JP2010524204A5 - - Google Patents

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本発明は、以下の形態で実現可能である。
[形態1]
近接ヘッドであって、
ヘッド面を備え、
前記ヘッド面は、
第1の平面領域と複数の第1の導管とを備え、前記複数の第1の導管の各々は、前記ヘッド面に存在し前記第1の平面領域にわたって配置された複数の第1の離散孔の内の対応する離散孔によって規定されており、
さらに、第2の平面領域と複数の第2の導管とを備え、前記複数の第2の導管は、前記ヘッド面に存在し前記第2の平面領域にわたって配置された対応する複数の第2の離散孔によって規定されており、
さらに、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置された第3の平面領域と複数の第3の導管とを備え、前記複数の第3導管は、前記ヘッド面に存在し前記第3の平面領域にわたって配置された対応する複数の第3の離散孔によって規定されており、前記第3の導管は、前記第3の平面領域と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は、30°から60°の間である、
近接ヘッド。
[形態2]
形態1に記載の近接ヘッドであって、前記複数の第1の導管は、第1の液体源に接続され、第1の液体を前記ヘッド面に供給し、前記複数の第2の導管は、第2の流体源に接続され、第2の流体を前記ヘッド面に供給し、前記複数の第3の導管は、真空源に接続され、真空を前記ヘッド面に供給する、近接ヘッド。
[形態3]
形態1に記載の近接ヘッドであって、前記第3の離散孔は、後縁部に沿って形成される、近接ヘッド。
[形態4]
形態1に記載の近接ヘッドであって、前記第1の導管は、前記第1の平面領域と第1の角度を成すよう形成され、前記第2の角度は、30°から60°の間である、近接ヘッド。
[形態5]
形態1に記載の近接ヘッドであって、前記第1の離散孔は、第1の列に形成され、前記第2の離散孔は、第2の列に形成され、前記第3の離散孔は、第3の列に形成され、
前記第1の列、前記第2の列、および、前記第3の列は、実質的に平行であり、前記第3の列は、前記第1の列および前記第2の列の間に配置される、近接ヘッド。
[形態6]
形態5に記載の近接ヘッドであって、前記第2の導管は、前記第2の平面領域と第2の角度を成すよう形成され、前記第2の角度は、30°から60°の間であり、前記第2の導管は、前記第3の列から離れる方向に向けられる、近接ヘッド。
[形態7]
形態5に記載の近接ヘッドであって、さらに、
前記第1の列に関して前記第3の列の反対側に配置された第4の平面領域を備え、
前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、近接ヘッド。
[形態8]
形態5に記載の近接ヘッドであって、前記第2の列および前記第3の列は、約0.5インチから約0.75インチの間の距離だけ離れている、近接ヘッド。
[形態9]
形態5に記載の近接ヘッドであって、前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、近接ヘッド。
[形態10]
形態9に記載の近接ヘッドであって、前記第3の平面および前記第1の平面の間の前記オフセットは、約0.020インチから約0.080インチの間である、近接ヘッド。
[形態11]
形態10に記載の近接ヘッドであって、前記第3の列は、前記第1の平面領域に対する前記オフセットを有するよう前記第3の平面領域に形成される、近接ヘッド。
[形態12]
形態1に記載の近接ヘッドであって、前記第3の離散孔は、面取りされている、近接ヘッド。
[形態13]
形態1に記載の近接ヘッドであって、さらに、前記第1の導管に接続された第1のチャンバと、前記第2の導管に接続された第2のチャンバと、前記第3の導管に接続された第3のチャンバと、を備える、近接ヘッド。
[形態14]
近接ヘッドであって、
ヘッド面を備え、
前記ヘッド面は、
第1の平面領域と複数の第1の導管とを備え、前記複数の第1の導管の各々は、前記ヘッド面に存在し前記第1の平面領域にわたって配置された複数の第1の離散孔の内の対応する離散孔によって規定されており、
さらに、第2の平面領域と複数の第2の導管とを備え、前記複数の第2の導管は、前記ヘッド面に存在し前記第2の平面領域にわたって配置された対応する複数の第2の離散孔によって規定されており、
さらに、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置された第3の平面領域と複数の第3の導管とを備え、
前記複数の第3導管は、前記ヘッド面に存在し前記第3の平面領域にわたって配置された対応する複数の第3の離散孔によって規定されており、前記第3の導管は、前記第3の平面領域と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は、30°から60°の間であり、
前記第3の離散孔は、後縁部に沿って形成され、
前記第1の列に関して前記第3の列の反対側に第4の平面領域が配置されており、
前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされており、
前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、
近接ヘッド。
[形態15]
近接ヘッドの製造するための方法であって、
前記近接ヘッド内に第1のチャンバを形成する工程と、
前記近接ヘッド内に第2のチャンバを形成する工程と、
前記近接ヘッド内に第3のチャンバを形成する工程と、
ヘッド面から前記第1のチャンバに至る複数の第1の導管を形成する工程と、
ヘッド面から前記第2のチャンバに至る複数の第2の導管を形成する工程と、
ヘッド面から前記第3のチャンバに至る複数の第3の導管を形成する工程と、
を備え、
前記第3の導管は、前記ヘッド面と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は、30°から60°の間である、方法。
[形態16]
形態15に記載の方法であって、さらに、
前記ヘッド面上に第1の平面領域を形成する工程と、
前記ヘッド面上に第2の平面領域を形成する工程と、
前記ヘッド面上に第3の平面領域を形成する工程と、
を備え
前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置され、前記第3平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、方法。
[形態17]
形態15に記載の方法であって、さらに、
