated circuits (ASIC)
KR101092097B1 (ko) * 2009-08-31 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20120079470A (ko) * 2009-09-25 2012-07-12 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반도체 조명기구
WO2011057268A1 (en) * 2009-11-09 2011-05-12 Uni-Light Llc High efficiency led lighting
EP2320711B1 (en) * 2009-11-09 2020-09-16 Toshiba Lighting & Technology Corporation LED lighting device and illuminating device
US8748910B2 (en) * 2009-12-18 2014-06-10 Marvell World Trade Ltd. Systems and methods for integrating LED displays and LED display controllers
US8587956B2 (en) * 2010-02-05 2013-11-19 Luxera, Inc. Integrated electronic device for controlling light emitting diodes
EP2386263B1 (fr) * 2010-05-11 2014-02-26 Bien-Air Holding SA Module d'éclairage à diode électroluminescente pour pièce à main chirurgicale ou dentaire
CN101847496A (zh) * 2010-05-26 2010-09-29 深圳市欣锐特科技有限公司 变压器以及应用该变压器的开关电源和led日光灯
CN102525543A (zh) * 2010-10-12 2012-07-04 上海交通大学 C臂机引导下遥控穿刺定位的方法
KR101174101B1 (ko) * 2011-07-26 2012-08-16 고관수 고효율 교류 구동 ｌｅｄ 모듈
CN104066319B (zh) 2011-12-14 2017-09-05 万斯创新公司 水产养殖照明装置和方法
US9151477B2 (en) 2012-02-03 2015-10-06 Cree, Inc. Lighting device and method of installing light emitter
US9151457B2 (en) 2012-02-03 2015-10-06 Cree, Inc. Lighting device and method of installing light emitter
US9310038B2 (en) 2012-03-23 2016-04-12 Cree, Inc. LED fixture with integrated driver circuitry
US10054274B2 (en) 2012-03-23 2018-08-21 Cree, Inc. Direct attach ceiling-mounted solid state downlights
DE102012215727A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-20 Zumtobel Lighting Gmbh Kontrollgerät zur Steuerung und Spannungsversorgung von LEDs
CN102853341A (zh) * 2012-09-07 2013-01-02 佛山市香港科技大学Led-Fpd工程技术研究开发中心 Led彩色贴片模组、led彩色贴片装置及其加工工艺
US8648543B1 (en) * 2012-11-21 2014-02-11 Himax Analogic, Inc. Illumination driving circuit
TWM498278U (zh) * 2013-02-01 2015-04-01 Molex Inc Ｌｅｄ模組、ｌｅｄ系統以及ｌｅｄ固定裝置
US20150173135A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Liteideas, Llc System and method of variable resistance led lighting circuit
CN105226141A (zh) * 2014-07-01 2016-01-06 四川新力光源股份有限公司 Led封装工艺、封装结构及发光器件
KR20160011908A (ko) * 2014-07-23 2016-02-02 주식회사 솔루엠 전원장치 및 그의 구동방법
US9554562B2 (en) 2014-08-07 2017-01-31 Once Innovations, Inc. Lighting system and control for experimenting in aquaculture
DE102015207934A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Tridonic Gmbh & Co Kg LED-Modul zur Abgabe von Weißlicht
CN106322174A (zh) * 2015-06-24 2017-01-11 宏力照明集团有限公司 一种高性能led光电引擎模块
TWI598538B (zh) * 2015-07-31 2017-09-11 宏齊科技股份有限公司 無需使用預儲電源的可攜式發光裝置及其發光二極體封裝結構
US9894723B2 (en) * 2015-12-31 2018-02-13 Sensor Electronic Technology, Inc. Solid-state lighting structure with integrated control
KR102553268B1 (ko) 2016-04-01 2023-07-10 삼성전자주식회사 디스플레이장치
US11044895B2 (en) 2016-05-11 2021-06-29 Signify North America Corporation System and method for promoting survival rate in larvae
US10483850B1 (en) 2017-09-18 2019-11-19 Ecosense Lighting Inc. Universal input-voltage-compatible switched-mode power supply
US11727857B2 (en) 2019-03-29 2023-08-15 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11694601B2 (en) 2019-03-29 2023-07-04 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11776460B2 (en) 2019-03-29 2023-10-03 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11790831B2 (en) 2019-03-29 2023-10-17 Creeled, Inc. Active control of light emitting diodes and light emitting diode displays
US11695102B2 (en) 2020-06-19 2023-07-04 Creeled, Inc. Active electrical elements with light-emitting diodes
US12014673B2 (en) 2022-02-07 2024-06-18 Creeled, Inc. Light-emitting diodes with mixed clock domain signaling
