TWI447779B - 具有轉向之真空導管的近接頭相關之系統、設備及方法 - Google Patents

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TWI447779B TW097111301A TW97111301A TWI447779B TW I447779 B TWI447779 B TW I447779B TW 097111301 A TW097111301 A TW 097111301A TW 97111301 A TW97111301 A TW 97111301A TW I447779 B TWI447779 B TW I447779B
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Description

具有轉向之真空導管的近接頭相關之系統、設備及方法 【相關申請案的交叉參考】
本申請案係關於同在審理中且共有之美國專利申請案第10/330,843號，其在2002年12月24日提出申請且命名為「彎液面、真空、異丙醇蒸氣、乾燥歧管」，在此為了所有用途併入其全文作為參考。本申請案亦關於同在審理中且共有之美國專利申請案第10/330,897號，其在2002年12月24日提出申請且命名為「利用彎液面、真空、異丙醇蒸氣、乾燥歧管的基板處理用之系統」，在此為了所有用途併入其全文作為參考。本申請案亦關於同在審理中且共有之美國專利申請案第10/261,839號，其在2002年9月30日提出申請且命名為「利用貼近於半導體晶圓表面而被固定之多數入口與出口以使晶圓表面乾燥的方法與設備」，在此為了所有用途併入其全文作為參考。
本發明通常係關於半導體製造過程，尤有關於利用近接頭處理半導體的方法及系統。
在半導體晶片製造過程中，在已實施過會將不要的殘留物遺留在基板表面上之製造操作後，需要將基板清潔及乾燥。此類的製造操作之範例包含電漿蝕刻及化學機械研磨(CMP)。在CMP中，將晶圓置於支座中，該支座推著晶圓表面使其緊靠著研磨表面。研漿可包含造成研磨的化學物質及研磨材料。不幸地，此過程易於讓研漿微粒及殘留物之累積物遺留在晶圓表面上。如果遺留在晶圓上的話，除了別的以外，不要的殘留材料及微粒會造成缺陷，例如晶圓表面上的刮擦接觸以及金屬化特徵間之不當的交互作用。在某些情況下，這樣的缺陷可能造成晶圓上的裝置變成無法運作。為了要避免拋棄具有無法運作裝置之晶圓的不當成 本，因而在遺留不要殘餘物之製造操作後，需要適當但有效地清潔基板。
在晶圓已經被濕式清潔之後，必須有效率地將晶圓乾燥，以避免水或清潔流體殘餘液在基板上留下殘餘物。如果容許晶圓表面上的清潔流體蒸發，如同液滴形成時經常發生的：先前溶解在流體中的殘留物或污染物將會於蒸發後留在晶圓表面上(如，並形成污漬)。為了要避免蒸發的發生，必須在晶圓表面上未形成液滴的情況下，儘快移除清潔流體。
為試圖完成這個任務，利用數種不同乾燥技術其中一者，諸如旋轉乾燥等等。這些乾燥技術利用晶圓表面上之某些型態的移動液/氣介面，若適當地維持的話會導致在不形成液滴的情況下，將晶圓表面乾燥。不幸地，如果移動液/氣介面失效的話，則如前述所有乾燥方法經常發生的：液滴形成且蒸發發生，導致污染物及/或污漬殘留在晶圓表面上。
鑒於前述，需要極小化基板表面上液滴之影響的乾燥技術，或是需要實質上消除基板表面上液滴形成的乾燥技術。
廣泛的說，本發明藉由提供改善的近接頭以滿足上述需求。應瞭解可藉由各種方式實施本發明，包括例如一製程、一設備、一系統、電腦可讀式媒體、或一裝置。以下說明本發明之數種創新的實施例。
一實施例提供包含一頭部表面的一近接頭。該頭部表面包含一第一平坦區域及複數之第一導管。每一該複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定。該複數之第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域。該頭部表面亦包含一第二平坦區域及複數之第二導管。該複數之第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定，該第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域。該頭部表面亦包含一第三平 坦區域及複數之第三導管，該第三平坦區域被設置於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者。該複數之第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定，該第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域。該第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間。
將第一導管耦合至第一液體源並將該第一液體提供至頭部表面。將第二導管耦合至第二液體源並將該第二液體提供至頭部表面。將第三導管耦合至一真空源並提供真空至頭部表面。第三分離孔可沿一後緣而形成。該第一導管以相對於第一平坦區域之一第二角度而形成，該第二角度介於30與60度之間。
第一分離孔可形成於第一列中；第二分離孔可形成於第二列中；而第三分離孔可形成於第三列中。第一列、第二列及第三列係實質上平行，且其中該第三列配置於該第一列與該第二列之間。
第二導管以相對於第二平坦區域之一第二角度而形成，該第二角度介於30與60度之間，其中該等第二導管被導引離開第三列。
近接頭亦可包含第四平坦區域，該第四平坦區域被配置在第一列由第三列起的對向側上，該第四平坦區域位在實質上平行於第一平坦區域且偏離該第一平坦區域的平面上。第二列與第三列相隔的距離介於約0.5英吋與約0.75英吋之間。
第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。第三平坦區域與第一平坦區域間的偏移介於約0.020英吋與約0.080英吋之間。在偏移於該第一平坦區域之該第三平坦區域中，可形成第三列。
可將第三分離孔去角槽化。近接頭亦包含耦合至第一導管的第一腔室、耦合至第二導管的第二腔室、以及耦合至第三導管的第三腔室。
另一實施例提供包含一頭部表面的一近接頭，該頭部表面包 含一第一平坦區域及複數之第一導管。每一該複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定。該第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域。該頭部表面亦包含一第二平坦區域及複數之第二導管。該第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定，該第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域。該頭部表面亦包含一第三平坦區域及複數之第三導管，鄰近於該第一平坦區域並於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間配置該第三平坦區域。該第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定，該第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域。該第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成。該第一角度介於30與60度之間。第三分離孔可沿一後緣而形成，且從第三列中將第四平坦區域配置在第一列的對向側上。該第四平坦區域位在實質上平行於第一平坦區域且偏離該第一平坦區域的平面上。第三平坦區域位在實質上平行於第一平坦區域且偏離該第一平坦區域的平面上。
又一實施例提供近接頭的製造方法，其包含在一近接頭中形成第一腔室、第二腔室及第三腔室。從頭部表面至第一腔室形成複數之第一導管。從頭部表面至第二腔室形成複數之第二導管，以及從頭部表面至第三腔室形成複數之第三導管，其中該第三導管以相對於該頭部表面之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間。