第4の平面領域を形成する工程を備え、
前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、方法。
[形態18]
形態15に記載の方法であって、前記近接ヘッドは、単一のワークピースから形成される、方法。
[形態19]
近接ヘッドを用いて基板を処理する方法であって、
前記基板の表面に近接し、前記基板の表面と実質的に平行な第1の平面内に存在するように、前記近接ヘッドを配置する工程と、
前記近接ヘッドのヘッド面の第1の平面領域と前記基板の表面との間に、液体メニスカスを形成する工程と、
前記液体メニスカスの後縁部に真空を作用させる工程と、
を備え、
前記真空は、前記液体メニスカスから実質的に途切れない液体の流れを引き込む、方法。
[形態20]
形態19に記載の方法であって、
前記液体メニスカスは、前縁部を備え、
前記ヘッド面は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し前記第1の平面領域からオフセットされた第2の平面領域を備え、
前記第2の平面領域は、前記第1の平面領域よりも前記基板の表面の近くに配置されるようオフセットされ、
前記液体メニスカスは、前記第2の平面領域と前記基板の表面との間に形成された前縁部を備える、方法。
本発明のその他の態様および利点については、本発明の原理を例示した添付図面を参照しつつ行う以下の詳細な説明から明らかになる。

Claims (23)

  1. 近接ヘッドであって、
    ヘッド面を備え、
    前記ヘッド面は、
    第1の平面領域と複数の第1の導管とを備え、前記複数の第1の導管の各々は、前記ヘッド面に存在し前記第1の平面領域にわたって配置された複数の第1の離散孔の内の対応する離散孔によって規定されており、
    さらに、第2の平面領域と複数の第2の導管とを備え、前記複数の第2の導管は、前記ヘッド面に存在し前記第2の平面領域にわたって配置された対応する複数の第2の離散孔によって規定されており、
    さらに、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置された第3の平面領域と複数の第3の導管とを備え、前記複数の第3導管は、前記ヘッド面に存在し前記第3の平面領域にわたって配置された対応する複数の第3の離散孔によって規定されており、前記第3の導管は、前記第3の平面領域と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は前記第1の導管側に形成されて、30°から60°の間である、
    近接ヘッド。
  2. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、前記複数の第1の導管は、第1の液体源に接続され、第1の液体を前記ヘッド面に供給し、前記複数の第2の導管は、第2の流体源に接続され、第2の流体を前記ヘッド面に供給し、前記複数の第3の導管は、真空源に接続され、真空を前記ヘッド面に供給する、近接ヘッド。
  3. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、前記第3の離散孔は、前記第1の液体で形成されたメニスカスの後縁部に沿って形成される、近接ヘッド。
  4. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、前記第1の導管は、前記第1の平面領域と第2の角度を成すよう形成され、前記第2の角度は、30°から60°の間である、近接ヘッド。
  5. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、前記第1の離散孔は、第1の列に形成され、前記第2の離散孔は、第2の列に形成され、前記第3の離散孔は、第3の列に形成され、
    前記第1の列、前記第2の列、および、前記第3の列は、実質的に平行であり、前記第3の列は、前記第1の列および前記第2の列の間に配置される、近接ヘッド。
  6. 請求項5に記載の近接ヘッドであって、前記第2の導管は、前記第3の平面領域と第2の角度を成すよう形成され、前記第2の角度は、30°から60°の間であり、前記第2の導管は、前記第3の列から離れる方向に向けられる、近接ヘッド。
  7. 請求項5に記載の近接ヘッドであって、さらに、
    前記第1の列に関して前記第3の列の反対側に配置された第4の平面領域を備え、
    前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、近接ヘッド。
  8. 請求項5に記載の近接ヘッドであって、前記第2の列および前記第3の列は、約0.5インチから約0.75インチの間の距離だけ離れている、近接ヘッド。
  9. 請求項5に記載の近接ヘッドであって、前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、近接ヘッド。
  10. 請求項9に記載の近接ヘッドであって、前記第3の平面領域および前記第1の平面領域の間の前記オフセットは、約0.020インチから約0.080インチの間である、近接ヘッド。
  11. 請求項10に記載の近接ヘッドであって、前記第3の列は、前記第1の平面領域に対する前記オフセットを有するよう前記第3の平面領域に形成される、近接ヘッド。
  12. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、前記第3の離散孔は、面取りされている、近接ヘッド。
  13. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、さらに、前記第1の導管に接続された第1のチャンバと、前記第2の導管に接続された第2のチャンバと、前記第3の導管に接続された第3のチャンバと、を備える、近接ヘッド。
  14. 近接ヘッドであって、
    ヘッド面を備え、
    前記ヘッド面は、
    第1の平面領域と複数の第1の導管とを備え、前記複数の第1の導管の各々は、前記ヘッド面に存在し前記第1の平面領域にわたって配置された複数の第1の離散孔の内の対応する離散孔によって規定されており、
    さらに、第2の平面領域と複数の第2の導管とを備え、前記複数の第2の導管は、前記ヘッド面に存在し前記第2の平面領域にわたって配置された対応する複数の第2の離散孔によって規定されており、
    さらに、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置された第3の平面領域と複数の第3の導管とを備え、