US12014677B1 (en) 2023-04-10 2024-06-18 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with transformation and shifting of pulse width modulation signals and related methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004068909A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multichip led lighting device
CN1663323A (zh) * 2002-06-25 2005-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于维持多芯片发光二极管组件的光特性的系统
US20060022214A1 (en) * 2004-07-08 2006-02-02 Color Kinetics, Incorporated LED package methods and systems

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34861A (en) * 1862-04-01 Improved washing-machine
JPS49137459U (zh) 1973-03-24 1974-11-26
JPS6232664A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Mini Pairo Denki:Kk 交直両用ｌｅｄランプ
JPS62178551A (ja) 1986-01-30 1987-08-05 Neos Co Ltd 含フツ素アミン
JPH0419818Y2 (zh) * 1986-04-30 1992-05-06
JPS63111682A (ja) * 1986-10-29 1988-05-16 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子用サブマウント
JPS63133191A (ja) * 1986-11-26 1988-06-04 岩崎電気株式会社 線上光源点灯回路
JPS63239873A (ja) 1987-03-27 1988-10-05 Hitachi Ltd マルチチツプモジユ−ル
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
JPH05129661A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオードランプ
JPH0775195B2 (ja) 1993-01-14 1995-08-09 株式会社富士セラミックス ランプ点灯装置
JPH09321175A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Oki Electric Ind Co Ltd マイクロ波回路及びチップ
JPH10303467A (ja) 1997-04-28 1998-11-13 Rohm Co Ltd マルチチップモジュール
JPH10340978A (ja) 1997-06-10 1998-12-22 Kyocera Corp 配線基板への電子部品の実装構造
DE19728763B4 (de) 1997-07-07 2007-10-31 Reitter & Schefenacker Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung zum Schutz von strombetriebenen Leuchtmitteln, insbesondere von LEDs, zu Signal- oder Beleuchtungszwecken
JP3496752B2 (ja) 1998-02-19 2004-02-16 シャープ株式会社 マイクロ波・ミリ波装置
US6316793B1 (en) 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
JP2000091381A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の実装方法、これに用いる半導体装置および実装用基板、半導体装置の実装構造
US6331450B1 (en) 1998-12-22 2001-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device using group III nitride compound
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6586781B2 (en) 2000-02-04 2003-07-01 Cree Lighting Company Group III nitride based FETs and HEMTs with reduced trapping and method for producing the same
US20020068373A1 (en) 2000-02-16 2002-06-06 Nova Crystals, Inc. Method for fabricating light emitting diodes
JP2001358442A (ja) 2000-06-14 2001-12-26 Nec Corp 半導体パッケージの実装構造
US6549071B1 (en) 2000-09-12 2003-04-15 Silicon Laboratories, Inc. Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices
JP2001185561A (ja) 2000-10-30 2001-07-06 Nec Corp 半導体装置
JP2002246519A (ja) 2001-02-15 2002-08-30 Mitsubishi Electric Corp フリップチップ実装構造
JP2003168736A (ja) 2001-11-30 2003-06-13 Hitachi Ltd 半導体素子及び高周波電力増幅装置並びに無線通信機
JP2003187614A (ja) * 2001-12-19 2003-07-04 Toyoda Gosei Co Ltd 車両用リアコンビネーションランプ装置
CA2391681A1 (en) * 2002-06-26 2003-12-26 Star Headlight & Lantern Co. Of Canada Ltd. Solid-state warning light with microprocessor controlled excitation circuit
US6980139B2 (en) 2002-08-29 2005-12-27 Infineon Technologies Ag Sigma-delta-modulator
US7507001B2 (en) * 2002-11-19 2009-03-24 Denovo Lighting, Llc Retrofit LED lamp for fluorescent fixtures without ballast
JP2004248333A (ja) 2002-12-17 2004-09-02 Rcs:Kk 小容量電源装置
US7615939B2 (en) 2003-03-17 2009-11-10 C&D Zodiac, Inc. Spectrally calibratable multi-element RGB LED light source
JP2004311635A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Olympus Corp 駆動装置及びそれを用いた照明装置、並びに、その照明装置を用いた表示装置