該方法亦包含在頭部表面上形成第一平坦區域，在頭部表面上形成第二平坦區域以及在頭部表面上形成第三平坦區域。鄰近於該第一平坦區域並於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間配置該第三平坦區域。該第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
該方法亦包含形成第四平坦區域。該第四平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。可由單一工件形成近接頭。
再一實施例提供一種利用近接頭處理基板的方法。該方法包含：將近接頭放置到貼近於基板表面，及放置在實質上平行於該基板表面之第一平面；在該近接頭之頭部表面的第一平坦區域與該基板表面之間產生一液體彎液面；並施加一真空至該液體彎液面的後緣，其中該真空從該液體彎液面汲取實質上連續的液體流。該液體彎液面可包含一前緣且其中該頭部表面可包含一第二平坦區域，該第二平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上，其中使該第二平坦區域偏移成比該第一平坦區域更接近該基板表面，且其中該液體彎液面包含形成在該第二平坦區域與該基板表面之間的一前緣。
從以下連同附圖之詳細說明，藉由實例對本發明之原理的解說，本發明之優點當可更加清楚。
現在將說明用於近接頭之數種例示性實施例。對於熟悉此項技藝者將顯而易見的是：在沒有於此提出之部分或全部特定細節下仍可實施本發明。
在名為「彎液面、真空、異丙醇蒸氣、乾燥歧管」之共有的美國專利申請案第10/330,843號(2002年12月24日申請)以及名為「利用貼近於半導體晶圓表面而被固定之多數入口與出口以使晶圓表面乾燥的方法與設備」之共有的美國專利申請案第10/261,839號(2002年9月30日申請)中，詳細說明近接頭100的各種實施例。亦在名為「利用彎液面、真空、異丙醇蒸氣、乾燥歧管的基板處理用之系統」之共有的美國專利申請案第10/330,897號(2002年12月24日申請)、名為「垂直式近接處理器」的美國專利申請案第10/404,270號(2003年3月31日申請)以及名為「利用動態液體彎液面之基板處理方法與系統」的美國專利申請案第10/404,692號(2003年3月31日申請)中，詳細說明近接頭的各種實施例與應用。前述專利申請案係特此併入其全文作為參考。
圖1A說明符合本發明之一實施例的近接頭100，該近接頭100在一基板108的表面108A上實施操作。近接頭100可相對於並同時貼近於正處理之基板108的上表面108A而移動。正處理之基板108可為任何形式的基板(如金屬基板、陶瓷、塑膠、半導體基板、或任何所欲基板)。應明白亦可將近接頭100用來處理(如清潔、乾燥、蝕刻、電鍍等)基板108之下表面108B。
近接頭100包含一或更多第一導管112A，第一導管112A用以將第一流體112傳送到近接頭之頭部表面110A。近接頭100亦包含一或更多第二導管114A，第二導管114A用以將第二流體114傳送到頭部表面110A。如同以下將詳細說明的：第二流體114可不同於第一流體112。近接頭100亦包含多個第三導管116A，第三導管116A用以移除來自頭部表面110A的第一流體112及第二流體114。
圖1B為符合本發明之一實施例的近接頭100之頭部表面110A的視圖。頭部表面110A包含實質上平坦區域110B、110C、110D。實質上平坦區域110B包含一或更多分離孔112B，分離孔112B界定通往相對應的第一導管112A之其中一個的開口。同樣地，實質上平坦區域110C包含一或更多分離孔114B，分離孔114B界定通往相對應的第二導管114A之其中一個的開口，以及實質上平坦區域110D包含一或更多分離孔116B，分離孔116B界定通往相對應的第三導管116A之其中一個的開口。分離孔112B、114B、116B可為任何所欲形狀(如實質上圓形、橢圓形等等)、相同或不同大小。藉由實例，分離孔112B可小於或大於分離孔114B及116B。
應瞭解說明於圖1A及1B中的近接頭100為簡化的示範近接頭。近接頭100可具有許多不同形狀及大小。例如，近接頭可為圓形、橢圓形、環狀的及任何其他所欲的形狀。同樣地，彎液面102可為由分離孔112B、114B及116B所界定的任何所欲形狀，分離孔112B、114B及116B包含但不限於圓形、橢圓形、長方形、 環狀、凹面等等。此外，平坦區域110B、110C、110D可為任何形狀。藉由實例，平坦區域110B可為圓形、長方形、橢圓形、或任何其他所欲的形狀。包含第三分離孔116B的第二平坦區域110C可完全圍繞平坦區域110B或只有圍繞平坦區域110B的一部分。同樣地，包含第二分離孔114B的第三平坦區域110D可完全圍繞平坦區域110B及110C或只有圍繞平坦區域110B及110C的一部分。藉由實例，可將第二分離孔114B偏限於只有後緣104B及/或前緣104A及/或側104C及104D的一或更多部分(例如說明於一或更多上述參考之同在審理中的申請案，其為了所有用途併入全文作為參考)。
圖1C為符合本發明之一實施例的處理表面108A之操作方法150的流程圖。在操作152中，近接頭100係放置在貼近於處理用之基板表面108A。圖1A中所示的接近H可自約5mm到小於約0.5mm。
在操作154中，從一或更多第一導管112A及相對應的分離孔112B輸出液體112，以在頭部表面110A與基板表面108A之間形成被控制的液體彎液面102。液體112的表面張力造成液體被附著或被吸引到頭部表面110A及基板表面108A兩者。因此，當液體112的表面被吸引於頭部表面110A與基板表面108A之間，形成彎液面102的外壁104A、104B。液體112可為所欲處理用之任何合適的液體溶液。藉由實例，液體112可為水、去離子水(DIW)、清潔流體、蝕刻溶液、電鍍溶液等等。
在操作156中，施加真空至一或更多第三導管116A。此真空將液體112從彎液面102吸至分離孔116B及相對應的導管116A。
從彎液面102吸來的液體112可較多或較少於從第一導管112A流進彎液面的液體量。藉由實例，存在有比近接頭100中之第一導管112A更多數量的第三導管116A。又，當彎液面102移動超過表面108A時，彎液面可從表面聚集額外液體及其他污染物。
每一個第三導管116A及相對應的分離孔116B可至少部分地 圍繞第一分離孔112B，使得近接頭100可包含頭部表面110A與基板表面108A之間的彎液面。一數量的第一液體112可流經彎液面以提供基板表面108A之非常受控制的處理。藉由實例，第一液體112可為蝕刻基板表面108A用之蝕刻化學物。當蝕刻化學物與基板表面108A反應，反應殘餘物變成夾帶於蝕刻化學物中，並且所產生之污染物可減少蝕刻化學物的濃度及蝕刻能力。當經由第三導管116A將蝕刻化學物抽離彎液面102時，反應殘餘物及其他污染物從彎液面被帶離。同時，經由第一導管112A將非污染的蝕刻化學物供應至彎液面102。
在操作160中，近接頭100可相對於基板108而移動(如沿方向122)，俾能沿基板表面108A移動彎液面102。當彎液面以方向122沿基板表面108A移動時，側104A形成彎液面102的前緣。彎液面可移除位在基板表面108A上的污染物。污染物可為液體液滴、固體殘餘物或任何其他污染物及其組合(如液體溶液中的固體污染物)。
當彎液面以方向122沿基板表面108A移動時，側104B形成彎液面102的後緣。彎液面102中之液體的表面張力，造成實質上基板表面108A上的所有液體與彎液面一起被移除。依此方式，藉由從基板表面108A移除所有液體污染物，彎液面102可進行乾燥操作。同樣地，藉由將如濕式蝕刻或電鍍化學物施加至彎液面中的基板表面108A，彎液面102可進行(dry-in-dry-out)處理操作，並且後緣104B將從蝕刻或電鍍處理中移除所有液體。
將彎液面102移動超過基板表面108A亦可包含：如同說明於一或更多上述參考之同在審理中的專利申請案，將彎液面移動超過基板表面並移出基板表面邊緣以外而到第二表面124。
在可選擇的操作158中，施加第二流體114至基板表面108A。第二流體114可為表面張力控制流體。表面張力控制流體可為一或更多異丙醇(IPA)蒸氣、氮、有機化合物、己醇、乙二醇、CO2 氣體、及其他可混溶於水之化合物或其組合。藉由實例，IPA蒸氣 可被一惰性載氣所傳送，例如氮，並被傳送至基板表面108A。