    前記複数の第3導管は、前記ヘッド面に存在し前記第3の平面領域にわたって配置された対応する複数の第3の離散孔によって規定されており、前記第3の導管は、前記第3の平面領域と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は前記第1の導管側に形成されて、30°から60°の間であり、
    前記第3の離散孔は、前記第1の液体で形成されたメニスカスの後縁部に沿って形成され、
    前記第1の列に関して前記第3の列の反対側に第4の平面領域が配置されており、
    前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされており、
    前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、
    近接ヘッド。
  15. 近接ヘッド製造するための方法であって、
    前記近接ヘッド内に第1のチャンバを形成する工程と、
    前記近接ヘッド内に第2のチャンバを形成する工程と、
    前記近接ヘッド内に第3のチャンバを形成する工程と、
    ヘッド面から前記第1のチャンバに至る複数の第1の導管を形成する工程と、
    ヘッド面から前記第2のチャンバに至る複数の第2の導管を形成する工程と、
    ヘッド面から前記第3のチャンバに至る複数の第3の導管を形成する工程と、
    を備え、
    前記第3の導管は、前記ヘッド面と第1の角度を成すよう形成され、前記第1の角度は、30°から60°の間である、方法。
  16. 請求項15に記載の方法であって、さらに、
    前記ヘッド面上に第1の平面領域を形成する工程と、
    前記ヘッド面上に第2の平面領域を形成する工程と、
    前記ヘッド面上に第3の平面領域を形成する工程と、
    を備え
    前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域および前記第2の平面領域の間に隣接して配置され、前記第3平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、方法。
  17. 請求項15に記載の方法であって、さらに、
    第4の平面領域を形成する工程を備え、
    前記第4の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされている、方法。
  18. 請求項15に記載の方法であって、前記近接ヘッドは、単一のワークピースから形成される、方法。
  19. 近接ヘッドを用いて基板を処理する方法であって、
    前記基板の表面に近接し、前記基板の表面と実質的に平行な第1の平面内に存在するように、前記近接ヘッドを配置する工程と、
    前記近接ヘッドのヘッド面の第1の平面領域と前記基板の表面との間に、第1の離散孔から供給された第1の液体で形成されたメニスカスの液体メニスカスを形成する工程と、
    前記液体メニスカスの後縁部に真空を作用させる工程と、
    を備え、
    前記真空は、前記液体メニスカスから実質的に途切れない液体の流れを引き込む、方法。
  20. 請求項19に記載の方法であって、
    前記液体メニスカスは、前縁部を備え、
    前記ヘッド面は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し前記第1の平面領域からオフセットされた第2の平面領域を備え、
    前記第2の平面領域は、前記第1の平面領域よりも前記基板の表面の近くに配置されるようオフセットされ、
    前記液体メニスカスは、前記第2の平面領域と前記基板の表面との間に形成された前縁部を備える、方法。
  21. 請求項14に記載の近接ヘッドであって、
    前記複数の第3の離散孔のそれぞれは、前記第3の平面領域内にある後端と、前記第1の平面領域にある前端と、を有する、近接ヘッド。
  22. 請求項14に記載の近接ヘッドであって、
    前記第3の平面領域のオフセットは、前記第3の平面領域と前記基板表面との距離を増大させる、近接ヘッド。
  23. 請求項1に記載の近接ヘッドであって、
    前記複数の第3の離散孔のそれぞれは、前記第3の平面領域内にある後端と、前記第1の平面領域にある前端と、を有し、
    前記第3の平面領域は、前記第1の平面領域と実質的に平行な平面内に存在し、前記第1の平面領域からオフセットされており、
    前記オフセットは、前記第3の平面領域と前記基板表面との距離を増大させる、近接ヘッド。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8813764B2 (en) * 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
US11251047B2 (en) * 2017-11-13 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Clog detection in a multi-port fluid delivery system

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3953265A (en) 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4086870A (en) 1977-06-30 1978-05-02 International Business Machines Corporation Novel resist spinning head
US4367123A (en) 1980-07-09 1983-01-04 Olin Corporation Precision spot plating process and apparatus
JPS5852034B2 (ja) 1981-08-26 1983-11-19 株式会社ソニツクス 部分メツキ方法及びその装置
US4444492A (en) 1982-05-15 1984-04-24 General Signal Corporation Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer
US4838289A (en) 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
JPS62150828A (ja) 1985-12-25 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp ウエハ乾燥装置
JPH0712035B2 (ja) 1989-04-20 1995-02-08 三菱電機株式会社 噴流式液処理装置