TWI307945B (en) * 2003-07-15 2009-03-21 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
ATE504190T1 (de) * 2004-02-25 2011-04-15 Michael Miskin Wechselstrom leuchtdiode und wechselstrom led treiberverfahren und -vorrichtung
JP2006012622A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ点灯装置、ｌｅｄ実装基板およびｌｅｄパッケージ
JPWO2006001352A1 (ja) * 2004-06-25 2008-07-31 三洋電機株式会社 発光素子
US7202608B2 (en) * 2004-06-30 2007-04-10 Tir Systems Ltd. Switched constant current driving and control circuit
JP2006019594A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
US8558760B2 (en) * 2004-08-05 2013-10-15 Linear Technology Corporation Circuitry and methodology for driving multiple light emitting devices
JP2006245336A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
JP4704103B2 (ja) * 2005-05-16 2011-06-15 ローム株式会社 定電流駆動回路、それを利用した電子機器および発光ダイオードの駆動方法
JP2007042758A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Harison Toshiba Lighting Corp Ｌｅｄ駆動装置
JP4762681B2 (ja) * 2005-11-07 2011-08-31 ローム株式会社 Ｌｅｄドライバ及びこれを用いた表示装置
US20070139316A1 (en) 2005-12-21 2007-06-21 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Led module with integrated controller
JP2007180187A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2007202274A (ja) 2006-01-25 2007-08-09 Rcs:Kk 小容量電源装置
JP4909727B2 (ja) * 2006-12-08 2012-04-04 セイコーインスツル株式会社 半導体装置
KR100877494B1 (ko) 2007-01-25 2009-01-09 재단법인서울대학교산학협력재단 혼합유동 레오미터
US7560677B2 (en) * 2007-03-13 2009-07-14 Renaissance Lighting, Inc. Step-wise intensity control of a solid state lighting system
JPWO2009008099A1 (ja) 2007-07-10 2010-09-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8111001B2 (en) * 2007-07-17 2012-02-07 Cree, Inc. LED with integrated constant current driver
US8358085B2 (en) * 2009-01-13 2013-01-22 Terralux, Inc. Method and device for remote sensing and control of LED lights

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1663323A (zh) * 2002-06-25 2005-08-31 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于维持多芯片发光二极管组件的光特性的系统
WO2004068909A1 (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multichip led lighting device
US20060022214A1 (en) * 2004-07-08 2006-02-02 Color Kinetics, Incorporated LED package methods and systems

Also Published As

Publication number Publication date
EP2174530B1 (en) 2021-11-24
US8569970B2 (en) 2013-10-29
JP2010533975A (ja) 2010-10-28
WO2009011798A2 (en) 2009-01-22
CN101803456A (zh) 2010-08-11
JP2012216856A (ja) 2012-11-08
JP5497641B2 (ja) 2014-05-21
US20120262078A1 (en) 2012-10-18
US20090021180A1 (en) 2009-01-22
JP2012212905A (ja) 2012-11-01
WO2009011798A3 (en) 2009-08-27
US20120104955A1 (en) 2012-05-03
KR20100039868A (ko) 2010-04-16
EP2174530A2 (en) 2010-04-14
US8810151B2 (en) 2014-08-19
US8111001B2 (en) 2012-02-07
US8232739B2 (en) 2012-07-31
US20130069527A1 (en) 2013-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104023432A (zh) 具有集成恒流驱动器的发光器件
US10347804B2 (en) Light source package and display device including the same
US9439250B2 (en) Driving light emitting diode (LED) lamps using power received from ballast stabilizers
US7221044B2 (en) Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
KR102007405B1 (ko) 발광 모듈
CN103974485B (zh) 发光模块
KR20150021838A (ko) Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150021814A (ko) Led 구동 장치 및 조명 장치
KR101767100B1 (ko) 발광 디바이스 및 그 제조방법
US20130056765A1 (en) Light emitting diode light source including all nitride light emitting diodes
US8633658B2 (en) Light emitting device module and surface light source device
US20150292682A1 (en) Lighting apparatus
TWI499347B (zh) 發光元件
KR20090044788A (ko) 교류용 백색 발광 소자
KR20120052814A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140903