近接頭100並未實際接觸基板108。只有第一液體112及第二流體114接觸基板108。
近接頭100亦可包含額外儀器或加熱器或其他監測器118。額外儀器或加熱器或其他監測器118可用以監測液體112或監測由彎液面102施加至基板表面108A的處理。藉由實例，額外儀器或加熱器或其他監測器118可加熱或冷卻液體112，並量測液體112的表面(如表面108上之層厚度或基板108之厚度或表面特徵之深度)或濃度或其他化學態樣(如pH程度、導電性等等)或任何其他所欲的態樣。在一或更多上述參考之同在審理的申請案中，更詳細說明上述實施例。
圖1D為符合本發明之一實施例的近接頭系統170之簡圖。近接頭系統170包含處理室180、控制器172、真空源116’、第一液體源112’、第二流體源114’。第一液體源112’、第二流體源114’及真空源116’係經由適當控制閥或其他由控制器172所控制的流控機構而耦合至相對應的導管。
處理室180可支撐超過一個處理。藉由實例，處理室180可支撐電漿蝕刻處理及近接頭100，使得在單一處理室中電漿蝕刻處理可蝕刻基板108，並且近接頭可接著在原處沖洗、清潔及乾燥基板。處理室180亦可耦合至多個其他處理室182、184、186(諸如此類通常被稱之為群集工具)。
近接頭系統170亦可包含能夠處理基板108之第二表面108B的第二近接頭100’。近接頭系統170亦可包含用來監測施加至基板108之處理的儀器174。近接頭系統170亦可包含耦合至近接頭100並能夠支撐及/或移動近接頭的致動器176。
控制器172亦可包含配方178。配方178定義處理室中之處理的參數。控制器172係耦合至處理室180及近接頭100及需要用來控制處理室中之處理的處理室之其他部分。控制器172亦包含邏輯172A，邏輯172A用以實施處理室180中之處理的配方178。 邏輯172A亦包含監測處理之結果的能力，並包含根據所監測之結果來調整或修改一或更多配方之態樣的能力。
基板108可相對於近接頭100而移動。藉由實例，此基板可為半導體晶圓且可相對於近接頭100而旋轉。同樣地，可實質上將基板108固定在單一位置中，並且可將近接頭100移動超過基板的表面108A。亦應瞭解基板108與近接頭100兩者皆可移動。近接頭100的相對運動可為實質上越過表面108A的直線運動，或可以圓形或螺旋方式移動。被施加至該表面之一特定處理可能期望，近接頭100的運動亦能夠特定地從表面108A上之一位置移動到另一位置。
圖2A為符合本發明之近接頭200的橫剖面圖。圖2B為符合本發明之一實施例的近接頭200之頭部表面210的視圖。近接頭包含第一腔室204。第一導管112A將第一分離孔112B連接至第一腔室204。如上所述，第一液體源112’係耦合至第一腔室204。第一腔室204經由相對應的分離孔112B，將第一液體112分配至第一導管112A及頭部表面210，以在頭部表面與基板表面108A之間形成彎液面102。
近接頭200亦包含藉由第二導管114A連接至第二分離孔114B的第二腔室206。如上所述，第二流體源114’係耦合至第二流體液體供應腔室206。第二腔室206經由相對應的分離孔114B，將第二流體114分配至第二導管114A及頭部表面210。
近接頭200亦包含藉由第三導管116A連接至分離孔116B的第三腔室208。如上所述，真空源116’係耦合至第三供應腔室208。第三腔室208經由相對應的分離孔116B，分配真空至第三導管116A及頭部表面210。此真空可由頭部表面210汲取第一液體112及第二流體114(例如，從彎液面102及/或從頭部表面210與基板表面108A之間的空間)。
圖2C顯示符合本發明之一實施例的第三導管116A及第三腔室208之更詳細視圖230。第三導管116A係形成實質上垂直(即， 角度λ係等於約90度)於頭部表面210。第三導管116A具有的直經介於約0.5mm與約2.0mm之間(即，約0.020”與約0.80”)。操作期間，真空將液體抽吸至第三導管116A，且由於相對小的直徑，液體附著在導管側邊上，因而形成多重少量液體220，彎液面附近穿插有立即大氣壓的氣穴222的多重少量液體220係由彎液面102加以引出。因此，由存在於第三腔室208之真空所創造的氣流，間歇性地被第三導管116A中之各多重少量的液體220中斷。因此，此氣流受到周期性的阻斷，且真空並未連續且均勻地施加至彎液面102。
真空的中斷導致散播遍及彎液面102之壓力變動224。壓力變動能夠衝破彎液面102的前緣104A，其造成來自彎液面102的液滴226被排除。
參考上述說明於圖1A及1B之近接頭100，實質上在彎液面102之周圍附近施加真空。因此，任何從一或多個彎液面102之邊緣104A-104D排出的液滴(例如圖2C中所示的液滴226)由真空快速地收集。不幸地，實質上在彎液面102之周圍附近施加真空，需要近接頭內之非常複雜的真空分配系統。此複雜的真空分配系統需要在數層及很多部件中製造近接頭100。例如，如圖1A及1B中所示，形成頭部表面110A及儀表區塊110。真空分配系統係形成於一或更多額外區塊109中，其接著機械式密封至儀表區塊110的上表面111，以形成完整的近接頭。取決於精確的應用，近接頭100可包含多重部件、密封件以分配，在近接頭中管理並密封各種液體、流體及真空。
圖2D顯示符合本發明之一實施例的第三導管116A’及第三腔室208之更詳細視圖。以與頭部表面210成一角度θ而形成第三導管116A’。θ小於90度且與頭部表面210成約15至約60度之間。藉由實例，第三導管116A’以與頭部表面210夾約30度角而形成。
以與頭部表面所夾角度小於90度來形成第三導管116A’，造 成液體以更螺旋方式242而不是上述說明於圖2C中的分段方式220被汲取至導管上方。當液體沿導管116A'被向上汲出時，液體實質上沿導管116A'連續向上移動並進入第三腔室208中。因此，氣流不被中斷且真空壓保持不變，而彎液面102不被中斷且沒有來自彎液面的液滴被排除。因此，近接頭200不需要沿著彎液面102之前緣104A的真空。因此，可從單一塊材料製造近接頭200。
隨著液體實質上沿導管116A'連續地向上移動，僅需較少力量即可將液體拉進導管116A'，減少的力量跟較低的真空程度有關。藉由實例，具有實質上垂直導管116A(如圖2C中所示)的近接頭，需要介於約130mm汞柱高與180mm汞柱高之間的真空程度。相比較，由轉向之導管116A'所提供的連續流動，則需要介於約60mm汞柱高與約100mm汞柱高之間的真空程度。
圖2E為符合本發明之一實施例的形成近接頭200之操作方法250的流程圖。在操作255中，選擇近接頭毛胚(如單一材料區塊)並在近接頭毛胚中形成第一腔室204。近接頭毛胚可為任何合適材料(如塑膠、陶瓷、金屬、玻璃等等)，在處理期間其適合於處理環境及施加的化學物，並且在製造期間及處理的使用中能夠維持形狀及大小。藉由實例，近接頭200可由不鏽鋼或PTFE(通常稱之為特氟龍)或任何其他合適材料組成。
在操作260中，第二腔室206係形成於近接頭毛胚中；而在操作265中，第三腔室208係形成於近接頭毛胚中。藉由機器(如軋鋼機或鑽機等等)或藉由模製或鑄造或任何其他合適製造方法，可在近接頭毛胚中形成第一腔室204、第二腔室206及第三腔室208。
在操作270、275及280中，分別於近接頭毛胚中形成第一導管112A、第二導管114A及第三導管116A'。第一導管112A、第二導管114A及第三導管116A'可由適當機器處理(如鑽機或軋鋼機或其組合)而形成。藉由實例，藉由在相對應的所欲角度(如θ、α)下於頭部表面中將相對應的分離孔112B、114B及116B鑽孔，可 形成第一導管112A、第二導管114A及第三導管116A'。
在操作285中，於近接頭上形成頭部表面210的精確輪廓。頭部表面210可由任何合適裝置(如模製、機器、切割等等)形成。
再參考圖2A、2B及2D，頭部表面210具有很多特徵。頭部表面210包含多重平坦區域210A、210A'、210B、210C及210D。第二平坦區域210B為與大部分彎液面102接觸之頭部表面210的部分。彎液面102之厚度H介於約0.25mm與約5.0mm之間(即，0.010"至約0.200")。