JPH02309638A (ja) 1989-05-24 1990-12-25 Fujitsu Ltd ウエハーエッチング装置
JPH0628223Y2 (ja) 1989-06-14 1994-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 回転塗布装置
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
US5102494A (en) 1990-07-13 1992-04-07 Mobil Solar Energy Corporation Wet-tip die for EFG cyrstal growth apparatus
US5294257A (en) 1991-10-28 1994-03-15 International Business Machines Corporation Edge masking spin tool
US5343234A (en) 1991-11-15 1994-08-30 Kuehnle Manfred R Digital color proofing system and method for offset and gravure printing
JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5807522A (en) 1994-06-17 1998-09-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Methods for fabricating microarrays of biological samples
DE69512067T2 (de) 1994-06-30 2000-04-27 Procter & Gamble Flüssigkeitsleitendes gewebe mit oberflächenenergiegradienten
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
JP3247270B2 (ja) 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
US5558111A (en) 1995-02-02 1996-09-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for carrier backing film reconditioning
US5601655A (en) 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
JPH08277486A (ja) 1995-04-04 1996-10-22 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームのめっき装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US5830334A (en) 1996-11-07 1998-11-03 Kobayashi; Hideyuki Nozzle for fast plating with plating solution jetting and suctioning functions
JPH10163138A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
JPH1133506A (ja) 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JPH10232498A (ja) 1997-02-19 1998-09-02 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JPH1131672A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Hitachi Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6103636A (en) 1997-08-20 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
ATE287126T1 (de) 1997-09-24 2005-01-15 Imec Inter Uni Micro Electr Verfahren zum entfernen einer flüssigkeit von einer oberfläche einer substrat
DE69832567T2 (de) 1997-09-24 2007-01-18 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
AU2233399A (en) 1998-02-12 1999-08-30 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6108932A (en) 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
JPH11350169A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Chemitoronics Co ウエットエッチング装置およびウエットエッチングの方法
US6132586A (en) 1998-06-11 2000-10-17 Integrated Process Equipment Corporation Method and apparatus for non-contact metal plating of semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly
US6689323B2 (en) 1998-10-30 2004-02-10 Agilent Technologies Method and apparatus for liquid transfer
US6092937A (en) 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
JP3653198B2 (ja) 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
US20020121290A1 (en) 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
JP3635217B2 (ja) 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
