JP2012519640A5 - - Google Patents
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Claims (22)
- 少なくともシリコンと酸素を含む、層構造のシリケートを製造する方法であって、
（１）シリカ及び／又は少なくとも１種のシリカ前駆体、水、ジエチルジメチルアンモニウム化合物、トリエチルメチルアンモニウム化合物、及びジエシルジメチルアンモニウムとトリエチルメチルアンモニウム化合物の混合物から成る群から選ばれる、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び少なくとも１種の塩基、及び任意に、少なくとも１種の適切な種材料を含む混合物を準備する工程；
（２）工程（１）に従い得られた混合物を、自己生成の圧力下に、１２０〜１６０℃の範囲の温度に、５〜１０日間加熱し、層構造のシリケートを含む懸濁液を得る工程、
を含み、及び工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．３〜０．７）：（９〜１５）のモル割合であることを特徴とする方法。 - 工程（１）に従い使用される水溶液が、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド、又はジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシドとトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．４〜０．６）：（９〜１５）のモル割合であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
- 工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水として、１：（０．４５〜０．５５）：（９．５〜１０．５）のモル割合で含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
- 混合物が、工程（２）に従い、８．５〜９．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 混合物が、工程（２）に従い、５．５〜６．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 混合物が、工程（２）に従い、６．７〜７．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
- 工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．４５〜０．５５）：（１２．０〜１３．０）のモル割合であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
- 工混合物が工程（２）に従い、７．５〜８．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
- 混合物が、工程（２）に従い、１３０〜１５０℃の範囲の温度に加熱されることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
- 工程（１）に従い、非結晶質のシリカが使用されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
- 工程（１）に従う混合物が、追加的に、層構造のシリケート中のＳｉ原子の少なくとも一部を同形置換するのに適切な、少なくとも１種の元素の供給源を少なくとも１種含むことを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
- （３）工程（２）で得られた懸濁液からシリケートを分離し、及び任意に更に、
（４）分離されたシリケートを洗浄する工程、及び／又は
（５）分離され、及び任意に洗浄されたシリケートを乾燥させる工程、
を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。 - 分離され、及び任意に洗浄され、及び／又は乾燥されたシリケートが後処理され、これにより、層構造シリケート中のＳｉが、少なくとも１種の適切な元素で、少なくとも部分的に同形置換されることを含む請求項１３に記載の方法。
- （６）（２）又は（３）又は（４）又は（５）に従い得られたシリケートをか焼する工程、
を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の方法。 - か焼されたシリケートが後処理され、これにより、か焼されたシリケート中のＳｉが、少なくとも１種の適切な元素で同形置換されることを含む請求項１５に記載の方法。
- 請求項１〜１４の何れか１項に記載された方法によって得ることができる層構造のシリケート。
- 少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。 - 少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。 - 少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。 - 請求項１５又は１６の何れかに記載の方法によって得ることができるテクトシリケート。
- 請求項１７〜２０の何れか１項に記載の層構造のシリケート、又は請求項２１に記載のテクトシリケートを、分子篩、触媒、触媒担体、又はこれらのバインダー、吸着材として、イオン交換のために、セラミックスの製造のために、又はポリマーに使用する方法。
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