將第一平坦區域210A偏移且位於實質上平行第二平坦區域210B之表面上。此偏移的距離D1介於約0.25H至約0.5H，使得第一平坦區域210A較第二平坦區域210B更接近基板表面108A。同時在操作中使第一平坦區域210A較接近基板表面108A，導致前緣104A實際上較後緣104B短(例如，後緣之長度約為H，而前緣之長度約為0.5H至0.75H)。因此，形成前緣104A之附著力實質上較強，且因而前緣相應地較強並更堅固。此堅固性進一步減少沿前緣104A之真空的需要，俾以維持前緣。
近接頭200不具有任何沿前緣之第二導管114A及第二分離孔114B，因而使用較少的第二流體114。缺少第二分離孔114B與第二流體114以及缺少沿前緣104A之真空，減少任何發生在前緣104A前之過早的乾燥。藉由實例，參考圖1A及1B中的近接頭，在前緣104A可消耗液滴之前，前緣104A前從導管114A流動的第二流體114可將液滴120乾燥。
在前緣104A可消耗液滴之前，在彎液面之前緣處流入真空導管116A之額外的大氣流，亦可增加液滴120上的大氣流且因而至少部分地將液滴乾燥。在前緣104A前，消除施加至基板表面108A之真空116及第二流體114的一或兩者，將減少液滴120的乾燥。由於液滴內的污染物將沉積在基板表面108A上，所以不期待將液滴120乾燥。假若先前處理為濕式處理(如沒有乾燥步驟之清潔或其他化學處理)，則此特別重要，且應用近接頭以沖洗及/或乾燥基 板表面108A。
圖3為符合本發明之一實施例的近接頭200之等角視圖。如圖3中所示，在第一分離孔112B之端點225A及225B附近，可將第一平坦區域210A加以延伸。在第一分離孔112B之端點225A及225B附近延伸第一平坦區域210A，進一步簡化近接頭200的結構，此係由於不需要施加真空來維持彎液面102之側邊104C及104D，且因而在彎液面102之側邊104C及104D的區域中，不需要第三導管116A、第三分離孔116B及第三腔室。
再參考圖2A、2B及2D，可選擇性地使第一平坦區域210A的一部分210A'偏移第一平坦區域210A，且位於實質上平行於第一平坦區域的平面上。由於當較接近基板表面108A時前緣及側將形成在第一平坦區域上，與第一平坦區域210A偏移的部分210A'能夠幫助形成彎液面之前緣104A及側104C及104D。與第一平坦區域210A偏移之部分210A'的距離為D1.1。距離D1.1可介於約0.25至約1.0mm之間(即，約0.010"至約0.040")。
可選擇性地將第三平坦區域210C偏移且位於實質上平行第二平坦表面區域210B的平面中。第三平坦區域210C與第二平坦表面區域210B偏移距離D2。D2可介於約0.5mm至約2.0mm之間(0.020"至約0.080")。第三平坦區域210C的偏移藉由幫助流動進入分離孔116B，幫助形成彎液面102之後緣104B的位置。此偏移增加第三平坦區域210C與基板表面108A間之空間的距離及容積。增加的空間容許更多立即大氣及流體114進入並流進分離孔116B。進入分離孔116B之立即大氣及流體114的額外流動，幫助由真空所帶入分離孔116B之液體的螺旋流動242。
每一分離孔116B亦可包含去角槽(chamfer)212。去角槽212進一步讓來自彎液面102的液體平順地流入分離孔116B。去角槽212可為任何合適尺寸及形狀。藉由實例，所顯示之去角槽212與分離孔116B實際上同中心。或者，去角槽212可更為橢圓且朝向分離孔114B延伸。
分離孔116B附近去角槽212可具有任何合適寬度D6。藉由實例，D6可介於約0.015”與約0.040”之間。去角槽212的寬度D5可介於約0.005”與約0.020”之間。去角槽212的角度γ可介於約30與約60度之間。藉由實例，在每一分離孔116B附近，去角槽212的寬度D6約0.015”、深度D5約0.015”及γ約45度。
在與第三平坦區域210C所夾之角度為α下形成第二導管114A’。角度α可介於約30度與約60度之間。角度α將第二流體114導離施加至第三導管116A’的真空116，因此，第二流體114存在於第三平坦區域210C與基板表面108A之間的體積較長的時間。此較長時間容許第二流體114有更多時間來作用在後緣104B與基板表面108A間的介面上。從上文回想：第二流體114可為氣體、蒸氣或氣體與蒸氣的混合物(如IPA/N2 蒸氣及氣體混合物、二氧化碳氣體等)，用以改變彎液面102中液體112的表面張力。假若分離孔114B稍微較遠離真空分離孔116B，則較多第二流體114與局部大氣混合。將第二流體114與局部大氣混合，提供第二流體114更均勻的輸送，且因而可更均勻地修改彎液面102之後緣104B的表面張力。
分離孔114B與分離孔116B隔開距離D3。距離D3可介於約0.5”與約0.75”之間。相似於上述說明的角度α，距離D3幫助決定在第三平坦區域210C與基板表面108A間之容積中第二流體的停留時間。當距離D3被縮減，則停留時間亦減少。或者，當距離D3被增加，則停留時間亦增加。可依每秒約0.2英吋與約0.6英吋之間的掃描速度，將近接頭200在基板表面108A上加以掃描。如此提供第二流體114的停留時間介於約0.8與約3.75秒之間。就比較而言，近接頭100(如圖1A中所示)提供介於約0.15與約0.75秒之間的停留時間(如約5的因子)。
第四平坦區域210D可與第三平坦區域210C共平面。或者，第四平坦區域210D可以與第三平坦區域210C夾角度β而轉向。角度β可介於約120度與約180度之間。
分離孔112B與分離孔116B隔開距離D4。距離D4可介於約0.25”與約2.0”之間。距離D4稍微小於彎液面102之前緣104A與後緣104B間的距離。
參考圖2A，在與第二平坦區域210B夾角度δ下，可選擇性地形成第一導管112A’(如假想線所示)。角度δ可介於約30度與約90度之間。將導管112A’轉向分離孔116B，促進並幫助第一液體112從導管112A’流進彎液面102及流進分離孔116B。
圖4為符合本發明之一實施例的處理表面108A之操作方法400的流程圖。在操作405中，近接頭200係放置在貼近於處理用之基板表面108A。
在操作410中，從一或更多第一導管112A及相對應的分離孔112B輸出液體112，以在頭部表面210與基板表面108A之間形成被控制的液體彎液面102。如上所述，經由將第一液體導向分離孔116B的轉向之第一導管112A’，可將液體112加以傳送。
在操作415中，施加真空116至一或更多轉向之第三導管116A’。此真空116將液體112從彎液面102吸至分離孔116B及相對應的導管116A’。如上所述，液體112實質上連續地流經導管116A’。
在可選擇的操作420中，沿彎液面的後緣104B施加第二流體114至基板表面108A。在操作425中，相對於基板108移動近接頭200，俾能沿基板表面108A移動彎液面102且操作方法可結束。
牢記上述實施例，吾人應瞭解本發明可利用涉及儲存於電腦系統中之資料之各種不同的電腦實施操作。這些操作需要實體數量之實體操作。雖然非必需，但這些數量通常採取能被儲存、轉換、結合、比較及其他操縱方法之電性或磁性信號的型式。此外，所施行之操作通常係指如處理、識別、決定或對照之詞語。
在此說明之形成部分本發明的任何操作係為有用的機械操作。本發明亦關於施行這些操作之裝置或設備。該設備為了所需之目的可特定的建構，或該設備可為一台藉由儲存於電腦中之電 腦程式而選擇性地被啟動或安裝之通用電腦。尤其，各種不同的通用機器可能依據此處之教示而與所寫入之電腦程式一起被使用，或其可能更方便於建構一更專門的設備以執行所需要的操作。
本發明之實施態樣亦可具體化成一電腦可讀式媒體上的電腦可讀式程式碼及/或邏輯。藉由實例在流程圖中說明配方178及操作方法。電腦可讀式媒體為任何可儲存資料之資料儲存裝置，其接著可被電腦系統讀取。電腦可讀式媒體的例子包含硬式磁碟機、附加式網路儲存設備(NAS)、邏輯電路、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD-ROMs、CD-Rs、CD-RWs、磁帶及其他光學及非光學資料儲存裝置。電腦可讀式媒體亦可分布在連接網路之電腦系統，以使電腦可讀式程式碼以分布方式儲存及執行。
吾人將進一步明白：由上述圖式中之操作所代表的指令沒有必要依說明的次序來執行，並且由操作所代表之處理並非全為實施本發明所必須。又，上述任何圖式中所述的處理亦可在軟體中加以實施，此軟體儲存在RAM、ROM或硬式磁碟機之組合或任何一者中。
