JP2010523448A5

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Publication number: JP2010523448A5
Application number: JP2010501518A
Authority: JP
Filing date: 2008-04-03
Publication date: 2011-05-19
Anticipated expiration: 2028-04-03

Claims

少なくともケイ素と、酸素と、ＧａおよびＺｎから成る群から選択される少なくとも１種のヘテロ原子とを含むケイ酸塩を製造する方法であって、
（１）少なくとも１種の二酸化ケイ素源と、Ｒ₁Ｒ₂Ｒ₃Ｒ₄Ｎ⁺[式中、Ｒ₁およびＲ₂は、それぞれメチルであり、Ｒ₃およびＲ₄の両方はｎ−プロピルである］を含む少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物と、少なくとも１種の塩基と、少なくとも１種の結晶化助剤と、並びにＧａ源およびＺｎ源から成る群から選択される少なくとも１種のヘテロ原子源とからコロイド性水溶液を製造する工程と、
（２）工程（１）で得られたコロイド性水溶液を、選択された圧力下におけるコロイド性水溶液の沸点より高い温度から標準気圧における１８０℃までの範囲の温度に加熱することによって熱水結晶化させて、ケイ素、酸素、並びにＧａおよびＺｎから成る群から選択される少なくともヘテロ原子を含む少なくとも１種のケイ酸塩を含む懸濁液を得る工程と、
を含み、
（１）において使用される該結晶化助剤が、（２）において得られる該ケイ酸塩の構造を有するケイ酸塩である製造方法。
前記結晶化助剤が、（１）において、二酸化ケイ素に基づいておよび／または二酸化ケイ素前駆体中に存在する二酸化ケイ素に基づいて、０．００１〜５質量％、好ましくは０．０１〜０．０５質量％の量において加えられる、請求項１に記載の方法。
（１）で使用される前記結晶化助剤がＳｉ−ＲＵＢ−３９構造の層状ケイ酸塩である、請求項１または２に記載の方法。
（１）において使用される前記水溶液が、テトラアルキルアンモニウム化合物としてジメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド（ＤＭＤＰＡＨ）を含む、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
（１）において得られた前記コロイド性水溶液を場合により濃縮した後、（２）において１２〜２４０時間の範囲、オートクレーブ中で１００〜１８０℃の温度に加熱する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
非晶質二酸化ケイ素が（１）において使用される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
使用される前記ヘテロ原子源が、硝酸ガリウムおよび／または硝酸亜鉛である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
（１）において得られる、場合により濃縮された溶液が、（２）において加熱される前に、ＳｉＯ₂として計算されたケイ素、Ｇａ₂Ｏ₃として計算されたガリウム、テトラアルキルアンモニウム化合物としてのＤＭＤＰＡＨ、水、および結晶化助剤を、
ＳｉＯ₂：Ｇａ₂Ｏ₃：ＤＭＤＰＡＨ：水：結晶化助剤が
１：（０．００１〜０．０５）：（０．４〜１０）：（４〜１２）：（０．００１〜５）
の質量比で、好ましくは、
１：（０．００５〜０．０２）：（１〜２）：（１０〜１２）：（０．０１〜０．０５）
の質量比で含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
（１）において得られる、場合により濃縮された溶液が、（２）において加熱される前に、ＳｉＯ₂として計算されたケイ素、ＺｎＯとして計算された亜鉛、テトラアルキルアンモニウム化合物としてのＤＭＤＰＡＨ、水、および結晶化助剤を
ＳｉＯ₂：ＺｎＯ：ＤＭＤＰＡＨ：水：結晶化助剤が
１：（０．００１〜０．０５）：（０．４〜１０）：（４〜１２）：（０．００１〜５）
の質量比で、好ましくは、
１：（０．０１〜０．０５）：（１〜２）：（１０〜１２）：（０．０１〜０．０５）
の質量比で含む、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
（１）において追加的に使用されるさらなる前記ヘテロ原子源が、アルミニウム源、ホウ素源、鉄源、チタン源、スズ源、ゲルマニウム源、ジルコニウム源、バナジウム源、ニオブ源、およびこれらのヘテロ原子源の２種以上の混合物、から成る群から選択されるヘテロ原子源である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法であって、
（３）（２）において得られた前記懸濁液から、ケイ素、酸素、および少なくとも１つのヘテロ原子を含む少なくとも１種の前記ケイ酸塩を分離する工程と、
（４）場合により、（３）において分離された該ケイ酸塩を洗浄する工程、好ましくは水で洗浄する工程と、
（５）（３）または（４）において得られた該ケイ酸塩を、好ましくは室温〜１５０℃の範囲の温度で乾燥する工程と
をさらに含む方法。
請求項１１に記載の方法であって、さらに
（６）好ましくは３００〜６００℃の範囲の温度で、ケイ素、酸素、および少なくとも１種のヘテロ原子を含みかつ（５）において得られる少なくとも１種の前記ケイ酸塩を焼成して、テクトケイ酸塩、好ましくは、Ｘ線結晶学においてＲＲＯ型に分類されるテクトケイ酸塩を得る工程
を含む方法。
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法によって得られる層状ケイ酸塩。
請求項１２に記載の方法によって得られるテクトケイ酸塩。
ＲＵＢ−３９構造の層状ケイ酸塩であって、該ケイ酸塩格子中にＧａおよび／またはＺｎを含むケイ酸塩。
ＲＲＯ構造のテクトケイ酸塩であって、該ケイ酸塩格子中にＧａおよび／またはＺｎを含むケイ酸塩。
請求項１６に記載の少なくとも１種のテクトケイ酸塩を含む成形体。
請求項１２に記載の方法によるテクトケイ酸塩の製造または請求項１６に記載のテクトケイ酸塩の準備、ならびに
（Ｉ）前記テクトケイ酸塩と少なくとも１種のバインダー材料とを含む混合物を製造する工程と、
（ＩＩ）当該混合物を混練する工程と、
（ＩＩＩ）当該混練された混合物を成形し、少なくとも１種の成形体を得る工程と、
（ＩＶ）少なくとも１種の成形体を乾燥する工程と、
（Ｖ）少なくとも１種の乾燥した成形体を焼成する工程と、
を含む、成形体の製造方法。
請求項１４もしくは１６に記載のＧａ−ＲＲＯ構造のテクトケイ酸塩、またはＧａ−ＲＲＯを含む請求項１７に記載の成形体を触媒として使用する脱水素環形成のための方法。
請求項１４もしくは１６に記載のＺｎ−ＲＲＯ構造のテクトケイ酸塩またはＺｎ−ＲＲＯを有する請求項１７に記載の成形体を触媒として使用するＣ−Ｃ三重結合を活性化するための方法。