WO2001027357A1 (en) 1999-10-12 2001-04-19 Semitool, Inc. Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
US6341998B1 (en) 1999-11-04 2002-01-29 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit (IC) plating deposition system and method
US6214513B1 (en) 1999-11-24 2001-04-10 Xerox Corporation Slot coating under an electric field
US6433541B1 (en) 1999-12-23 2002-08-13 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current measurements during the process for removing the film
US20030091754A1 (en) 2000-02-11 2003-05-15 Thami Chihani Method for treating cellulosic fibres
US6474786B2 (en) 2000-02-24 2002-11-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Micromachined two-dimensional array droplet ejectors
US6495005B1 (en) 2000-05-01 2002-12-17 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus
WO2001087491A1 (en) 2000-05-16 2001-11-22 Regents Of The University Of Minnesota High mass throughput particle generation using multiple nozzle spraying
AU2001270205A1 (en) 2000-06-26 2002-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US7000622B2 (en) 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7234477B2 (en) 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US6530823B1 (en) 2000-08-10 2003-03-11 Nanoclean Technologies Inc Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants
JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
US6555017B1 (en) 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect
US6550988B2 (en) 2000-10-30 2003-04-22 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6531206B2 (en) 2001-02-07 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Microstructured surface film assembly for liquid acquisition and transport
WO2002101799A2 (en) 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc. Stackable process chambers
TW554069B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
JP2003115474A (ja) 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
JP4003441B2 (ja) 2001-11-08 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置および表面処理方法
US6799584B2 (en) 2001-11-09 2004-10-05 Applied Materials, Inc. Condensation-based enhancement of particle removal by suction
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7198055B2 (en) 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7153400B2 (en) 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7069937B2 (en) 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7252097B2 (en) 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
SG140470A1 (en) * 2002-09-30 2008-03-28 Lam Res Corp System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
EP1489461A1 (en) 2003-06-11 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US7353560B2 (en) 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US7003899B1 (en) 2004-09-30 2006-02-28 Lam Research Corporation System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus

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