雖然在為了清楚瞭解的目的下，本發明已就某些細節詳加說明，然而很明顯的在附加申請專利範圍之範疇內可實現某種改變及修改。因此，本實施例係視為舉例性而非限制性，且本發明不限於在此給定的細節中，而可在附加申請專利範圍之範疇及等效物內做出修改。
100‧‧‧近接頭
100’‧‧‧第二近接頭
102‧‧‧彎液面
104A‧‧‧前緣
104B‧‧‧後緣
104C‧‧‧側邊
104D‧‧‧側邊
108‧‧‧基板
108A‧‧‧表面
109‧‧‧區塊
110‧‧‧儀表區塊
110B‧‧‧平坦區域
110C‧‧‧平坦區域
110D‧‧‧平坦區域
111‧‧‧上表面
110A‧‧‧頭部表面
112‧‧‧第一流體
112’‧‧‧第一液體源
112A‧‧‧第一導管
112A’‧‧‧第一導管
112B‧‧‧分離孔
114‧‧‧第二流體
114’‧‧‧第二流體源
114A’‧‧‧第二導管
114B‧‧‧分離孔
116’‧‧‧真空源
116A’‧‧‧第三導管
116B‧‧‧分離孔
118‧‧‧監測器
120‧‧‧液滴
122‧‧‧方向
124‧‧‧第二表面
150‧‧‧操作方法
152‧‧‧操作
154‧‧‧操作
156‧‧‧操作
158‧‧‧操作
160‧‧‧操作
170‧‧‧近接頭系統
172‧‧‧控制器
172A‧‧‧邏輯
174‧‧‧儀器
176‧‧‧致動器
178‧‧‧配方
180‧‧‧處理室
182‧‧‧處理室
184‧‧‧處理室
186‧‧‧處理室
200‧‧‧近接頭
204‧‧‧第一腔室
204’‧‧‧第一腔室
206‧‧‧第二腔室
208‧‧‧第三腔室
210‧‧‧頭部表面
210A‧‧‧平坦區域
210A’‧‧‧平坦區域的一部分
210B‧‧‧平坦區域
210C‧‧‧平坦區域
210D‧‧‧平坦區域
212‧‧‧去角槽
220‧‧‧液體
222‧‧‧氣穴
224‧‧‧壓力變動
226‧‧‧液滴
230‧‧‧更詳細視圖
240‧‧‧更詳細視圖
242‧‧‧螺旋方式
250‧‧‧操作方法
255‧‧‧操作
255A‧‧‧端點
255B‧‧‧端點
260‧‧‧操作
265‧‧‧操作
270‧‧‧操作
275‧‧‧操作
280‧‧‧操作
285‧‧‧操作
D1~D4‧‧‧距離
D5‧‧‧寬度
D6‧‧‧寬度
藉由以下詳細說明連同附圖，將可輕易地瞭解本發明。
圖1A說明符合本發明之一實施例的近接頭，該近接頭在一基板的表面上實施操作。
圖1B為符合本發明之一實施例的近接頭之頭部表面的視圖。
圖1C為符合本發明之一實施例的處理表面108A之操作方法的流程圖。
圖1D為符合本發明之一實施例的近接頭系統之簡圖。
圖2A為符合本發明之近接頭的橫剖面圖。
圖2B為符合本發明之一實施例的近接頭之頭部表面的視圖。
圖2C顯示符合本發明之一實施例的第三導管及第三腔室208之更詳細視圖。
圖2D顯示符合本發明之一實施例的第三導管及第三腔室208之更詳細視圖。
圖2E為符合本發明之一實施例的形成近接頭之操作方法的流程圖。
圖3為符合本發明之一實施例的近接頭之等角視圖。
圖4為符合本發明之一實施例的處理表面之操作方法的流程圖。
102‧‧‧彎液面
104A‧‧‧前緣
104B‧‧‧後緣
108‧‧‧基板
108A‧‧‧表面
112A‧‧‧第一導管
112A'‧‧‧第一導管
114A'‧‧‧第二導管
116A'‧‧‧第三導管
200‧‧‧近接頭
204‧‧‧第一腔室
204'‧‧‧第一腔室
206‧‧‧第二腔室
208‧‧‧第三腔室
210‧‧‧頭部表面
210A‧‧‧平坦區域
210A'‧‧‧平坦區域
210B‧‧‧平坦區域
210C‧‧‧平坦區域
210D‧‧‧平坦區域
212‧‧‧去角槽
D1、D2‧‧‧距離

Claims (20)

  1. 一種近接頭，包含：一頭部表面，該頭部表面包含：一第一平坦區域及複數之第一導管，每一該等複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定，該等複數之第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域；一第二平坦區域及複數之第二導管，該等複數之第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定，該等第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域；及一第三平坦區域及複數之第三導管，該第三平坦區域被設置於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者，該等複數之第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定，該等第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域，其中該等第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該等第一導管被耦合至一第一液體源並提供一第一液體至該頭部表面，其中將該複數之第二導管耦合至一第二流體源並將一第二流體提供至該頭部表面，且其中將該複數之第三導管耦合至一真空源並提供一真空至該頭部表面。
  3. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該等第三分離孔沿一後緣而形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該等第一導管以相對於該第一平坦區域之一第二角度而形成，該第二角度介於30與60度之間。
  5. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中該等第一分離孔係形成於一第一列中，該等第二分離孔係形成於一第二列中，該等第三分離孔係形成於一第三列中，該第一列、該第二列及該第三列係實質上平行，且其中該第三列配置於該第一列與該第二列之間。
  6. 如申請專利範圍第5項之近接頭，其中該等第二導管以相對於該第二平坦區域之一第二角度而形成，該第二角度介於30與60度之間，其中該第二導管被導引離開該第三列。
  7. 如申請專利範圍第5項之近接頭，更包含一第四平坦區域，該第四平坦區域被配置在該第一列之由該第三列起的對向側上，且該第四平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
  8. 如申請專利範圍第5項之近接頭，其中該第二列與該第三列相隔的距離介於約0.5英吋與約0.75英吋之間。
  9. 如申請專利範圍第5項之近接頭，其中該第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
  10. 如申請專利範圍第9項之近接頭，其中該第三平坦區域與該第一平坦區域間的偏移介於約0.020英吋與約0.080英吋之間。
  11. 如申請專利範圍第10項之近接頭，其中在偏移該第一平坦區域之該第三平坦區域中形成該第三列。
  12. 如申請專利範圍第1項之近接頭，其中將該等第三分離孔去角槽化(chamfered)。
  13. 如申請專利範圍第1項之近接頭，更包含耦合至該等第一導管的一第一腔室、耦合至該等第二導管的一第二腔室、以及耦合至該等第三導管的一第三腔室。
  14. 一種近接頭，包含：一頭部表面，該頭部表面包含：一第一平坦區域及複數之第一導管，每一該等複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定，該等複數之第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域；一第二平坦區域及複數之第二導管，該等複數之第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定，該等第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域；一第三平坦區域及複數之第三導管，該第三平坦區域被配置於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者，該等複數之第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定，該等第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域，其中該等第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間，其中該等第三分離孔沿一後緣而形成；一第四平坦區域，被設置在該第一列自該第三列起的對向側上，該第四平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上，其中該第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
