JP2010517259A - 粗面化処理方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1C
Description
上記半導体基板の表面上に、酸化することができる材料及び/又は酸化を遮断しない材料の凹凸ゾーン(zone of irregularities)を形成するステップと、
材料及び半導体基板の一部分を熱酸化し、又は材料及び半導体基板の一部分を介して熱酸化し、半導体基板内に粗界面を形成するステップと、を備える。
E=d/0.44
以上の厚さEの熱酸化物10を形成する(図1C)。
多結晶性シリコンの厚さd=400nm
E=1.2μm
酸化中の温度:1100℃
埋め込み界面の最終的な粗さ:5×5μmの走査において3nmRMS
E=d/0.44
以上の熱酸化物の厚さにより、粒子のほぼすべてを消費することが可能となる。ここで、dは直径に、又は最大粒子の最大寸法に相当する。
Claims (21)
- 半導体基板(2)内に粗い界面(12、22、22’、32)を形成する方法であって、 前記半導体基板の表面(4)上に、酸化することができる材料及び/又は酸化を遮断しない材料(6、14、14’、36)の凹凸ゾーン(8、38)を形成するステップと、
前記材料(6、14、14’、36)及び前記半導体基板の一部分を熱酸化し、又は前記材料(6、14、14’、36)及び前記半導体基板の一部分を介して熱酸化し、前記半導体基板(2)内に粗界面を形成するステップと、を備える方法。 - 前記凹凸ゾーンが、前記半導体基板の前記表面の初期粗さ(R1)より大きい粗さ(R2)を有する追加の層(6、36)を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記追加の層が、10nm〜3μmの範囲内の初期厚さを有する、請求項2に記載の方法。
- 前記追加の層の前記粗さ(R2)が、5μm×5μmの走査において1nmRMS〜10nmRMSの範囲内である、請求項2又は3に記載の方法。
- 前記追加の層(6、36)の前記粗さ(R2)は、前記追加の層(6、36)の事前の化学的侵食によって得られるものであり、前記事前の化学的侵食が前記半導体基板(2)には到達しない、請求項2〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記凹凸ゾーンが、ポリシリコン層又は非晶質シリコン層上に形成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記凹凸ゾーンが、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層上に形成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記追加の層(6、36)は熱酸化物又は熱窒化物を含み、該追加の層(6、36)の前記粗さ(R2)がHF又はH3PO4の事前の侵食によって得られる、請求項5に記載の方法。
- 前記凹凸ゾーンが、前記半導体基板の前記表面(4)上に堆積させた粒子(14、14’)を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記粒子が、前記半導体基板と垂直な軸に沿って測定されると共に10nm〜10μmの範囲内である最大直径又は最大寸法を有する、請求項9に記載の方法。
- 前記粒子は、様々な直径又は様々な寸法を有し、前記直径及び前記寸法が、前記半導体基板と垂直な軸に沿って測定される、請求項10に記載の方法。
- 前記酸化ステップが、950℃〜1200℃の範囲内の温度における乾式熱酸化ステップ又は湿式熱酸化ステップである、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記酸化ステップの後に、酸化によって形成される酸化物を除去して前記粗界面を新しく形成するステップと、新たな熱酸化層を形成するステップとが続く、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 粗い埋め込まれた界面を有する半導体部品を形成する方法であって、
請求項1〜13のいずれか一項に記載の第1の半導体基板内に粗界面(12、22、22’、32)を形成するステップと、
第2の基板(52、102)との組立てを考慮して、酸化物又は酸化された材料(6、14、14’、36)の表面を形成するステップと、
前記酸化物又は前記酸化された材料(6、14、14’、36)の前記表面と、前記第2の基板(52、102)とを組み立てるステップと、を備える方法。 - 前記第2の基板が、未加工基板又はバルク基板である、請求項14に記載の方法。
- 前記第2の基板が、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、非晶質シリコン基板、又はSiCである、請求項15に記載の方法。
- 前記第2の基板が、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法によって得られる、請求項14に記載の方法。
- 前記第1の半導体基板及び前記第2の基板のうちの一方が、薄くされる、請求項14〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記酸化物又は前記酸化された材料の少なくとも一部分が除去される、請求項14〜18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記酸化物の一部を除去するステップが、前記第1の半導体基板及び前記第2の基板のうちの一方に作られた一以上の開口(111、113)を通してエッチングすることによって行われる、請求項19に記載の方法。
- 前記第1の半導体基板が、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、非晶質シリコン基板、又はSiCである、請求項1〜20のいずれか一項に記載の方法。
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