JP2010520169A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- ホルムアルデヒドシアンヒドリン（ＦＡＣＨ）をほぼ含まない粗ＡＡＮを５０〜１５０℃の温度に加熱する、アミノアセトニトリル（ＡＡＮ）及びイミノジアセトニトリル（ＩＤＡＮ）５〜７０質量％を含有するアミノニトリル混合物の製造のための方法。
- 粗ＡＡＮを６０〜１３０℃の温度に加熱することを特徴とする、請求項１記載の方法。
- アミノニトリル混合物中にＩＤＡＮ１０〜４０質量％が含有されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
- 管型反応器、流動管、流下薄膜式蒸発器、薄膜式蒸発器、または前記反応器タイプの２またはそれ以上のカスケードで行い、この際カスケードの場合は、これらが同一の、または異なる反応器から成るカスケードであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
- 粗ＡＡＮ中でＮＨ3対ＡＡＮのモル比が≦２．５：１［ｍｏｌ／ｍｏｌ］であり、かつ／またはアミノニトリル混合物の調整の間に放出されるＮＨ3を装置から留去することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
- 粗ＡＡＮを、ＮＨ3とホルムアルデヒドシアンヒドリン（ＦＡＣＨ）からモル比≧４：１［ｍｏｌ／ｍｏｌ］で、かつ５０〜８０℃の温度で製造することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
- 粗ＡＡＮｓの合成に直接的に引き続き実施することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
- それぞれ記載したパラメータ範囲内において混合物中でのより高いＩＤＡＮ割合を調節するために
ｉ．より高温を選択する、
ｉｉ．より長い滞留時間を選択する、かつ／又は
ｉｉｉ．装置（Ｖ１）中のＮＨ3含量を減少する、
ことを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 - 得られるアミノニトリル混合物を引き続き、エチレンアミン混合物を獲得しながら触媒作用した水素化にかけることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
- 水素化の際に得られるエチレンアミン混合物からエチレンジアミン（ＥＤＡ）及び／又はジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）を単離することを特徴とする、請求項９記載の方法。
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