  15. 一種近接頭的製造方法，包含：在一近接頭中形成一第一腔室；在該近接頭中形成一第二腔室；在該近接頭中形成一第三腔室；從一頭部表面至該第一腔室形成複數之第一導管； 從一頭部表面至該第二腔室形成複數之第二導管；及從一頭部表面至該第三腔室形成複數之第三導管，其中該第三導管以相對於該頭部表面之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間。
  16. 如申請專利範圍第15項之近接頭的製造方法，更包含：在該頭部表面上形成一第一平坦區域；在該頭部表面上形成一第二平坦區域；在該頭部表面上形成一第三平坦區域，該第三平坦區域被配置於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近該二者，其中該第三平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
  17. 如申請專利範圍第15項之近接頭的製造方法，更包含形成一第四平坦區域，該第四平坦區域位在實質上平行於且偏離該第一平坦區域的平面上。
  18. 如申請專利範圍第15項之近接頭的製造方法，其中該近接頭係由一單一工件加以形成。
  19. 一種利用近接頭之基板處理方法，其中該近接頭包含：一頭部表面，該頭部表面包含：一第一平坦區域及複數之第一導管，每一該等複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定，該等複數之第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域；一第二平坦區域及複數之第二導管，該等複數之第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定，該等第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域；及一第三平坦區域及複數之第三導管，該第三平坦區域被設置 於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者，該等複數之第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定，該等第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域，其中該等第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成，該第一角度介於30與60度之間；該方法包含：使該近接頭貼近該基板之一表面，並放置在實質上平行於該基板表面之一第一平面上；在該近接頭之該頭部表面的該第三平坦區域與該基板表面之間形成一液體彎液面；及施加一真空至該液體彎液面的一後緣，其中該真空從該液體彎液面汲取一實質上連續的液體流。
  20. 如申請專利範圍第19項之利用近接頭之基板處理方法，其中該頭部表面之該第一平坦區域位在實質上平行於且偏離該第三平坦區域的平面上，其中使該第一平坦區域偏移成比該第三平坦區域更接近該基板表面，且其中該液體彎液面包含形成在該第一平坦區域與該基板表面之間的一前緣。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8813764B2 (en) * 2009-05-29 2014-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for physical confinement of a liquid meniscus over a semiconductor wafer
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus
US20120260517A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
US11251047B2 (en) * 2017-11-13 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Clog detection in a multi-port fluid delivery system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP2003151948A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
TW200610006A (en) * 2004-06-30 2006-03-16 Lam Res Corp Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing

Family Cites Families (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3953265A (en) 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4086870A (en) 1977-06-30 1978-05-02 International Business Machines Corporation Novel resist spinning head
US4367123A (en) 1980-07-09 1983-01-04 Olin Corporation Precision spot plating process and apparatus
JPS5852034B2 (ja) 1981-08-26 1983-11-19 株式会社ソニツクス 部分メツキ方法及びその装置
US4444492A (en) 1982-05-15 1984-04-24 General Signal Corporation Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer
US4838289A (en) 1982-08-03 1989-06-13 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for edge cleaning
JPS62150828A (ja) 1985-12-25 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp ウエハ乾燥装置
JPH0712035B2 (ja) 1989-04-20 1995-02-08 三菱電機株式会社 噴流式液処理装置
JPH02309638A (ja) 1989-05-24 1990-12-25 Fujitsu Ltd ウエハーエッチング装置
JPH0628223Y2 (ja) 1989-06-14 1994-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 回転塗布装置
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
US5102494A (en) 1990-07-13 1992-04-07 Mobil Solar Energy Corporation Wet-tip die for EFG cyrstal growth apparatus
US5294257A (en) 1991-10-28 1994-03-15 International Business Machines Corporation Edge masking spin tool
US5343234A (en) 1991-11-15 1994-08-30 Kuehnle Manfred R Digital color proofing system and method for offset and gravure printing
JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5807522A (en) 1994-06-17 1998-09-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Methods for fabricating microarrays of biological samples
DE69512067T2 (de) 1994-06-30 2000-04-27 Procter & Gamble Flüssigkeitsleitendes gewebe mit oberflächenenergiegradienten
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
JP3247270B2 (ja) 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
US5558111A (en) 1995-02-02 1996-09-24 International Business Machines Corporation Apparatus and method for carrier backing film reconditioning
US5601655A (en) 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
JPH08277486A (ja) 1995-04-04 1996-10-22 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームのめっき装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
DE19622015A1 (de) 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US5830334A (en) 1996-11-07 1998-11-03 Kobayashi; Hideyuki Nozzle for fast plating with plating solution jetting and suctioning functions
JPH10163138A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
JPH1133506A (ja) 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JPH10232498A (ja) 1997-02-19 1998-09-02 Nec Kyushu Ltd 現像装置
JPH1131672A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Hitachi Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6103636A (en) 1997-08-20 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for selective removal of material from wafer alignment marks
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
ATE287126T1 (de) 1997-09-24 2005-01-15 Imec Inter Uni Micro Electr Verfahren zum entfernen einer flüssigkeit von einer oberfläche einer substrat
DE69832567T2 (de) 1997-09-24 2007-01-18 Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
EP0905746A1 (en) 1997-09-24 1999-03-31 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of removing a liquid from a surface of a rotating substrate
AU2233399A (en) 1998-02-12 1999-08-30 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6108932A (en) 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
JPH11350169A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Chemitoronics Co ウエットエッチング装置およびウエットエッチングの方法
US6132586A (en) 1998-06-11 2000-10-17 Integrated Process Equipment Corporation Method and apparatus for non-contact metal plating of semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly
US6689323B2 (en) 1998-10-30 2004-02-10 Agilent Technologies Method and apparatus for liquid transfer
US6092937A (en) 1999-01-08 2000-07-25 Fastar, Ltd. Linear developer
JP3653198B2 (ja) 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
US20020121290A1 (en) 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
JP3635217B2 (ja) 1999-10-05 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及びその方法
WO2001027357A1 (en) 1999-10-12 2001-04-19 Semitool, Inc. Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station
US6341998B1 (en) 1999-11-04 2002-01-29 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit (IC) plating deposition system and method
US6214513B1 (en) 1999-11-24 2001-04-10 Xerox Corporation Slot coating under an electric field
US6433541B1 (en) 1999-12-23 2002-08-13 Kla-Tencor Corporation In-situ metalization monitoring using eddy current measurements during the process for removing the film
US20030091754A1 (en) 2000-02-11 2003-05-15 Thami Chihani Method for treating cellulosic fibres
US6474786B2 (en) 2000-02-24 2002-11-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Micromachined two-dimensional array droplet ejectors
US6495005B1 (en) 2000-05-01 2002-12-17 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus
WO2001087491A1 (en) 2000-05-16 2001-11-22 Regents Of The University Of Minnesota High mass throughput particle generation using multiple nozzle spraying
AU2001270205A1 (en) 2000-06-26 2002-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US7000622B2 (en) 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7234477B2 (en) 2000-06-30 2007-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US6530823B1 (en) 2000-08-10 2003-03-11 Nanoclean Technologies Inc Methods for cleaning surfaces substantially free of contaminants
JP2002075947A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
US6555017B1 (en) 2000-10-13 2003-04-29 The Regents Of The University Of Caliofornia Surface contouring by controlled application of processing fluid using Marangoni effect
US6550988B2 (en) 2000-10-30 2003-04-22 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6531206B2 (en) 2001-02-07 2003-03-11 3M Innovative Properties Company Microstructured surface film assembly for liquid acquisition and transport
WO2002101799A2 (en) 2001-06-12 2002-12-19 Verteq, Inc. Stackable process chambers
TW554069B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
JP2003115474A (ja) 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
US6799584B2 (en) 2001-11-09 2004-10-05 Applied Materials, Inc. Condensation-based enhancement of particle removal by suction
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7198055B2 (en) 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7153400B2 (en) 2002-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers
US7069937B2 (en) 2002-09-30 2006-07-04 Lam Research Corporation Vertical proximity processor
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7252097B2 (en) 2002-09-30 2007-08-07 Lam Research Corporation System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7614411B2 (en) 2002-09-30 2009-11-10 Lam Research Corporation Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head
US7293571B2 (en) 2002-09-30 2007-11-13 Lam Research Corporation Substrate proximity processing housing and insert for generating a fluid meniscus
SG140470A1 (en) * 2002-09-30 2008-03-28 Lam Res Corp System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold
US7513262B2 (en) 2002-09-30 2009-04-07 Lam Research Corporation Substrate meniscus interface and methods for operation
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101872135B (zh) 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
EP1489461A1 (en) 2003-06-11 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US7353560B2 (en) 2003-12-18 2008-04-08 Lam Research Corporation Proximity brush unit apparatus and method
US7003899B1 (en) 2004-09-30 2006-02-28 Lam Research Corporation System and method for modulating flow through multiple ports in a proximity head
US8141566B2 (en) * 2007-06-19 2012-03-27 Lam Research Corporation System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
JP2003151948A (ja) * 2001-11-08 2003-05-23 Seiko Epson Corp 表面処理装置および表面処理方法
TW200610006A (en) * 2004-06-30 2006-03-16 Lam Res Corp Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
EP2132767A4 (en) 2012-10-03
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US7975708B2 (en) 2011-07-12
SG176462A1 (en) 2011-12-29
JP2010524204A (ja) 2010-07-15
JP5103517B2 (ja) 2012-12-19
CN101652831B (zh) 2012-08-15
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TW200903573A (en) 2009-01-16
WO2008121190A1 (en) 2008-10-09

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